「w. p.」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A position of the fixing part 30 through which the recording material P at a first-round passes and a position of the fixing part 30 through which the recording material P at a second-round passes following the circulation conveyance part 40 are made different by shifting the position to the width direction W orthogonal to a conveyance direction S of the recording material P.例文帳に追加

１巡目の記録材Ｐが前記定着部３０を通過する位置と、前記循環搬送部４０を経由した２巡目の記録材Ｐが前記定着部３０を通過する位置とを、記録材Ｐの搬送方向Ｓと直交する幅方向Ｗにずらして異ならせる。 - 特許庁

Whether a reflection point P exist on a wall surface W is determined by the order of vertexes a_j which prescribe the wall surface W made of polygons, their three-dimensional coordinates and the three-dimensional coordinates of the reflection point P that is on the reflection path and obtained by the virtual imaging method.例文帳に追加

多角形からなる壁面Ｗを規定する各頂点ａ_ｊの順序及び三次元座標、並びに、上記壁面Ｗを含む平面上にあり、虚像法により求められる反射経路上の反射点Ｐの三次元座標に基づいて、上記反射点Ｐが上記壁面Ｗ上に存在するか否かを判別する。 - 特許庁

In a sputtering film deposition apparatus which deposits a film while swinging a magnet 24 nearly parallel to the surface of the target 18, the film is deposited under such a condition that the ratio P/V of sputtering power density P (W/cm^2) to the average swing speed V (cm/s) of the magnet 24 is ≥0.2 (W×s/cm^3).例文帳に追加

ターゲット１８表面に略平行にマグネット２４を揺動させつつ成膜を行うスパッタリング成膜装置において、スパッタリング電力密度Ｐ（ワット／平方センチメートル）と、マグネット２４の平均揺動速度Ｖ（センチメートル／秒）の比Ｐ／Ｖが０．２（ワット・秒／立方センチメートル）以上となる条件で成膜する。 - 特許庁

In a learning phase, based on a temporal co-occurrence relation between a set of stay action data created based on a user's past position data and scheduler data, the probability p (c|w) that a stay place and a schedule content overlap temporally is learned, and the result is stored as modeling information of the co-occurrence relation.例文帳に追加

学習フェーズにおいて、ユーザの過去の位置データをもとに生成される滞在行動データの集合とスケジューラデータとの間の時間的な共起関係をもとに、滞在場所とスケジュール内容とが時間的に重なり合う確率p(c|w) を学習し、その結果を共起関係のモデル化情報として記憶する。 - 特許庁

The ATM network element selects the UTOPIA address (UA2) for the function side transmission concentrated sub layer entity (TCS-W) and the protection side transmission concentrated sub layer entity (TCS-P) for transmission so long as an error message indicating a defect in the transmission concentrated sub layer sub network connection is not received and combines data entered to the network element via both the entities.例文帳に追加

ＡＴＭネットワーク要素は、ＴＣＳ ＳＮＣにおける欠陥を指示するエラーメッセージが受信されない限り、機能側送信集中サブレイヤエンティティ(TCS-W)あるいは保護側送信集中サブレイヤエンティティ(TCS-P)のＵＴＯＰＩＡアドレス(UA2)を送信のために選択し、更に、両エンティティを経てネットワーク要素に入るデータを合体する。 - 特許庁

For the mercury-free arc tube sealing in at least main light-emission metal halide and rare gas inside a compact airtight glass bulb 12 with electrodes 15a, 15b set in opposition, a clearness index value P^2×W/ρ predetermined by a sealing density ρ of the metal halide, sealing pressure P of the rare gas, and the maximum input power W is to be 800 or more.例文帳に追加

電極15a,15bを対設したコンパクトな密閉ガラス球12内に少なくとも主発光用金属ハロゲン化物と希ガスを封入した水銀フリーアークチューブで、金属ハロゲン化物の封入密度ρ，希ガスの封入圧力Ｐ，最大投入電力Ｗで特定する「晴れ性指標値Ｐ^２・Ｗ／ρ」を800以上にした。 - 特許庁

This hood 10 is disposed at a mouth frame part 120 of a golf bag body 100, protects the entire part of golf clubs W, I, P, etc. housed in the golf bag body 100 and is formed with block parts for dividing the plural golf clubs W, I, P, etc. housed in the golf bag body 100 to desired groups and separately classifying these clubs.例文帳に追加

ゴルフバッグ本体１００の口枠部１２０に配設され、ゴルフバッグ本体１００に収納されるゴルフクラブＷ，Ｉ，Ｐ等全体を保護するフード１０であって、ゴルフバッグ本体１００に収納される複数のゴルフクラブＷ，Ｉ，Ｐ等を所望のグループに分けて別々に区分する区画部が形成される。 - 特許庁

A ratio W/P of a width W of the low refractive index material 3 formed in a projecting shape to a period P is set to be 0.5 and the refractive indices and grating depths (thicknesses) of the low refractive index material 3 and the high refractive index material 4 are suitably set.例文帳に追加

そして、凸部状に形成されている低屈折率材料３の幅Ｗと周期Ｐとの比Ｗ／Ｐを０．５に設定すると共に、低屈折率材料３と高屈折率材料４の屈折率、及び低屈折率材料３と高屈折率材料４との格子深さ（厚さ）を適宜設定するようにしている。 - 特許庁

The punch press 1 is equipped with a punch P and die D for performing press on a planar workpiece W, a striker 3 for freely striking and pressurizing the punch P, and a working fluid supply device for feeding so as to jet the working fluid to a guide hole in the punch P when the punch P is struck and pressurized by the striker 3.例文帳に追加

パンチプレス１は、板状のワークＷにプレス加工を行うためのパンチＰ及びダイＤが備えられ、前記パンチＰを打圧自在のストライカ３が備えられ、かつ前記ストライカ３によるパンチＰの打圧時に、当該パンチＰに備えた導入孔へ作動流体を噴出供給する作動流体供給装置が備えられている。 - 特許庁

The solid component concentration y and the ash concentration w are obtained from y=ax+b and w=sp+q by using gain values (a) and p and bias values b and q, previously obtained based on relationship between the diluted samples and samples to be collected.例文帳に追加

希釈試料と採取されることになる試料との関係で予め求められたゲイン値ａ、ｐとバイアス値ｂ、ｑとから、ｙ＝ａｘ＋ｂ、ｗ＝ｓｐ＋ｑより、試料の固形成分濃度ｙと灰分濃度ｗを求める。 - 特許庁

The ratio Rsch of a region on a Schottky junction 7 to a region of an anode electrode 1, the cell pitch W, the diffusion depth Xj of a p+ anode layer 2 meet a relation W<K(Xj/Rsch) with K set to 5 or less.例文帳に追加

ショットキー接合部７の領域のアノード電極１の領域に対する割合Ｒsch と、セルピッチＷと、Ｐ^+ アノード層２の拡散深さＸJ の関係を、Ｗ＜Ｋ（Ｘj ／Ｒsch ）を満足させながら、Ｋの値を５以下とする。 - 特許庁

The relative motion to the forward and rear rollers 33F and 33R is given to the work W under the preload, and the work W is bent in the cooperation of the punch P, the die D and the forward and rear rollers 33F and 33R.例文帳に追加

上記のプリロードをかけたままのワークＷに前後のローラ３３Ｆ，３３Ｒに対する相対運動が与えられてパンチＰ、ダイＤ、前後のローラ３３Ｆ，３３Ｒとの協働によりワークＷの曲げ加工が行われる。 - 特許庁

Thus a portion of the window frame W, that is visible from inside a room is covered with the covering tape P in a manner being decorated with the same, and reformed in the same manner as a reformed portion other than the window frame W, such as a room wall.例文帳に追加

これによって、窓枠Ｗの室内から見える部分は、この被覆テープＰに覆われて化粧がされたものとなって、室内壁等の窓枠Ｗ以外のリフォーム部分と同じようにリフォームされたものとなる。 - 特許庁

A path establishing means 13 establishes a loop-like backup path P, which includes a part or the whole of a transmission line where a working path W is established and which causes the flow of the communication information on the working path W to flow in reverse direction.例文帳に追加

パス確立手段１３は、現用パスＷが確立している伝送路の一部または全体を含み、かつ現用パスＷ上の通信情報の流れが逆方向の流れになるような、ループ状の予備パスＰを確立する。 - 特許庁

In an accumulation part 17, the whole row of dividedly packed products W where the sets W1 of dividedly packed products are accumulated by the prescribed number or the accumulation part 17 remains in an empty condition with the dividedly packed product W not accumulated are together fed into a following process P.例文帳に追加

これによって集積部１７では、規定の集積枚数で集積された分包品組Ｗ１あるいは分包品Ｗが集積されない空の状態のまま、全列を一括して後工程Ｐに送給する。 - 特許庁

The device 10 for removing the stuck material on the surface of a flexible supporting body is provided with a blade 11 for scraping the stuck material P on the surface of the web W with a solvent by pressing to the web W coated with the solvent S.例文帳に追加

本発明の可撓性支持体の表面付着物除去装置１０は、溶剤Ｓを塗着されたウエブＷに押しつけて、ウエブＷ表面の付着物Ｐを溶剤もろとも掻き落とすブレード１１を備えている。 - 特許庁

The turret punch press 1 is equipped with a marking die (punch side) P for marking on one of surfaces of the workpiece W and a marking die (die side) D for marking on the other surface of the workpiece W on turret disks 7 and 9.例文帳に追加

タレットパンチプレス１にはワークＷの一方の面にマーキングを行うためのマーキング金型（パンチ側）Ｐと、ワークＷの他方の面にマーキングを行うためのマーキング金型（ダイ側）Ｄとがタレットディスク７、９に配置されている。 - 特許庁

The projected area of the super-abrasive grains D occupies more than 5% and less than 55% of the surface area of a core wire W of the super-abrasive grain wire saw P where the super-abrasive grains D are fixed on the core wire W by the bonding material R.例文帳に追加

芯線Ｗの表面に超砥粒Ｄが結合材Ｒで固着された超砥粒ワイヤソーＰにおいて、超砥粒Ｄの投影面積が芯線Ｗの表面積に占める割合が５％以上５５％以下である。 - 特許庁

When phase control is performed using a time point with a lapse of time T_ON after a rising edge of a zero crossing signal P as a zero cross point as the pulse width W of the zero crossing signal P becomes larger, the time T_ON is made longer.例文帳に追加

ゼロクロス信号Ｐの立ち上がりエッジから時間Ｔ_ＯＮが経過した時点をゼロクロスポイントとして位相制御を行うようになっている場合、ゼロクロス信Ｐのパルス幅Ｗが大きくなるほど、時間Ｔ_ＯＮを長くする。 - 特許庁

An engine E is connected to the sun gear of a planetary gear mechanism P via the toroidal continuously variable transmission T and a driving wheel W is connected to the ring gear of the planetary gear mechanism P, with the sun gear and the ring gear connected to each other by a first clutch C1.例文帳に追加

エンジンＥをトロイダル型無段変速機Ｔを介して遊星歯車機構Ｐのサンギヤに接続し、駆動輪Ｗを遊星歯車機構Ｐのリングギヤに接続し、サンギヤおよびリングギヤを第１クラッチＣ１で接続する。 - 特許庁

On a wafer W where a plurality of pads P are formed, a conductor pattern 14 that is continuous to the pad P at one end is formed, and a bump B used as a connecting point at the other end of the conductor pattern 14 is connected to a connecting terminal used as a substrate.例文帳に追加

複数のパッドＰが形成されたウエハＷ上に、パッドＰと一端で導通する導体パターン１４を形成し、導体パターン１４の他端にある接続点としてのバンプＢと、基板としての接続端子を接続する。 - 特許庁

The operation processing part 6 analyzes the measurement program and, when the operation command of the probe P indicates a skip function, determines whether or not workpiece W and the probe P are in contact with each other in a display screen of the display device 3.例文帳に追加

演算制御部６は、計測プログラムを解析し、プローブＰの動作指令がスキップ機能を指令するものであるときには、ワークＷとプローブＰとが表示装置３の表示画面中で接触したか否かを判断する。 - 特許庁

A developer D and pure water P are supplied from a developer nozzle 33 and a pure water nozzle 40 to the center portion of a wafer W respectively, and a mixed liquid of the developer D and pure water P is spread over the entire surface of the wafer (Fig.4(a)).例文帳に追加

現像液ノズル３３と純水ノズル４０からウェハＷの中心部に現像液Ｄと純水Ｐをそれぞれ供給し、現像液Ｄと純水Ｐの混合液ＣをウェハＷ全面に拡散させる（図４（ａ））。 - 特許庁

An engine E is connected to a sun gear of a planetary gear mechanism P through a toroidal-type continuously variable transmission T, a driving wheel W is connected to a ring gear of the planetary gear mechanism P, and the sun gear and the ring gear are connected by a first clutch C1.例文帳に追加

エンジンＥをトロイダル型無段変速機Ｔを介して遊星歯車機構Ｐのサンギヤに接続し、駆動輪Ｗを遊星歯車機構Ｐのリングギヤに接続し、サンギヤおよびリングギヤを第１クラッチＣ１で接続する。 - 特許庁

The upper part of the p-type clad layer 22 and the p-type cap layer 24 are formed as a ridge-shaped wide stripe having a stripe width w of 100 mm, and current non-injection regions 26 are formed on both the sides of the ridge-shaped wide stripe.例文帳に追加

ｐ型クラッド層２２の上部及びｐ型キャップ層２４は、ストライプ幅Ｗが１００μｍのリッジ状ワイドストライプとして形成され、リッジ状ワイドストライプの両側は電流非注入領域２６となっている。 - 特許庁

A tubular part 10 of a connector body 1 to be inserted into a supply pipe P of a liquid W is gradually tapered in the inner diameter toward the tubular tip end 10a in the insertion side into the supply pipe P.例文帳に追加

液体Ｗの供給管Ｐに入れ込まれるコネクタ体１の管状部分１０は供給管Ｐへの入れ込み先側となる管先端１０ａに向かうに連れて次第に内径を狭めるように構成されている。 - 特許庁

A ratio P/Q of high frequency power P (W) required to form the silicon nitride film to total gas flow Q (sccm) of the silane gas, the ammonia gas and the nitrogen gas is in a range of from 0.4 to 40.例文帳に追加

窒化シリコン膜の成膜に要する高周波電力をＰ（Ｗ）とし、シランガス、アンモニアガスおよび窒素ガスの総流量をＱ（ｓｃｃｍ）とするとき、高周波電力とガスの総流量との比Ｐ／Ｑが０．４〜４０である。 - 特許庁

In incinerating the high polymer wastes P accommodated in an incinerator 2, water W is accommodated in the incinerator 2 and a portion Pp of the wastes P is exposed from a water surface Lw for incineration.例文帳に追加

焼却炉２に収容した高分子廃棄物Ｐを焼却するに際し、焼却炉２の内部に水Ｗを収容することにより、高分子廃棄物Ｐの一部Ｐｐを水面Ｌｗから露出させて焼却を行うようにした。 - 特許庁

After a reformed area P is formed in the wafer W mounted on a frame F with a tape T interposed, the tape T is shrunk by exposing the wafer W to plasma to expand the wafer W, and the cut surface of a dicing street divided by the expanding is etched.例文帳に追加

テープＴを介してフレームＦにマウントされたウェーハＷ内部へ改質領域Ｐを形成した後にウェーハＷをプラズマ内にを暴露することにより、テープＴを収縮させてウェーハＷをエキスパンドするとともに、エキスパンドされることにより割断されたダイシングストリートの割断面をエッチングする。 - 特許庁

The molding W after drying is sent from the conveyor 5 to a finishing machine 7 by the mechanism 6, and the finished product P is taken out to a delivery conveyor 9 by a taking- out mechanism 8.例文帳に追加

乾燥後の成形品Ｗをトランスファー機構６で第２コンベア５から仕上機７に送り、仕上後の製品Ｐを取出機構８で搬出コンベア９に取り出す。 - 特許庁

A coordinate of outside needle is computed by the formulas Y=P×I, X=Y×C/D-B/2+W, T=0 (S41), and is stored in the seam data memory RAM (S42).例文帳に追加

また、外針の座標については、Ｙ＝Ｐ×Ｉ、Ｘ＝Ｙ×Ｃ／Ｄ−Ｂ／２＋Ｗ、Ｔ＝０により演算で求められ（Ｓ41）、ＲＡＭの縫目データメモリに記憶される（Ｓ42）。 - 特許庁

The threshold current I_th of the fusing wire 13 satisfies a condition of 0.02P≤I_th≤0.02P+2 when it is assumed that the rated lamp power is P(W).例文帳に追加

また、この溶断線１３のしきい値電流Ｉ_ｔｈは、定格ランプ電力をＰ（Ｗ）としたときに、０．０２Ｐ≦Ｉ_ｔｈ≦０．０２Ｐ＋２の条件を満たすものとする。 - 特許庁

The skew angle θ of the recording paper P is specified based on the relation between the interval W between "the first end position" and "the second end position" in the scanning direction X and the arbitrary conveyance amount L.例文帳に追加

「第１端部位置」と「第２端部位置」との主走査方向Ｘの間隔Ｗと、任意搬送量Ｌとの関係から、記録紙Ｐのスキュー角度θを特定する。 - 特許庁

A chamfering process is carried out to position the center P in the thickness direction of the peripheral edge of a wafer W at the center M of the grinding groove 110 of an outer periphery grinding wheel 108 constantly.例文帳に追加

ウェーハＷの周縁の厚さ方向の中心Ｐが、常に外周研削砥石１０８の研削溝１１０の中央Ｍに位置するように面取り加工する。 - 特許庁

The discriminant is y=a_1+a_2*IM-a_3*IM/W+a_4*δ(T)-a_5*δ(T)+a_6*P(T), for example, and the predetermined conditions is a formula (a, y≤k).例文帳に追加

前記判別式は、例えば、ｙ＝ａ_1＋ａ_2・ＩＭ−ａ_3・ＩＭ／Ｗ＋ａ_4・δ（Ｔ）−ａ_5・δ（Ｔ）／Ｗ＋ａ_6・Ｐ（Ｔ）であり、所定の条件は、式（ａ、ｙ≦ｋ）である。 - 特許庁

A plurality of measuring points m1-m10 scattered in the width direction W of the printing paper P are set so as to acquire image pickup data from each of the measuring points m1-m10.例文帳に追加

印刷用紙Ｐの幅方向Ｗに散在する複数の測定点ｍ１乃至ｍ１０を設定し、各測定点ｍ１乃至ｍ１０からの撮像データを取得する。 - 特許庁

The weight W changes a vibration frequency of the top ceiling 1 to reduce a booming noise inside the cabin resultingly, because a phase difference is generated with respect to vibration in the roof panel P.例文帳に追加

ウエイトＷはトップシーリング１の振動周波数を変化させ、その結果、ルーフパネルＰの振動とに位相差が生じるため、車室内のこもり音を低減できる。 - 特許庁

A vertical load W is estimated based on the estimated deflection D of the tire and the tire pressure P detected by each corresponding tire sensor (S7).例文帳に追加

その推定されたタイヤのたわみＤと、対応する各タイヤ圧センサで検出されたタイヤ圧Ｐとに基づき、車輪荷重としての接地荷重Ｗを推定する（Ｓ７）。 - 特許庁

The sputtering power source 3 supplies electric power of ≥5 W/cm^2 to the target 2, and the sputtering particles are ionized in a plasma P formed only by the electric power.例文帳に追加

スパッタ電源３は５Ｗ／ｃｍ^２ 以上の電力をターゲット２に投入し、この電力のみで形成されたプラズマＰ中でスパッタ粒子がイオン化する。 - 特許庁

Thus, the resin wax layer 20 having been applied to the silicon wafer W with an even thickness enters a gap between pins p in the pin structure area b of the carrier plate 14.例文帳に追加

これにより、シリコンウェーハＷに均等な厚さで塗布されたレジンワックス層２０は、キャリアプレート１４のピン構造領域ｂにおいてピンｐとピンｐとの隙間に入り込む。 - 特許庁

The molded articles W after the secondary drying are forwarded to a finishing machine 8 by means of a transfer mechanism 7 and the products P after finishing are taken out on a carrying-out conveyor 10 by means of a taking-out mechanism 9.例文帳に追加

二次乾燥後の成形品Ｗを移載機構７で仕上機８に送り、仕上後の製品Ｐを取出機構９で搬出コンベア１０に取り出す。 - 特許庁

A plurality of thresholds are set on a distribution of reflected light by a CCD line sensor part, and a distance counter value P and a width counter value W are acquired based on each threshold respectively.例文帳に追加

ＣＣＤラインセンサ部による反射光の分布に複数の閾値を設定し、各閾値のそれぞれに基づき距離カウンタ値Ｐと幅カウンタ値Ｗを取得する。 - 特許庁

The work cleaning apparatus 1 is equipped with the cleaning head 21 coming into contact with the flat surface P of the work W and a head transfer mechanism 20 for holding the cleaning head 21 in a freely movable manner.例文帳に追加

ワーク清掃装置１はワークＷの平坦面Ｐに当接する清掃ヘッド２１と、清掃ヘッド２１を移動自在に保持するヘッド移送機構２０とを備えている。 - 特許庁

The supply source which supplies modulation frequencies for transmission to orthogonal modulation parts 23 (G, D, P, W) is a common image removal mixer part 56 for transmission.例文帳に追加

複数の直交変調部２３（Ｇ、Ｄ、Ｐ、Ｗ）に送信用変調周波数を供給する供給元は、共通の送信用イメージ除去ミキサ部５６である。 - 特許庁

Then the substrate is baked to fuse low-melting-point metal on a surface of the wire CW, so that the wire is fixed to the substrate W and the conductive paste P is baked.例文帳に追加

その後、基板をベーク処理することにより、ワイヤＣＷ表面の低融点金属が融解して基板Ｗに固着するとともに、導電性ペーストＰが焼成される。 - 特許庁