「surface and interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

Each interface element contains a distribution element 100 made of an insulating material, and having a distribution channel for distributing the reagent on the surface facing at least one of the electrodes and at least one collector element 200 made of a conductive material arranged between the electrode and the element made of the insulating material.例文帳に追加

各インターフェース・エレメントは、絶縁性材料から成る分配エレメントであって、少なくとも電極の一方と対向する面に、反応物を分散させるための分配チャンネルを有する分配エレメント１００、および電極と絶縁性材料から成る前記エレメントとの間に配置された、導電性材料から成る少なくとも１つのコレクター・エレメント２００を含む。 - 特許庁

To provide a low reflection film negligible in surface glaring by suppressing interference unevenness (irregular color ) caused by involvement of incident light from a surface, particularly reflected light reflected on the interface between a transparent substrate film and a layer adjacent to it, when visual information such as a character and a graphic image used for various displays or the like to be recognized through a transparent substrate film, is observed.例文帳に追加

各種ディスプレイ等に使用して透明基板を通して認識する文字や図形画像などの視覚情報を観察する場合に、表面からの入射光が、特に透明基材フィルムとこれに隣接する層との界面で反射される反射光が関与することにより発生する干渉ムラ（色ムラ）を抑制することができると共に面ギラの問題とならない低反射フィルムを提供することである。 - 特許庁

The semiconductor structure forming method comprises a step of providing an Si substrate 10 having a surface, a step of forming an interface involving an adjacent seed layer 18 on the surface of the Si substrate 10, a step of forming a buffer layer 20 utilizing molecules of O, and a step of forming one or more high permittivity oxide layers 22 on the buffer layer 20 utilizing active O.例文帳に追加

半導体構造を作成する方法は：表面１２を有するシリコン基板１０を設ける段階；シリコン基板１０の表面１２上に隣接するシード層１８を含むインタフェースを形成する段階；分子酸素を利用してバッファ層２０を形成する段階；および活性酸素を利用してバッファ層２０上に１つ以上の高誘電率酸化物層２２を形成する段階；を備える。 - 特許庁

A semiconductor device is composed of a semiconductor substrate 10, a buffer layer 12 that is formed on the semiconductor substrate 10 while a lattice constant near the surface differs from that near the interface with the semiconductor substrate 10, and a quantum dot that is formed on the buffer layer 12 while a luminous wavelength is stipulated by a lattice constant near the surface of the buffer layer 12.例文帳に追加

半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成され、表面近傍における格子定数が半導体基板１０との界面近傍における格子定数とは異なるバッファ層１２と、バッファ層１２上に形成され、発光波長がバッファ層１２の表面近傍における格子定数によって規定された量子ドットとにより半導体装置を構成する。 - 特許庁

Within a through-hole 31a not in contact with the insulative bodies 20A and 20B, trivalent iron ions merely diffuse into the plating interface and not forcibly fed there, the reduction reaction of trivalent iron ions is slow, and the electroplating film 36 grows to fill a through-hole conductor 42 and to form a thin electroplating film 36 on the surface of a core substrate.例文帳に追加

絶縁体２０Ａ、２０Ｂが接触しない貫通孔３１ａ内では、めっき界面に３価の鉄イオンが濃度勾配により拡散するのみで強制的には供給されず、３価の鉄イオンの還元反応が低く、電解めっき膜３６が成長し、スルーホール導体４２を充填しながら、コア基板表面の電解めっき膜３６を薄く形成することができる。 - 特許庁

A semiconductor element protective resin 205 formed on a semiconductor element 101 by covering it is also formed in an outer peripheral surface region between an intermediate junction layer 203 of the semiconductor element 101 and a solder junction layer 204 by covering it; and thereby crack resistance in the semiconductor element 101 and a relaxation property of stress applied to an interface between the semiconductor element 101 and a solder material 104 are improved.例文帳に追加

半導体素子１０１上に被覆形成される半導体素子保護樹脂２０５を、半導体素子１０１の中間接合層２０３とはんだ接合層２０４の間の外周面域にも被覆形成させ、半導体素子１０１内部の耐クラック性、および半導体素子１０１とはんだ材料１０４との界面に加わる応力の緩和性を向上させる。 - 特許庁

A plurality of piezoelectric ceramic layers 1 and a plurality of internal electrode layers 2 are laid alternately and fired simultaneously to produce the multilayer piezoelectric element wherein the piezoelectric ceramic layer 1 contains ceramic particles 7 and, on the ruptured phase of interface between the piezoelectric ceramic layer 1 and the internal electrode layer 2, the ceramic particles 7 partially buried in the internal electrode layer 2 are exposed to the surface thereof.例文帳に追加

複数の圧電磁器層１と複数の内部電極層２とが交互に積層され、同時焼成された積層型圧電素子であって、圧電磁器層１がセラミック粒子７を含み、圧電磁器層１と内部電極層２との界面での破断面において、内部電極層２に一部が埋設されたセラミック粒子７が内部電極層２表面に露出していることを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a functional composite with good reproducibility without requiring a troublesome process, wherein an interface degradation between a photocatalyst film with (a) high transparency and an organic base material and degradation of a binder in the photocatalyst film do not generate, its surface displays a photocatalyst activity and/or a hydrophilicity by light irradiation for a long time, and a durability maintaining the high transparency is excellent.例文帳に追加

高い透明性を持つ光触媒皮膜と有機基材との間の界面劣化や、光触媒皮膜中のバインダーの劣化を生じることが無く、光照射により長期にわたり、その表面が光触媒活性及び／又は親水性を発現し、高い透明性を維持する耐久性に優れた機能性複合体を、煩雑な工程を必要とせずに再現性良く得る。 - 特許庁

The product includes a substrate 1, and a porous coating that exists on at least one surface of the substrate, has a total thickness in a range of approximately 50 μm or less, and consists of a plurality of discrete adjacent strata, wherein each discrete stratum is formed to be porous including a porous interface, and made of at least one material selected from a group consisting of a metal and a metal oxide.例文帳に追加

基材と、その少なくとも１表面に存在し、最高約５０ミクロンの範囲で総厚を有し、複数の個別の隣接した層から成る多孔質皮膜であって、各個別の層を、多孔質界面を含めて多孔質とし、金属と金属酸化物から成る群から選択する少なくとも１物質から作製する多孔質皮膜と、を含む製品に関する。 - 特許庁

It relates to the film electrode assembly of the fuel cell in which electrochemical characteristic including an ion exchange high polymer of the latest technology and a gas diffusion electrode of the latest technology is reformed by addition of hydrophilic ingredient arranged in accordance with one side of the interface of an electrode or both sides and/or one side on the membranous external surface.例文帳に追加

本発明は、最先端技術のイオン交換高分子膜及び最先端技術のガス拡散電極を含み、その電気化学的特性が、電極の界面の片側又は両側及び／又は膜の外部表面の片側又は両側に一致して配置された親水性成分の添加によって改質された、燃料電池の膜電極アセンブリーに関する。 - 特許庁

The substrate 20 coated with the amorphous carbon film is produced by forming the amorphous carbon film 22 on the surface of the substrate 21 under a reduced pressure through a discharge plasma process, wherein an active layer 23 containing either or both of oxygen and nitrogen is formed in an interface between the substrate 21 and the amorphous carbon film 22.例文帳に追加

本発明にかかるアモルファスカーボン膜被覆基材２０は、基材２１の表面に減圧下で放電プラズマによりアモルファスカーボン膜２２を成膜してなるアモルファスカーボン膜被覆基材であって、前記基材２１とアモルファスカーボン膜２２との界面に、酸素、窒素のいずれか一方又は両方を有する活性処理層である活性処理層２３を含むものである。 - 特許庁

The carbon fiber (3) is obtained by allowing a hydrocarbon molecule to be absorbed on a catalytic metal particle (2) carried by the surface of a spherical carrier (1), allowing the carbon formed by the decomposition reaction to continuously precipitate on the interface between the catalytic metal particle (2) and the carrier, and growing the fiber in a crystal shape accompanying the catalytic metal particle (2) at the tip.例文帳に追加

本発明のカーボン繊維（３）は、球状担体（１）表面に担持された触媒金属粒子（２）に炭化水素分子が吸着し、分解反応を起こして生成した炭素が、触媒金属粒子（２）と担体との界面に連続的に析出し、先端に触媒金属粒子（２）をともなって結晶状に成長した繊維である。 - 特許庁

The above problem is solved by a field effect transistor (1), using a SiN insulating film as an insulating film in particular, including a layer constituting a hetero interface including a channel layer (4) constituted of GaN or InGaN and a barrier layer (5) constituted of AlN and an insulating film (9) formed on a transistor element surface, or by a method for manufacturing such a field effect transistor.例文帳に追加

上記課題は、GaN又はInGaNからなるチャネル層(4)と、AlNからなる障壁層(5)と含むヘテロ界面を構成する層と、トランジスタ素子表面に形成された絶縁膜(9)を有する電界効果トランジスタ(1)、特に絶縁膜としてSiN絶縁膜を用いた電界効果トランジスタや、そのような電界効果トランジスタの製造方法によって解決される。 - 特許庁

In the semiconductor device 100, a sulfide of 30×10^10 to 2,000×10^10 pcs./cm^2 in terms of S conversion and an oxide of 2 to 20 at% in terms of O conversion exist in a surface layer 12, thereby preventing C from piling up in an interface between an epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体デバイス１００では、Ｓ換算で３０×１０^１０個／ｃｍ^２〜２０００×１０^１０個／ｃｍ^２の硫化物、及び、Ｏ換算で２ａｔ％〜２０ａｔ％の酸化物が表面層１２に存在することにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面においてＣがパイルアップすることを抑制できる。 - 特許庁

When resticking a floor material in the adhesion method for a floor structure where the floor material is stuck on a substrate material by an adhesive, the old floor material is peeled in the boundary surface between the rear cushion of an old floor material and an old adhesive for fixing the old floor material (interface breakage), after which a new adhesive is applied on the remaining adhesive layer, and the new floor material is stuck.例文帳に追加

下地材に接着剤によって床材を貼り付ける床構造体の接着工法において、床材を貼り直す作業をする際に、床材の裏面クッションと、床材を固定する接着剤との界面で、床材を剥離（界面破壊）させた後、残存する接着剤層の上に、新たな接着剤を塗布し、新しい床材を貼り付ける。 - 特許庁

The method of manufacturing a thermal interface material includes a first step of growing an array of carbon nanotubes on a substrate, a second step of depositing at least one metal on one surface of the array of carbon nanotubes, and a third step of heating the array of carbon nanotubes and the at least one metal to melt the metal.例文帳に追加

本発明の熱界面材料の製造方法は、基板にカーボンナノチューブアレイを成長させる第一ステップと、前記カーボンナノチューブアレイの一つの表面に少なくとも一種の金属を堆積させる第二ステップと、前記カーボンナノチューブアレイ及び前記少なくとも一種の金属を加熱させて、前記金属を溶かす第三ステップと、を含む。 - 特許庁

The interporation unit selects a triangle comprising the point P as an interporation calculation triangle 123 to interporate and calculate the value of the field direction factor fp, in the silicon oxide film interface from an area coordinate in the interpolation calculation triangle 123 comprising the point P and the field direction factor possessed by the field direction factor determinant surface provided at the apex of the triangle.例文帳に追加

補間算出部は、点Ｐを含む三角形を補間計算三角形１２３として選び、点Ｐを含む補間計算三角形１２３内における面積座標と、三角形の頂点に付与されている面方位因子決定面が有する面方位因子の値から、前記シリコン酸化膜界面における面方位因子ｆｐの値を補間して算出する。 - 特許庁

To solve a problem which the surface adhesion of a foamed sheet of a synthetic resin is usually weak because of its insufficient flatness when printed or laminated, to cause peeling at the interface between the foamed sheet and an adhesive layer, for example, even when a decorative sheet is laminated and is too weak to occur the breakage of the laminated material.例文帳に追加

合成樹脂発泡シートは、表面の平面性が不十分なため、印刷やラミネートの際の接着性が不十分であり、例えば、化粧シートを接着剤を用いてラミネートしても、発泡シートと接着剤層の界面で剥離が生じ、貼り合せた素材の破壊に至るほどの強い接着力が得られなかった点を改善することを課題としている。 - 特許庁

The adhesive optical filter is prepared by layering an adhesive layer on one side surface of a light-transmissive sheet-like substrate, wherein the adhesive layer comprises a plurality of light-absorbing regions which are substantially orthogonal to a laminated interface between the light-transmissive sheet-like substrate and the adhesive layer; and a plurality of light transmissive regions.例文帳に追加

透光性シート状基材の一方の面に、接着剤層が積層されてなる接着性光学フィルターであって、前記接着剤層が、透光性シート状基材と前記接着剤層との積層界面に対しほぼ直交する複数の光吸収性領域と、複数の透光性領域とを有することを特徴とする接着性光学フィルター。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a metal separator for a fuel cell, which prevents hole corrosion on an interface between a parent material and a conductive intercalated matter to prevent the latter from falling off and improves generation by lowering the contact resistance, in a process of having the conductive intercalated matter protruded on the surface.例文帳に追加

表面に導電性介在物を突出させる処理時に、母材と導電性介在物との界面に孔食が発生することが防止されて導電性介在物の脱落が防がれ、これによって接触抵抗が低減して発電性能の向上が図られる燃料電池用金属製セパレータの製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, even if after the multilayer structure in a layer above the surface of a silicon semiconductor substrate 2 has been formed, the thermal treatment is carried out and a bond of heavy hydrogen to silicon is cut, heavy hydrogen can be continuously supplied to an interface between source/drain diffusion layers 16, 17 of the silicon semiconductor substrate 2 and a gate insulating film 18.例文帳に追加

すると、シリコン半導体基板２の表面より上層の多層構造を形成した後に熱処理が行われ重水素とシリコンの結合が切断されたとしても、シリコン半導体基板２のソース／ドレイン拡散層１６および１７とゲート絶縁膜１８との間の界面に継続的に重水素を供給できるようになる。 - 特許庁

To provide a method of obtaining nitride semiconductor chips having excellent light emitting characteristics without deterioration of crystallinity while preventing occurrence of cracking or chipping in a cut surface or an interface when a nitride semiconductor wafer including a nitride semiconductor as a substrate and a light emitting active layer is cut into chips, the cut chips having a predetermined shape and size with good yield.例文帳に追加

窒化物半導体を基板とする光を発する活性層を含む窒化物半導体ウエハーをチップ状に分割する際に、切断面、界面のクラック、チッピングの発生を防止し、結晶性を損なうことなく優れた発光性能を有する窒化物半導体チップを得ると共に、歩留良く所望の形とサイズに切断する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method in which a catalyst ink is brought into a liquid droplet, in which the dispersion uniformity of platinum carrying carbon as a solid content of the ink and a proton conductive material (liquefied Nafion or the like) is improved by depositing them on a base material surface, and in which a ternary phase interface of carbon/platinum/proton conductive material is efficiently formed.例文帳に追加

本発明の目的は、触媒インクを液滴化し、それを基材表面に堆積する事により、インクの固形分である白金担持カーボンとプロトン伝導性物質（液状ナフィオンなど）の分散均一性を向上させ、カーボン／白金／プロトン伝導性物質の三相界面を有効に形成する製造方法を提供すること。 - 特許庁

The interface board has one side laid on a second layer surface of the MCM board and the other side extruding into the waveguide hole to guide high frequency signals generated by a high frequency circuit to the waveguide and high frequency signal from the waveguide to the high frequency circuit according to a transmission line pattern 3a connected to a transmission line pattern 1a corresponding to the waveguide hole on the MCM board.例文帳に追加

インタフェース基板は、一方の側がＭＣＭ基板の第２層表面上に載置され、他の側が導波管穴にはみ出し、ＭＣＭ基板の導波管穴対応の伝送線路パターン１ａと接続された伝送線路パターン３ａによって、高周波回路が発生する高周波を導波管へ、導波管からの高周波を高周波回路へ導く。 - 特許庁

The coating film is formed of an aqueous coating composition having, as the main component, a water dispersion type binder obtained by dispersing composite particle bodies having a particle diameter of 20-200 nm obtained by compounding synthetic resin particles with inorganic solid particles into water, and the above inorganic solid particles are interspersed in the interface of the surface of the coating film and a material to be coated.例文帳に追加

合成樹脂粒子と無機固形粒子とを複合した粒子径が２０〜２００ｎｍの複合粒子体を水に分散させた水分散型結合材を主成分とした水系塗料組成物により形成された塗膜であって、その塗膜表面及び被塗装物と塗膜との界面に前記無機固形粒子が点在しているものである。 - 特許庁

The method comprises a step of forming a first metal layer 3 on a semiconductor substrate 1 having a diffused layer 2 on the surface, a step of heating it to form an alloy layer 4 on the interface of the semiconductor substrate and the first metal layer and a step of forming a second metal layer 5 on the first metal layer, after the alloy layer is formed.例文帳に追加

表面に拡散層２の形成された半導体基板１上に、第1のメタル層３を形成する工程と、これを加熱して前記半導体基板と前記第1のメタル層の界面に合金層４を形成する工程と、前記合金層を形成した後、前記第1のメタル層上に第2のメタル層５を形成する工程とを備える。 - 特許庁

To a method for joining different metals, in which an oxide film is removed without applying much calorie even when the oxide film is deposited on a surface of either material when overlapping and joining two different metals, and as a result, generation of intermetallic compounds on a joint interface is suppressed to be small, thereby improving the joint strength.例文帳に追加

異なる２種類の材料を重ね合わせて接合するに際して、いずれかの材料の表面に酸化皮膜が形成されていたとしても、多くの熱量を投入することなく酸化皮膜を除去することができ、その結果、接合界面の金属間化合物の生成を少なく抑えて、継手強度の向上を実現する。 - 特許庁

To increase an operating efficiency by solving the problem of improving an interface characteristic and a hole-filling material characteristic in a manufacturing process based on an existing phase change memory technique, making small a contact surface area of layer materials different in simple manufacturing processes, stabilizing a component characteristic, simplifying the manufacturing process, and decreasing an operational current.例文帳に追加

既存の位相変化メモリ技術が持つ製造プロセスでインターフェイスの特性と穴込め材料の特性を改良する問題を解決し、簡単な製造プロセス条件で異なる層材料における接触面積を小さくし、部品特性の安定化を図り、製造プロセスを簡略化し、使用電流を少なくし操作効率を高めることを目的とする。 - 特許庁

Thereby, since the electron emitting source has the carbon system substance and a metal carbide coating film formed on its surface, or a metal carbide layer is formed at the interface between the carbon system substance and the metal coating film, the electron emitting source having an improved electron emission lifetime characteristics without deteriorating electron emission characteristics can be obtained.例文帳に追加

これにより、電子放出源は、カーボン系物質とその表面に金属炭化物コーティング膜が形成されるか、またはカーボン系物質と金属コーティング膜との界面に金属炭化物層が形成されているので、電流放出特性の低下なしに電子放出寿命特性が改善された電子放出源を得ることができる。 - 特許庁

To provide a laminate suitable for a printed circuit board, which is excellent in adhesiveness to an insulating film and is easily capable of forming a conductive layer in an arbitrary solid surface with small irregularity in the interface with the insulating film, and to provide a printed circuit board on a substrate formed thereby, which has fine interconnections with excellent adhesiveness to the insulating film.例文帳に追加

絶縁膜との密着性に優れ、絶縁膜との界面における凹凸が小さい導電性層を任意の固体表面に容易に形成しうるプリント配線板用として好適な積層体、及び、それを用いて形成した基板上に、絶縁膜との密着性に優れた高精細の配線を有するプリント配線板を提供する。 - 特許庁

To enable a barrier layer to be formed from a boron phosphide semiconductor layer whose front surface is flat enough for realizing a flat pn junction interface in a boron phosphide semiconductor light emitting device equipped with a barrier layer formed of the boron phosphide semiconductor layer and a light emitting layer formed of a I-II nitride semiconductor layer.例文帳に追加

リン化硼素系半導体層からなる障壁層とＩＩＩ族窒化物半導体層からなる発光層とを具備したリン化硼素系半導体発光素子において、平坦なｐｎ接合界面を顕現するに充分な表面の平坦性に優れるリン化硼素系半導体層から障壁層を形成する。 - 特許庁

Thus, even if the external force is applied in the vertical direction to the bracket 3, since separation between a surface and resin of the mold object part 9 is hardly caused, even if the module 1 is formed without swelling the part including the mold interface formed of the mold object part 9, the risk of making the hydraulic fluid reach the ECU 2 can be reduced.例文帳に追加

このため、ブラケット３に対し上下方向に外力が負荷されても、被モールド部９の表面と樹脂との剥離が発生しにくくなるので、被モールド部９により形成されるモールド界面を含む部分を膨出させることなくモジュール１を形成しても、作動油がＥＣＵ２に到達する虞を低減することができる。 - 特許庁

Concretely, the preform 3 is pressed from the resin layer 2 side to the resin layer 1 side by a protrusion 18a of a mold 19 while being heated in the mold 19 by which the preform 3 is compression-molded to the resin mold 13 while moving an interface 41 of the resin layers 1 and 2 to a position of the retreat surface 21.例文帳に追加

具体的には、予備成形体３を成形型１９内で加熱しながら成形型１９の凸部１８ａによって樹脂層２側から樹脂層１側へと押圧することにより、樹脂層１，２の界面４１を後退面２１の位置へと移動させながら予備成形体３を樹脂成形品１３へと圧縮成形する。 - 特許庁

The external shape of the reflection area is a convex surface shape which is rotationally symmetrical about the optical axis of the LED light source as an axis of rotation, and light which travels in the lens after being emitted by the LED light source to reach the reflection area is totally reflected by a lens interface to be converged on the optical axis nearby the lens-front-side tip portion.例文帳に追加

反射領域は、外形が前記ＬＥＤ光源の光軸を回転軸とした回転対称の凸曲面形状であり、前記ＬＥＤ光源から放射された後、レンズ内を導光して直接到達した光をレンズ界面で全反射し、レンズ正面側先端部付近の前記光軸上に集光させる。 - 特許庁

Thereby, a C surface of a crystal gain stands up along a thickness direction of the layer, and a stacked body with a crystal structure in which an interlayer interface exists is manufactured.例文帳に追加

冷却面垂直方向から、溶融された材料を、冷却面に向けて供給するとともに、溶融材料の加速力により溶融材料を冷却面に押し付けつつ一層毎に急冷凝固させて、層の厚さ方向に沿って結晶粒のＣ面が起立し、層間界面が存在する結晶構造の積層体を製造する。 - 特許庁

This novel solid direct crystallization method is useful for obtaining a firm interface between zeolite crystal and the base body without deteriorating the base body by a hydrothermal treatment or for abtaining a large catalytic surface area important for the adsorption of hydrocarbons or the automobile application such as a deNOx catalyst.例文帳に追加

この新しい固相直接結晶化法は、水熱処理により基材を劣化させることなくゼオライト結晶と基板の強固な界面を得るため、また、炭化水素の吸着や脱ＮＯｘ触媒などの自動車用の用途にとって重要な良好な触媒表面積を得るためのものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a fuel cell capable of improving greatly catalyst utilization efficiency by reducing the amount of use as well as securing the exposed surface of a catalyst active material and by arranging the catalyst active material selectively at the three-phase interface which becomes a place of electrode reaction.例文帳に追加

触媒活性物質の露出表面積を確保しつつ、使用量を低減すると同時に、電極反応の場となる三相界面に選択的に触媒活性物質を配置することによって、触媒利用効率の大幅な向上を可能とする燃料電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

It is realized by using noble metal of a platinum group (8 group) or an Ib group containing alkali metal oxide, alkaline earth metal compound and a transition-metal compound of 3 to 7 group from an interface with the electron acceleration layer to the surface or their laminated film, mixed film or alloy film as the upper electrode.例文帳に追加

アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属化合物、３族〜７族の遷移金属化合物を電子加速層との界面から表面にかけて含む白金族（８族）またはＩｂ族の貴金属、あるいはそれらの積層膜、混合膜、合金膜を上部電極として用いることにより実現される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate capable of planarizing the surface of the semiconductor substrate, where uniformity in the coating thickness of the semiconductor layer of an upper layer is maintained highly, when manufacturing the semiconductor substrate having a DSB structure, and capable of efficiently removing an oxide film on the interface between two wafers by the same heat treatment.例文帳に追加

ＤＳＢ構造を有する半導体基板を製造する場合に、上層の半導体層の膜厚均一性を高く保持した半導体基板表面平坦化と、２枚のウェーハの界面の酸化膜除去を同一の熱処理で効率よく行うことを可能にする半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the optical component 5 of a light irradiation apparatus 1, at a first end face 51a of a core 51 forming a slab waveguide, feedback light reaching a cladding area surface 32b of a cladding area 32 of an optical fiber 30_n travels backward in the cladding area 32, and sometimes leaks out to a holder 43 from an interface of the cladding area 32.例文帳に追加

光照射装置１の光部品５では、スラブ導波路を形成するコア５１の第１の端面５１ａのうち、光ファイバ３０_ｎのクラッド領域３２のクラッド領域面３２ｂに到達した戻り光は、クラッド領域３２内を逆進し、クラッド領域３２の界面から保持部４３に漏れ出す場合がある。 - 特許庁

After a surface-reformed junction in which a barrier layer 5 is formed by changing the crystal structure of the junction interface of a high-temperature superconducting element and a superconducting circuit are completed, heat treatment is performed for a fixed period of time at the highest or higher temperature when manufacturing the junction by using a heating means 6.例文帳に追加

高温超伝導体電極の接合界面の結晶構造を変化させて障壁層５とした表面改質型接合および超伝導回路の完成後に、加熱手段６を用いて接合作製中における最高温度あるいはそれ以上の温度で決められた時間熱処理を行う。 - 特許庁

The graphical user interface 25 comprises an intensity waveform display part 61 which displays an intensity waveform 62 of reflected light outputted from the surface inspection device, and a development image display part 63 which displays a development image 64 drawn with a gradient corresponding to the intensity waveform 62 in a state corresponding to the intensity waveform 62.例文帳に追加

グラフィカルユーザインタフェース２５には、表面検査装置が出力する反射光の強度波形６２を表示する強度波形表示部６１と、強度波形６２に対応する階調で描画された展開画像６４を強度波形６２と対応させた状態で表示する展開画像表示部６３とが設けられている。 - 特許庁

To provide a method for producing a polyethylene-2,6-naphthalate resin composition which has little voids arising in an interface between polyethylene-2,6-naphthalate resin and an inert particle by dispersing the inert particles uniformly and free of coarse particles into the polyethylene-2,6- naphthalate resin and; to provide a polyethylene-2,6-naphthalate film excellent in surface smoothness by using the production method.例文帳に追加

ポリエチレン−２，６−ナフタレート樹脂中に粗大粒子を存在させることなく不活性粒子を均一に分散させ、ポリエチレン−２，６−ナフタレート樹脂と不活性粒子との界面に発生するボイドの少ないポリエチレン−２，６−ナフタレート樹脂組成物の製造方法を提供し、これらの製造方法を用いて、表面平滑性に優れたポリエチレン−２，６−ナフタレートフィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a metallic luster film which can represent unique metallic colors having unconventional appearance of depth by generating no unevenness, variation in tone of colors, and peeling or the like in the interface on a surface of a packaging container, and to provide a sheet for thermoforming formed by the metallic luster film and the packaging container formed by the sheet for thermoforming.例文帳に追加

包装用容器の表面に、ムラや色目のばらつき、界面での剥離等を生じることなしに、従来にない奥行き間のある、独特のメタリック調の色彩を表現することができる金属光沢フィルムと、前記金属光沢フィルムを用いて形成される熱成形用シートと、前記熱成形用シートを用いて形成される包装用容器とを提供する。 - 特許庁

A titanium compound including oxygen consists of needle-like crystal grains with an aspect ratio of 8-100 viewed from a cross section parallel to a substrate surface, and a complex area of a titanium compound phase including oxygen and a non-oxide phase exists in an area near an interface between the titanium compound phase including oxygen and the non-oxide phase on the upper layer.例文帳に追加

酸素を含むチタン化合物は、前記基体表面に平行な断面視でのアスペクト比が８〜１００の範囲にある針状の結晶粒子から構成されているとともに、前記酸素を含むチタン化合物相とその上層の非酸化物相との界面近傍領域では、該酸素を含むチタン化合物相と該非酸化物相との錯綜領域が存在させる。 - 特許庁