「thin structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

In the thin film solar cell, the surface supporting a photoelectric conversion element structure forms a texture structure where the average value of the ratio R/L of the size R and the interval L of protrusions and recesses is in the range of 0.1-1.5.例文帳に追加

薄膜太陽電池において、光電変換素子構造を支持する表面は、凹凸大きさＲと凹凸間隔Ｌとの比Ｒ／Ｌの平均値が０．１以上１．５以下の範囲にあるテクスチャー構造を形成する。 - 特許庁

To provide a versatile latching structure provided with a thin-shaped opening part having latching function, which can simply and beautifully express placing, hanging and hooking actions by being incorporated into a wall surface structure.例文帳に追加

この発明は薄型形状開口部に掛留機能を持ち、壁面構造に組入れることで、置く、吊る、掛ける、作用をシンプルかつ美的に表現させる事を可能とさせ、多目的用途に用いる事を課題とする。 - 特許庁

An optical coupling block region having a structure made of a material which is the same as that of a clad layer and projected from the clad layer is disposed between the end face of the optical waveguide and the end face of the tapered structure region of the Si thin wire optical waveguide.例文帳に追加

光導波路の端面とＳｉ細線光導波路のテーパ構造領域の先端の間にクラッド層と同じ材料で、クラッド層より突出した構造の光結合ブロック領域とを備えた。 - 特許庁

The capacitor structure can also include one layer or more 14, 30 that affect the acoustic characteristics of the thin film capacitor structure, and this allows the capacitor to absorb RF energy in frequencies other than the operating frequency band.例文帳に追加

コンデンサ構造は、薄膜コンデンサ構造の音響特性に影響する１つ以上の層（１４、３０）をも含み得、その結果、動作周波数帯域外の周波数におけるＲＦエネルギーをコンデンサが吸収する。 - 特許庁

A single-gate FinFET structure 100 includes an active fin structure having two enlarged head portions and two respective tapered neck portions that connect the enlarged head portions with an underlying ultra-thin body.例文帳に追加

シングルゲートフィンＦＥＴ構造１００は、２つの拡大された頭部、及び当該拡大された頭部と下層の超薄型ボディとを連結する２つの徐々に細くなる首部を有するアクティブフィン構造を含む。 - 特許庁

A layered perovskite ferroelectric thin film is formed on an electroconductive perovskite type single crystal substrate, etc., having perovskite structure and using (110) face when considering its structure as a pseudocubic as the surface.例文帳に追加

ペロブスカイト構造をもち、かつそれら構造を擬立方晶と見なした場合の（１１０）面を表面とする導電性ペロブスカイト型単結晶基板などに、層状ペロブスカイト強誘電体薄膜が形成される。 - 特許庁

The third game medium storage structure 63 is provided to a position adjacent to the lifting machine 42, formed thin and long in the vertical direction and provided inside a rack 30a supporting the first game medium storage structure 41.例文帳に追加

第三の遊技媒体貯留構造６３は、揚送機４２に隣接した位置に設け、また、上下方向に細長く形成し、第一の遊技媒体貯留構造４１を支持する架台３０ａの内部に設けた。 - 特許庁

An electrode in which a thin film of the block copolymer is prepared on an electrode surface is attached to an electrochemical cell and an electric field is applied to the film to enable preparation of the microphase-separated structure and orientation control of the structure.例文帳に追加

ブロック共重合体の薄膜を電極表面上に作製した電極を電気化学セルに装着して、電界を印加することによって、ミクロ相分離構造の作製と構造の配向制御を可能にした。 - 特許庁

A barrier metal thin film 14 is included between a second thermoelectric thin film 8, that is made of bismuth and an electrode pad 13 containing aluminum, thus preventing the electrode pad 13 from being oxidized without having to directly bring the second heat-conducting thin film 8 into contact with the electrode pad 13 and stabilizing element structure over a long period.例文帳に追加

ビスマスからなる第２熱電性薄膜８とアルミニウムを含有する電極パッド１３との間にバリアメタル薄膜１４を介在させるようにして、第２熱電性薄膜８と電極パッド１３とを直接接触させずに電極パッド１３の酸化を防止して長期にわたって素子構造を安定させるようにしたもの。 - 特許庁

The magnetic recording medium provided with the FePt magnetic thin film having ≥40 KOe coercive force is obtained by film-depositing the FePt magnetic thin film having an L1_0 structure by a sputtering method on a substrate having 650 to 850°C surface temperature and applying 4 to 10 KOe magnetic field to the FePt magnetic thin film.例文帳に追加

表面温度が６５０℃〜８５０℃である基板上に、スパッタ法によりＬ１_0構造を有するＦｅＰｔ磁性薄膜を成膜し、前記ＦｅＰｔ磁性薄膜に４ＫＯｅ〜１０ＫＯｅの磁場を印加して４０ＫＯｅ以上の保磁力を有するＦｅＰｔ磁性薄膜を備えた磁気記録媒体を得る。 - 特許庁

A wiring material has a three or more layered structure, consisting of a thin-film layer consisting of oxidation resistant metal, a thin-film layer formed thereon and consisting of or essentially of aluminum and 9 thin- film layer formed thereon and consisting of oxidation resistant metal and metal oxide is used for transparent electrode material.例文帳に追加

配線材料については耐酸化性金属からなる薄膜層と、その上に形成されたアルミニウムもしくはアルミニウムを主成分とする薄膜層と、その上に形成された耐酸化性金属からなる薄膜層からなる3層以上の構造とし、また透明電極材料に金属酸化物を使用する。 - 特許庁

In this sort of structure, when laser beams are applied from an upper portion of a substrate when trimming the thin-film resistor 9, the laser beams pass through the thin-film resistor 9 and are transmitted to a portion lower than the thin-film resistor 9.例文帳に追加

このような構造では、薄膜抵抗９をトリミングする際に、基板上方からレーザを照射すると、薄膜抵抗９を貫通した後、薄膜抵抗９よりも下方に透過していくが、薄膜抵抗９の下方に金属膜６が配置されているため、金属膜６にて透過してきたレーザが全反射される。 - 特許庁

To provide a thin film transistor substrate having a structure such that a thin film transistor has a transparent conductive film and an Al alloy film connected directly to each other, the thin film transistor being prevented from having pinhole corrosion without providing processes for application and peeling of paint for corrosion prevention for a manufacturing process thereof.例文帳に追加

薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を有する薄膜トランジスタ基板であって、その製造工程において、腐食防止用塗料の塗布や剥離といった工程を設けることなく、ピンホール腐食を防止できるような薄膜トランジスタ基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing a spinel ferrite thin film with (100) preferred orientation while suppressing oxidization of a metal electrode layer in a lower part of a spinel ferrite thin film and thermal diffusion at a lower part interface and eliminating contamination due to atmospheric components at an upper part interface, in a spin filter effect element including a spinel ferrite thin film arranged in a laminated structure.例文帳に追加

積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The organic EL thin film is configured as a DC device where an anode and a cathode are attached to the both ends of the thin film, and a carrier injection type organic EL thin film for obtaining high luminance light emission by DC low voltage driving (3 to 12V) by increasing current density is used by adopting a laminate structure on a glass base.例文帳に追加

有機ＥＬ薄膜は、薄膜両端に陽極と陰極をつけた直流デバイスであり、ガラス基盤上に積層構造を採用して、電流密度を高めたことにより直流の低電圧駆動（３〜１２Ｖ）で高輝度発光を得ることができるキャリア注入型有機ＥＬ薄膜を使用する。 - 特許庁

In the clathrate compound thin film manufacturing method for manufacturing a clathrate compound thin film having a crystalline structure of a basket-shaped molecular aggregate on a substrate 16, a target 20 is sputtered by a helicon excitation sputtering method, and the clathrate compound thin film is deposited on the substrate 16.例文帳に追加

籠状分子集合体の結晶構造を有するクラスレート化合物薄膜を基板１６上に製造する方法であって、ターゲット２０をヘリコン励起スパッタ法によりスパッタし、基板１６上に前記クラスレート化合物薄膜を形成することを特徴とするクラスレート化合物薄膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a structure of a semiconductor device wherein stray capacitance between a thin film vibrator and a semiconductor substrate is little and to provide the semiconductor device including the thin film vibrator that can be formed by a generic thin film forming technology without the need for using a piezoelectric body, applicable to high frequency applications and driven at a low voltage.例文帳に追加

薄膜振動子と半導体基板との浮遊容量の少ない半導体装置の構造を提供するとともに、圧電体を用いなくても一般的な薄膜形成技術によって形成でき、高周波化と低電圧駆動が可能な薄膜振動子を有する半導体装置を提供することにある。 - 特許庁

A Lamb wave device 102 includes: a piezoelectric thin film 106; an IDT electrode 108 provided on the major surface of the piezoelectric thin film 106; and a support structure 122 that supports a laminated body 104 of the IDT electrode 108 and the piezoelectric thin film 106 and has a cavity 180 forming a clearance from the laminated body 104.例文帳に追加

ラム波装置１０２は、圧電体薄膜１０６と、圧電体薄膜１０６の主面に設けられたＩＤＴ電極１０８と、ＩＤＴ電極１０８及び圧電体薄膜１０６の積層体１０４を支持し、積層体１０４を離隔させるキャビティ１８０が形成された支持構造体１２２とを備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin-film semiconductor device capable of keeping an interface between a gate insulation film and a thin-film conductor layer under good conditions free from the influence of formation of a source/drain electrode and thereby having a fine bottom-gate-bottom-contact type thin-film transistor structure with good characteristics.例文帳に追加

本発明は、ソース／ドレイン電極の形成に影響されることなくゲート絶縁膜と薄膜半導体層との界面を良好な状態に維持することが可能で、これにより微細でありながらも特性の良好なボトムゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタ構成の薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technology for controlling the concentration of stresses on a thin portion or deformation thereof by contriving arrangement of the thin portions provided, at positions where an armature faces a field magneton in order to couple a plurality of magnetic bodies, and to provide a structure facing the thin portion in an armature or a field magneton.例文帳に追加

電機子と界磁子とが対向する位置に設けられる複数の磁性体を連結する薄肉部の配置や、電機子や界磁子における薄肉部と対向する構造などに工夫を施して、当該薄肉部における応力の集中や変形を抑制することができる技術を提案する。 - 特許庁

Therefore, the direction of magnetic moment for each adjacent magnetically impermeable thin film becomes opposite, and all emitted electromagnetic waves are erased by the magnetically impermeable thin film 104, reflected in one polymer thin film until the energy of the electromagnetic wave is consumed, or absorbed by a carbon compound structure before being converted to thermal energy.例文帳に追加

従って、隣接する透磁性薄膜毎の磁気モーメントの方向が反対になり、放出された全ての電磁波は、透磁性薄膜１０４により消去されるか、電磁波のエネルギーが消費されるまでいずれか１つのポリマー薄膜中で反射されるか、炭素化合物構造体により吸収されて熱エネルギーに変換される。 - 特許庁

In the iron core structure of a rotary electric machine to be constituted of laminated steel plates 6 formed by laminating thin steel plates, the laminated steel plates are compressed and fixed to both ends of the steel plates 6 formed by laminating the thin steel plates, with pressing members 18, 18 formed by laminating a plurality of above thin steel plates and fixing them using an adhesive agent.例文帳に追加

薄い鋼板を積層した積層鋼板６により構成される回転電機の鉄心構造において、前記薄い鋼板を積層した積層鋼板６の両端に、複数枚の前記薄い鋼板を接着剤を用いて積層固定した押さえ部材１８，１８を用い、前記積層鋼板を圧縮固定した。 - 特許庁

To provide a technique for materializing a polycrystalline thin film having crystal structure capable of materializing high mobility as regards a positive hole carrier, by suppressing the grain boundary dispersion and lessening the surface irregularity in a cryogenic poly-Si thin film to serve as the element material of a thin film transistor, so as to materialize an image display of high performance and large area at low cost.例文帳に追加

高性能で大面積の画像表示装置を低コストで実現するため、薄膜トランジスタの素子材となる低温poly-Si薄膜において粒界散乱を抑制し、表面凹凸を小さくし、正孔キャリアについても高移動度が実現できる結晶構造を持つ多結晶薄膜を実現する技術を提供する。 - 特許庁

In this structure, a plurality of latching round bars is put and fixed in a line between upper and lower flange portions of a thin-shaped hooking member body and connected with a thin-shaped latching auxiliary member including key grooves, whereby a new technique capable of making the opening part usable as a thin-shaped slit member is provided.例文帳に追加

上記課題は、薄型形状掛留用部材本体の上下フランジ部分に複数の掛留用丸棒を一列に挟み込み固定させ、鍵型溝で構成された薄型形状掛留用補助部材との結合により開口部を薄型形状スリット部材として対応できる類を見ない画期的手法を提供すること。 - 特許庁

The etching stop layer 15 has a quantum well structure in which a first thin film 15A of p-GaInP and a second thin film 15B of p-AlGaInP are cyclically laminated, with the composition ratio of aluminum in the second thin film 15B being smaller than the intermediate cladding layer 14 and upper side cladding layer 16.例文帳に追加

エッチングストップ層１５は、ｐ−ＧａＩｎＰからなる第１の薄膜１５Ａとｐ−ＡｌＧａＩｎＰからなる第２の薄膜１５Ｂとが周期的に積層された量子井戸構造を有しており、第２の薄膜１５Ｂのアルミニウムの組成比は中間クラッド層１４及び上側クラッド層１６と比べて小さい。 - 特許庁

To prevent the waste of Se material when the semiconductor thin film, such as CIGS based thin film, is formed during manufacturing of a semiconductor thin film constituted in a chalcopyrite structure containing a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element comprising Se, and a photoelectric conversion device.例文帳に追加

Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＳｅを含むＶＩｂ族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜半導体薄膜の製造及び光電変換素子の製造に際し、ＣＩＧＳ系薄膜等の半導体薄膜の製膜過程におけるセレン原料の浪費を防止することを課題とする。 - 特許庁

Thin film estimating equipment is constituted of an operating part 5 containing a state quantity calculating means 51 and a stress calculating means 52 which calculates intrinsic stress of thin film material and a viscosity coefficient due to structure change, independently of the state quantity calculating means 51, and performs thin film estimation.例文帳に追加

状態量計算手段５１と、状態量計算手段５１とは独立に薄膜材料の真性応力と構造変化に伴う粘性係数を計算する応力計算手段５２とを含む演算部５を少なくとも具備して、薄膜評価装置を構成し、薄膜評価や半導体シミュレーションを行う。 - 特許庁

To provide a thin film transistor substrate having a structure in which a transparent conductive film and an electrode wiring film are directly connected to each other in a thin film transistor which can prevent pinhole corrosion without having steps of applying and peeling a coating material for corrosion prevention in the process of manufacturing the thin film transistor substrate.例文帳に追加

薄膜トランジスタにおいて透明導電膜と電極配線膜が直接接続する構造を有する薄膜トランジスタ基板であって、その製造工程において、腐食防止用塗料の塗布や剥離といった工程を設けることなく、ピンホール腐食を防止できるような薄膜トランジスタ基板を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film device that greatly reduces the manufacturing cost by reducing initial investment cost and running cost and increases throughput by forming some or all thin films of a thin film laminated structure used for a liquid crystal display substrate etc., without using a vacuum processing apparatus, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

液晶表示基板等に用いられる薄膜積層構造の一部または全部の薄膜を、真空処理装置を用いずに成膜して、初期投資コスト及びランニングコストの低減と共にスループットを高めて、製造コストを大幅に低減することができる薄膜デバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the system for testing the characteristics of the interface in between thin films by measuring the mechanical and thermal characteristics, the light from a laser 136 is absorbed into the thin films or a structure made of multiple thin films, and variations in the transmission or the reflection of which are measured and are analyzed by using an analyzer 134.例文帳に追加

機械的特性及び熱特性の測定による薄膜と薄膜間の界面との特性調査のためのシステムにおいて、レーザ１３６からの光は、薄膜や、複数の薄膜で作製された構造物に吸収され、光の透過あるいは反射の変化が測定されて、解析器１３４を使用して分析される。 - 特許庁

To provide a mold for a thin plate molded article, which allows gate-cutting with an simple mold structure and making development of dragging very hard, wherein the mold for a thin plate molded article molds the thin plate molded article by injection compression molding in a cavity formed between a mold half and another mold half.例文帳に追加

射出圧縮成形により一方の金型と他方の金型の間で形成されるキャビティ内で薄板成形品の成形を行う薄板成形品の成形金型において、簡単な金型構造によりゲートカットが可能であり、カジリが極めて発生しにくくすることが可能な薄板成形品の成形金型を提供する。 - 特許庁

To provide an oxygen ion-permeable membrane structure body causing the crack by the difference of thermal expansion of a substrate and a thin film, with little leak of gas other than oxygen and higher oxygen penetrability even when the oxygen ion-permeable film structure body in which the thin membrane is formed on a porous oxide substrate receives high temperature heating.例文帳に追加

多孔質の酸化物基板上に薄膜を形成した酸素イオン透過膜構造体が高温の加熱を受けた場合でも、基板と薄膜との熱膨張差によるクラックの発生が無く、また酸素以外のガスのリークが少なく、さらに高い酸素透過能を有する酸素イオン透過膜構造体を得る。 - 特許庁

This flow sensor has structure provided with a heater and a plurality of temperature sensor arrays arrayed so as to surround the heater, on a thin film separated thermally from a substrate via a cavity part, or structure with the thin film, having the heater and the plurality of temperature sensor arrays arrayed spatially separated to detect only the omnidirectional variations of the fluid.例文帳に追加

基板から空洞部を介して熱分離した薄膜に、ヒータとそのヒータを取り囲むように配列した複数個の温度センサアレイを具備した構造、又は、ヒータと複数個の温度センサアレイを有する薄膜を空間的に分離して全方位からの流体の変化量のみを検知する構造とすること。 - 特許庁

In the plasmon excitation sensor, a metal thin film is formed on a surface of a transparent dielectric substrate, and the porous dielectric layer having a three-dimensional network skeleton structure and a three-dimensional network pore structure is formed on a surface of the metal thin film, and a ligand is bound to the porous dielectric layer.例文帳に追加

本発明のプラズモン励起センサは、透明誘電体基板の表面に金属薄膜が形成され、該金属薄膜の表面に、三次元網目状の骨格構造と三次元網目状の孔構造とを有する多孔質誘電体層が形成された構造を有し、且つ該多孔質誘電体層にリガンドが結合している。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor that can enhance characteristics of a thin-film transistor and keep high performance even if the number of photo-masking steps is reduced by eliminating a metal-insulator-semiconductor structure (MIS structure) formed in an accumulation capacity part so as to stabilize values of a capacitor, and to provide a display device using the same.例文帳に追加

薄膜トランジスタの特性を良好にすると同時に、蓄積容量部に形成される金属−絶縁体−半導体構造（ＭＩＳ構造）を解消しキャパシタの値を安定化させることで、フォトマスク工程数を削減しても高い性能を維持できる薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a contact structure of wiring which is composed of a low-resistance material and which has excellent contact characteristics and a method of forming the same, and a thin-film transistor substrate containing the contact structure of wiring having the excellent contact characteristics and a method of manufacturing it to simplify the method of manufacturing the thin-film transistor substrate.例文帳に追加

低抵抗物質からなると同時に優れた接触特性を有する配線の接触構造及びその形成方法及び優れた接触特性を有する配線の接触構造を含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を製造する方法を提供し、薄膜トランジスタ基板の製造方法を単純化する。 - 特許庁

An RFID unit is so constituted that it has the first and the second thin-plate-shaped RFID tags formed flexible in a ball-shaped structure, and that the first and the second thin-plate-shaped RFID tags are orthogonally aligned with each other on the spherical surface of the ball-shaped structure.例文帳に追加

そして、ＲＦＩＤユニットとしては、例えば、屈曲可能に形成された第１及び第２の薄板状のＲＦＩＤタグと、ボール状構造体とで構成し、前記第１及び第２の薄板状のＲＦＩＤタグが前記ボール状構造体の球面上で直交方向に配置された構造とする。 - 特許庁

The gas barrier layer 10 is formed of the layer structure having one or more clay thin-film layers 6 each having a structure containing clay as a main constituent and formed by orienting and stacking clay particles, and one or more inorganic thin-film layers 5 each containing, as a main constituent, an inorganic component containing at least either of silicon and aluminum.例文帳に追加

このガスバリア層１０は、粘土を主要成分とし且つ粘土粒子が配向して積層した構造を有する粘土薄膜層６と、シリコン及びアルミニウムの少なくとも一方を含む無機化合物を主要成分とする無機薄膜層５と、をそれぞれ１層以上有する層構造体からなる。 - 特許庁

In the forming method, when a texture structure of a conductive thin film 4 is formed, Ag containing aluminum is used and a vacuum deposition process is used to form the film in an atmosphere containing nitrogen, thereby forming the conductive thin film having the texture structure using a difference in reactivity between aluminum and Ag.例文帳に追加

導電性薄膜４のテクスチャー構造を形成するに当たり、アルミニウムを含有したＡｇを原材料として用い、かつ真空成膜プロセスを使用し、窒素を含有する雰囲気下で成膜することにより、アルミニウムとＡｇとの反応性の違いを利用してテクスチャー構造を有する導電性薄膜を形成する方法である。 - 特許庁

A thin film layer which is formed of salt of aminopolycarboxylic acid metal complex and amine or salt of aminopolycarboxylic acid metal salt and amine which can be derived to the same crystal structure as a piezoelectric is formed on a substrate, and a vibration part is constituted and manufactured to have a structure wherein a substrate and a piezoelectric layer are joined through the thin film layer.例文帳に追加

基板上に圧電体と同じ結晶構造に誘導できるアミノポリカルボン酸金属錯体とアミンとの塩またはアミノポリカルボン酸金属塩とアミンとの塩から生成した薄膜層を形成し、その薄膜層を介して基板と圧電体層を接合した構造を備えた振動部分の構成、ならびに製法とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor-sealing epoxy resin composition which causes a small package warpage after reflow in component mounting subsequent to molding with an LOC structure thin semiconductor package at least 50% of which is occupied by the constituent semiconductor element and is excellent in solder reflow resistance when used in various thin semiconductor devices of LOC structure, non-LOC structure, and non-LOC window pad structures for memories.例文帳に追加

本発明は、半導体素子の占有率が５０％以下であるＬＯＣ構造の薄型半導体パッケージで成形後、実装時におけるリフロー後のパッケージの反り量が小さく、メモリー用のＬＯＣ構造、非ＬＯＣ構造、非ＬＯＣウインドウパッド構造といった各種薄型半導体装置で耐半田リフロー性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

The deposited fiber structure wherein a deposited thin film containing a metal and/or an inorganic substance is laminated to at least one portion of the surface of the fiber is characterized in that the deposited thin film is laminated to the fiber structure through an intermediate agent containing at least an oxidized silicone-based resin and a melamine-based resin, and the deposited thin film is covered with a resin layer.例文帳に追加

金属および／または無機物を含有する蒸着薄膜が繊維表面の少なくとも一部に積層されてなる繊維構造物において、該蒸着薄膜が酸化されたシリコーン系樹脂とメラミン系樹脂を少なくとも含む中間剤を介して繊維構造物に積層されてなり、かつ、該蒸着薄膜が樹脂層で被覆されていることを特徴とする蒸着繊維構造物。 - 特許庁

This ruthenium-containing thin film is produced by using the (2,4-dimethylpentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)ruthenium containing ≤5 wt.% compound having the resembling structure as a raw material, which is obtained by separating the compound having the resembling structure from the (2,4-dimethylpentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)ruthenium containing the compound having the resembling structure.例文帳に追加

類縁構造化合物を含有する（２，４−ジメチルペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムから、類縁構造化合物を分離することにより、５重量％以下の類縁構造化合物を含有する（２，４−ジメチルペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムを得て、それを原料として用いて薄膜を製造する。 - 特許庁

The needle shape body includes: a substrate; a plurality of projections formed on the surface of the substrate; a beam structure formed on the rear surface of the substrate; openings being spaces surrounded by the beam structure; and thin film parts being the substrate of parts surrounded by the beam structure.例文帳に追加

本発明は、基板と、前記基板の表面に形成された複数の突起部と、前記基板の裏面に形成された梁構造部と、前記梁構造部により囲われた空間である開口部と、前記梁構造部により囲われた部位の基板である薄膜部と、を備える。 - 特許庁

According to the method, the gap at the joint 4 is blocked on the rear side of the blocks 1, and therefore the joint 4 can be effectively repaired even if the method is applied to a revetment structure having only a thin wall thickness like the L-shaped block 1 or a revetment structure having a wave absorbing section of a permeable structure on a front surface.例文帳に追加

ブロック１の背面側から目地４の隙間を塞ぐので、Ｌ字形ブロック１のように壁厚の薄い護岸構造体を対象にしても、あるいは前面に透過構造の消波部を有する護岸構造体を対象にしても、効果的に目地４の補修を行うことができる。 - 特許庁