「surface of the interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for joining a component and a Si substrate by heating, to a high temperature, a limited narrow area only of the interface between the joint surface of the component made of a Si lump as a base material and the joint surface of the Si substrate.例文帳に追加

素子を形成するSi塊母材で形成された素子の接着面とSi基板の接着面とが接する界面の限られた狭い領域のみを高温にすることによって、素子とSi基板とを接着する。 - 特許庁

A user interface 16 is so provided that the states of the respective jobs in the server queue 24 and the device queue are displayed on a same display surface and the user operates the respective jobs by using the same user interface 16.例文帳に追加

ユーザインターフェース１６を、サーバーキュー２４およびデバイスキュー２８内の各ジョブの状態が同一の表示面上に表示されると共に、ユーザが同一のユーザインターフェース１６を用いて、操作されるように設ける。 - 特許庁

In the simulation method of simulating a machining shape of a material surface, the step when the material surface traverses a material interface is calculated by determining a time interval Δt of the step by using a distance from the material surface to the material interface, and a surface growth rate.例文帳に追加

物質表面の加工形状のシミュレーションを行うシミュレーション方法であって、前記物質表面が物質界面を横切るステップを計算する際に、前記物質表面から前記物質界面への距離と、表面成長速度と、を用いて、前記ステップの時間間隔Δｔを決定することを特徴とするシミュレーション方法が提供される。 - 特許庁

In that case, the vicinity of an interface 4 with the foundation layer 2, namely near the concavity formed of the foundation layer 2 is imparted by the slope structure so that it may be made richer in Al than the vicinity of the uppermost surface.例文帳に追加

その際、下地層２との界面４の近傍、つまりは下地層２によって形成される凹部近傍が、最表面付近よりもＡｌリッチであるように傾斜組成を与える。 - 特許庁

To provide a heat conductive sheet capable of keeping a substantial adhesive area large by allowing air bubbles involved in the interface between the rear surface of a display panel for a plasma display or electroluminescence and a heat radiation plate when the heat radiation plate is fixed to the rear surface of the display panel to obtain good heat conductivity at the interface.例文帳に追加

プラズマディスプレイや有機エレクトロルミネッセンスの表示パネルの背面に放熱板を固定する際に、これらの界面に巻き込まれた気泡を逃がすことで、実質的な接着面積を高く維持して界面での良好な熱伝導率が得られる熱伝導シートを提供する。 - 特許庁

In this case, the management PC performs initial display of a tab sheet of an interface which the management PC uses for communication with the printer device among the respective interfaces which the printer device has on the front surface.例文帳に追加

この際、管理ＰＣは、プリンタ装置が有する各インタフェースの内、管理ＰＣがプリンタ装置との通信に用いているインタフェースのタブシートを、前面に初期表示する。 - 特許庁

A second seal layer 13 is extended onto the interface between the second gas diffusion layer 10 and the first gas diffusion layer 22 across the distance of L from the end surface of the second gas diffusion layer 10.例文帳に追加

第二ガス拡散層１０と第一ガス拡散層２２との界面には、第二ガス拡散層１０の端面からＬの距離に渡って、第二シール層１３が延在する。 - 特許庁

Around the outer peripheral surface of a metal tube 1, a belt-like metal foil 3, whose material quality is different from that of the tube, is wound, and the interface between the tube and the foil is scanned with a laser beam to melt the metals.例文帳に追加

金属管１の外周面に、材質の異なる帯状の金属箔３をスパイラル上に巻き付け、その界面にレーザ光を走査させ金属を溶融させる。 - 特許庁

To precisely detect the interface of the predetermined liquid in a container by a small-sized inexpensive apparatus constitution without being affected by the label or the like on the surface of the container.例文帳に追加

小型で安価な装置構成により、容器表面のラベル等による影響を受けることなく容器内の所定の液体の界面を精度よく検出できるようにする。 - 特許庁

Consequently, the roughness of the peeling interface of the wafer 10 is inhibited, and the in-plane uniformity of the thickness of the wafer 10 after a peeling is improved while the quantity of a polishing in the case of the polishing of a peeling surface can be reduced.例文帳に追加

その結果、活性層用ウェーハ１０の剥離界面のラフネスが抑えられ、剥離後の活性層用ウェーハ１０の厚さの面内均一性も高められるとともに、剥離面を研磨する際の研磨量を低減することができる。 - 特許庁

The resin coated metal plate for a container has resin layers on both sides thereof, and after the metal plate is formed in the container, the surface of a resin layer that coats the inner surface of the container shows an interface free energy against water of 30 mN/m or higher.例文帳に追加

樹脂層を両面に有し、金属板を容器成形した後に容器内面側になる樹脂層表面の水との界面自由エネルギーが３０ｍＮ／ｍ以上である容器用樹脂被覆金属板。 - 特許庁

After carrying out an interface process 3 to form an interface layer 12 on the surface of a shaped textile fabric 11, PIP process 4 and CVI process 5 are alternately carried out several times, and a laminated matrix 15, consisting of PIP matrix layer 13 and CVI matrix layer 14 alternately built up in between the gaps of the interface layer 12 on the surface of the textile, is formed.例文帳に追加

成形した繊維織物１１の表面にインターフェース層１２を形成するインターフェース工程３を行った後に、ＰＩＰ工程４とＣＶＩ工程５を交互に複数回行い、繊維表面のインターフェース層１２の隙間にＰＩＰマトリックス層１３とＣＶＩマトリックス層１４が交互に積層した積層マトリックス１５を形成する。 - 特許庁

In the mold for molding the resin provided with a lubricant supply passage for supplying the lubricant to the interface of the resin composition supplied into the mold and the molding surface, the supply direction of the lubricant supply passage to the interface is inclined in the flow direction of the resin composition.例文帳に追加

型内に供給された樹脂組成物と型面との界面に潤滑剤を供給する潤滑剤供給路が設けられた樹脂成形金型において、前記潤滑剤供給路の前記界面に対する供給方向が樹脂組成物の流れ方向に傾斜している構成とした。 - 特許庁

The device 10 also includes a tissue-interfacing surface adapted to interface with a surface of the tissue and orient the first collimator with the tissue such that the collimated stream of the first plurality of particles will penetrate the tissue in a direction substantially perpendicular to the surface of the tissue.例文帳に追加

またこの機器１０は、第１の複数の粒子のコリメートされた流れが組織へ組織の表面に対して略垂直方向に貫入するように、組織の表面と接触しかつ組織に対して第１のコリメータを配向するように適合化される組織接触面も含む。 - 特許庁

For example, the SiGe has Ge of 20% concentration on the substrate interface of Si, Ge of 30 % concentration on the upper end surface of the SiGe film, and a thickness of 400 nm.例文帳に追加

例えば、ＳｉＧｅは、Ｓｉの基板界面において２０％の濃度のＧｅ、ＳｉＧｅ膜の上端面において３０％の濃度のＧｅ、および、４００ｎｍの厚さを有する。 - 特許庁

As a result, the silicon nitride film or the silicon oxide film is interposed between the Si and the SiO_2 on the surface of the SOI layer, so that no interface is generated between the Si and the SiO_2.例文帳に追加

その結果、ＳＯＩ層表面において、ＳｉとＳｉＯ_2との間にシリコン窒化膜若しくはシリコン酸窒化膜が介在し、ＳｉとＳｉＯ_2の界面が生じることはない。 - 特許庁

Further, the outer coating layer 6 is preferably at least partly in contact with the surface of the metal particle 51 at an interface with the secondary particle 5.例文帳に追加

また、外側被覆層６は、二次粒子５との界面の少なくとも一部において、金属粒子５１の表面と接しているのが好ましい。 - 特許庁

Instead, a RAM interface circuit 24 executes access control and the same effect that the '0' is written on the entire surface of the RAM is produced.例文帳に追加

その代わり、ＲＡＭインターフェース回路２４がアクセス制御を実行し、ＲＡＭの全面に”０”がライトされているのと同じ効果を生み出す。 - 特許庁

In the method of measuring the thickness of an object to be measured, the amplitude of the bottom surface reflection wave of an ultrasonic wave transmitted from an opposed side surface to the thin film of a thin film support body includes a larger characteristic than that of the interface reflection wave thereof.例文帳に追加

薄膜支持体の薄膜に対向する側の面から送信された超音波の底面反射波の振幅が境界面反射波の振幅よりも大きな特性を有する測定対象物の厚さを測定する方法である。 - 特許庁

The mask comprises a sealing material (18) which is worn against the surface of a user to form an interface.例文帳に追加

本発明は、使用者の面に対向して装着されかつ界面を形成する密封材(18)を備えた密封材及びマスクである。 - 特許庁

A two-dimensional CCD camera 28 to photograph the fusion ring appearing near the solid-liquid interface and its mirror image on the melt surface of the auxiliary heating means is disposed outside the chamber and opposing the solid liquid interface.例文帳に追加

上記固液界面近傍に発生するフュージョンリング及び補助加熱手段の融液表面に映る鏡像を撮影する２次元ＣＣＤカメラ２８がチャンバ外に固液界面を臨むように設置される。 - 特許庁

A semiconductor surface layer, surface characteristics, or interface characteristics are measured and evaluated, by selectively having an electron energy irradiated to a semiconductor so that carriers are excited in the surface layer of the semiconductor and detecting the carrier behavior of the surface layer.例文帳に追加

半導体の表面層にキャリアを励起するように電子エネルギーを選択的に前記半導体に照射し、前記表面層のキャリア挙動を検知することにより半導体表面層、表面特性又は界面特性を測定評価する。 - 特許庁

The wires are preferably wound such that the laminated form is slanted, and as the interface surface of an adjacent section comes close to the top, it gets closer to the collar section where winding starts.例文帳に追加

隣接するセクションの境界面が、上層となるに従い巻始めの鍔部側に近づくように傾かせて導線を巻回することが好ましい。 - 特許庁

Accordingly, the hillocks 8 are prevented from reaching the surface of the second protecting film 7 and brought into a stop at an interface between the first protecting film 6 and the second protecting film 7.例文帳に追加

これにより、ヒロック８は、第２保護膜７の表面に至ることなく、第１保護膜６と第２保護膜７との界面で停止した状態となる。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a strained Ge-containing layer on the front surface of an Si-containing substrate, implanting ions into the interface of the Ge-containing layer/the Si-containing substrate or under the interface, and forming the substantially-relaxed SiGe alloy layer, in which the flat surface defect density is decreased.例文帳に追加

本発明の方法は、Ｓｉ含有基板の表面上に歪みＧｅ含有層を形成するステップと、Ｇｅ含有層／Ｓｉ含有基板の界面にまたは界面の下にイオンを注入するステップと、加熱を行って、平面欠陥密度が低下した、実質的に緩和したＳｉＧｅ合金層を形成するステップと、を含む。 - 特許庁

When both the values do not coincide with each other, the protection tape is peeled off, a foreign substance or the like existing on an interface between the wafer W and the adhesive surface is removed (step S5) and then a new protection tape is stuck to the surface of the wafer.例文帳に追加

両値が一致しない場合は、保護テープを剥離してウエハと粘着面の界面に存在する異物などを除去した後（ステップＳ５）、新たな保護テープをウエハの表面に貼り付ける。 - 特許庁

The invention is most effectively used if the Si surface of a bonding interface has a different surface orientation as, for example, the Si surface with (100) orientation is bonded to the Si surface with (110) orientation.例文帳に追加

例えば、（１００）配向を有するＳｉ表面が（１１０）配向を有するＳｉ表面に接合されるときのように、接合境界面のＳｉ表面が異なる表面配向を有するときに、最も有利になるように用いられる。 - 特許庁

To provide a processing method useful for controlling the physical properties of a ceramic layer, lowering the processing temperature, shortening the processing time and controlling the distribution of cermet concentration on an interface in the direct modification of a metal surface into the cermet.例文帳に追加

金属表面の直接改質サーメット化加工におけるセラミックス層の物性制御、加工温度の低下、加工時間の短縮と界面でのサーメット濃度分布の制御。 - 特許庁

The behavior of a light beam 330 and a light beam 330' is shown, the light beam 330 is mainly reflected at the interface between the air and a plastic on the surface 322 of a chamber 310, and the light beam 330' is mainly refracted at the surface 322.例文帳に追加

光線３３０および光線３３０’の挙動を示し、光線３３０は主に室３１０の表面３２２で空気／プラスチックインターフエースで反射し、かつ光線３３０’は表面３２２で概ね屈折する。 - 特許庁

The interface layer may be intentionally added with n-type or p-type impurities for the purpose of canceling the electrical effect of impurities including the compound semiconductor on the connection interface and oxides existing on the surface of Si.例文帳に追加

この界面層には，接続界面の化合物半導体およびＳｉの表面に存在する酸化物をはじめとする不純物の電気的な影響を相殺する目的でｎ型またはｐ型の不純物が意図的に添加されていても良い。 - 特許庁

The guide 7 has a second interface surface 7m holding an outer peripheral area 4p of the diaphragm 4 by joining an outer peripheral area 4p of the diaphragm 4.例文帳に追加

ガイド７は、ダイヤフラム４の外周領域４ｐを接合してダイヤフラム４の外周領域４ｐを保持する第２接合面７ｍを備えている。 - 特許庁

A smooth surface onto which laser light impinges to cause total reflection on the interface of a substrate and a bonding layer is formed on the side face of the substrate.例文帳に追加

基板側面には、基板と接合層との界面において全反射現象が起きるようにレーザー光を入射し得る平滑面を構成する。 - 特許庁

To appropriately suppress variations in a reflection factor due to the mutual interference of each reflection light on the upper surface of an SOI wafer, an interface between an SOI layer and an insulating film, and an interface between the insulating layer and a support substrate for the application of laser beams related to dicing.例文帳に追加

ダイシングに係るレーザ光照射に際しての、ＳＯＩウェハ上表面、ＳＯＩ層＝絶縁膜界面、絶縁層＝支持基板界面における各反射光の相互干渉による反射率の変動を好適に抑制する。 - 特許庁

To provide a method of measuring a surface pressure in which a case of going into a measurement incapable condition hardly occurs in a case where measuring of the surface pressure of an interface between a cable insulator and a rubber block is performed for a long time period.例文帳に追加

ケーブル絶縁体とゴムブロックの界面の面圧測定を長時間にわたって行う際に、測定不能に陥るケースの少ない面圧測定方法を提供する。 - 特許庁

The laminate consists of the transparent substrate and the transparent resin film of which the peeling strength with respect to the substrate measured by a surface-interface cutting method is 0.05 kN/m or above.例文帳に追加

透明基板と、表面−界面切削法により測定される、当該基板との剥離強度が０．０５ｋＮ／ｍ以上である透明樹脂膜とからなる積層体。 - 特許庁

Ultrasonic waves emitted from the ultrasonic vibrator 13 are reflected by the interface of the respective ultrasonic transmission members 11, 12 and by the surface of the subject 16.例文帳に追加

超音波振動子１３から発せられた超音波は、各超音波伝達部材１１，１２の界面で反射されるとともに、被検査物１６の表面にて反射される。 - 特許庁

The protection layer has a thin skin layer laminated to cover a surface of the electrode and a diffusion layer formed by diffusing metallic particles in the thin skin layer in the vicinity of an interface between the thin skin layer and the surface of the electrode and forming alloy.例文帳に追加

この保護層は、電極表面を被覆するように積層される薄皮層と、薄皮層と電極表面との界面近傍に薄皮層中の金属粒子が拡散して合金化されて形成される拡散層とを有する。 - 特許庁

This method evacuates a gas present in the interface between the surface layer member 1 and the foam 7 by puncturing a thin film part 12 formed in a part of the surface layer member 1 with a needle-like object 41 after the lapse of a specified time since the start of expanding the foamed resin.例文帳に追加

発泡樹脂の発泡開始から所定時間経過後に、表層部材１の一部に形成されている薄膜部12に針状物41を突き刺すことで、表層部材１と発泡体７の界面に存在するガスを抜く。 - 特許庁

The variable wedge thermal interface device further comprises a wedge of variable thickness separating a first surface and a second surface on the opposite side inclining against the first surface wherein the first surface is coupled thermally with the distal end of the block and the second surface is coupled thermally with the heat source.例文帳に追加

この装置は、さらに、第１の面と、第１の面と反対側にあって、かつ第１の面に対して傾斜している第２の面とを隔離する可変厚さを持つウェッジを備えており、第１の表面は、上記のブロックの遠方端と熱的に結合され、かつ、第２の表面は、熱源と熱的に結合されている。 - 特許庁

A sensor 18 for detecting the acceleration of a surface 20 exchanges a message with a computer via computer interface.例文帳に追加

表面２０の加速度を検出するためのセンサ１８は、通信インタフェースを介してコンピュータとメッセージを交換する。 - 特許庁

In the Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v layer, the composition ratio x+v at the interface with the dissimilar substrate 11 is closer to that of the dissimilar substrate 11 material than the x+v in the main surface.例文帳に追加

Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層において、異種基板１１との界面の組成比ｘ＋ｖは、主表面の組成比ｘ＋ｖよりも異種基板１１の材料に近い。 - 特許庁

Thereby, n-type impurities present on the surface of the substrate 1 are thoroughly removed, and the adverse effect due to the contamination with impurities at the interface between the epitaxial layer and the substrate can be avoided.例文帳に追加

これによって、基板１表面のｎ型不純物が確実に除去され、エピタキシャル層２と基板１との界面汚染による悪影響を未然に回避できる。 - 特許庁

At least one of the sliding surface and slide receiving surface has an amorphous carbon film (DLC-Si film) consisting of Si, H and C as a balance, and the DLC-Si film is composed of a critical part facing an adhering interface and a surface part connected to the critical part and extending to the side of a surface.例文帳に追加

前記摺動面または前記摺受面の少なくとも一方は、Ｓｉ、Ｈおよび残部であるＣからなる非晶質炭素膜（ＤＬＣ−Ｓｉ膜）を有し、このＤＬＣ−Ｓｉ膜は付着する界面に臨む臨界部とこの臨界部に連なり表面側へ延びる表面部とからなる。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting device, irregularities having a sloped side surface is formed on a surface of a substrate or a lamination interface between semiconductors.例文帳に追加

本発明は、半導体発光素子において、基板の表面又は半導体同士の積層界面に側面が傾斜した凹凸を形成したものである。 - 特許庁

A mirror 1, which is used in a vacuum environment, arranges a cooling interface section 11 at its back side for cooling off the mirror and a measurement surface section 12 for positioning the mirror, wherein surface roughness of the measurement surface section 12 is less rough than the cooling interface section 11.例文帳に追加

真空環境で使用するミラー１であり、ミラーの裏面にミラーを冷却するための冷却インタフェース部１１と、ミラーの位置決めを行うための計測面部１２と、を配置し、計測面部１２の表面粗さが冷却インタフェース部１１よりも小さいことを特徴とするミラー。 - 特許庁