「surface and interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

This ferrite magnetic layer is composed of 40 to 50 mol% Fe2O3, 15 to 35 mol% ZnO, 0 to 20 mol% Cu, and NiO and inevitable impurities for the rest, and an area having 5 mol% CuO, or lower density is formed in the ferrite magnetic layer nearby the interface contacting the top surface of the Si substrate.例文帳に追加

フェライト磁性層の組成がＦｅ_2Ｏ_3：４０〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１５〜３５ｍｏｌ％、ＣｕＯ：０〜２０ｍｏｌ％、Ｂｉ_2Ｏ_3：０〜１０ｍｏｌ％、残部はＮｉＯ及び不可避不純物からなる磁性槽のＳｉ基板表面に接する界面近傍のフェライト磁性層にＣｕＯ濃度が５ｍｏｌ％以下の領域を形成する。 - 特許庁

To provide a hot melt adhesive composition preventing air from being included in the interface between a hot melt adhesive layer and an adherend by flexibly corresponding to a part of the surface of the adherend having unevenness of several μm's, and hardly causing fisheyes even when foreign matter, dust or the like is present, and to provide a film with the hot melt adhesive.例文帳に追加

被着体の表面に数μｍの凹凸のある部分にも柔軟に対応してホットメルト接着剤層と被着体の界面に空気が混入することがなく、また、異物や埃などがあってもフィッシュアイが発生しないホットメルト接着剤組成物およびホットメルト接着剤付きフィルムを提供せんことにある。 - 特許庁

Furthermore, since the space between the objective lens and the sample is immersed in the liquid which has a refractive index approximate to that of a transparent film, even in the case a transparent interlayer insulating film is formed on the surface of a sample, fracturing of amplitude at an interface between the liquid and the insulating film is suppressed, and unevenness of brightness caused by thin film interferences is reduced.例文帳に追加

さらに、対物レンズと試料の間を透明膜に近い屈折率の液体で浸すことにより、試料表面に透明な層間絶縁膜が形成されている場合においても液と絶縁膜界面での振幅分割を抑制し、薄膜干渉による明るさむらを低減する。 - 特許庁

The semiconductor optical function device includes a semiconductor substrate provided with a substrate edge surface, an optical waveguide formed on the semiconductor substrate, a non-waveguide region formed at least between the optical waveguide and the a substrate edge surface, an insulation region provided with a semiconductor interface that is formed around the optical waveguide and is in contact with the non-waveguide region on a side of the substrate edge surface.例文帳に追加

本発明に係る半導体光機能デバイスは、基板端面を有する半導体基板と；前記半導体基板上に形成された光導波路と；前記半導体基板上において、少なくとも前記光導波路と前記基板端面との間に形成された非導波領域と；前記光導波路の周囲に形成され、前記基板端面側に前記非導波領域と接する半導体界面を有する絶縁領域とを備える。 - 特許庁

The lattice type conductor layer wherein a roughened layer 5 is formed on a side surface is formed on a substrate of a multilayer printed wiring board, so that cracks which are generated by difference of thermal expansion coefficients of the conductor layer and the interlayer resin insulating layer on an interface of them are restrained.例文帳に追加

多層プリント配線板の基板上に、その側面に粗化層５が形成された格子状の導体層を形成することにより、導体層と層間樹脂絶縁層の境界で両者の熱膨張率差に起因して発生するクラックを抑制する。 - 特許庁

To provide a highly reliable rotating electric machine configured so that surface discharge is not generated in the air even when a corona shield layer is eroded due to electric discharge generated in an air gap near an interface between the corona shield layer and an insulating layer formed around a coil conductor.例文帳に追加

コロナシールド層とコイル導体の周囲に形成された絶縁層との界面付近の空隙で放電が発生してコロナシールド層が侵食されても、空気中での表面放電が発生しないように構成した信頼性の高い回転電機を提供する。 - 特許庁

When formed on a substrate, it is preferable that the porous titanium oxide coating film has a continuous or gradual concentration gradient such that the concentration of the titanium oxide structures (A) at a point away from the interface of the coating film and the substrate in the coating film becomes higher as the point becomes closer to the top surface of the coating film in the thickness direction of the coating film.例文帳に追加

基板上に形成される際には、膜厚方向に、基板との界面から最表面に近づくにしたがい、酸化チタン構造体（Ａ）の濃度が高くなる連続的又は段階的な濃度勾配を有することが好ましい。 - 特許庁

When the aspiration fluid enters the aspiration chamber from below the fluid surface (e.g., from a port located at the bottom or on a sidewall close to the bottom), it does not create disturbance at the liquid/air interface and thus does not disturb continuous level sensing.例文帳に追加

吸引流体が流体表面の下から（例えば、底部に又は底部近傍の側面上に位置するポートから）吸引室に入る時、吸引流体は、液体／空気界面に外乱をもたらさず、したがって、連続レベル感知に対して外乱をもたらさない。 - 特許庁

In the ultralow carbon steel having been subjected to a heat treatment before hot rolling, the average intergranular oxidation depth at the interface between scales and base iron of the steel surface is controlled to 50 μm or less.例文帳に追加

１１．５×％Ｓｉ＋４７×％Ｎｂ＋４９×％Ｔｉ＋５２×％Ａｌ≦４また、上記極低炭素鋼において、熱間圧延前の加熱処理された鋼において、鋼表面の地鉄とスケール界面の平均粒界酸化深さが５０μｍ以下であること。 - 特許庁

The material has, on a hydrophilic surface of its support, a non-photopolymerizing intermediate layer containing a coloring agent absorbing a light in the wavelength range above 400 nm and a compound having thermal reactivity with the interface of the support.例文帳に追加

支持体上の親水性表面に、４００ｎｍ以上の波長領域に吸収を有する着色剤と該支持体の界面と熱反応性を有する化合物を含有する非光重合性の中間層を有することを特徴とする平版印刷版支持体。 - 特許庁

To provide a laminate of polycarbonate resins having excellent adhesive properties of a laminated interface even in the case of a molding shape having a free three-dimensional curved surface by molding the laminate by a method such as an insert molding or the like and excellent environmental deterioration resistance.例文帳に追加

インサート成形などの方法により積層体を成形し、更に３次元的な自由曲面を有する成形品形状の場合であっても積層界面の密着性に優れ、かつ耐環境劣化性に優れたポリカーボネート樹脂の積層体を提供する。 - 特許庁

At least one cavity is provided at an interface between the body and the insert so as to allow the fluid flowing along the passages 15, 16 for the cooling fluid to graze at least a part of the rear surface of the insert before the fluid flows out to the outside from the end of the insert.例文帳に追加

該冷却用流体の通路１５，１６は、該通路に沿って流れる該流体がインサート端部で外部へ出る前に該インサートの後面の少なくとも１部分をグレーズするように前記ボデイ／インサートのインターフエース内に少なくとも１つのキャビテイを具備する。 - 特許庁

The apparatus has a pretreatment light irradiation device 23 where an image recording layer 40 is irradiated with pretreatment light for preventing fog in the layer so as to decolorize a dye from the surface side and dye concentration distribution showing increase in the dye concentration toward the interface side of the supporting body is produced.例文帳に追加

前処理光照射装置２３は、画像記録層４０にかぶりを生じないように露光する前処理光を照射して表面側から染料を退色させ、支持体との界面側に向けて色素濃度が高くなる色素濃度分布を形成する。 - 特許庁

To obtain a resist material having no coating defects and excellent wetting property with an alkali developer by incorporating a specified fluorine- based surfactant which decreases the contact angle of the interface with water or the like on the resist material surface applied on a substrate with an increase of the added amt of the surfactant.例文帳に追加

基板に塗布されたレジスト材料表面と水若しくはアルカリ現像液との界面の接触角を、添加量を増加させるに従って低下させるフッ素系界面活性剤を含有することを特徴とするレジスト材料を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate for light emitting device which is used on a light emission surface side of a light emitting device capable of reducing internal reflection loss on a material interface constituting the light emitting device and to provide the light emitting device which has superior light emission efficiency by using the substrate.例文帳に追加

発光装置を構成する材料界面における内部反射損失を低減することが可能な発光装置の発光面側に使用される発光装置用基板を提供し、これを用いて外部発光効率に優れた発光装置を提供する。 - 特許庁

A filter film 50a for a display device has such a structure that metal fine particles of a nanometer size are deposited on the surfaces of oxide particles and that the surface plasmon resonance to selectively absorb light in a specified wavelength band by resonance is induced on the metal/oxide interface.例文帳に追加

表示装置用フィルター膜５０ａが、ナノサイズの金属微粒子が酸化物粒子の表面に付着した構造を有し、金属／酸化物界面で特定波長帯の光を選択的に共鳴吸収する表面プラズモン共鳴現象が誘起される。 - 特許庁

The lower photoelectric transfer membrane 37 functions as a seed crystal for forming the upper photoelectric transfer membrane 33, reduces a size of a Schottky barrier generated in an interface to the pixel electrode 57, and buries an unevenness on a surface of the pixel electrode 57.例文帳に追加

下部光電変換膜３７は上部光電変換膜３３を形成する種結晶膜として機能するとともに、画素電極５７との界面で生じるショットキー障壁の大きさを小さくし、また、画素電極５７の表面の凹凸を埋めている。 - 特許庁

To realize a method for laser ionization mass spectrometry that performs operations such as classification of spectra according to pulses and computation with use of a signal of ions (index ions) generated through interaction between pulse laser light and either the surface of a substrate or the interface between a sample and the substrate and thereby attempts to extract a desired signal and filter out undesirable background noise, and to realize a substrate for the sample.例文帳に追加

パルスレーザー光と基板の表面または試料と基板の界面との相互作用により発生するイオン（指標イオン）の信号を利用してパルス毎のスペクトルに分類または演算などの操作を施し、望ましい信号の抽出や望ましくないバックグラウンドノイズの除去を行うようにしたレーザーイオン化質量分析法及びその試料用の基板を実現する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an interlayer insulation film 36 formed above a semiconductor substrate 10, the conductor 50 containing Cu formed in the interlayer insulation film 36, and a barrier metal film 46 formed between the interlayer insulation film 36 and the conductor 50 and formed of a multilayer film of a Ti film 42 and a Ta film 44, and an interface layer 54 containing Ti and Si is formed on the surface of the conductor 50.例文帳に追加

半導体基板１０の上方に形成された層間絶縁膜３６と、層間絶縁膜３６内に形成されたＣｕより成る配線５０と、層間絶縁膜３６と配線５０の間に形成され、Ｔｉ膜４２とＴａ膜４４との積層膜より成るバリアメタル膜４６とを有し、配線５０表面に、ＴｉとＳｉとを含む界面層５４が形成されている。 - 特許庁

The surface emission laser element 100 has an active layer 4 and an upper DBR mirror 7 as a dielectric multilayer film mirror 7 which are laminated on a substrate 1 wherein the upper DBR mirror 7 has a surface roughness exhibiting a predetermined reflectivity for a laser beam emitted from the surface emission laser element 100 at least on one interface in a dielectric multilayer film constituting the upper DBR mirror.例文帳に追加

面発光レーザ素子１００は、基板１上に積層された活性層４と誘電体多層膜ミラーとしての上部ＤＢＲミラー７とを備え、上部ＤＢＲミラー７は、それを構成する誘電体多層膜内の少なくとも１つの界面に、面発光レーザ素子１００が射出するレーザ光に対して上部ＤＢＲミラー７が所定反射率となる表面粗さを有する。 - 特許庁

In the surface-coated plastic material having the vapor deposition film formed on the surface of a plastic base material, the vapor deposition film has an organosilicon polymer layer formed on the interface side with the surface of the plastic base material, a silicon oxide layer formed on the organosilicon polymer layer and a zirconium oxide containing layer or a titanium oxide containing layer formed on the silicon oxide layer.例文帳に追加

プラスチック基材表面に蒸着膜が形成された表面被覆プラスチック材において、該蒸着膜は、プラスチック基材表面との界面側に形成された有機ケイ素重合体層と、有機ケイ素重合体層上に形成されたケイ素酸化物層と、ケイ素酸化物層上に形成されたジルコニウム酸化物含有層又はチタニウム酸化物含有層とを有していることを特徴とする。 - 特許庁

There is no entry of water in a joint interface between the sheet 11 and the adhesive coat 12 after permeating from the surface of the synthetic resin sheet 11 through the sheet 11, therefore maintaining the joining strength of the synthetic resin sheet 11 on the surface 41a, preventing the deterioration of the adhesive coat 12, and holding the locking tool K in a stable mounting condition.例文帳に追加

前記合成樹脂シート１１の表面から該シート１１を透過してシート１１と粘着剤皮膜１２の接合界面に水が侵入することはないので、表面４１ａに対する合成樹脂シート１１の接合強度を維持できるとともに、粘着剤皮膜１２の劣化を防止でき、係止具Ｋの取付状態を安定して保持することができる。 - 特許庁

The practically opaque material layer (144) is provided with at least one inner side interface (146) delimiting an open range (148) in the shape of a predetermined character (136) and the phosphorous surface is covered by the open range (148) so that one part of the phosphorus surface in the shape of the predetermined character (136) is visible.例文帳に追加

実質的に不透明な材料の層（１４４）は、所定の文字（１３６）の形状をなす開放領域（１４８）を画定する少なくとも１つの内側境界面（１４６）を備え、前記開放領域（１４８）によって、前記所定の文字（１３６）の形状をなす前記燐光表面の一部が見えるように前記燐光表面を覆っている。 - 特許庁

A quaternary ammonium salt derivative 1109 serving as a ligand for an anion is immobilized to the surface of a gold electrode 1110 by using as a linker an insulative molecule forming a self-assembled monolayer, and a potential difference measuring device 1104 measures an electromotive force generated with anion binding, as an interface potential change on the surface of the gold electrode.例文帳に追加

金電極１１１０表面に自己組織化膜を形成する絶縁性分子をリンカーと結合した陰イオン用リガンドである第４級アンンモニウム塩誘導体１１０９を固定化し、陰イオンの結合に伴い生じる起電力を金電極表面の界面電位変化として電位差計測装置１１０４で測定する。 - 特許庁

Since an interface surface 28a joined to a joining flange 27a of the breather chamber body 27 and a joining flange 28b joined to an inner surface of the head cover 13 are formed on the plate-like cover plate 28, processing cost can be further reduced by applying processing (such as the formation of a welding rib) to be joined to its cover plate 28 side.例文帳に追加

また板状のカバープレート２８に、ブリーザチャンバ本体２７の接合フランジ２７ａ接合される接合面２８ａと、ヘッドカバー１３の内面に接合される接合フランジ２８ｂとを形成したので、そのカバープレート２８側に接合のための加工（溶着リブの形成等）を施すことで、加工コストを更に削減することができる。 - 特許庁

In the semiconductor device 100, a surface 10a has a specific plane orientation, and a sulfide of 30×10^10 to 2,000×10^10 pcs./cm^2 in terms of S conversion and an oxide of 2 to 20 at% in terms of O conversion exist in a surface layer 12, thereby preventing C from piling up in an interface between an epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体デバイス１００では、表面１０ａが特定の面方位を有した上で、Ｓ換算で３０×１０^１０個／ｃｍ^２〜２０００×１０^１０個／ｃｍ^２の硫化物、及び、Ｏ換算で２ａｔ％〜２０ａｔ％の酸化物が表面層１２に存在することにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面においてＣがパイルアップすることを抑制できる。 - 特許庁

A silicon thermal oxide film 21 formed on a surface of a silicon substrate 11 is thermally nitrided in an atmosphere (for example, an ammonia atmosphere) including nitrogen and hydrogen to form a silicon nitride oxide film 22 at least on a surface of a part of the silicon thermal oxide film 21 by nitriding the silicon thermal oxide film 21, and a dangling bond of an interface between the silicon substrate 11 and the silicon thermal oxide film 21 is terminated by hydrogen.例文帳に追加

シリコン基板１１の表面に設けられたシリコン熱酸化膜２１を、窒素および水素を含有する雰囲気中（例えば、アンモニア雰囲気中）で熱窒化することによって、シリコン熱酸化膜２１の少なくとも一部の表面に該シリコン熱酸化膜２１が窒化されてなるシリコン窒化酸化膜２２を形成し、シリコン基板１１とシリコン熱酸化膜２１との界面のダングリングボンドを水素により終端する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a surface-mounted diode 100d which has an n conduction type impurity diffusion region 12 and a p conduction type impurity diffusion region 13 arranged adjacently to each other in the surface layer of a semiconductor substrate 11, and which is structured by forming a pn junction S at the interface between the n conduction type impurity diffusion region 12 and p conduction type impurity diffusion region 13.例文帳に追加

半導体基板１１の表層部において、隣接して配置されるｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３とを有し、ｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３の界面でＰＮ接合部Ｓが形成されてなる表面型ダイオード１００ｄを備える半導体装置１００とする。 - 特許庁

To provide a method by which a surface oxide film formed on a semiconductor layer made of InGaAs or InGaAsP is effectively removed to form a clean flat surface and at the same time to form a semiconductor layer for relieving lattice distortion to relieve accumulated distortion at a growing interface and then a III-V group compound semiconductor layer having less defects and good crystallinity is regrown.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓもしくはＩｎＧａＡｓＰよりなる半導体層上に形成されている表面酸化膜を効果的に除去し、清浄で平坦な表面を形成すると同時に、格子歪みを緩和する半導体層を形成させて、成長界面に歪みの蓄積がなく、再成長膜に欠陥の発生の少ない結晶性の良好なIII−Ｖ族化合物半導体膜を再成長する方法を提供する。 - 特許庁

This transdermal drug delivery device for forming a drug delivery patch system comprises: an actuator including an outer body, a controller board, and an interface connection port; a porator array including a top surface, a bottom surface, an extension tab, and a release liner; and a reservoir patch attached to the extension tab, which is to be applied to a microporated region of tissue membrane after microporation.例文帳に追加

本発明は、アクチュエーター（外部本体、コントローラーボードおよびインターフェース結合ポートを備える）、ポレーターアレイ（頂部表面、底部表面、伸長タブおよび剥離ライナーを備える）ならびに伸長タブに接着したリザーバーパッチ（このリザーバーパッチは、マイクロポレーション後に組織膜のマイクロポレーションされた領域に当てられる）を備える薬物送達パッチシステムを形成するための、経皮薬物送達デバイスを提供する。 - 特許庁

The transistor includes a gate insulating layer at least whose uppermost surface is a silicon nitride layer, a semiconductor layer over the gate insulating layer, and a buffer layer over the semiconductor layer, and the concentration of nitrogen in the vicinity of an interface between the semiconductor layer and the gate insulating layer in the semiconductor layer is lower than that of the buffer layer and other parts of the semiconductor layer.例文帳に追加

少なくとも最表面が窒化シリコン層であるゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられた半導体層と、前記半導体層上にバッファ層を有し、該半導体層中のゲート絶縁層との界面近傍における窒素の濃度は、半導体層の他の部分及びバッファ層よりも低い薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁

Therefore, even if a diffusion layer 17 is formed on the active layer 16 by impurity ion injection, the interface 19 of the diffusion layer 17 and the active layer 16 changes consistently with the protrusions and recesses in the surface of the active layer 16, and variation in distance between the diffusion layer 17 and the embedded oxide film layer 15 is eliminated.例文帳に追加

従って、この処理の実施後に、不純物イオンの注入処理によって活性層１６に拡散層１７を形成しても、拡散層１７と活性層１６との界面１９は、活性層１６の表面の凹凸と一致して変化することになり、拡散層１７と埋め込み酸化膜層１５との間に距離ばらつきが解消される。 - 特許庁

This thermoelectric conversion element includes: a thermoelectric conversion element body 1 having a ridge E which is an interface between two planes b and d and in which an angle α formed by two planes b and d at the ridge E in a cross section perpendicular to the ridge E is an obtuse angle; and a film 8 covering the surface of the thermoelectric conversion element body 1 including the ridge E.例文帳に追加

２つの平面ｂ，ｄの交わりである稜Ｅを有し、稜Ｅに対して垂直な断面におけるこの稜Ｅでの２つの平面ｂ，ｄのなす角αが鈍角である熱電変換素子本体１と、稜Ｅを含む上記熱電変換素子本体１の表面を覆う皮膜８と、を備える熱電変換素子１０である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a PEFC electrode in which a platinum metal exists mainly in the interface of the surface of carbon particles and ion cluster portion of a cation exchange resin and in which the platinum metal in the PEFC electrode is increased and the utilization factor of the platinum metal is improved by solving a problem that binding force between the surface of the carbon particles and the cation exchange resin is not sufficient.例文帳に追加

白金族金属が主にカーボン粒子の表面と陽イオン交換樹脂のイオンクラスター部分との接面に存在するＰＥＦＣ用電極の製造方法における、カーボン粒子の表面と陽イオン交換樹脂との結着力が充分でないという問題を解決し、ＰＥＦＣ用電極中の白金族金属を増加させ、白金族金属の利用率を向上させたＰＥＦＣ用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

The embodiment contains a topographic device 42 to map the irregularity of the cornea, the unevenness of the surface of the cornea and the like in details and an interface device which receives a topography data to handle and applies an instruction to a laser device 46 to execute a specified removal profile on a base body of a framework or the like while various visual displays are performed to show actual situations before and after treatment and a simulated situation.例文帳に追加

本発明の好適な実施例は、角膜の不整形と表面凹凸を詳細にマップするトポグラフィ装置と、トポグラフデータを受けて取扱い、角膜間質などの基体上の所定の除去プロフィ−ルを実行させる指示をレーザ装置等に与え、かつ処置前と処置後の実際のものと、シミュレートしたものとの、種々の視覚的表示を行うインタフェース装置とを含む。 - 特許庁

To solve the problem of peel off between a crystal substrate and an Ni film, formed thereon and on an interface between the Ag film and Ni film, when a pad electrode formed by sequentially depositing the Ni film, Ag film, Ni film and Ag film on the surface of a crystal resonator and an outside connection electrode formed at the inner bottom face of the package of the oscillation element are jointed via an Au bump.例文帳に追加

水晶振動子表面にＮｉ膜、Ａｕ膜、Ｎｉ膜、Ａｇ膜の順に蒸着されて形成したパッド電極と、この振動子のパッケージ内底面に形成された外部接続電極とをＡｕバンプを介して接続すると、加熱、加圧、超音波印加によって、水晶基板とその上に蒸着されたＮｉ膜、Ａｇ膜とＮｉ膜との界面において剥離が生じる。 - 特許庁

To provide a method for efficiently, stably forming an epitaxially grown cubic silicon carbide (3C-SiC) crystal film on the surface of a silicon substrate without generating defects such as voids in the interface between the substrate and the crystal film, which is useful as a material for power devices or high-frequency devices.例文帳に追加

パワーデバイスや高周波デバイス材料として有用なケイ素基板表面にエピタキシャル成長した立方晶炭化ケイ素（３Ｃ−ＳｉＣ）結晶膜を、基板と結晶膜の界面にボイド等の欠陥を発生させずに、効率良く、しかも安全に形成する方法を提供する。 - 特許庁

An interface part 10 for transmitting signals to the electronic apparatus like an image supply device through cables is provided on a rear surface 1a of a projector 1 and is provided with a plurality of input terminals 10a to 10e as connection terminals for connection of cables.例文帳に追加

プロジェクタ１の背面１ａには、画像供給装置等の電子機器と、ケーブルを介して信号の伝達を行うためのインターフェイス部１０が備えられており、インターフェイス部１０には、ケーブルを接続するための接続端子として、複数の入力端子１０ａ〜１０ｅが備えられている。 - 特許庁

To increase the contact area (surface area) of a gas-liquid interface, efficiently use ozone or hydrogen peroxide and improve the decomposition efficiency of a COD constituent, consisting primarily of an organic substance by using a centrifugal thin-film drier as a decomposition reactor for the COD constituent primarily consisting of the organic substance.例文帳に追加

有機物を主成分とするＣＯＤ成分の分解反応器として遠心薄膜乾燥機を利用することにより、気液界面の接触面積（表面積）を大きくし、オゾンまたは過酸化水素の有効利用と有機物を主成分とするＣＯＤ成分の分解効率を向上させる。 - 特許庁

The object is moved to a particular location, and a particular action of the set of actions is performed on the selected object according to the particular location of the object on the display surface to operate the graphical user interface in one of a plurality of modes for the particular action.例文帳に追加

オブジェクトを特定の位置に移動させ、ディスプレイ表面上のオブジェクトのこの特定の位置に応じて、一組の動作のうち特定の動作を選択されたオブジェクトに対して行い、グラフィカルユーザインタフェースを特定の動作に対する複数のモードのうちの１つで操作する。 - 特許庁

By the formation of the fine projections, the reflection of light, occurring on the surface of the semiconductor substrate or the film interface where the refractive index in the inside differs, can be reduced drastically, thus obtaining a solid-state image pickup device, having small loss in the quantity of incident light and the superior sensitivity characteristics.例文帳に追加

微細突起の形成により、パッシベーション膜、半導体基板表面もしくは内部の屈折率が異なる膜界面で起きる光の反射を極めて小さくできるため入射光量の損失が小さく感度特性に優れた固体撮像装置が得られる。 - 特許庁

A part or all of light propagating from left to right on the figure in the optical waveguide 12 is reflected by a filter 14, is transmitted from the interface of the optical waveguide substrate 10 to the sealing material 18, is totally reflected by the reflection surface 16 and, thereafter, is made incident to the photodetector 17.例文帳に追加

光導波路１２中を図の左から右方向に進行する光の一部あるいは全部は、フィルタ１２によって反射し、光導波路基板１０の界面から封止剤１８へと透過し、反射面１６で全反射した後、受光素子１７に入射する。 - 特許庁

To enable a waterproof cover to be easily fitted to a device body when it is necessary, for example, when it rains and to be easily detached from the device body in a portable information terminal device with the waterproof cover covering an external interface panel on the bottom surface of the device body.例文帳に追加

装置本体の底面の外部インターフェイスパネル部を覆う防水カバーを備えた携帯型情報端末装置において、雨天時等の防水カバーが必要なときには簡単に装置本体に取り付けることができ、防水カバーを必要としないときには簡単に取り外すことを可能にする。 - 特許庁

The device comprises: a liquid heat exchange medium (4) for heat exchange with an electrical storage element (11); a case (20) accommodating the heat exchange medium with an interface (4a) of the heat exchange medium being separated from an inner wall surface; and a fan (31) for moving the heat exchange medium.例文帳に追加

蓄電素子（１１）との間で熱交換を行うための液状の熱交換媒体（４）と、熱交換媒体の界面（４ａ）を内壁面から離した状態で熱交換媒体を収容するケース（２０）と、熱交換媒体を移動させるためのファン（３１）と、を有する。 - 特許庁

When a reverse-side polished surface is etched or polished to remove a cutting flaw, neither an etchant nor abrasive slurry penetrates the protection tape to the interface between the device wafer and protection tape since a dicer cut grid groove of the device circuit is filled with the water- soluble resin film.例文帳に追加

裏面研削された研削面をエッチイング処理または研磨処理して研削傷を取除く際、水溶性樹脂膜によりデバイス回路のダイサ−切り込み格子溝が埋められているのでエッチング液や研磨剤スラリ−がデバイスウエハと保護テ−プ間の界面に浸透してくることがない。 - 特許庁