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surface processの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 9599件



例文

The manufacturing method of the insulation wire in which an insulation coating film is formed by applying resin coating on a conductor includes an electrolytic cleaning process for performing electrolytic cleaning on the surface of the conductor, and an insulation coating film forming process for applying resin coating on the electrolytic-cleaned surface of the conductor to form the insulation coating film.例文帳に追加

導体上に、樹脂塗料を塗布して絶縁皮膜を形成する絶縁電線の製造方法において、前記導体の表面に電解洗浄を施す電解洗浄工程と、電解洗浄した前記導体の表面に、前記樹脂塗料を塗布して絶縁皮膜を形成する絶縁皮膜形成工程とを備える。 - 特許庁

This oxygen sensor manufacturing method is provided with a process to make a dope element such as Pb as simple metal adhere to the surface of a platinum electrode provided in one surface of a solid electrolyte body and a process to obtain a detecting electrode by subjecting the platinum electrode to a heating treatment in an inert environment at 900-1500°C.例文帳に追加

本発明の酸素センサの製造方法は、固体電解質体の一面に設けられた白金電極の表面にPb等のドープ元素を単体金属として付着させる工程と、この白金電極を900〜1500℃の不活性雰囲気下で加熱処理して検出電極を得る工程と、を備える。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing method of a workpiece in a semiconductor device manufacturing process which can progress polishing at a sufficient polishing speed in a planarizing process of a surface to be processed by the chemical mechanical polishing, suppress surface defect such as dishing, and sufficiently suppress a cost in practical usage.例文帳に追加

化学機械研磨による被加工面の平坦化工程において十分な研磨速度で研磨進行し、ディッシング等の表面欠陥が抑えられ、現実の使用においてもコストを十分に抑えることが出来る、半導体デバイス製造工程における被加工体の化学的機械的研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning fluid used in a cleaning process following to a chemical mechanical polishing process of a substrate for a semiconductor device, especially a substrate for a semiconductor device having metal wiring on the surface, exhibiting a sufficient corrosion resistance, and can minimize production of residue and adhesion of residue to the surface of the substrate.例文帳に追加

半導体デバイス用基板、特に表面に金属配線を有する半導体デバイス用基板を化学的機械的研磨工程後の洗浄工程に用いられ、金属配線に対する十分な防食性を有し、残渣の発生及び基板表面への残渣の付着を抑制することができる洗浄液を提供する。 - 特許庁

例文

This coating method comprises: a process for applying a first coating liquid F1 on the surface of a continuously travelling belt like flexible supporting body W in a first coater and drying the first coating liquid to form a primary layer; and a process for applying a second coating liquid F2 on the surface of the primary layer in a second coater 10 to form an upper layer.例文帳に追加

連続走行する帯状の可撓性支持体Wの表面に第1の塗布装置で第1の塗布液F1を塗布し、この第1の塗布液を乾燥させて下層を形成する工程と、下層の表面に第2の塗布装置10で第2の塗布液F2を塗布し上層を形成する工程と、を有する塗布方法。 - 特許庁


例文

The method for manufacturing the microlens array includes a process of forming a light-transmitting layer precursor 30, containing colloidal ceramics on the surface of the microlens array substrate 10 in the lens 12 side and a process of applying noncontact force by a spin coating method or the like on the light-transmitting layer precursor 30, to form a light-transmitting layer 32 having a flat surface.例文帳に追加

マイクロレンズアレイの製造方法は、マイクロレンズアレイ基板10のレンズ12側の面にコロイド状セラミックスを含む光透過性層前駆体30を設け、光透過性層前駆体30に、スピン塗布方式などによって非接触による力を加えて、平らな表面を有する光透過性層32を形成することを含む。 - 特許庁

The manufacturing method has steps (S101, S102) of forming etching grooves XX on boundary lines between semiconductor chips CP from the main surface of a semiconductor wafer WF, for example in a former process, and a back-grinding step (S1042) as a subsequent process of grinding the whole rear surface of the semiconductor wafer WF to the etching grooves XX.例文帳に追加

例えば、前工程プロセスにおいて、半導体ウエハWFの主面から各半導体チップCP間の境界ラインにエッチング溝XXを形成し(S101,S102)、次いで後工程となるバックグラインド工程において、半導体ウエハWFの裏面全体をエッチング溝XXに到達するまで研削する(S1042)。 - 特許庁

The production method is characterized in that it includes a process to form a first protection layer 104 on the surface of a fluorescent layer 103 having a surface formed of projections 105, a process to form a second protection layer 108 on the first protection layer after crushing the projections 105 from above the first protection layer 104 or removing them.例文帳に追加

凸部105が形成された面を有する蛍光体層103の面に第1の保護層104を形成する工程と、第1の保護層104の上から凸部105を押しつぶした後、または除去した後に、第1の保護層上に第2の保護層108を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A composite material having a hydrophilic surface is produced by a process for preparing a base material and a process for coating the surface of the base material with a photoreactive layer containing a photocatalystic semiconductor material and showing water wettability of about 10° or less in terms of a contact angle with water at a time of light excitation.例文帳に追加

親水性表面を備えた複合材の製造方法は:基材10を準備する工程と;光触媒性半導体材料を含み光励起時に水との接触角に換算して約10゜以下の水濡れ性を呈する光反応性の層で基材の表面を被覆する工程;からなる。 - 特許庁

例文

Thereby, for example, a working error in a cutting work process (error of height dimension of the original optical surface of the base material 100) and a working error in a resist film forming process (error of film thickness of the resist applied on the original optical surface) are eliminated and, as a result, the diffraction structure capable of obtaining the prescribed optical performance can be plotted.例文帳に追加

これにより、例えば切削加工工程における加工誤差(基材100の母光学面の高さ寸法の誤差)と、レジスト膜形成工程における加工誤差(母光学面上に塗布されたレジストの膜厚の誤差)を解消して、所定の光学的性能が得られる回折構造を描画することができる。 - 特許庁

例文

The optical fiber coil is constituted by providing an adhesive layer partially or entirely on the surface of an optical fiber and winding the optical fiber and manufactured through a process of providing the adhesive layer partially or entirely on the surface of the optical fiber and a process of winding the optical fiber provided with the adhesive layer in a desired shape.例文帳に追加

光ファイバコイルは、光ファイバ素線の表面の一部または全面に接着剤層を設けて巻線してなり、光ファイバ素線の表面の一部または全面に接着剤層を設ける工程、および該接着剤層を設けた光ファイバ素線を所望の形状に巻線する工程によって作製される。 - 特許庁

Rust present on the outer periphery of a bearing B is descaled by implementing a process wherein a grinder 25 is rotated with the bearing B for rolling stock truck brought into contact with the upper surface of the grinder 25, and the bearing B is rotated together with the grinder 25 by its own weight; and a process wherein a substance adhered on the surface of the bearing B is removed.例文帳に追加

鉄道車両台車用ベアリングBをグラインダー25上面に接触させた状態で、グラインダー25を回転させ、ベアリングBが自重によりグラインダー25に連れ廻りさせる工程と、ベアリングBの表面に付着する付着物を除去する工程とを有することにより、ベアリングBの外周に存する錆を落とす。 - 特許庁

The blasting includes a process in which a first ejection material is ejected on a part of the outer surface of the master substrate 1 to form a first gradation region 3 and a process in which a second ejection material is ejected to the boundary between the first gradation region 3 and the mirror surface 4 to form a second gradation region 5.例文帳に追加

ブラスト加工が、鏡面を有するマスター基材1の外面の一部に、第1の噴射材を噴射して第1のぼかし領域3を形成する工程、および第1のぼかし領域3と鏡面4との境界部に第2の噴射材を噴射して第2のぼかし領域5を形成する工程、を包含する。 - 特許庁

The method comprises a process of forming the gate insulating film, and a process of smoothing the surface of the gate insulating film by irradiating the surface of the gate insulating film with a gas cluster ion beam.例文帳に追加

本発明は、ゲート絶縁膜上に半導体膜が形成された薄膜トランジスタの製造方法であって、ゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜の表面を、ガスクラスターイオンビームを照射することでゲート絶縁膜表面を平滑化する工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法である。 - 特許庁

The manufacturing method of epoxy resin tablets for semiconductor sealing includes a process of obtaining a molding 2 by making a tablet of an epoxy resin composition for semiconductor sealing, and a process of forming a surface coating 3 of 5 to 50 μm in average thickness on a surface of the molding using polyethylene wax.例文帳に追加

半導体封止用エポキシ樹脂組成物をタブレット状に打錠成形して成形体2を得る工程と、前記成形体の表面にポリエチレンワックスを用いて平均厚さ5μm以上50μm以下の表面コーティング3を行う工程とを有する半導体封止用エポキシ樹脂タブレットの製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the substrate for the image display apparatus includes: a process for irradiating a surface of the layer containing the polymerized compound and/or the polymer compound obtained by the polymerization of the polymerized compound with a light having a wavelength of 250 nm or less; and a process for providing another layer so as to contact the surface.例文帳に追加

重合性化合物および/または該重合性化合物の重合により得られる高分子化合物を含む層の表面を250nm以下の波長の光で照射する工程;及び他の層を上記表面に接するように設ける工程をこの順に含む、画像表示装置用基板の製造方法。 - 特許庁

A process, in which the surface of the upper silicon region 42 of an SIMOX substrate is doped with nitrogen, and a process in which an electron beam, is applied to a region including at least a part of the region doped with nitrogen in an atmosphere containing oxigen to make an oxide film 46 containing nitrogen grow on the silicon surface are included.例文帳に追加

SIMOX基板の上部シリコン領域42の表面に窒素をドープする工程と、酸素を含む雰囲気中において窒素がドープされた領域の少なくとも一部を含む領域に電子ビームを照射し、それによってシリコン表面に窒素を含む酸化膜46を成長させる工程とを包含する。 - 特許庁

This method of forming a carbon nanotube pattern contains patterning process in which a desired pattern is printed on the surface of the substrate with a carbon nanotube dispersion in which the carbon nanotube is dispersed in a dispersant and the dispersant is vaporized to form a pattern layer, and a pattern fixing process in which the pattern layer is fixed on the surface of the substrate.例文帳に追加

カーボンナノチューブが分散媒に分散したカーボンナノチューブ分散液にて基板表面に所望のパターンを印刷し、分散媒を蒸発させてパターン層を形成するパターニング工程と、パターン層を基板表面に固定するパターン固定工程とを含むことを特徴とするカーボンナノチューブパターンの形成方法。 - 特許庁

To develop a method for increasing the speed of a conventional hydrophobicization process of a printing, antifogging or stainproofing procedure necessitating several weeks to a practically acceptable level and, in contrast to conventional process, quickly changing the whole or an arbitrary local area of a hydrophilic surface to hydrophobic surface.例文帳に追加

印刷技術や防曇、防汚技術において従来は数週間程度かかっていた疎水化プロセスを実用レベルまで高速化するとともに、従来は不可能であった、酸化物固体表面の全領域または任意の局所的領域を親水性表面から疎水性表面に高速に変化させる手段の開発。 - 特許庁

This screen process printing device comprises a squeegee which fills apertures formed in the thickness direction of a screen process printing mask with a cream solder by moving the squeegee along the surface of the mask, and a line sensor integrally formed with the squeegee for optically reading the surface of the mask.例文帳に追加

その厚み方向に開口が貫通するスクリーン印刷用マスク表面に沿って移動することにより前記開口にクリームはんだを充填するスキージと、前記スキージと一体的に設けられ前記スクリーン印刷用マスク表面を光学的に読み取るラインセンサと、を備えることを特徴とするスクリーン印刷装置。 - 特許庁

The surface coating thin film forming method includes a process for coating the surface of the substrate with a coating solution containing at least one kind of a silicon-containing compound selected from the group consisting of alkoxysilane, siloxane and organosiloxane and the additive containing PVP and a heating process for heating the coated substrate.例文帳に追加

アルコキシシラン、シロキサン及びオルガノシロキサンからなる群から選択される少なくとも1種の含ケイ素化合物と、PVPを含む添加剤とを有するコート液を基材表面に塗布する工程と、該基材を加熱する加熱工程と、を有することを特徴とする表面コート用薄膜の形成方法。 - 特許庁

To provide a piezoelectric vibration reed and a manufacturing method of the piezoelectric vibration reed, as well as a piezoelectric vibrator equipped with the piezoelectric vibration reed, an oscillator, an electronic apparatus and a radio wave clock, which can manufacture the piezoelectric vibration reed without a surface defect, suppressing the influence of the surface defect in a previous process to extend over a subsequent process.例文帳に追加

前工程における表面欠陥の影響が後工程に及ぶのを抑制し、表面欠陥のない圧電振動片を製造することができる圧電振動片の製造方法及び圧電振動片、並びに圧電振動片を備えた圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供する。 - 特許庁

The sample preparing method includes a rotation process for changing the direction of the sample 20 which keeps the first surface 10a directed upward and has a contact so that the first surface 10a may be directed laterally or downward and an irradiation process for irradiating the sample 20 with a converged ion beam from the short direction of the contact.例文帳に追加

試料作製方法は、第1面10aが上方を向き、コンタクトを有する試料20を、第1面10aが側方ないし下方を向くように試料20の向きを変える回転工程と、試料20に対して、コンタクトの短手方向から集束イオンビームを照射する照射工程とを含む。 - 特許庁

A texture winding process for winding a texture 25 on a molding surface S side of a mandrel 7 and a roving winding process for spirally winding a roving 35 on the molding surface S side of the mandrel 7 in the state of maintaining a tilt angle β of -10 to +10 degrees with respect to a peripheral direction of the mandrel 7 are alternately repeated for a plurality of times.例文帳に追加

織物25をマンドレル7の成形面S側に巻付ける織物巻付工程と、ロービング35をマンドレル7の周方向に対して−10〜+10度の傾斜角βを保った状態でマンドレル7の成形面S側に螺旋状に巻付けるロービング巻付工程を交互に複数回繰り返すこと。 - 特許庁

A barium titanate powder is obtained through a process for mixing and pulverizing the starting raw materials containing at least a barium compound being converted into barium oxide by heating and titanium oxide having a specific surface area of ≤4.8 m^2/g to obtain a pulverized powder having a specific surface area of ≥5 m^2/g and a process for heat treating the obtained pulverized powder.例文帳に追加

加熱により酸化バリウムとなるバリウム化合物と比表面積が4.8m^2/g以下である酸化チタンを少なくとも含む出発原料を混合、粉砕により比表面積を5m^2/g以上にする工程、および得られた粉砕粉を熱処理する工程により得たチタン酸バリウム粉末とする。 - 特許庁

In a grinding process, the inner surface of the high-purity gas-filled vessel is ground after the pressure test process, thereby, the total length of a minute crack per square centimeter within a range of depth of 1-30 μm from the inner surface of the high-purity gas filled-vessel does not exceed 30 cm.例文帳に追加

研削工程では、耐圧試験工程の後、高純度ガス充填容器の内表面部を研削することによって、高純度ガス充填容器の内表面から深さ1μm以上30μm以下の範囲における1平方センチメートル当たりの微小クラックの延べ長さを30cm以下とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the spacer comprises a process of forming a spacer base body made of glass material of which at least a part of the surface area contains PbO by 40 wt.% or more, and a process of lowering the resistance of at least a part of the surface area by deoxidizing the spacer base body.例文帳に追加

表層部分の少なくとも一部がPbOを40重量%以上含有するガラス材料からなるスペーサー基体を形成する工程と、前記スペーサー基体を還元処理することにより表層部分の少なくとも一部を低抵抗化する工程と、を含むことを特徴とするスペーサーの製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor devices has a process step of selectively removing the build-up segments (projecting parts) of the projecting shape produced on the surface of the metallic film (copper plating film 15) by electrolytic etching and a process step for chemicomechanically polishing the surface of the metallic film 15.例文帳に追加

電解エッチングによって金属膜(銅メッキ膜15)の表面に生じている該金属膜の凸状の盛り上がり部(凸状部)を選択的に除去する工程と、前記金属膜15の表面を化学的機械研磨する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The solder joint method includes a solder ball deforming process of deforming a solder ball mechanically to break an oxide film on the surface of the solder ball to expose non-oxidized surface, and a solder melting process of exposing the deformed solder ball mounted on solder joints of a work carried in to energy emission heating to melt the solder ball.例文帳に追加

ボールを機械的に変形させることにより表面の酸化膜を破って非酸化面を露出させるはんだボール変形工程と、変形されたはんだボールを搬入されたワークの接合部に搭載した状態でエネルギーの照射により加熱して溶融させるはんだ溶融工程とを備える。 - 特許庁

The method of manufacturing the die 1 for forming the optical device is provided with a process (S01) for forming the prototype 6 of the forming surface 3 on a die base material 2 by sintering sintering powder containing chromium oxide using a discharge plasma sintering method and a process (S02) for forming the forming surface 3 by precisely machining the formed prototype 6.例文帳に追加

光学素子成形用型1の製造方法は、型母材2に放電プラズマ焼結法を用いて酸化クロムを含む焼結用粉末を焼結して、成形面3の原型6を作製する工程(S01)と、作製した原型6を精密加工して成形面3とする工程(S02)とを備えている。 - 特許庁

When forming, for example, the surface of a lower electrode for a capacitor on the surface of a semiconductor wafer W which is an object to be processed, a process of depositing a HSG polysilicon film (rugged polysilicon film) 16 non-selectively and a process of doping an impurity such as phosphorus into the polysilicon film are conducted continuously in one and the same processing container 28.例文帳に追加

被処理体である半導体ウエハWの表面に例えばキャパシタ用の下部電極の表面を形成する場合、非選択でHSGポリシリコン膜(ラグドポリシリコン膜)16を堆積させる工程と、このポリシリコン膜中に不純物、例えばリンをドープさせる工程とを、同一の処理容器28内で連続的に行なう。 - 特許庁

This method for detecting copper deposition on the processed surface of the substrate comprises a data measurement process (steps S2 to S4) for measuring the spectral reflectance data on the processed surface of the substrate and a discrimination process (step S5) for discriminating, based on the specificity of the spectral reflectance data, if copper is deposited or not.例文帳に追加

銅が処理面に被着されている基板を検出する方法において、基板の処理面について分光反射率データを測定するデータ測定過程(ステップS2ないしS4)と、前記分光反射率データの特異性に基づき銅が被着しているか否かを判別する判別過程(ステップS5)とを備える。 - 特許庁

This method for processing the iron-based alloy comprises a plasticizing process including strong processing for imparting strain (=ε) corresponding to ≥4 to at least a part of a member formed from the iron-based alloy and a surface treating process for making an element to diffuse and intrude into the obtained strongly processed member from the surface.例文帳に追加

本発明の鉄系合金の加工方法は、鉄系合金で構成された部材の少なくとも一部に相当歪み(=ε)が4以上となる強加工を含む塑性加工工程と、得られた強加工材に表面から元素を拡散侵入させる表面処理工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

This method is composed of the brazing process for brazing one pair of base materials 10, 12 and an ultrasonic inspecting process for measuring reflected echo from the brazed surface and/or penetrated echo penetrating the brazed surface by using an ultrasonic probe 16 and irradiating the base materials with the ultrasonic wave when the brazing is performed.例文帳に追加

一対の母材10,12をロウ付けするロウ付け工程と、ロウ付けが行われている際に、超音波探触子16を用いて母材に超音波を入射させ、ロウ付け面からの反射エコー及び/又は前記ロウ付け面を透過する透過エコーを測定する超音波検査工程とを備えている。 - 特許庁

During pavement removal work, the upper cap 102 is detached from the block bases 103 (lid removal process), a lower cap 106 is pressurized and detached in the state of lifting the block bases 103 to remove the weight increase material 201 from a lower surface opening LH (bottom removal process), and the block bases 103 are taken away from a paved surface.例文帳に追加

舗装撤去作業時には、ブロック基体103から上キャップ102を外し(抜蓋工程)、ブロック基体103を持ち上げた状態で下キャップ106を加圧して外して下面開口LHから増重量材201を抜き取り(抜底工程)、ブロック基体103を被舗装面から持ち去るようにした。 - 特許庁

The method comprises a process for forming a relatively narrow and shallow pre-groove 4 of a width W0 on the surface of a semiconductor layer formation side of a semiconductor wafer 1 by dicing, and a process for forming a relatively wide and deep groove 5 of a width W1 on the surface by dicing by hollowing out the pre-groove 4.例文帳に追加

半導体ウエハー1の半導体層形成側の表面に相対的に幅W0の狭い且つ深さの浅いプレ溝4をダイシングにより形成する工程と、該表面に相対的に幅W1の広い且つ深さの深い幅広溝5を前記プレ溝4をえぐり取るようにしてダイシングにより形成する工程とを含む。 - 特許庁

The termination method of the diamond electrode includes a rare gas terminating process for sputtering the surface of the diamond electrode 42, which is terminated by hydrogen, by a rare gas to terminate the diamond electrode 42 by the rare gas and a target substance terminating process for replacing the rare gas on the surface of the diamond electrode 42 with a target substance to terminate the diamond electrode 42.例文帳に追加

水素終端化されているダイヤモンド電極42の表面を、希ガスをスパッタリングすることにより、当該希ガスで終端化する希ガス終端化工程と、そのダイヤモンド電極42の表面の希ガスを、目的物質で置き換えて終端化する目的物質終端化工程とを備えるようにした。 - 特許庁

To provide a plastic substrate for display elements having a reflecting surface at the substrate itself by simplifying a manufacturing process step for the reflecting surface of a reflection type liquid crystal display device manufactured by many process steps and adopting plastic for the substrate heretofore made of glass and further the reflection type liquid crystal display using the same.例文帳に追加

多数の工程によって作製されていた反射型液晶表示装置の反射面の製造工程を簡易化すると共に、従来ガラスで作られていた基板をプラスチック化することで、基板自体に反射面をもつ表示素子用プラスチック基板を提供し、さらにこれを用いた反射型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The machine plate of which the wettability of the surface is controlled selectively according to image information is prepared by the preparing method of the machine plate which has a process of heating a polyimide precursor layer of the plate material to make it into a polyimide one and a process of giving energy to the polyimide surface of the machine plate according to the image information.例文帳に追加

版材のポリイミド前駆体層を加熱してポリイミド化する工程と、該ポリイミド化した版材表面に画像情報に応じてエネルギーを付与する工程とを有する刷版の作製方法によって表面の濡れ性を画像情報に応じて選択的に制御した刷版を作製する。 - 特許庁

The method for forming the film includes a process (1) for fixing a reinforcing material to the surface of a base material and a process (2) for forming a film on the base material by packing/applying a solventless two-component polyurea curable resin (A) from the surface of the base material to embed the reinforcing material.例文帳に追加

基材表面に補強材を固定する工程(1)、上記基材表面から上記補強材を包埋するように無溶剤系2液ポリウレア硬化型樹脂(A)を充填塗布して、上記基材上に膜状体を形成する工程(2)を含んでいることを特徴とする膜状体の形成方法。 - 特許庁

The method for fixing the substrate 10 to be ground to a base 40 includes a process of sticking the substrate 10 on a first main surface 211 of a film 21 with a pressure-sensitive adhesive 22, and a process of sticking a second main surface 212 of the film 21 on the base 40 with wax 30.例文帳に追加

研磨対象となる基板10を、支持体40に固定する基板の固定方法であって、基板10とフィルム21の第1の主面211とを、粘着剤22により貼着する工程と、フィルム21の第2の主面212と支持体40とを、ワックス30により貼着する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a method of forming contact plug of a semiconductor element which can suppress formation of voids in a metal layer forming process subsequent to a contact plug forming process by selectively etching a subsequent interlayer insulation film formation of a contact plug so that the surface of the uppermost portion of the contact plug is higher than the surface of the uppermost portion of the interlayer insulation film.例文帳に追加

コンタクトプラグの形成後、コンタクトプラグの最上部の表面が層間絶縁膜の最上部の表面より高くなるように層間絶縁膜を選択的にエッチングすることにより、後続の金属層形成工程の際にボイドの生成を抑制する、半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を提供すること。 - 特許庁

Furthermore, by imagining that there is a virtual flat surface S vertical to a bottom 7b of a box body, where the driving circuit board 11 is provided and placing the control process element 3 and the drive element 5 with the flat surface S in between, transmission of heat from the drive element 5 to the control process element 3 is suppressed further.例文帳に追加

また、駆動回路基板11が設けられた筐体底部7bに垂直な仮想的な平面Sを考え、制御処理素子3と駆動素子5とを、その平面Sを挟んで互いに反対側に配置することにより、駆動素子5からの熱が制御処理素子3に伝達されるのを更に抑制することができる。 - 特許庁

Between the process for forming the mask oxide film and the process for injecting oxygen ions, a recess 12c at a prescribed depth, that is deeper than the substrate surface 12b that serves as a bulk region where the mask oxide film is formed, is formed on the substrate surface 12a that serves as the SOI region where mask oxide films have not been formed.例文帳に追加

マスク酸化膜を形成する工程と酸素イオンを注入する工程の間に、マスク酸化膜の形成されていないSOI領域となる基板表面12aに、マスク酸化膜の形成されたバルク領域となる基板表面12bより深い所定の深さの凹部12cを形成する。 - 特許庁

After the heat curing process, a heat-cured coating film 72 produced in the heat curing process on the outer surface side of a thick wall part 1b which is a part of the car body 1 is coated with an intermediate coating, and the whole outer surface of the car body 1 after intermediate coating is coated with a finish coating.例文帳に追加

熱硬化処理工程後に、自動車車体1の一部である厚肉部1bの外表面側に前記熱硬化処理工程で生じている熱硬化塗膜7_2 に塗り重ねるようにして中塗り塗装を施し、その中塗り塗装後に自動車車体1の外表面全体に上塗り塗装を施す。 - 特許庁

To provide an optical transceiving module and an optical element used for it without requiring an optical wave-guide and even without requiring a groove processing process and an insertion process of an optical wavelength selective filter for a groove by attaching the optical wavelength selective filter on light receiving surface of a photo-detector or an end surface of an optical fiber.例文帳に追加

受光素子の受光面或いは光ファイバの端面に光波長選択フィルタを取り付けることにより、光導波路を必要とせず、溝加工プロセスおよび溝に対する光波長選択フィルタの挿入プロセスも必要としない、光送受信モジュールおよびこれに使用される光学素子を提供する。 - 特許庁

In this method, the adhesive property between an inorganic film and the organic thin film is improved by keeping the surface of a base film in a hydrophobic surface having a contact angle of ≥50° with water, after a base film forming process performed before the organic thin film is formed by the chemical vapor growth method or before an organic thin film forming process.例文帳に追加

有機物薄膜を化学的気相成長法により形成する前の下地膜形成工程の後処理あるいは有機薄膜成膜工程の前処理にて、その下地膜表面が水との接触角を50°以上の疎水性の表面にしておくことで無機膜と有機物薄膜との密着性を向上させる。 - 特許庁

The image forming apparatus which performs an electrophotographic process containing electrification, exposure, development and transfer by using an electrophotographic photoreceptor is provided with a stabilizer supply apparatus for supplying a stabilizer to a photoreceptor surface and performs the electrophotographic process in such a manner that the wear rate of the photoreceptor surface becomes 0.2-5 nm/kcycle.例文帳に追加

電子写真感光体を用いて帯電、露光、現像、転写を含む電子写真プロセスを行う画像形成装置であって、感光体表面に安定剤を供給する安定剤供給装置を備え、且つ感光体表面の磨耗率が0.2〜5nm/kcycleとなるように電子写真プロセスを行う画像形成装置。 - 特許庁

This method of detecting the volatile organic compound existing on the base material surface has (1) a process for bringing the compound into reaction with a volatility modifying reagent to make the compound nonvolatile, and (2) a process for measuring the base material surface by a time-of-flight secondary ion mass spectrometer (TOF-SIMS) to detect the compound.例文帳に追加

基材表面に存在する揮発性有機化合物の検出方法であって、(1)該化合物と揮発性の修飾試薬とを反応させ、該化合物を不揮発化する工程、及び(2)飛行時間型二次イオン質量分析計(TOF-SIMS)により基材表面を測定し、該化合物を検出する工程、を有する、検出方法。 - 特許庁

例文

The dielectric film forming method is provided with a process for improving the surface of a SiO_2 film 2 by irradiating the SiO_2 film 2 with plasma 3 and a process for forming an SBT raw-material film 5 by depositing mist of SBT raw-material 4 on the improved surface of the SiO_2 film 2.例文帳に追加

この誘電体膜の形成方法は、被成膜面としてのSiO_2膜2にプラズマ3を照射することによって、SiO_2膜の表面を改質する工程と、その改質されたSiO_2膜の表面上に、霧状のSBT原料4を堆積することによって、SBT原料膜5を形成する工程とを備えている。 - 特許庁




  
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