「surface process」に関連した英語例文の一覧と使い方(70ページ目) - Weblio英語例文検索

The pottery tile surface is repaired by a first process of coloring the joint part using a colored liquid containing a pigment and/or dye, and a second process of coating the whole surface with a colored transparent paint containing a hydrolytic silyl group in a binding agent with a rate of concealment of 0.10-0.60.例文帳に追加

陶磁器タイル面に対し、顔料及び／または染料を含有する着色液を用いて目地部を着色する第１の工程、結合材に加水分解性シリル基を含有し、かつ、隠ぺい率が０．１０〜０．６０である着色透明塗料を全面に塗装する第２の工程により改修する。 - 特許庁

As a result, even if the beveled surface of a silicon wafer is brought into contact with, for instance, the wafer-holding hole forming part of a carrier plate and flaws caused by friction are produced on an outermost circumference (beveled surface) in the rough polishing process, the flaws and damages on the outermost circumference can be removed in the PCR process thereafter.例文帳に追加

この結果、仮に粗研磨中、シリコンウェーハの面取り面が、例えば両面研磨装置に配備されたキャリアプレートのウェーハ保持孔の形成部と接触し、シリコンウェーハの最外周部（面取り面）に擦れによる傷が発生しても、その後のＰＣＲ工程で、この最外周部の傷、ダメージを除去することができる。 - 特許庁

The micro-corner cube array 10 is produced by a process for preparing single crystal substrates 1 and 4 which consist of a cubic system crystal and have a surface being substantially in parallel with the (111) surface of the crystal and a process for performing an anisotropic etching processing concerning the surfaces of the single crystal substrates 1 and 4.例文帳に追加

マイクロコーナーキューブアレイ１０は、立方晶系の結晶からなる単結晶基板１，４であって結晶の｛１１１｝面と実質的に平行な表面を有する単結晶基板１，４を用意する工程と、この単結晶基板１，４の表面に対して異方性エッチング処理を行なう工程とによって作製される。 - 特許庁

To provide a grinding machine capable of generating a high quality ground surface by introducing such an arrangement that a high accuracy grinding process of the ground surface is made practicable at all times continuously with a constant grinding margin without requiring a pretreatment process even if a dispersion exists in the heights of concrete blocks and thereby keeping the grinding ability of a grinding tool and the water permeability of the blocks.例文帳に追加

ブロックの高さにバラツキがあっても前処理加工を必要とすることなく連続的に一定の研削代で研削面を常に高精度の研削加工を可能にし研削工具の研削能力やブロックの透水性を保持して高品質の研削加工面を得るようにした研削加工機を提供する。 - 特許庁

In addition, a method for manufacturing the sheet 1 for manufacturing the card with the first process for forming the IJ ink receiving layer 3 by coating the surface of the substrate with the hydrophilic resin composition and the second process for sticking the base material layer 2 for the card on the surface of the IJ ink receiving layer 3 through an adhesive layer is provided.例文帳に追加

また、上記支持層４の表面に親水性樹脂組成物を塗工してＩＪインク受像層３を形成する第１工程と、ＩＪインク受像層３の表面に接着剤層を介してカード用基材層２を接着する第２工程とを有するカード作製用シート１の製造方法である。 - 特許庁

Further, the method of manufacturing the same includes: a semiconductor layer forming process of forming the semiconductor layer on the substrate; and an electrode forming process of forming, on the semiconductor layer, the inter-digital electrode such that the width in the surface direction of the semiconductor layer is larger than the height in the direction perpendicular to the surface of the semiconductor layer.例文帳に追加

また、基板上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層上に、前記半導体層の表面方向における幅が該半導体層の表面と垂直方向における高さ以上である櫛歯状の電極を形成する電極形成工程と、を含む。 - 特許庁

The method for forming the hard carbon nitride film on the surface of a material to be treated comprises heating and sublimating raw material hydrocarbons by utilizing a hollow cathode discharge within a process chamber while introducing nitrogen gas into the process chamber and forming the hard carbon nitride film by vapor deposition on the surface of the material to be treated.例文帳に追加

被処理材の表面に硬質窒化炭素膜を形成するための方法であって、処理室内において、窒素ガスを導入しながら、原料炭素類をホローカソード放電を利用して加熱、昇華させ、前記被処理材の表面に硬質窒化炭素膜を蒸着形成することを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor substrate includes a process for forming a porous silicon layer 12 on an upper surface of a silicon substrate 11, and a process for supplying a mixed gas of hydrogen gas and hydrocarbon-based gas or a hydrocarbon-based gas, crystallizing and carbonizing the surface of the porous silicon layer 12, and forming a silicon carbide film 13.例文帳に追加

シリコン基板１１の上面に多孔質な多孔質シリコン層１２を形成する工程と、水素ガス及び炭化水素系ガスの混合ガスまたは炭化水素系ガスを供給し、多孔質シリコン層１２の表面を結晶化及び炭化して炭化珪素膜１３を形成する工程と、を備える。 - 特許庁

To provide a method for producing a widely applicable hollow resin particle containing a specific filler dispersed uniformly in resin constituting an outer wall surface by a simple process without following a complicated process, and to provide the hollow resin particle containing the specific filler dispersed uniformly in the resin constituting the outer wall surface.例文帳に追加

煩雑な工程を経ることなく、工程が簡便な、適用範囲の広い、外壁面を構成する樹脂中に特定のフィラーが均一に分散した中空樹脂粒子の製造方法および、外壁面を構成する樹脂中に特定のフィラーが均一に分散した中空樹脂粒子を提供すること。 - 特許庁

The method includes a process for forming a Schottky electrode 5 and a surface opening dicing line region 7 on a surface of an SiC wafer (high concentration n-type substrate 1 and low concentration n-type epitaxial layer 2) and forming an ohmic electrode 4 and a rear opening dicing line region 8 on a rear face of the SiC wafer before a dicing process.例文帳に追加

ダイシング工程を行う前に、ＳｉＣウエハ（高濃度ｎ型基板１及び低濃度ｎ型エピタキシャル層２）の表面にショットキ電極５及び表面開口ダイシングライン領域７を形成し、ＳｉＣウエハの裏面にオーミック電極４及び裏面開口ダイシングライン領域８を形成する工程を実行する。 - 特許庁

A first copper thin film 5 is formed by a CVD process on an insulating film 2, having connection grooves therein and covering a semiconductor substrate 1 via a barrier metal film 4 and having such a thickness as not to cause practical generation of its rough surface resulting from crystalline grains, and then subjected to a reflow process to fluidize the surface of the film 5.例文帳に追加

半導体基板１を覆う接続溝３を含む絶縁膜２上にバリア金属膜４を介して、ＣＶＤ法により表面に結晶粒子に起因する凹凸が実質的に生じない程度の膜厚の第１銅薄膜５を形成した後、リフロー処理を施して同銅薄膜５の表面を流動させる。 - 特許庁

The method comprises a process for coating an uneven wafer surface with a photoresist layer, to cover the undesirable characteristics in the structure of the wafer for coating to a uniform height and for obtaining the substantially flat upper surface of the photoresist layer; and a process for etching the photoresist 40, having substantially the same rate and an insulating layer 30.例文帳に追加

第１に、凸凹なウェーハ表面上にフォトレジスト層を塗布してウェーハの望ましくない構造的特徴を覆って均一な高さにコーティングし、実質的に平坦なフォトレジスト層の上部表面を得る工程と、第２に、実質的に同率にフォトレジスト４０および絶縁層３０をエッチングする工程と、から成る。 - 特許庁

A manufacturing method of alkali secondary cell includes a first process of adding surfactant and disperser to positive electrode active material having higher-order metal oxide on its surface or at the neighboring are of the surface and kneading them, and a second process of obtaining the paste by adding a hydrophilic resin to the above the kneading them.例文帳に追加

金属高次酸化物が少なくとも表面または表面近傍に形成されてなる活物質に、第１工程として、界面活性剤と分散媒を主体とする成分を添加・混練したのち、第２工程として、親水性樹脂を添加・混練してペーストを得る工程を含む製造方法。 - 特許庁

The production process for facilitating machining on the surface in following process by planarizing protrusions and recesses on the surface of a workpiece 1 comprises a step for coating the surface with photosensitive resin 2, a step for exposing the photosensitive resin using a gray scale mask 3 corresponding to the surface profile of the photosensitive resin coating, and a step for developing exposed photosensitive resin and removing uncured photosensitive resin (shaded portion).例文帳に追加

加工対象物１の表面の凹凸を平坦化し後工程における表面への加工を容易にする製造方法であって、表面に感光性樹脂２を塗布する塗布工程と、塗布された感光性樹脂の表面形状に対応するグレースケールマスク３を用いて感光性樹脂を露光する露光工程と、露光された感光性樹脂を現像し硬化していない感光性樹脂（斜線部分）を除去する現像工程とを含む。 - 特許庁

The method for manufacturing the silicon boat for supporting a semiconductor wafer W during thermal process comprises: a process of forming a silicon material into a boat by mechanical processing; and a process of removing or thinning a damaged layer D on the surface of the silicon material created by the mechanical processing.例文帳に追加

半導体ウェーハＷの熱処理時に半導体ウェーハを支持するシリコン製のボートの製造方法であって、機械加工によりシリコン材料をボートの形状に成形する工程と、前記機械加工で生じた前記シリコン材料の表面のダメージ層Ｄを除去又は薄くする工程とを有する。 - 特許庁

The heat-treatment method for steel includes: a process for generating R gas; a process for producing diluted R gas by mixing nitrogen gas in the R gas; and a process for forming a carbon-enriched layer in the range of ≥0.3 mm thickness containing the steel surface by heating the steel under atmosphere containing the diluted R gas.例文帳に追加

鋼の熱処理方法は、Ｒガスを生成させる工程と、Ｒガスに窒素ガスを混合することにより希釈Ｒガスを製造する工程と、希釈Ｒガスを含む雰囲気中で鋼を加熱することにより、鋼の表面を含む厚み０．３ｍｍ以上の領域に、炭素富化層を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

A molding method of the acrylic resin molding comprises a process of obtaining a formed body by vacuum-forming the acrylic resin sheet, a process of applying the primer on the rear of this formed body and then a process of forming the foam layer by spraying the primer-coated surface with liquid thermosetting resin wherein compressed gas is mixed.例文帳に追加

また、アクリル樹脂成形品の成形方法は、アクリル樹脂シートを真空成形して成形体を得る工程，この成形体の裏面にプライマーを塗布する工程、次いでプライマー塗布面に圧縮ガスを混入した液状の熱硬化性樹脂を噴霧して発泡体層を形成する工程からなる。 - 特許庁

The manufacturing method of the nonaqueous electrolyte secondary battery includes a process in which a metallic membrane mainly composed of lithium is made to contact with a surface of a layer containing an anode active substance to make a reaction between lithium and the anode active substance, and a process in which a group of electrodes are composed by assembling the anode made in the above process and a cathode.例文帳に追加

負極の活物質を含む層の表面に、リチウムを主体とする金属膜を接触させて、リチウムと負極の活物質とを反応させる工程、および前記工程を経た負極を正極と組み合わせて電極群を構成する工程を有する非水電解質二次電池の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method successively executes a process (A) for forming film of a seed layer 20 and a lower electrode 30 on a substrate 10 successively, a process (B) for diffusing elements contained in the seed layer 20 for depositing on the surface of the lower electrode 30 and a process (C) for film-forming the piezoelectric film 40 on the lower electrode 30.例文帳に追加

基板１０上にシード層２０と下部電極３０とを順次成膜する工程（Ａ）と、シード層２０に含まれる元素を拡散させて、該元素を下部電極３０の表面に析出させる工程（Ｂ）と、下部電極３０上に圧電膜４０を成膜する工程（Ｃ）とを順次実施する。 - 特許庁

Cutting, a broken stone foundation process, a process, in which the foamed lightweight material 5 is laid between a space as the girder section 3 and the ground surface 4 while forms and bar arrangement are executed, and a process in which concrete is placed and cured and the foundation upstanding section 2 and the girder section 3 are formed integrally by one-time concrete placing are contained.例文帳に追加

また、根切り、割栗地業工程と、桁部となる空間と地盤面との間に発泡軽量材を敷込むとともに、型枠、配筋を施す工程と、コンクリートを打設、養生して基礎立上り部と桁部を１回のコンクリート打設により一体形成する工程とが少なくとも含まれてなるものである。 - 特許庁

The method for manufacturing a metal wire comprises a process S1 to form on the surface of a metal wire 2 a primary ternary alloy coated layer 3 composed of copper of 60-75%, copper containing nickel of 4-14%, zinc and nickel; a process S2 to form a copper coated layer 4 over the layer 3; and a wire drawing process S3 to draw the metal wire 2 with a die 5.例文帳に追加

金属ワイヤ２の表面に銅比６０〜７５、かつニッケル比４〜１４％の銅、亜鉛、ニッケルの一次の３元合金メッキ層３を形成する工程Ｓ１と、その外側に銅メッキ層４を形成する工程Ｓ２と、この金属ワイヤ２をダイス５で引き抜きく伸線工程Ｓ３とを含む。 - 特許庁

In the rotation process of an electrophotographic photoreceptor comprising a conductive support and a photosensitive layer formed on the support, when an electrophotographic process including electrostatic charge, exposure, development, and transfer is repeatedly carried out, surface potential of the photosensitive layer by electrostatic charge is lowered after the electrophotographic process is repeated for a prescribed number of times.例文帳に追加

導電性支持体及び該支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体の回転過程において、帯電、露光、現像及び転写を含む電子写真プロセスが繰り返し行われる際に、電子写真プロセスが所定回数繰り返されたときに前記感光層表面の帯電電位を低下させる。 - 特許庁

The method for making synthetic fiber fabric with translucent print (dyeing) pattern comprises a printing process before etching process by sodium hydroxide or the like, wherein the printing process comprises printing of paste for dyeing on the surface of the fabric, and/or printing which contains a transparent developer.例文帳に追加

水酸化ナトリウム等によるエッチング工程の前にプリント工程を含み、そのプリント工程は織物の表面上に染色用のペーストをプリントすること、および／または透明なプリント用顕色剤を含んでプリントすることを包含する、半透明なプリント（染色）パターンをその上に有する合成繊維織物を製造する。 - 特許庁

A display device is manufactured with a manufacturing method including a process of piling plural fibers 4 with alternately crossing, a process of applying pressure on the piled fibers 4 in the piling direction, and a process of heating the piled fibers 4 up to a temperature at which at least a surface of the fiber 4 melts.例文帳に追加

複数のファイバ４を交互に交差させて積層する工程と、積層された上記ファイバ４に対して積層方向に圧力を加える工程と、積層されたファイバ４に対して少なくとも上記ファイバの表面が融解する温度まで加熱する工程とを含む製造方法により表示装置を製造する。 - 特許庁

A process to carry out the hole etching or the trench etching of silicon so as to substantially expose at least the silicon on the bottom surface of an etched part and a process to form a silicon oxide film on a silicon structure formed in the process to carry out the hole etching or the trench etching by a CVD method are carried out.例文帳に追加

エッチングされた部分の少なくとも底面のシリコンが実質的に露出するようにシリコンをホールエッチング又はトレンチエッチングをする工程と、そのホールエッチング又はトレンチエッチングをする工程により形成されたシリコン構造体上にＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成する工程を行う。 - 特許庁

The manufacturing method of the electrode 11 for the fuel cell is equipped with a process of forming the spacer member 2 at the peripheral part of the surface of the electrode base material 1, a process of coating a catalyst paste in a region surrounded by the spacer member 2, and a process of forming the catalyst layer 3 by crimping after drying the catalyst paste.例文帳に追加

本発明による燃料電池用電極１１の製造方法は、電極基材１表面の周縁部にスぺーサ部材２を形成する工程と、スぺーサ部材２で囲まれる領域に触媒ペーストを塗布する工程と、触媒ペーストを乾燥した後、圧着して触媒層３を形成する工程とを備える。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process (S1) to form an amorphous semiconductor layer, a process (S3) to form a polysilazane layer having negative photosensitivity on the front surface of the semiconductor layer, and a process (S4) to crystallize the predetermined region of the semiconductor layer by irradiating light to the predetermined region of the semiconductor layer while exposing the polysilazane layer.例文帳に追加

非晶質の半導体層を形成する工程（Ｓ１）と、その半導体層の表面に、ネガ型の感光性を有するポリシラザン層を形成する工程（Ｓ３）と、ポリシラザン層の所定領域に光を照射して、ポリシラザン層を露光するとともに、半導体層の所定領域を結晶化する工程（Ｓ４）と、を有する。 - 特許庁

The catalyst ink is manufactured by forming catalyst-carrying carbon particles, by making carbon particles controlled so that the diameter of fine pores on surface becomes large (process 100) carry the catalyst that does not contain electrolyte (process 110), and by mixing and dispersing solvent and solid polymer electrolyte material to the catalyst-carrying carbon particles (process 140).例文帳に追加

表面微細孔径が大きくなるように制御したカーボン粒子に（工程１００）、電解質を含まない触媒を担持させて触媒担持カーボン粒子とし（工程１１０）、この触媒担持カーボン粒子に溶媒と、固体高分子電解質材料とを混合、分散させて触媒インクとする（工程１４０）。 - 特許庁

The method of manufacturing the epitaxial wafer at least comprises a heat treatment process conducting heat treatment for a silicon single crystal in ingot state, a wafer processing process wherein the heat-treated ingot is sliced into wafers with mirror surface, and an epitaxial growth process wherein an epitaxial layer is formed on the wafers.例文帳に追加

エピタキシャルウエーハの製造方法であって、少なくとも、インゴット状態のシリコン単結晶に熱処理を行なう熱処理工程と、前記熱処理したインゴットを鏡面状のウエーハに加工するウエーハ加工工程と、前記ウエーハ上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル成長工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法。 - 特許庁

To provide a reinforcing fiber, a process for making a reinforcing fiber, a process for making a plurality of reinforcing fibers, a reinforcing fiber for a curable resin, a cured composite, a curable composite, a process for making a cured composite, a method for applying a composite to a surface, and a method for molding a composite.例文帳に追加

強化繊維、強化繊維を製造する方法、複数の強化繊維を製造する方法、硬化性樹脂用の強化繊維、硬化複合材料、硬化性複合材料、硬化複合材料を製造する方法、複合材料を表面に施す方法、および複合材料を成形する方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a drain material for improving the ground, capable of shortening a manufacturing process for the drain material for improving the ground by dispensing with a cooling process for curing the core material of the drain material before the fusion-bonding of a nonwoven fabric to the core material and a process for reheating the surface of the core material, and a manufacturing apparatus therefor.例文帳に追加

ドレーン材の芯材に不織布を溶着させる前の芯材を硬化させる冷却工程と芯材の表面を再加熱する工程を不要にして、地盤改良用ドレーン材の製造工程を短縮することができる地盤改良用ドレーン材の製造方法及びその製造装置を提供する。 - 特許庁

The image forming apparatus using the process cartridge which can be loaded in/unloaded from the image forming apparatus is equipped with a shielding member which shields between the transfer upper guide and the surface of the photoreceptor in the process cartridge on a cross section perpendicular to the axial direction of the photoreceptor in a state where the process cartridge is loaded in the image forming apparatus.例文帳に追加

画像形成装置に着脱可能なプロセスカートリッジを用いる装置であって、プロセスカートリッジが画像形成装置に装着された状態における感光体の軸線方向に垂直な断面において、プロセスカートリッジに転写上ガイドと感光体表面の間を遮蔽する遮蔽部材を備えるように構成する。 - 特許庁

This manufacturing method for the electrode comprises a process producing the catalyst ink wherein the carbon carrying platinum and the proton conductivity material are dissolved in the solvent, a process forming droplets of the catalyst ink by applying voltage to the catalyst ink, and a process laminating the droplets of the catalyst ink on a base material surface.例文帳に追加

白金担持カーボン、プロトン伝導性物質を溶媒に溶解した触媒インクを作製する工程と、該触媒インクの液滴を、該触媒インクに電圧を印加することにより形成する工程と、該触媒インクの液滴を基材表面に積層する工程を有することを特徴とする電極の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing an opal includes: a dropping process in which a silica particle dispersion is made to drop on a flat plate the surface of which is hydrophobic to be made a droplet; a drying process in which the droplet is dried to be a dried product in which the silica particle 1 is condensed; and separation process which separates the dried product from the flat plate.例文帳に追加

製造方法は、シリカ粒子分散液を表面が疎水性の平板上に滴下して液滴にする滴下工程と、前記液滴を乾燥させて前記シリカ粒子１が凝集した乾燥物にする乾燥工程と、前記平板から前記乾燥物を分離する分離工程とを含むこと。 - 特許庁

The method for manufacturing the resin sealing sheet comprises a film making process to form a cylindrical shape film by melt-extruding resin from an annular die (10) and a molding process to at least obtain flat plate-like extruded product by crushing the side surface of the cylindrical extruded product obtained by the film making process.例文帳に追加

樹脂を環状ダイ（１０）から溶融押出して円筒状に製膜する製膜工程と、前記製膜工程により得られた円筒状の押出物の側面を押しつぶすことにより、平板状の押出物とすることを少なくとも行う成形工程と、を含む樹脂封止シートの製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the reflector includes: a process of manufacturing a mixed material by mixing a raw material of a tile foundation 2 with transparent spheres 3 such as glass beads; a process of forming a raw foundation 1' by forming the mixed material; and a process of enhancing the degree of the exposure of the transparent spheres 3 by grinding the surface of the raw foundation 1' by a brush or the like.例文帳に追加

タイル素地２の原料とガラスビーズなどの透明球体３とを混合して混合材料を生成する工程と、混合材料を成形して生素地１’を形成する工程と、生素地１’の表面をブラシ等で研磨して、透明球体３の露出度を高める工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the surface reforming process, oxygen plasma is generated in the vacuum chamber 101 of this plasma treatment device 100 by using a gas containing oxygen, an oxygen ion irradiating process applied to an oxygen ion (o^-) to the pixel electrode 4, and an oxygen radical irradiating process to irradiate an oxygen radical (o^*) to the pixel electrode 4 are performed.例文帳に追加

表面改質工程では、酸素を含むガスを用いてプラズマ処理装置１００の真空チャンバ１０１内に酸素プラズマを発生させ、画素電極４に酸素イオン（Ｏ^-）を照射する酸素イオン照射工程と、画素電極４に酸素ラジカル（Ｏ^*）を照射する酸素ラジカル照射工程とを行う。 - 特許庁

To provide a plasma processing device and a plasma processing method by which plasma discharging can be maintained regardless of whether or not the process object body is facing an applying electrode and the surface of the process object body can be uniformly processed by plasma discharging regardless of the existence of a conductive pattern formed on the process object body.例文帳に追加

被処理体が印加電極に対面しているかいないかに関わらずプラズマ放電を持続できるとともに、被処理体上に形成されている導電性パターンの有無に関わらずプラズマ放電により被処理体の表面を均一に処理することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

A method for forming the organic material thin film comprising a process of applying an organic material solution onto the flexible substrate 10, a process of incurvating the flexible substrate 10 so that an applied surface is the outside before the organic material solution solidifies and a process of flattening the incurvated flexible substrate 10, is provided.例文帳に追加

可撓性基板１０上に有機材料溶液を塗布する工程と、該有機材料溶液が固化する前に、上記可撓性基板１０を、塗布面が外側になるように湾曲させる工程と、湾曲させた可撓性基板１０を平坦化する工程とを含んでなる有機材料薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the light diffusion film includes a process A for forming a prefilm from a plurality of short fibers by the dry type nonwoven fabric method and a process B for applying application liquid for forming transparent resin by solidification or hardening at least to one surface of the prefilm obtained in the process A and solidifying or hardening the applied application liquid to form the light diffusion film.例文帳に追加

複数の短繊維を乾式不織布法によってプレフィルムにする工程Ａと、工程Ａで得られたプレフィルムの少なくとも片面に、固化または硬化により透明樹脂を形成する塗布液を塗布し、塗布された前記塗布液を固化または硬化させて光拡散フィルムを形成する工程Ｂとを含む。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes: a first process for forming a first photoresist pattern in a partial region on a substrate; a second process for forming a thin film on the surface of at least the first photoresist pattern; and a third process for forming a second photoresist pattern at a part where the first photoresist pattern is not formed.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、基板上の一部の領域に第１のホトレジストパターンを形成する第１の工程と、少なくとも第１のホトレジストパターンの表面に薄膜を形成する第２の工程と、第１のホトレジストパターンが形成されていない部位に第２のホトレジストパターンを形成する第３の工程と、を有する。 - 特許庁

In the developing method having a developing process for processing a resist irradiated with energy beam with a developer, a rinse process for replacing the developer with a rinse liquid and a drying process for drying the rinse liquid, the surface tension of the rinse liquid is controlled to ≤45 dyne/cm.例文帳に追加

エネルギービームが照射されたレジストを現像液で処理する現像工程、前記現像液をリンス液に置換するリンス工程、および前記リンス液を乾燥する乾燥工程を有する現像方法において、前記リンス液の表面張力が４５ｄｙｎ／ｃｍ以下であることを特徴とする現像方法とした。 - 特許庁

A method for manufacturing a multi-layer circuit wiring board laminating the film having a conductor layer with an adhesive comprises a process for heat-processing the surface of the film in a non-oxidation gas phase atmosphere in preferably residual oxygen concentration of 0.5 % or less, a process for performing plasma treatment, and a process for laminating by the adhesive.例文帳に追加

導体層を有するフィルムを接着剤により積層する多層回路配線板の製造方法において、少なくとも、フィルム表面を好ましくは残留酸素濃度０．５％以下の非酸化性気相雰囲気中で熱処理する工程、プラズマ処理を行う工程、接着剤により積層する工程、を具備する。 - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor device, since an etching speed in a trench forming process is higher than that in a movable section forming process, the amount of a protective film formed on the rear surface of the movable portion 20 as a mask can be reduced in a protective film forming process.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法では、トレンチ形成工程におけるエッチング速度よりも可動部形成工程におけるエッチング速度を速くしているため、保護膜形成工程において、可動部２０の裏面側にマスクとして形成される保護膜の形成量を低減することができる。 - 特許庁

A manufacturing method for semiconductor device comprises a process for forming a cobalt layer 11 on the surface of a silicon layer 4, a process for heat-treating silicon layer and cobalt layer 11 at temperature range of 150°C to 300°C, and a process for heat treating the silicon and the cobalt layer 11 at 500°C to 800°C to be carried out in this order.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、シリコン層４の表面にコバルト層１１を形成する工程と、１５０℃〜３００℃の温度下でシリコン層及びコバルト層１１を熱処理する工程と、５００℃〜８００℃の温度下でシリコン層及びコバルト層１１を熱処理する工程とをこの順に含んでいる。 - 特許庁