「surface and interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

In this solar cell module 100, a wiring material 11a and a wiring material 11c are not located on paths of incident light rays sequentially reflected on a plurality of projecting parts possessed by a wiring material 11b and an interface 2A between a light reception surface-side protective material 2 and air.例文帳に追加

太陽電池モジュール１００において、配線材１１ａ及び配線材１１ｃは、配線材１１ｂが有する複数の凸部、及び受光面側保護材２と空気との界面２Ａで順次反射される入射光の進路上に位置しない。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for imaging a two-dimensional electron density distribution and a nucleus scattering length density distribution on a surface, an interface and a specific depth position of a thin film and a multilayered film having nonuniform and different structure for every place in plane, by an X-ray reflectometry and neutron reflectometry.例文帳に追加

Ｘ線反射率法および中性子反射率法において、均一ではない、面内の場所ごとに異なる構造を持つ薄膜・多層膜について、表面や界面、特定深さ位置における２次元の電子密度分布および核散乱長密度分布を画像化する方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a copper paste that can secure airtightness of the interface between a via conductor and a ceramic layer and can suppress thrust up of the via conductor and does not bring about floating of glass on the surface of the via conductor and makes plating easy, and further can reduce internal resistance of the via conductor, and a wiring board using the same.例文帳に追加

ビア導体とセラミック層との界面の気密性を確保できてビア導体の突き上げが抑制できるとともに、ビア導体表面にガラスの浮き出しがなくてメッキ処理が容易にでき、ビア導体の内部抵抗を低くできる銅ペーストとそれを用いた配線基板を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

This oil and fat composition is characterized in that the composition is obtained by dissolving an emulsifying agent in an amount of ≤4.0 wt.% based on liquid oils and fats in the liquid oils and fats and a surface tension after 3 second from the formation of an interface of the oil and fat composition and water at 80°C is ≤7 mN/m.例文帳に追加

液状油脂に、該液状油脂に対して４．０重量％以下となる量の乳化剤を添加・溶解して得られる油脂組成物であって、該油脂組成物の水との８０℃における、界面形成時より３秒後の界面張力が７ｍＮ／ｍ以下であることを特徴とする揚げ物調製用油脂組成物。 - 特許庁

Water-repellent films 54, 58 have wettability for a second liquid 46 higher than that for the first liquid 44 and, therefore, the second liquid 46 is annularly extended via an interface 62 between the outer circumferential part and a water-repellent film 58 part near the one edge surface 4202 on the one edge surface wall 4202 side.例文帳に追加

撥水膜５４，５８は第２の液体４６に対する濡れ性が第１の液体４４に対する濡れ性よりも高いため、第２の液体４６は、一方の端面壁４２０２側でその外周部と、一方の端面壁４２０２寄りの撥水膜５８箇所との間に界面６２を介して環状に延在している。 - 特許庁

To provide a composite material uniform even in a local region, reduced in the content of an impurity component other than a metal seed being a target component, continuously reduced in flaw from its surface including a different kind of a metal interface to its bottom surface and particularly suitable as a target material of dry process vapor deposition, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

局所領域でも均一であって、目的成分とする金属種以外の不純物成分が少なく、異種金属界面を含む表面から底面まで連続して欠陥の少ない複合材、特にドライプロセス蒸着のターゲット材として好適な複合材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface-treated aluminum alloy material applied to bonding using adhesives, which hardly detaches an interface between an adhesive layer and a surface of the alloy material regardless of aging of the adhesive layer, whose adhesion strength is hardly deteriorated, and which is excellent in adhesion durability.例文帳に追加

接着剤での接合に供されるアルミニウム合金材であって、接着剤層が経年劣化しても接着剤層とアルミニウム合金材表面での界面剥離が発生し難く、したがって接着強度が低下し難い接着耐久性に優れた表面処理アルミニウム合金材を提供すること。 - 特許庁

The sliding member 12 comprises: an intermediate layer 13 which has a mixed part 14 formed in an interface between a substrate 1 and a Si-containing carbon film 13a formed on the surface of the substrate 1, by implanting ions into the Si-containing carbon film 13a; and the hard carbon film 15 with a predetermined film thickness formed on the surface of the intermediate layer 13.例文帳に追加

基材１の表面に形成したＳｉ含有炭素膜１３ａに対してイオン注入を行い基材１との界面にミキシング部１４を形成させた中間層１３と、中間層１３の表面に所定の膜厚で形成した硬質炭素膜１５とを備えた摺動部材１２とする。 - 特許庁

To solve a problem wherein, when an electric characteristic of an SOI wafer is evaluated by a pseudo-MOSFET, and a gate voltage is applied through a BOX layer, a current flows on a surface of an SOI layer in the case where a depletion layer does not reach the surface of the SOI layer, and an SOI/BOX layer interface can not be evaluated.例文帳に追加

Ｐｓｅｕｄｏ−ＭＯＳＦＥＴによってＳＯＩウェーハの電気特性を評価する際、ＢＯＸ層を通じてゲート電圧を印加した際、空乏領域がＳＯＩ層表面にまで届いていない場合、ＳＯＩ層表面で電流が流れてしまい、ＳＯＩ／ＢＯＸ層界面の評価が不可能になってしまう。 - 特許庁

At least one bridging means 76a extends the insulating means 72, the bridging means 76a includes a conductive material for connecting the side electrode with the internal electrode, and at least one first surface formed by an interface between the conductive material and the insulating means is mutually continuous eventually with at least one second surface formed by an internal boundary in the piezoelectric layer in the vicinity of a piezoelectric/insulation interface 74.例文帳に追加

少なくとも１つのブリッジ手段７６ａが絶縁手段７２を延長し、ブリッジ手段７６ａは側部電極と内部電極との間の接続のため導電性材料を含み、導電性材料と絶縁手段との間のインターフェースにより形成された少なくとも１つの第１の表面と圧電層の内部境界により形成された少なくとも１つの第２の表面とは圧電／絶縁インターフェース７４の近傍で互いに事実上連続する。 - 特許庁

On the surface of a translucent board of the organic EL element, an inorganic porous solid thin film arrayed in parallel with the board surface or equipped with a periodic porous structure including layered, column-shaped holes is formed, and by making an incident angle into an interface with an air layer, reflection at the interface with the air layer is prevented to improve the luminous efficiency.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の透光性基板表面に、前記基板表面に平行となるように配向せしめられたあるいは層状の円柱状の空孔を含む周期的ポーラス構造を具備してなる無機多孔質固体薄膜を形成し、空気層との界面への入射角を大きくすることにより、空気層との界面での反射を防止し、発光効率を高めるようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

A substrate surface 2 is irradiated with an electron beam 1 and has intensity for generating dislocation inside the substrate, and a range that is longer than the depth from the substrate surface 2 at the interface of two parts having different temperatures, in which a crystal defect begins to be generated in the depthwise direction of the substrate; and cracks with dislocation as a starting point are generated and form a cleavage plane 5, and the substrate is divided.例文帳に追加

基板表面２に、その強さが基板の内部に転位を生じさせる強さであり、またその飛程が基板の深さ方向において結晶欠陥が生じ始める、温度が異なる２つの部分の界面の基板表面２からの深さよりも長い電子ビーム１を照射し、転位を起点としたクラックを発生させて劈開面５を形成し、基板を分割する。 - 特許庁

To provide a surface modification method whereby a high-quality silicon oxynitride film with decreased damage is formed in a short treatment time by sufficiently decreasing the nitrogen concentration at the interface between a silicon oxide film and a silicon substrate and increasing the nitrogen concentration in the silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン酸化膜とシリコン基板界面の窒素濃度を十分小さくし、かつ、シリコン酸化膜中の窒素濃度を高め、ダメージを減らした高品位のシリコン酸窒化膜を、短い処理時間で生成する表面改質方法を提供する。 - 特許庁

While a GaN crystal is grown by an Na flux method, the distance from the GaN crystal surface in a mixture melt to a gas-liquid interface is kept to 10 mm or less, and a crucible and a seed crystal are independently rotated in the following rotation mode.例文帳に追加

Ｎａフラックス法によるＧａＮ結晶育成中、混合融液中のＧａＮ結晶表面から気液界面までの距離を１０ｍｍ以下に保持し、坩堝と種結晶とを下記回転モードでそれぞれ独立に回転させた。 - 特許庁

In the galvannealed steel sheet, a plating layer consists of only ζ phase or ζ phase and η phase, and Fe content in an outermost surface of the plating layer is higher than Fe content of the plating layer at an interface portion of the steel sheet.例文帳に追加

めっき層がζ相のみ、またはζ相およびη相からなり、前記めっき層最表面におけるＦｅ含有率が前記めっき層の鋼板界面部分のＦｅ含有率より高いことを特徴とする合金化溶融亜鉛めっき鋼板。 - 特許庁

To add a metal capable of forming an electric dipole for reducing a threshold voltage at the interface of an oxide film formed on the surface of a semiconductor substrate and a high electric constant insulating film, while suppressing increase in EOT and decrease in carrier mobility.例文帳に追加

ＥＯＴの増大及びキャリア移動度の低下を抑制しつつ、半導体基板表面に形成されている酸化膜と高誘電率絶縁膜との界面に、しきい値電圧を低減する電気双極子を形成可能な金属を添加する。 - 特許庁

To provide a curable composition for dental use, free from the polymerization inhibition trouble in a wet environment and having excellent adhesiveness to the untreated surface of tooth even in the presence of oxygen and forming no gap at the adhesion interface.例文帳に追加

湿潤環境下での重合阻害を受けず、さらに酸素の存在下でも歯面処理を行っていない歯牙に対して優れた接着性、接着界面に隙間を生じさせない特性を有する歯科用硬化性組成物を提供すること。 - 特許庁

After that, when the pattern 4 is regrown by an MOCVD device, Ga and N are adsorbed into the surface of the Ni thin-film pattern 4, captured into the inside and reach interface with the substrate 1, while diffusing.例文帳に追加

その後、再びＭＯＣＶＤ装置で成長させると、Ｎｉ薄膜パターン４の表面にＧａとＮとが吸着され、内部に取込まれて拡散しつつ基板１との界面に達し、ここで互いに結合してＧａＮ単結晶５を形成する（図１（ｃ））。 - 特許庁

To provide an electronic device which reduces an impact due to a difference among thermal expansion coefficients (TEC) in a wafer to improve a contact surface (interface) between a manufactured device and an adhesive layer and is built by an micro-system or nano-system on a wafer scale.例文帳に追加

ウェハにおける制約上のＴＥＣの違いによる衝撃を減少させ、製造された装置および接着層の間の接触面（界面）を改良した、ウェハのスケールでのマイクロシステムまたはナノシステムの組立てによる電子装置を提供する。 - 特許庁

A shaft part of the screw 7 is covered with a heat-shrinkable tube 9 along a reference position P of the screw intersected with an interface surface between the semiconductor device 1 and the member 2 along the shaft part of the screw 7 to a head part thereof and to a direction opposed thereto.例文帳に追加

ねじ７の軸部が半導体装置１と絶縁部材２の境界面と交差する基準位置Ｐから、ねじ７の軸部に沿ってねじ７の頭部への方向及び該方向と対向する方向へ熱収縮チューブ９が被覆されている。 - 特許庁

To provide a method for treating the surface of a resin board, capable of improving the adhesion between the resin board and a conductor layer while maintaining the flatness of the interface between them and also capable of suppressing the flocculate precipitation of photocatalyst microparticles during light irradiation.例文帳に追加

樹脂基板と導体層の界面の平坦性を維持しつつ、両層の密着性を向上させ、ならびに光照射中の光触媒微粒子の凝集沈殿を抑制できる樹脂基板の表面処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface mounting method of an electronic component capable of mounting the electronic component with high connection reliability since bonding strength on a connection interface with an electrode is high, and disconnection and destruction caused by a falling impact hardly occur.例文帳に追加

電極との接続界面での接合強度が高く、落下衝撃による断線や破壊が発生しにくいことから、接続信頼性の高い電子部品の実装を行うことが可能な電子部品の表面実装方法を提供する。 - 特許庁

An ohmic electrode structure has an SiC substrate 1, p-type SiC area 2 formed on the surface of the substrate 1, thermally reacted layer 8 formed on the surface of the area 2, thermally oxidized film 3 covering the interface between the substrate 1 and area 2, upper insulating film 4 arranged on the surface of the oxidized film 3, and electrode film 7 arranged on the reacted layer 8.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１、ＳｉＣ基板１の表面に形成されたｐ型ＳｉＣ領域２、このｐ型ＳｉＣ領域２の表面に形成された加熱反応層８、ＳｉＣ基板１とｐ型ＳｉＣ領域２との界面を覆う熱酸化膜３、熱酸化膜３の表面に配置された上部絶縁膜４、加熱反応層８の上部に配置された電極膜７とを有する。 - 特許庁

An electrostatic attraction system is designed to apply voltage to electrodes 103a and 103b to generate surface polarization by the applied voltage on the surface 104a of a high-resistance material 104 as an object to be handled, thereby generating electrostatic suction force on an interface between the object 104 and an electrode surface 102a for attracting the object 104.例文帳に追加

電極１０３ａ、１０３ｂに電圧を印加させ、印加電圧によりハンドリング対象物としての高抵抗体１０４の表面１０４ａに表面分極を発生させることによりハンドリング対象物１０４と電極面１０２ａとの界面に静電気吸引力を発生させてハンドリング対象物１０４を吸着する静電吸着システムである。 - 特許庁

To provide a light emitting element which is sufficiently reducible in element series resistance on a sticking interface and can improve its switching response even when a sticking surface side of a light emission layer part and a transparent conductive semiconductor substrate become (n) types and an InGaP intermediate layer formed on the sticking surface side is made into an (n) type through Si doping.例文帳に追加

発光層部と透明導電性半導体基板との貼り合せ面側がｎ型となり、貼り合せ面側に形成するＩｎＧａＰ中間層がＳｉドーピングによりｎ型とされる場合においても、貼り合せ界面における素子直列抵抗を十分に低減でき、またそのスイッチング応答性も図ることができる発光素子を提供する。 - 特許庁

The distribution of nitrogen concentration possessed by the side wall 9 in a cross section perpendicular to the one main surface of the semiconductor substrate 1 has a peak at an interface between a polysilicon 9b and an oxide film 9a, and nitrogen is more introduced so as to enable another concentration peak to be located above the above peak and close to the surface of the polysilicon 9b.例文帳に追加

そのサイドウォール９において、半導体基板１の一主面に垂直な方向の断面における濃度分布がポリシリコン９ｂと酸化膜９ａとの界面にピークを有するとともに、このピークの位置より上の位置でポリシリコン９ｂの表面に近傍にさらに濃度のピークを有するように窒素が導入されている。 - 特許庁

To provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus which supply a chemical to a treatment region of a periphery region of a surface of a substrate and carry out etching removal of disused substances of the treatment region, wherein there is formed a favorable interface of the treatment region and a non-treatment region, formed in the periphery region of the surface by the etching removal.例文帳に追加

基板の表面周縁領域のうち処理領域に薬液を供給して当該処理領域の不要物をエッチング除去する基板処理方法および基板処理装置において、当該エッチング除去により表面周縁領域に形成される処理領域と非処理領域の界面を良好なものとする。 - 特許庁

This 1/4 wavelength plate is used for the backlight system having the polarization reflective plate, and is constituted of a 1/4 wavelength layer and a light diffusion layer where rugged parts are formed on a nearly whole surface of its one side surface layer, and which develops light diffusiveness since the light beam transmitting the surface layer is diffracted in many directions by refractive index differences of the rugged interface.例文帳に追加

偏光反射板を有するバックライトシステムに用いるための１／４波長板であって、該１／４波長板は、１／４波長層と、（１）その一方の表層のほぼ全面に凹凸が形成されてなり、かつ（２）該表層を透過する光が該凹凸界面の屈折率差により多方向に屈折されることにより光拡散性を発現する光拡散層とからなることを特徴とする１／４波長板。 - 特許庁

The phase change type optical recording medium has: a recording film 13 wherein reversible phase changes between a crystalline phase and an amorphous phase occur under irradiation with light; and interface films 12 and 14 formed in contact with at least one surface of the recording film 13 and containing hafnium (Hf), silicon (Si), oxygen (O) and carbon (C).例文帳に追加

光照射により結晶質と非晶質との間で可逆的な相変化を起こす記録膜１３と、前記記録膜１３の少なくとも一方の面に接して形成された、ハフニウム（Ｈｆ）、珪素（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）、および炭素（Ｃ）を含有する界面膜１２，１４とを有する相変化光記録媒体。 - 特許庁

The capsule toner comprises toner particles each having: a toner base particle containing a binder resin and a colorant; and a resin layer containing resin fine particles and coating the surface of the toner base particle, wherein fine particles having a function of controlling the electric resistance are contained on the interface between the toner base particle and the resin layer and in the resin layer.例文帳に追加

カプセルトナーは、バインダー樹脂および着色剤を含むトナー母粒子と、樹脂微粒子を含み、該トナー母粒子表面を被覆する樹脂層とを有するトナー粒子で構成され、前記トナー母粒子と樹脂層との界面および前記樹脂層中に、電気抵抗調整機能を有する微粒子を含む。 - 特許庁

To provide an optical structure in which an advanced optical function utilizing phenomena of refraction, scattering and diffraction of light at an interface with different refractive indexes can be given to a surface of an optical component using an organic high polymer and which is low in cost and is excellent in mass-productivity, and further to provide its manufacturing method and an optical apparatus equipped with the optical structure.例文帳に追加

有機高分子を用いた光学部品の表面に、屈折率の異なる界面にて光が屈折、散乱、回折する現象を利用した高度の光学的機能を付与することができ、しかも、安価で量産性に優れた光学構造体及びその製造方法並びにそれを備えた光学装置を提供する。 - 特許庁

In the nonaqueous electrolyte secondary battery equipped with a positive electrode, a negative electrode, and a nonaqueous electrolyte, a compound containing an alkali metal and fluorine, and at least one kind of element selected from phosphorus, oxygen, and hydrogen is formed in at least one part on the surface of positive active material particles and the interface between the particles.例文帳に追加

正極と負極と非水電解質とを備えた非水電解質二次電池において、正極活物質粒子表面と粒子界面の少なくとも一部に、アルカリ金属とフッ素を含み、さらにリン、酸素、水素から選ばれた少なくとも１種の元素を含む化合物を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

To form an FET having good characteristics by raising the concentration of nitride in the vicinity of the surface of a gate insulating film on the side reverse to the interface of the gate insulating film and a silicon substrate, while suppressing diffusion of nitrogen to the vicinity of the interface, in a process for fabricating a semiconductor device by forming a gate insulating film containing nitrogen on the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上に窒素含有ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜のシリコン基板との界面付近への窒素の拡散を抑制しつつ、界面とは逆側のゲート絶縁膜の表面付近の窒素濃度を高めることにより、良好な特性を有するＦＥＴを形成する。 - 特許庁

The electrolytic copper foil with a carrier foil equipped with a resin layer for forming an insulating layer is characterized in that a bonding interface layer is provided on the surface of the carrier foil and an electric copper foil layer having both smooth surfaces is provided on the bonding interface layer and a resin layer is provided on the electric copper foil layer.例文帳に追加

絶縁層形成用の樹脂層を備えたキャリア箔付電解銅箔であって、当該キャリア箔付電解銅箔は、キャリア箔の表面に接合界面層を備え、その接合界面層上に両面が平滑な電解銅箔層を備え、当該電解銅箔層の上に樹脂層を備えることを特徴とする絶縁層形成用の樹脂層を備えたキャリア箔付電解銅箔等を採用する。 - 特許庁

Accordingly, a silicon interface state (Qss) in the vicinity of the channel isolation region 29 on the surface of the n-type silicon substrate increases, and holes or minority carriers in the n-type silicon substrate disappear in the region.例文帳に追加

したがって、上記Ｎ型シリコン基板の表面におけるチャネル分離領域２９近傍のシリコン界面準位(Ｑss)が増大し、Ｎ型シリコン基板内の少数キャリアである正孔が上記領域において消滅する。 - 特許庁

To prevent the peeling generated in the interface between a relaxation resin and a sealing resin, in a resin-sealed semiconductor device wherein its electronic element having a surface coated with the relaxation resin is so supported on its substrate as to mold the whole thereof by the sealing resin.例文帳に追加

表面に緩和樹脂が塗布された電子素子が基板に支持され、その全体が封止樹脂にてモールドされた樹脂封止型半導体装置において、緩和樹脂と封止樹脂との界面における剥離を防止すること。 - 特許庁

Void parts 12, each of which has a cyclic structure 13 of causing optical diffraction at the interface, are formed in a substrate 11 and a cyclic structure 15 of causing optical diffraction on a part or all of the surface of the substrate 11 is formed.例文帳に追加

光回折を起こす周期構造１３を界面に有する空隙部１３を基材１１の内部に形成するとともに、基材１１の表面の一部又は全部に光回折を起こす周期構造１５を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus and a method for manufacturing the same to generate almost no interface void, package warpage, electrode shape deformation in grinding a rear surface, or the like, when forming a resin-sealed package on a corner to corner copper alloy lead frame 1.例文帳に追加

全面銅合金のリードフレーム１上に樹脂封止パッケージを成形する際に、界面ボイド、パッケージ反り、裏面研削時の電極形状変形等がほとんど生じない、半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, via resistance is sufficiently reduced since the reactive layer 14, which is formed between the conductive barrier membrane 13 and the lower layer wiring 12, does not exist in an interface where the lower surface of the via 17 joins with the lower layer wiring 12.例文帳に追加

よって、ビア１７下面と下層配線１２とが接合する界面において、導電性バリア膜１３と下層配線１２との間で形成される反応層１４が存在しないため、ビア抵抗を十分に下げることができる。 - 特許庁

An outer circumferential end B of a bonding interface A between the first and second metal layers is positioned farther toward the outside in the direction to be away from the operating region than the outer circumferential side surface 3c of the first insulating layer 3a.例文帳に追加

第１の金属層と前記第２の金属層との接合界面Ａの外周端部Ｂは、前記第１の絶縁層３ａの外周側面３ｃよりも前記動作領域から離れる方向である外側に位置している。 - 特許庁

The heteropolyacid-based catalyst having the large surface area, modified in its catalytic interface and enhanced in the productivity of methacrylic acid from metacrolein can be manufactured by the manufacturing method of the heteropolyacid-based catalyst for producing methacrylic acid.例文帳に追加

本発明のメタクリル酸製造用ヘテロポリ酸系触媒の製造方法によると、大きな表面積を有し、触媒界面が改質され、メタクロレインからメタクリル酸の生産性が高いヘテロポリ酸系触媒を製造することができる。 - 特許庁

An HfSiON gate insulating film 5 is formed through an interface layer 4 on a p-type Si substrate, and for example, SF_6 gas is sprayed to the surface to introduce F for introducing a halogen element so that a halogen element region 7 can be formed.例文帳に追加

ｐ型Ｓｉ基板上に界面層４を介してＨｆＳｉＯＮゲート絶縁膜５を形成し、その表面に例えばＳＦ_6ガスを吹き付けてＦを導入する等してハロゲン元素を導入し、ハロゲン元素領域７を形成する。 - 特許庁

In the ceramic-metal compound substrate and its manufacturing method, voids in the junction interface of a semiconductor mounting portion on a metal plate in junction with the main surface of the ceramic substrate is made to be 1.5% or lower for the area ratio.例文帳に追加

セラミックス−金属複合回路基板及びその製造方法において、セラミックス基板の主面上に接合した金属板上の半導体搭載部分の接合界面におけるボイドを面積率で１．５％以下とする。 - 特許庁

By irradiating the plasma derived from a process gas which at least contains a gas having an oxygen atom on a surface of an insulating film set on the substrate for the electronic device, the base film is formed in an interface between the insulating film and the substrate for the electronic device.例文帳に追加

電子デバイス用基材上に配置された絶縁膜の表面に、少なくとも酸素原子含有ガスを含む処理ガスに基づくプラズマを照射して、該絶縁膜と電子デバイス用基材との界面に下地膜を形成する。 - 特許庁

To prevent generation of a water leakage passage in an interface between a steel material of a joint inside surface and a bag body for housing a water cut-off age-hardening filler inserted into a pocket part of a joint fitting part of a steel sheet pile existing in the water.例文帳に追加

水中にある鋼製矢板の継ぎ手嵌合部のポケット部に挿入した、止水用経時硬化性充填材を収容する袋体と継ぎ手内面の鋼材との界面に漏水経路が生じないようにする。 - 特許庁