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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > surface and interfaceに関連した英語例文

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surface and interfaceの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 942



例文

This semiconductor light emitting device includes: a support substrate 30; a semiconductor film 10 including a luminescent layer 12 formed on the support substrate; a surface electrode formed on a surface of the semiconductor film on a light extraction surface side; and a reflective film 20 formed between the support substrate and the semiconductor film and forming a reflective surface in an interface with the semiconductor film.例文帳に追加

半導体発光装置は、支持基板30と、支持基板上に設けられた発光層12を含む半導体膜10と、半導体膜の光取り出し面側の表面に設けられた表面電極と、支持基板と半導体膜との間に設けられて半導体膜との界面において反射面を形成する反射膜20と、を含んでいる。 - 特許庁

Further, an external impact is applied onto a bonding interface, the SiGe epitaxial film is separated along a hydrogen ion implantation interface 13 to obtain an SiGe thin film 14, and further a surface of the SiGe thin film 14 is subjected to final surface treatment (CMP polishing, or the like) to remove damage caused by hydrogen ion implantation.例文帳に追加

更に、貼り合わせ界面に外部衝撃を加え、水素イオン注入界面13に沿ってSiGeエピタキシャル膜の剥離を行ってSiGe薄膜14を得、さらにこのSiGe薄膜14の表面に最終表面処理(CMP研磨等)を施して水素イオン注入起因のダメージを除去する。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a strained Ge-containing layer on the front surface of an Si-containing substrate, implanting ions into the interface of the Ge-containing layer/the Si-containing substrate or under the interface, and forming the substantially-relaxed SiGe alloy layer, in which the flat surface defect density is decreased.例文帳に追加

本発明の方法は、Si含有基板の表面上に歪みGe含有層を形成するステップと、Ge含有層/Si含有基板の界面にまたは界面の下にイオンを注入するステップと、加熱を行って、平面欠陥密度が低下した、実質的に緩和したSiGe合金層を形成するステップと、を含む。 - 特許庁

Further, the liquid is supplied toward the substrate surface Wf on the upstream side interface 231a of the liquid-tight layer 23 or on the downstream side (-X) in the moving direction from the upstream side interface 231a and displaced by fresh liquid to which a rinse liquid (a liquid) coming into contact with the substrate surface Wf is additionally supplied.例文帳に追加

さらに、液密層23の上流側界面231aまたは該上流側界面231aよりも移動方向の下流側(−X)において液体を基板表面Wfに向けて供給し、基板表面Wfと接液するリンス液(液体)を追加供給されたフレッシュな液体に置換している。 - 特許庁

例文

Light, such as scattered or reflected, emitted from an interface between the medium and the patterned surface is collected and measured during the filling period to obtain data concerning one or more voids at the interface, and an end time for the filling period is derived from a relationship between the data and time.例文帳に追加

媒体とパターン形成された表面との間の界面から発する(例えば、散乱又は反射する)光が充填期間中に収集され測定されて界面の1つ又は複数の空隙に関するデータが入手され、データと時間との関係から充填期間の終了時間が導出される。 - 特許庁


例文

To provide a PDA card to be directly connected through an integrated communication interface with a notebook-sized computer or a portable computer for scanning and changing data through an input device formed on the surface, and to be connected through another integrated extension interface with another device.例文帳に追加

組込通信インターフェースを通してノート型コンピュータ又は携帯用コンピュータに直接接続され、表面に形成される入力装置を通してデータを走査及び変更し、別の組込拡張インターフェースを通して別の装置に接続するPDAカードを提供すること。 - 特許庁

So, when used as the electrode substrate for a fuel cell, the surface contact to another layer on an interface becomes possible when laminated, reducing the contact resistance and heat loss on the interface, for wide and even distribution of gas, causing more efficient catalytic reaction.例文帳に追加

従って、燃料電池用電極基材として用いると、積層したときに界面において他の層と面接触が可能になり、界面での接触抵抗や熱損失を小さくでき、ガスを均一に広範囲に配流することができるため、さらに効率的に触媒反応を起こし得るものである。 - 特許庁

When the ITO film to be an pixel electrode 4 is deposited after that, oxygen transfer at the interface between the interlayer insulating film and the ITO film is prevented and side etching of the ITO at the interface can be suppressed, because the oxygen ratio of the film surface in the nitrogen plasma treatment is lower than that in oxygen plasma treatment.例文帳に追加

その後、絵素電極4となるITO膜を成膜する際に、窒素プラズマ処理では膜表面の酸素割合が酸素プラズマ処理よりも低いため、層間絶縁膜とITOとの界面における酸素移動を防いで界面でのITOのサイドエッチングを抑制することができる。 - 特許庁

A quantity of the light passed through the vicinity of the interface with respect to the clad 2 decreases out of the lights propagated inside the core 1, the light quantity getting into the clad 2 decreases by the interface between the core 1 and the clad 2, even when a surface of the core 1 is coarse, and the light loss is reduced by this manner.例文帳に追加

コア1内を伝搬される光のうち、クラッド2との界面付近を通過する光の量が少なくなり、コア1の表面に荒れがあっても、コア1とクラッド2の界面で散乱してクラッド2へと逃げる光の量が少なくなって、光損失を低減することができる。 - 特許庁

例文

The surface on the side opposite to the first electrode layer of the dielectric film 4 forms a step 40 making at least a part of an interface S1 between the dielectric film 4 and the second electrode layer 5 to be positioned closer to the substrate 1 side than an interface S2 between the dielectric film 4 and the insulating film 6.例文帳に追加

誘電体膜4の第1電極層とは反対側の面が、誘電体膜4と第2電極層5との界面S1の少なくとも一部が誘電体膜4と絶縁層6との界面S2よりも基板1側に位置するような段差40を形成している。 - 特許庁

例文

In the ceramics circuit board, a metal plate that mainly consists of aluminum is bonded to at least one main surface of a ceramics substrate, and Mg is unevenly distributed at the junction interface between the metal plate and a brazing material layer or near the junction interface.例文帳に追加

セラミックス基板の少なくとも一主面にアルミニウムを主成分とする金属板をろう材層を介して接合してなるセラミックス回路基板であり、前記金属板とろう材層との接合界面或いはその近傍にMgを偏在させてなることを特徴とするセラミックス回路基板である。 - 特許庁

The rugged interface part 12 whose interface between the light guide plate upper part 11 and the light guide plate lower part 13 becomes an irregular reflection layer to enhance irregular reflection efficiency of light incident on the light guide plate 10, thereby forming uniform surface light emission and improving luminance.例文帳に追加

導光板上部11および導光板下部13との界面が凹凸形状である凹凸界面部12が乱反射層となり、導光板10に入射した光の乱反射効率を高め、均一な面発光を形成し、かつ輝度を向上することができる。 - 特許庁

To stabilize the surface state of an interface layer to a lower electrode as an underlayer of a capacitance insulating film formed of a metal oxide and also control thickness of the interface layer, and moreover to surely supply oxygen at a lower temperature to the capacitance insulating film formed of the metal oxide.例文帳に追加

金属酸化物からなる容量絶縁膜の下地層となる下部電極との間の界面層の表面状態を安定化し且つ界面層の厚さを制御可能とし、また、金属酸化物からなる容量絶縁膜に低温で酸素補給を確実に行なえるようにする。 - 特許庁

An interface layer comprising SiC_X is not formed on an interface between a Schottky electrode 4 and SiC, and respective particles of metal forming the Schottky electrode 4 are made to be in a state of lattice matching such that an atom arrangement is continuous, on a surface of the SiC.例文帳に追加

ショットキー電極4とSiCとの界面にSiO_Xにて構成される界面層が形成されることなく、ショットキー電極4を構成する金属の各粒子がSiCの表面において、原子配列が連続的となった格子整合した状態となるようにする。 - 特許庁

The forming method of a semiconductor structure is constituted of a stage that a silicon substrate 10 having the surface 12 is provided, a stage that an interface 14 consisting of a single silicon atomic layer, a single nitrogen atomic layer and a single metal atomic layer is formed on the surface of the substrate 10 and a stage that more than one layer of single crystal oxide layers 26 are formed on the interface.例文帳に追加

半導体構造の作成方法は、表面12を有するシリコン基板10を設ける段階;シリコン基板の表面上に、シリコン,窒素および金属の単独の原子層からなるインタフェース14を形成する段階;および1層以上の単結晶酸化物26をインタフェース上に形成する段階;によって構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method for suppressing short channel effects, and for reducing a resistance to be generated on an interface between a surface strap formed on the surface of a semiconductor substrate and a conductive layer formed in a hole.例文帳に追加

本発明は、短チャネル効果を抑制すると共に、半導体基板の表面上に形成された表面ストラップと孔内に形成された導電層との界面に生じる抵抗を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The composition material includes: a fibrous structure having a surface and partially impregnated with an interface material, a first ceramic material, a ceramic mixture and metal alloy; and a coating at least partially disposed on the surface of the fibrous structure.例文帳に追加

上記複合材料は、表面を有し、かつ、界面材料、第一セラミック材料、セラミック混合物、および金属合金を用いて少なくとも部分的に含浸された繊維構造物;該繊維構造物の該表面上にすくなくとも部分的に配置されたコーティングを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a leakage current in an interface between a surface silicon layer and a buried oxide film is not generated by potential difference between the surface silicon layer and a retaining substrate in an LDD transistor formed on a SOI substrate, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

SOI基板に形成したLDD型トランジスタであって、表面シリコン層と支持基板との電位差によって、表面シリコン層と埋め込み酸化膜の界面を流れるリーク電流を発生させない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A bonding area 14a is formed on the whole outer peripheral part of the interface between the soft tissue layer 12 and the surface skin layer 13, and the soft tissue layer 12 and the surface skin layer 13 are partially bonded together so that the area surrounded by the bonding area 14a is a non-bonding area 14b.例文帳に追加

軟組織層12と表皮層13とは、軟組織層12と表皮層13との界面の外周部全周に接着部14aが形成され接着部14aに取り囲まれた領域が非接着部14bとなるように部分的に接着されている。 - 特許庁

In the simulation method of simulating a processing form of a substance surface, using an algorithm of repeating the steps of calculating the surface growing rate and skipping the calculation of the surface growing rate, the surface growing rate is calculated at the step of passing the substance surface across the substance interface.例文帳に追加

物質表面の加工形状のシミュレーションを行うシミュレーション方法であって、表面成長速度の計算を行うステップと、前記表面成長速度の計算をスキップするステップと、を繰り返すアルゴリズムを用い、物質界面を前記物質表面が横切ったステップに、前記表面成長速度を計算することを特徴とするシミュレーション方法が提供される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the device is a high breakdown voltage MOSFET formed on an SOI substrate, and a leakage current flowing through the interface between a surface silicon layer and a buried oxide film is made not to be generated by the potential difference between the surface silicon layer and the support substrate.例文帳に追加

SOI基板に形成した高耐圧MOSFETであって、表面シリコン層と支持基板との電位差によって、表面シリコン層と埋め込み酸化膜の界面を流れるリーク電流を発生させない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sheet for a front light eliminating damage and dirt of the surface thereof, easily enhancing contrast of an image, having a form by which various working can be easily performed on the surface and capable of preventing reflection of external light and the occurrence of Newton's rings at an interface between a liquid crystal display and the sheet.例文帳に追加

表面の損傷、汚れの問題を解消し、画像のコントラストの向上が容易で、表面に種々の加工をしやすい形状とし、ディスプレイ界面での外光反射やニュートンリング発生を防止可能なフロントライト用シートを提供することを課題とする。 - 特許庁

To reduce threading dislocation density and surface roughness, and prevent roughness of a surface and an interface from being deteriorated in the case of heat treatment in a device manufacturing process or the like, in the method for a semiconductor substrate, the method for manufacturing a field effect transistor, a semiconductor substrate and a field effect transistor.例文帳に追加

半導体基板の製造方法及び電界効果型トランジスタの製造方法並びに半導体基板及び電界効果型トランジスタにおいて、貫通転位密度が低く、表面ラフネスが小さいと共に、デバイス製造工程等の熱処理時における表面や界面のラフネスの悪化を防ぐこと。 - 特許庁

In order to make the uniformity of step flatness and in-surface polishing amount compatible by using a hard and unfoamable polishing pad, this polishing device is provided with a precision machining mechanism for cutting and grinding, capable of forming a smooth pad surface and a groove for efficiently carrying slurry to an interface between the pad and a wafer on a rotating surface plate.例文帳に追加

硬質・非発泡の研磨パッドを用いて、段差平坦性と面内研磨量の均一性を両立させるため、平滑なパッド面の創生及びパッドとウェーハの界面に研磨用スラリーを効率よく搬送するための溝を回転定盤上で行うこと形成することが可能な切削もしくは研削などの精密加工機構を研磨装置に備えた。 - 特許庁

In this way, a force F acting to an interface between the ceramic insulating thin film 6 and the resin 7 is dispersed into a force Fa in a normal line direction of the ceramic thin film 6 formed on the surface of the tapered surface 3c and a force Fb in a horizontal direction thereof.例文帳に追加

これにより、セラミック絶縁薄膜6と樹脂部7との界面に作用する力Fをテーパ面3cの表面に形成されたセラミック絶縁薄膜6の法線方向の力Faと平行方向の力Fbに分散させることができる。 - 特許庁

To provide a film structure measurement method and a surface shape measurement apparatus for obtaining the refractive index of a film to be measured film from a surface shape data and an interface shape data measured by irradiating the film to be measured film with an illumination light.例文帳に追加

測定対象膜に照明光を照射して測定される表面形状データ及び界面形状データから、この測定対象膜の屈折率を得ることができる膜構造測定方法及び表面形状測定装置を提供する。 - 特許庁

At least one of the cathode layer and the anode layer comprises a first layer arranged at the interface with the electrolyte membrane and a second layer arranged on the surface on the opposite side to the surface opposed to the electrolyte membrane of the first layer.例文帳に追加

カソード電極層とアノード電極層との少なくとも一方は、電解質膜との界面に配置された第1の層と、第1の層の電解質膜と対向する表面とは反対側の表面に配置された第2の層とを含む。 - 特許庁

To provide a new method for surface defect detection and its device which can quantitatively measure a defect in atom size generated on the surface and interface of a sample in a manufacturing process for semiconductor devices or the like in real time with high precision.例文帳に追加

半導体デバイスの製造プロセス等において試料の表面および界面に発生する原子サイズの欠陥を実時間で、且つ高精度で定量測定することのできる、新しい表面欠陥検出方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a two-layered preform having high fusion strength at the fusion interface of the inner surface of an outer layer shell and the outer surface of an inner layer shell, generating no interfacial shift at the time of biaxially stretching blow molding, and imparting a two- layered bottle strongly resisting external load.例文帳に追加

外層シェルの内面と内層シェルの外面との融着界面の融着強度が強く、二軸延伸ブロー成形時に界面ずれを生じることがなく、外的負荷に強い二層ボトルが得られる二層プリフォームの製造方法を提供する。 - 特許庁

This method/system for inputting a mark to a user interface provides a surface arranged in connection with at least one selectable button, receives stroke information in response to strokes 302 to 320 generated on the surface of the user interface by a pointer device and in connection with at least one selectable button on the user interface, identifies a mark based on stroke information and provides this mark for furthermore processing.例文帳に追加

ユーザインタフェースに記号を入力する方法及びシステムであり、少なくとも1つの選択可能なボタンに関連して配置された表面を提供し、ポインタ装置がユーザインタフェースの表面に生成するストローク302〜320に応答して、かつユーザインタフェース上の少なくとも1つの選択可能なボタンに関連してストローク情報を受信し、前記ストローク情報に基づき記号を識別し、この記号をさらなる処理のために提供する。 - 特許庁

The electrode for the fuel cell for forming a fuel electrode and an air electrode is equipped with an electrode substrate; a first channel formed on the electrode substrate; a first hydrophilic interface formed on the inner surface on one side of the first channel and guiding liquid; and a first hydrophobic interface formed so as to face the first hydrophilic interface and guiding gas.例文帳に追加

本発明による燃料電池用電極、燃料電池の燃料極と空気極とを形成する燃料電池用電極であって、電極基材と、電極基材に形成される第1チャンネルと、第1チャンネルの一側の内面に形成され液体を誘導する第1親水性界面と、第1親水性界面と対向するように形成され気体を誘導する第1疎水性界面とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The three-dimensional motion graphic user interface comprises a generation module to generate a polyhedron object, on a predetermined surface of which information to be conveyed to a user is displayed, an output module to display the generated polyhedron object, and an interface module to display information of a surface of the displayed polyhedron object selected by the user on a projection surface formed separately from the displayed polyhedron object.例文帳に追加

所定面にユーザに伝達するための情報が表示された多面体オブジェクトを生成する生成モジュールと、生成された多面体オブジェクトを表示する出力モジュールと、表示された多面体オブジェクトでユーザにより選択された面の情報を、表示された多面体オブジェクトと別途に形成される映写面に表示するインターフェースモジュールと、を備える。 - 特許庁

The current-collecting member has a surface-finishing layer at least on one side of a conductive material wherein the ratio of a microscopic superficial area to a macroscopic superficial area is over 2.20 on a surface opposite the surface-finishing layer in the interface of the conductive material, and a volume resistance is below 2 Ωcm in the surface-finishing layer.例文帳に追加

導電性基材の少なくとも片面上に表面処理層を有し、表面処理層の導電性基材との接触面の反対側表面における巨視的表面積に対する微視的表面積の比が2.20以上であり、かつ表面処理層の体積抵抗が2Ω・cm以下である集電体。 - 特許庁

Minute crystal defect caused by carbon is formed at a lamination interface by carrying out lamination in a state in which an organic substance exists on the surface of a wafer before lamination, and carrying out a bonding-enhancing heat treatment in a state in which the organic substance is confined in the lamination interface.例文帳に追加

貼り合わせ前のウェーハ表面に有機物が存在する状態で貼り合わせ、貼合せ界面に前記有機物を閉じこめた状態で接合強化熱処理を行うことにより、貼合せ界面に炭素に起因する微小な結晶欠陥を形成させる。 - 特許庁

This counter includes: a transparent layer 73 provided on the surface side to transmit light; a shielding layer 74 provided to shield the back of the transparent layer 73; and a light guide layer 6 provided on an interface between the transparent layer 73 and the shielding layer 74, having a light entering part 64 at one end, and having a light emitting surface 65 on the interface with the transparent layer 73.例文帳に追加

本発明のカウンタは、表面側に設けられ光を透過させる透光層73と、該透光層73の裏側を遮蔽するように設けられた遮蔽層74と、透光層73と遮蔽層74との界面に設けられ、一端に入光部64を有すると共に、透光層73との界面に出光面65を有する導光層6とを備えている。 - 特許庁

To provide a charge moving force detection apparatus and method capable of accurately measuring the charge moving force of the surface of a substance, regardless of conductivity and non-conductivity and to detect the discrimination of the substance and physical and chemical properties such as local ionization energy, electron affinity, work function, interface polarizing state or interface reactivity by the measurement of the charge moving force.例文帳に追加

導電性の有無に係わらず物質表面の電荷移動力を正確に測定しうる電荷移動力検出装置及び方法を提供し、その測定により、物質の識別、局所的なイオン化エネルギー、電子親和力、仕事関数、界面の分極状態、界面の反応性等の物理的および化学的性質の検出を可能にする。 - 特許庁

In a semiconductor device, charge accumulated on the interface of an SiO_2 surface protective film 16 and a coating part 23 composed of a silicon resin can be reduced by coating the surface of an SiC pn junction diode 10, and setting the thickness of the surface protective film 16 composed of SiO_2 to 2 μm thereby decreasing the capacitance of the SiO_2 surface protective film 16.例文帳に追加

この半導体装置は、SiC pn接合ダイオード10の表面を被覆すると共にSiO_2で作製された表面保護膜16の膜厚を2μmにすることによって、SiO_2表面保護膜16の静電容量を下げてSiO_2表面保護膜16とシリコン樹脂で作製された被覆部23との境界面に溜る電荷を低減できる。 - 特許庁

To reduce stresses at a welded part of a cover and an interface part between a cover fixing surface and a cover body and restrict its deformation to improve durability when a forward or rearward bonding moment acts against an axle case.例文帳に追加

車軸ケースに前後曲げモーメントが作用した際に、カバー溶接部と、カバーの取付面部およびカバー本体部の境界部とにおける応力を低減させ、変形を抑えると共に耐久性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminated material for an insulating substrate, which has excellent solder bondability, and can prevent generation of a crack and peeling at a junction interface and generation of deformation on a surface of a Ni layer.例文帳に追加

はんだ接合性が良好であり、接合界面での割れや剥離の発生及びNi層の表面の変形の発生を防止することができる絶縁基板用積層材の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a surface light-emitting element, light is totally reflected at the interface of a light guide plate 31 and a second low refractive index layer 23, and is propagated in the light guide plate 31 and the light is extracted to a first low refractive index layer 21 at light extraction apertures 25.例文帳に追加

導光板31と第2低屈折率層23との界面で光線が全反射して導光板31内を伝達し、光取り出し開口部25において第1低屈折率層21に光を取り出す。 - 特許庁

To provide a novel method of speedy formation of the fresh surface of a droplet or a bubble of the inspection liquid and a device for determining dynamic or equilibrium surface tension/interface tension (ST/IFT) by achieving the new novel method.例文帳に追加

試験用流体の液滴又は気泡の新表面を高速形成する新規の方法と、該新規の方法を実現して該液体の動的又は平衡表面/界面張力(ST/IFT)を判定する装置とを提案する。 - 特許庁

A metallic circuit forming surface 3 as a bonding interface between a ceramic insulating board 1 and a metallic circuit 2 which constitute a ceramic circuit board 100 is so formed as to be higher than a ceramic exposure surface 4 on which a metallic circuit is not formed.例文帳に追加

セラミック回路基板100を構成するセラミック絶縁基板1と金属回路2との接合界面である金属回路形成面3が、金属回路を形成しないセラミック露出面4よりも高くなるように形成する。 - 特許庁

A functional material is brought into contact with the substrate surface cyclic structure 15, thereby, structure color development due to the substrate surface cyclic structure 15 is suppressed and the structure color developed by the void part interface cyclic structure 13 is made readable.例文帳に追加

この基材面周期構造15に機能材を接触させることで、基材面周期構造15による構造色の発現を抑制して、空隙部界面周期構造13により発現する構造色を読み取り可能とする。 - 特許庁

This method evacuates a gas present in the interface between the surface layer member 1 and the foam 7 by puncturing a thin film part 12 formed in a part of the surface layer member 1 with a needle-like object 41 after the lapse of a specified time since the start of expanding the foamed resin.例文帳に追加

発泡樹脂の発泡開始から所定時間経過後に、表層部材1の一部に形成されている薄膜部12に針状物41を突き刺すことで、表層部材1と発泡体7の界面に存在するガスを抜く。 - 特許庁

When the projection 52 is detected in the first process, an interface part between the transparent substrate 54 and the opaque film 56 is observed from the opposite surface side opposite to the film-formation surface by the second camera 16.例文帳に追加

第1工程で突起52が検出された場合に、その突起52の位置において、第2カメラ16により、成膜表面とは反対の反対面側から透明な基板54と不透明な膜56との界面部を観察する。 - 特許庁

This automatic instrument exchanger in the minimum invasive method includes: a container 1; a delivery element 6 for an instrument 2; a driving unit 18 for selecting the instrument 2; a guide element 10; and a user interface 20 having a graphic surface and connected to the driving unit.例文帳に追加

容器(1)と、器具(2)の送出要素(6)と、器具(2)を選択するための駆動ユニット(18)と、ガイド要素(10)と、グラフィック面を有し駆動ユニットに接続されるユーザーインタフェース(20)とが設けられる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a metallic double pipe in which surface pressure can be generated on the interface between the internal pipe and the external pipe of an obtained metallic double pipe regardless of the yield strength of the internal pipe and the external pipe.例文帳に追加

内管および外管の降伏強度にかかわらず、得られる金属二重管の内管と外管の界面に面圧を発生させることができる金属二重管の製造方法を提供する。 - 特許庁

The oxidized film 3 has an opening through which the reacted layer 8 is passed and is arranged in contact with the surface of the substrate 1 so as to cover the interface between the substrate 1 and area 2.例文帳に追加

熱酸化膜3は、加熱反応層8が貫通する開口部を有し、且つSiC基板1とp型SiC領域2との界面を覆うように、SiC基板1の表面に接して配置されている。 - 特許庁

The thin film, with a thickness between 10 nm and μm, thus presents a decreasing silver concentration gradient from the interface 3 between the thin film 2 and the main layer 1 to the free surface 2a of the thin film 2.例文帳に追加

これによって、厚さ10nm〜1μmの薄膜が、薄膜2と主要層1との間の界面3から該薄膜2の自由表面2aに向かって減少して行く銀濃度勾配を有する。 - 特許庁

例文

A microwave transceiver 140 generates a microwave signal, and the microwave signal is advanced along a termination 110 through a reference impedance discontinuous surface 155 and propagated into the interface 127 of a process product.例文帳に追加

マイクロ波トランシーバ140がマイクロ波信号を発生し、該マイクロ波信号は、基準インピーダンス不連続面155を介して、成端110に沿って進行し、プロセス製品の界面127内に伝播する。 - 特許庁




  
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