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surface and interfaceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 942件
The mortar and/or concrete interface or the surface treatment agent composition contains (A) an aqueous dispersion polyester resin and (B) an acrylic resin emulsion in a mass ratio (A:B) of 1:4 to 4:1.例文帳に追加
(A)水分散ポリエステル樹脂と(B)アクリル樹脂エマルションを質量比(A:B)1:4〜4:1の範囲で含有することを特徴とするモルタル及び/又はコンクリートの界面又は表面処理剤組成物。 - 特許庁
To smooth the transfer of a substrate on the FIMS surface of a load port when manufacturing a semiconductor, improve switching reliability of a FOUP switching mechanism, and improve compatibility and switching reliability of an interface door.例文帳に追加
半導体製造におけるロードポートのFIMS面で基板移載を円滑にし、FOUP開閉機構の開閉信頼性向上、およびインターフェイスドアの互換性ならびに開閉信頼性向上を図る。 - 特許庁
To provide a production method for partial matting transfer sheet, capable of exfoliating in an interface between a mask layer and an exfoliation layer on a transfer work and steadily getting a decoration with partial matting on a surface of transferred object.例文帳に追加
転写加工時にマスク層と剥離層との界面で剥離して被転写物の表面に確実に部分的にマットを有する加飾ができる部分マット転写シートの製造方法の提供。 - 特許庁
A novel inclined band gap interface layer of p-i and i-n is formed by continuous growth method, and electrical contact resistance is decreased by improving the characteristics of a composition surface.例文帳に追加
本発明では連続成長の方法で新規の傾斜バンドギャップのp−iとi−n界面層を製造しており、接合面の特性を改善することで接触電気抵抗を減少させる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a component in which residual stress and a new phase are not formed at a bonding interface between different compositions in a multiple composition component and a bonded surface containing little impurities is formed.例文帳に追加
多組成の構成部品の異なる組成物間の接合界面に残留応力や新たな相が形成されず、不純物に少ない接合面を形成する部品の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a simple and versatile method for making an ion beam carry a high current, as to an ion beam generating device used for a device for analyzing an atomic arrangement on a surface and an interface by using a helium ion beam.例文帳に追加
ヘリウムイオンビームを用いて、表面・界面の原子配列を解析する装置に用いるイオンビーム発生装置に関し、簡便で汎用性のあるイオンビームの大電流化方法を提供する。 - 特許庁
Among the protective layer 22 for carbon 21, a vicinity part of an interface between the protective layer 22 for carbon and the carbon 21 comprises silicon carbide, and a surface part of the protective layer 22 for carbon desirably comprises silicon oxide.例文帳に追加
カーボン保護層22のうちカーボン保護層22とカーボン21との界面近傍部にはシリコンの炭化物を含み、カーボン保護層22の表層部にはシリコンの酸化物を含むことが望ましい。 - 特許庁
The device 10 also includes a tissue-interfacing surface adapted to interface with a surface of the tissue and orient the first collimator with the tissue such that the collimated stream of the first plurality of particles will penetrate the tissue in a direction substantially perpendicular to the surface of the tissue.例文帳に追加
またこの機器10は、第1の複数の粒子のコリメートされた流れが組織へ組織の表面に対して略垂直方向に貫入するように、組織の表面と接触しかつ組織に対して第1のコリメータを配向するように適合化される組織接触面も含む。 - 特許庁
Interface oxide films 5 and 5a, a gate insulating film 6, a metal gate electrode 7 and a polysilicon gate electrode 8 are successively formed on an Si substrate 1 and are patterned, and a silicon oxide film 10 is formed on a side surface, and furthermore, a side wall 17 is formed.例文帳に追加
Si基板1上に、界面酸化膜5,5a、ゲート絶縁膜6、金属ゲート電極7およびポリシリコンゲート電極8を順次形成してパターニングし、側面にシリコン酸化膜10を形成し、さらにサイドウォール17を形成する。 - 特許庁
To provide a thermally conductive sheet in which the thermal resistance is reduced on the interface because surface roughness of a cut surface is small, and which is used suitably while being held between various heat sources and a heat dissipation member, and to provide a method of producing a thermally conductive sheet.例文帳に追加
切断面の表面粗さが小さいので界面での熱抵抗が低くなり、厚み方向の熱伝導性が高いので、各種熱源と放熱部材との間に挟持させて好適に用いられる熱導電性シート及び熱伝導性シートの製造方法の提供。 - 特許庁
A diffraction optical system comprises: a free curved surface prism 14; and a multilayered diffraction optical device in which a plurality of diffraction device elements 121 and 122 are layered on each other and a grating structure diffraction optical surface DM formed at the interface thereof.例文帳に追加
自由曲面プリズム14と、複数の回折素子要素121,122が互いに積層され界面に格子構造の回折光学面DMが形成された複層型回折光学素子とを備えるとともに、0.005<(ΔNg+ΔNs)/2<0.45という条件式を満足するようにする。 - 特許庁
To make the occurrence of defects on the surface and in the vicinity of the surface of a wafer less likely, to reduce crystal defects and to prevent the occurrence of leak, by making metallic contaminants attach to a gettering site near the interface between an active side wafer and an insulating film, even when the metal contaminants attach to the active side of the wafer.例文帳に追加
活性側に金属汚染が付着した場合も、汚染物が活性側ウェーハと絶縁膜との界面付近のゲッタリングサイトにゲッタリングされ、表面および表面近傍に欠陥を発生しにくくし、結晶欠陥を少なくしリーク不良を発生しにくくする。 - 特許庁
A dissolution retardant layer 4 is formed on the interface of a low-molecular hole transport layer 3 and a polymer light-emitting layer 5 by carrying out surface treatment of the low-molecular hole transport layer 3 in organic acid.例文帳に追加
低分子ホール輸送層3を有機酸にて表面処理することにより、低分子ホール輸送層3と高分子発光層5との界面に難溶化層4を形成する。 - 特許庁
The evanescent wave excites fluorescent pigment in a sample in the well 21, being confined to that near the interface between the top surface 10a of the transparent substrate 10 and the sample.例文帳に追加
このエバネセント波によってウエル21中の試料中の蛍光色素を励起して、透明基板10の上面10aと試料との境界面近傍の蛍光色素だけを励起させる。 - 特許庁
For example, the SiGe has Ge of 20% concentration on the substrate interface of Si, Ge of 30 % concentration on the upper end surface of the SiGe film, and a thickness of 400 nm.例文帳に追加
例えば、SiGeは、Siの基板界面において20%の濃度のGe、SiGe膜の上端面において30%の濃度のGe、および、400nmの厚さを有する。 - 特許庁
To provide a surface coated cutting tool having a heteroepitaxial interface excellent in chipping resistance and peeling resistance of a hard coating layer in small-diameter low-speed cutting or high-speed heavy cutting or the like.例文帳に追加
小径低速切削あるいは高速重切削等で、硬質被覆層の耐欠損性、耐剥離性に優れるヘテロエピタキシャル界面を有する表面被覆切削工具を提供する。 - 特許庁
To obtain a flat laminating surface by reducing the occurrence of defects and irregularities on the lamination interface that is apprehended when two silicon wafers having different plane orientations are laminated directly.例文帳に追加
面方位の異なる2枚のシリコンウェーハを直接貼り合わせた場合に懸念される貼り合わせ界面での欠陥や凹凸の発生を低減して、フラットな貼り合わせ面とする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing semiconductor device in which the front surface of AlGaN layer is formed flat and any damage is not given to two-dimensional gas existing on the AlGaN/GaN interface.例文帳に追加
AlGaN層の表面を平坦とし、かつ、AlGaN/GaN界面に存在する二次元電子ガスにダメージを与えない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an operation button with a soft touch free of surface tackiness and excellent in resin interface adhesive strength, especially suitable as a button for car interior.例文帳に追加
ベとつき感のない柔軟な感触を有すると共に高温環境条件下での樹脂界面接着力に優れ特に自動車内装用操作ボタンとして適した操作ボタンの提供。 - 特許庁
The silicide, having variable inner metal concentration which is adjusted to the surface condition in an interface between the silicide and an adjacent layer, is used in an integrated circuit.例文帳に追加
本発明によれば、シリサイドと隣接する層との間の界面における表面条件に対して調節した可変内部金属濃度を有するシリサイドが集積回路において使用される。 - 特許庁
To provide a metallic member for adhesion by vulcanization sufficiently removing an oxide layer on a surface thereof by blast processing, with superior resistance to corrosion and deterioration of an adhesive interface.例文帳に追加
ブラスト処理により表面の酸化物層が十分に除去され、ゴムとの加硫接着性、接着界面の耐腐食劣化性に優れた加硫接着用金属部材を提供する。 - 特許庁
Optical carriers, generated by light are incident on a periphery of a first light-receiving region disappear near the interface of the second p-n junction, and in a part exposed to the end surface of the chip.例文帳に追加
第1の受光領域の周囲に入射した光により発生する光キャリアは、第2のpn接合の界面近傍又はチップ端面に露出した部分で消滅してしまう。 - 特許庁
The pn junction is formed on the interface between a low-density n-type impurity layer 3 and a p-type diffusion region 5 nearby the top main surface of an n-type semiconductor substrate 2 of the semiconductor device 1.例文帳に追加
半導体装置1のn型半導体基板2の上主面近傍で、低濃度n型不純物層3とp型拡散領域5との界面でpn接合が形成されている。 - 特許庁
To form an ohmic surface whose interface has small deterioration even in an atmosphere so as to apply a C12A7 electride to an element such as a cold electron emission source and an organic EL.例文帳に追加
冷電子放出源や有機EL等の素子へC12A7エレクトライドを応用するために、大気中でも界面が劣化することが少ない、オーミック表面を形成すること。 - 特許庁
Humidity is changed until dew condensation, and a behavior of a surface potential change in the coating film accompanying it is detected to evaluate the wettability of the coating film to metal interface bringing the start point of corrosion.例文帳に追加
結露するまで湿度を変化させ、この変化に伴う塗膜の表面電位変化の挙動を検知し、腐食の起点となる塗膜と金属界面の濡れ性を評価する。 - 特許庁
The planarity between the surface of a testing system (20) such as a bottom face of a chuck (16) (or substrate 17) and an interface (28) or an inspection head (22) is checked before testing a substrate.例文帳に追加
チャック(16)(または基板(17))と、インターフェース(28)または検査ヘッド(22)の底面のような、試験システム(20)の表面との間の平面性をチェックした後、基板を試験する。 - 特許庁
To provide a bipolar transistor which prevents breakdowns in the vicinity of an interface under a surface oxide film and prevents breakdown voltage fluctuations in time which is attributable to Zener breakdown.例文帳に追加
表面酸化膜下の界面近傍で発生する降伏を防ぎ、ツェナー降伏によるブレークダウン電圧の経時変動を防ぐバイポーラトランジスタを提供することを目的としている。 - 特許庁
To provide a processing method useful for controlling the physical properties of a ceramic layer, lowering the processing temperature, shortening the processing time and controlling the distribution of cermet concentration on an interface in the direct modification of a metal surface into the cermet.例文帳に追加
金属表面の直接改質サーメット化加工におけるセラミックス層の物性制御、加工温度の低下、加工時間の短縮と界面でのサーメット濃度分布の制御。 - 特許庁
The surface of the sample is rubbed with a copper wire before the analysis so that, in a figure, a peak is shown in the distribution of copper caused by segregation to the interface between a polycrystal silicon film and a silicon dioxide film.例文帳に追加
図には、分析前に試料表面を銅線で擦っておいたため、銅の分布に多結晶シリコン膜と二酸化シリコン膜界面への偏析に起因するピークが現れる。 - 特許庁
For example, in the vicinity of the interface with a substrate, the coated hard material is the crystalline phase from the viewpoint of adhesion and in the vicinity of the surface of the blade part, it is the mixed phase including the amorphous phase.例文帳に追加
例えば、基体との界面近傍では密着性の点から被覆硬質材を結晶質相とし、刃部の表面近傍では非晶質相を含む混合相とする。 - 特許庁
To suppress the occurrence of the wobbling of a surface and to obtain a good head medium interface effect by effectively degrading the rigidity of a magnetic disk fastened to a center core member by a change in its structure.例文帳に追加
センタコア部材の構造変更によりこれに固着した磁気ディスクの剛性を実効的に低下させて面振れの発生を抑制し、良好なヘッド−メディアインターフェース効果を得る。 - 特許庁
A hardly soluble layer 4 is formed on an interface between the low molecular hole transportation layer 3 and the high molecular light emission layer 5 by performing surface processing of the low molecular hole transportation layer 3 by using an ether compound.例文帳に追加
低分子ホール輸送層3をエーテル化合物にて表面処理することにより、低分子ホール輸送層3と高分子発光層5との界面に難溶化層4を形成する。 - 特許庁
The resinous projecting part can be formed accurately by printing method or the like, without increasing the size of a facility, and required diffused light can be provided by the difference of a refraction index of an interface surface or the like.例文帳に追加
樹脂凸部は印刷法などにより設備を大型化せずに高精度に形成することができ、界面などの屈折率差から所要の散光を図ることができる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a perovskite oxide layer, a method for manufacturing a ferroelectric memory and a method for manufacturing a surface wave elastic wave element, wherein an interface with an electrode layer is excellent.例文帳に追加
電極層との界面が良好なペロブスカイト型酸化物層の製造方法、強誘電体メモリの製造方法および表面波弾性波素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
On a side surface of a peripheral edge of the coating resin layer 2, a crack induction pattern 3 to alleviate stress occurring on the interface between the coating resin layer 2 and the heater board 1 is formed.例文帳に追加
被覆樹脂層2の外周縁部の側面には、被覆樹脂層2とヒーターボード1との界面に生じる応力を緩和するためのクラック誘発パターン3が形成されている。 - 特許庁
The interface 76 is a boundary portion which is formed by the adhesion of the first light guide layer 72 and second light guide layer 74, which is a nonplanar surface on which convexoconcave is irregularly arranged.例文帳に追加
界面76は、第1の導光層72と第2の導光層74とが密着して形成された境界部分であり、凹凸が不規則に配置された非平面となっている。 - 特許庁
By bending the overhanging portion 34 to the first surface P1 side of an interface 22, the signal lines 32 can be interposed from the front and rear sides by the GND patterns 33, resulting in preventing incoming noise.例文帳に追加
張出し部34をインターフェース部22の第1面P1側へ折り曲げれば、信号線32をGNDパターン33によって表裏から挟むことができ、ノイズの進入を防止できる。 - 特許庁
The grating structure and the PECL are designed such that in the grooves, the laser mode travelling in the waveguide can couple efficiently to the surface-plasmon at the electrode interface.例文帳に追加
格子構造及びPECL層は、グルーブ内で、導波路中を進行するレーザー・モードが電極界面での界面プラズモンと効率的に結合することが出来るように設計される。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a heteropolyacid-based catalyst for producing methacrylic acid having a large surface area, modified in its catalytic interface and excellent in the productivity of methacrylic acid from metacrolein.例文帳に追加
大きな表面積を有し、触媒界面が改質され、メタクロレインからのメタクリル酸の生産性に優れたメタクリル酸製造用ヘテロポリ酸系触媒の製造方法を目的とする。 - 特許庁
It prevents local yield from being generated on a chip side surface where a p-n junction interface is exposed, thus realizing semiconductor diodes 10a and 10b having the stable desired breakdown voltage.例文帳に追加
pn接合界面が露呈するチップ側面で局所的な降伏が発生するのを防止して、安定した所望の降伏電圧を有する半導体ダイオード10a,10bを実現する。 - 特許庁
Therefore, the ozone water is heated and supersaturated ozone water is temporarily generated in a local area near the interface which is in direct contact with the surface of the substrate W.例文帳に追加
従って、基板Wの表面に直接接触する界面近傍のローカルな領域においてはオゾン水が加熱され、一時的に過飽和オゾン水が生成されることとなる。 - 特許庁
The active regions are positioned below a level corresponding to a level of an interface 32 between a gate oxide and an epitaxial surface by etching to a selectable depth.例文帳に追加
能動領域は、選択可能な深さまでエッチングがなされることによって、ゲート酸化物とエピタキシャル表面との境界(32)のレベルに対応するレベルよりも下に位置している。 - 特許庁
To provide an electrode membrane assembly, having a surface structure of nano scale in the interface regions in the electrode membrane assembly comprising an anode catalyst layer, a proton exchange membrane, and a cathode catalyst.例文帳に追加
アノード触媒層、プロトン交換膜、カソード触媒からなる電極膜アセンブリにおいて、それらの界面領域にナノ規模の表面構造有する電極膜アセンブリを提供する。 - 特許庁
To obtain a three-dimensional structural body functioning as a template which allows formation of a functional material such as a ceramic thin film wherein diffusion of substances and a reaction interface are sufficiently secured on the surface.例文帳に追加
表面において、物質拡散・反応界面の確保が十分できたセラミックス薄膜などの機能性材料を形成することが可能なテンプレートとなる三次元構造体を得る。 - 特許庁
Since a metal thin film 17 is formed on the outer interface 19 of the clad, a surface plasmon phenomenon is excited, a light entering at the predetermined incident angle influenced by an atmosphere on a surface of the metal thin film 17 and depending on a characteristic of the sample is used for excitation of the surface plasmon phenomenon, and light intensity is reduced.例文帳に追加
クラッド外境界面19には金属薄膜17が形成されているため、これにより表面プラズモン現象が励起され、金属薄膜17の表面の雰囲気に影響された、試料の特性に依存した所定の入射角の光が表面プラズモン現象の励起に使われ、光の強度が減少される。 - 特許庁
To provide a jointed body in which a joining strength is high and in which a crack at a joining interface is prevented, in the jointed body of a first member in which at least a joining surface is composed of sapphire and a second member in which at least a joining surface is composed of sapphire or polycrystalline alumina.例文帳に追加
少なくとも接合面がサファイアからなる第一の部材と、少なくとも接合面がサファイアまたは多結晶アルミナからなる第二の部材との接合体において、接合強度が高く、接合界面におけるクラックが防止された接合体を提供する。 - 特許庁
Light from a light source is let in from the entrance end face and caused to be totally reflected by an interface between the guide body and the thin film to generate surface plasmon on the surface of the thin film, causing reflected light from the thin film to exit from the exit end face.例文帳に追加
光源からの光を入射端面から入射させ導光体と金属薄膜との界面で全反射せしめて金属薄膜の表面上に表面プラズモンを発生させ、金属薄膜からの反射光を出射端面から出射させる。 - 特許庁
To enhance the joining strength and prevent cracks in a joining interface of a joined body made up of a first component at least whose joining surface is made of sapphire and a second component at least whose joining surface is made of sapphire or polycrystalline alumina.例文帳に追加
少なくとも接合面がサファイアからなる第一の部材と、少なくとも接合面がサファイアまたは多結晶アルミナからなる第二の部材との接合体において、接合強度を高くし、接合界面におけるクラックを防止できるようにすることである。 - 特許庁
When light is made incident on a phosphor layer 504 formed on the surface of a color wheel substrate 502, a reflection component in an interface is reduced by irregularity of the surface of the phosphor layer 504 and interference between radiated light and reflected light is thus reduced.例文帳に追加
カラーホイール基板502の表面に形成された蛍光体層504に対し、光が入射する際の界面における反射成分を、蛍光体層504表面の凹凸によって低減し、照射された光と反射光との干渉を減少させる。 - 特許庁
This radiation conversion sheet is provided with a support base for supporting at least a first resin layer, a conductive material layer, and a second resin layer and a phosphor layer formed on the surface of the resin layer, wherein the adhesion of the interface between the first resin layer and the conductive material layer being smaller than the adhesion of the interface between the second resin layer and the conductive material layer.例文帳に追加
第1の樹脂層、導電性材料層、第2の樹脂層を少なくとも有する支持基板と、該第2の樹脂層の表面に形成された蛍光体層と、を備え、第1の樹脂層と導電性材料層との界面の密着力が、第2の樹脂層と導電性材料層との界面の密着力よりも小さい放射線変換シート。 - 特許庁
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