「w. p.」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The layered-piling instruction means 24 gives instruction to pile up the article on the pallet P to form an article layer R which is a layer having the article W in the group arranged in a plane.例文帳に追加

層状積付け指示手段２４は、グループ内の物品について、物品Ｗの平面的に配列された層である物品層Ｒが形成されるようにパレットＰへの物品の積付けを指示する手段である。 - 特許庁

The silicon epitaxial wafer W is produced by forming a silicon epitaxial layer 2 on the major surface 11 of a lightly doped p^- type or n^- type silicon single crystal substrate 1 having a resistivity of 0.02 Ωcm or above.例文帳に追加

シリコンエピタキシャルウェーハＷは、抵抗率が０．０２Ω・ｃｍよりも高いｐ^−型又はｎ^−型の低ドープのシリコン単結晶基板１の主表面１１にシリコンエピタキシャル層２が形成されたものである。 - 特許庁

In particular, when the user coordinate system Cu is set according to the shape of the work W mounted to the positioner P (or a manipulator other than the manipulator M), the coordinate values of the positions of the characteristic points are stored as work coordinate values.例文帳に追加

特に、ユーザ座標系Ｃｕを、ポジショナＰ（またはマニピュレータＭとは別のマニピュレータ）に搭載されたワークＷの形状に応じて設定するときは、特徴点の位置座標値をワーク座標値で記憶する。 - 特許庁

A tapered angle is set so that a convergence point P on an extension of the tapered surface 9d agrees with an intersection of an axis of the contact arm 9 and an abutment end face of the contact arm 9 to the nailing material W.例文帳に追加

そして、テーパー面９ｄの延長上の収束点Ｐが、コンタクトアーム９の軸線と、コンタクトアーム９の釘打ち込み材Ｗに対する当接端面との交点に一致するようにテーパー角を設定した。 - 特許庁

In the metal plate feeding mechanism 11, the metal plate W is fed in the metal plate feeding direction approaching and separating from the working position P by being guided with guide rails 18 supported on the frames 31.例文帳に追加

板材送り機構１１は、前記フレーム３１に支持されたガイドレール１８により案内されて、板材Ｗを加工位置Ｐに対して近づく方向および離れる方向である板材送り方向に送る。 - 特許庁

In such a case, the plurality of the heating units 12 are arranged so that the heat ray from each heating unit 12 ranges on the same straight line to collect heat to heat a part P to be heated of the material W to be worked.例文帳に追加

この場合、各加熱ユニット１２からの熱線が略同一直線上にライン状に連なって集熱し、被加工物Ｗの被加熱部位Ｐを加熱するように、複数の加熱ユニット１２が配置されている。 - 特許庁

The distance W between the aperture sections 7c is 70 to 95% of the length H in the axial direction of the disposable diaper P, and the length of each aperture section 7c is 1/5 to 3/5 of the horizontal length of the front face 3.例文帳に追加

開き部７ｃ間の離間幅Ｗは、紙おむつＰの軸線方向長さＨに対して７０％〜９５％とされ、各開き部７ｃの長さは、前面３の水平長さの１／５〜３／５とされる。 - 特許庁

Support edges 7 for supporting a ground device P installed on an upper opening of the electrical cable common duct body 1 are provided on the right and left edges of the upper opening of the electrical cable common duct body 1 buried in the sidewalk zone W.例文帳に追加

歩道域Ｗ内に埋設する電線共同溝本体１における上部開口の左右縁に、この電線共同溝本体１の上部開口に設置する地上機器Ｐを支持する支持縁７を設ける。 - 特許庁

A device for paying out a workpiece W from a workpiece support part 3 of a working machine 2 to a predetermined discharge position P, comprises a turning arm 4 which can turn around a turning center axis O.例文帳に追加

この装置は、加工機械２のワーク支持部３から所定の排出位置ＰへワークＷを払い出す装置であって、ワーク支持部３から排出位置Ｐまで、旋回軸心Ｏ回りに旋回可能な旋回アーム４を備える。 - 特許庁

The tip end 14a of the contact chip 14 is covered with the plume shielding plate 18 so as to prevent at least the tip end 14a thereof from being applied with a large amount of plume P resulted from heating of the work W by the heating source.例文帳に追加

加熱源によるワークＷの加熱によって発生したプルームＰを少なくともコンタクトチップ１４の先端１４ａが大量に浴びないように、該先端１４ａがプルーム遮蔽板１８によって覆われる。 - 特許庁

A wafer W on which needle-like projections T are generated on a surface side bevel part and a complex compound P adheres to a rear face side bevel part by being exposed in an etching process is placed on a rotary stage in a vacuum chamber.例文帳に追加

エッチング工程にて曝されて表面側ベベル部に針状突起群Ｔが生成され、また裏面側のベベル部に複合化合物Ｐが付着したウエハＷを真空室内の回転ステージに載置する。 - 特許庁

Next, it is possible to allot route-indicating values (W) which start from a destination(DEST) and only increase or decrease as the distance from the destination(DEST) is increased to the route indicating points (P).例文帳に追加

次に行き先（ＤＥＳＴ）から始まって、前記行き先（ＤＥＳＴ）からの距離が大きくなるにつれて増大、または減少しかしない経路指示値（Ｗ）を経路指示ポイントにＰ）に割当てることができる。 - 特許庁

When feeding a ream stack W of the flat paper P manufactured by the cutting of a cutter device 1 to a flat paper packaging machine 2, the feeding is performed by being imparted only a necessary defect mark N without imparted with a ream mark M.例文帳に追加

カッター装置１により断裁されて製造された平判紙Ｐのリーム山Ｗを平判包装機２へ供給する際に、リームマークＭを付与せず、必要な欠陥マークＮのみを付与して供給する。 - 特許庁

The marking die (punch side) P and the marking die (die side) D have a pen inside respectively and bring the nib into contact with the workpiece W by a means for moving the pen up and down for marking.例文帳に追加

前記マーキング金型（パンチ側）Ｐと、前記マーキング金型（ダイ側）Ｄとは内部にそれぞれペンを有し、前記ペンを上下方向に移動させる手段によりペン先をワークＷに接触させマーキングを行う。 - 特許庁

Before photoelectromotive force is measured, ozone water 14 is brought into contact with the surface, except for the main rear face of a silicon epitaxial wafer W, and an oxide film wherein positive charges are charged is formed on a surface of the p-type silicon epitaxial layer 16.例文帳に追加

光起電力を測定する前に、シリコンエピタキシャルウェーハＷの主裏面を除く表面にオゾン水１４を接触させ、ｐ型シリコンエピタキシャル層１６の表面に正電荷が帯電した酸化膜を形成する。 - 特許庁

Reduction in the ON resistance of the pin diode 1 can be realized by forming the p+ type diffusion layer 5 and the n+ type diffusion layer 6 such that the interval W therebetween is shortened.例文帳に追加

また、ｐ^+型拡散層５とｎ^+型拡散層６との間隔Ｗが小さくなるようにｐ^+型拡散層５およびｎ^+型拡散層６を形成することによりｐｉｎダイオード１の低オン抵抗化を実現する。 - 特許庁

In the remote plasma CVD device 1, a plasma generating region P is separated from a treatment substrate S so that the treatment substrate S is not exposed to plasma and also a mesh-type shield member 5 composed of a substance selected among Mo, Ti, W and WC is provided between the plasma generating region P and a substrate stage 3.例文帳に追加

リモートプラズマＣＶＤ装置１において、処理基板Ｓがプラズマに曝されないように、プラズマ発生領域Ｐと処理基板Ｓとを離間すると共に、プラズマ発生領域Ｐと基板ステージ３との間に、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ及びＷＣから選ばれた物質で構成されているメッシュ状の遮蔽部材５を設ける。 - 特許庁

In the formula (II), W is selected from a group consisting of hydrogen atom, B(P)(Q) group and CN group, wherein P and Q are independently OH or a group which is hydrolyzable to boronic acid or a group forming a 5- to 8-membered ring together with a boron atom added thereto which is hydrolyzable to boronic acid.例文帳に追加

（ここで、Ｗは、水素原子，Ｂ（Ｐ）（Ｑ）基、およびＣＮ基からなる群より選択され、ＰおよびＱは、独立してＯＨまたはボロン酸へと加水分解可能な基であるか、もしくは、それらに付加するホウ素原子とともに、ボロン酸へと加水分解可能な５〜８員環を形成するような基である） - 特許庁

The high strength thin steel sheet has a composition comprising, by mass, >0.06 to 0.1% C, ≤0.5% Si, ≤1.8% Mn, ≤0.03% P, ≤0.01%例文帳に追加

高強度薄鋼板は、質量％で、0.06％＜C≦0.1％、Si≦0.5％、Mn≦1.8％、P≦0.03％、S≦0.01％、Al≦0.1％、N≦0.006％、0.12％＜Ti≦0.20％、0.6％＜W≦1.5％を含有し、下記（I）・（II）式の関係を満たし、残部Feおよび不可避的不純物からなり、実質的にフェライト単相組織であり、平均粒径が10nm未満の炭化物が析出し、900MPa以上1100MPa以下の引張強度を有する。 - 特許庁

The high strength thin steel sheet has a composition comprising, by mass, ≤0.06% C, ≤0.5% Si, ≤1.8% Mn, ≤0.03% P, ≤0.01%例文帳に追加

高強度薄鋼板は、質量％で、C≦0.06％、Si≦0.5％、Mn≦1.8％、P≦0.03％、S≦0.01％、Al≦0.1％、N≦0.006％、0.05％≦Ti≦0.12％、0.3％≦W≦0.7％を含有し、かつ、下記(Ｉ)式と(II)式の関係を満たし、残部Feおよび不可避的不純物からなり、実質的にフェライト単相組織であり、平均粒径が10nm未満の炭化物が析出し、550MPa以上900MPa以下の引張強度を有する。 - 特許庁

The fluid jet apparatus is equipped with the line type jetting head 13 in which a plurality of nozzle openings 17 are arranged over a length of a width W or larger of an object P jetted with the fluid, and which jets the fluid from the nozzle openings 17; and a head moving part 70 which moves the line type jetting head 13 back and forth in a width direction of the object P.例文帳に追加

被流体噴射体Ｐの幅員Ｗ以上の長さに亘って複数のノズル開口１７が配列されると共にノズル開口１７から流体を噴射するライン型噴射ヘッド１３と、ライン型噴射ヘッド１３を被流体噴射体Ｐの幅員方向に往復移動させるヘッド移動部７０と、を備える。 - 特許庁

Thus, a projecting part of a processing object surface generated by positioning the lowest point P between the rotational center of the workpiece W and the outer peripheral edge, is shaven off, and becomes the substantially same height as relatively projecting these intermediate parts.例文帳に追加

そのため、最下点ＰをワークＷの回転中心と外周縁との間に位置させることに起因して生ずる被加工面の凸部が削り落とされて、相対的に凹になっていたそれらの中間部と略同じ高さとなる。 - 特許庁

To overcome a problem that an epoxy resin having big thermal conductivity of 0.3 W/m°C, which is filled into an thermoelectric device comprising a p-type thermoelectric semiconductor and an n-type thermoelectric semiconductor so as to enhance mechanical strength thereof, reduces thermoelectric performance of the thermoelectric device.例文帳に追加

ｐ型熱半導体とｎ型熱半導体からなる熱電素子に、機械的強度を向上させるために充填したエポキシ樹脂は熱伝導率が０．３Ｗ／ｍ℃と大きいために、熱電素子の熱電性能が低くなる。 - 特許庁

Steel cords (s) are continuously habituated into a spiral or planar-wavy shape while stepwise or continuously changing at least one of habituation amplitude (w) and a habituation pitch (p) immediately before the steel cords (s) are wound around a belt molding drum 4.例文帳に追加

スチールコードｓをベルト成形ドラム４に巻き付ける直前で、癖付けの振幅ｗとピッチｐの少なくとも一方を段階的にまたは連続的に変化させながらスパイラル状または平面波状に連続して癖付けする。 - 特許庁

For the sealing and cutting method of a glass tip panel tube, after sealing the tip tube by heating the whole periphery of seal and cut part of a tip tube W of the glass panel P by an electrical heater 9, the sealed part is melted and cut by a gas burner 15.例文帳に追加

ガラスパネルＰのチップ管Ｗの封止切り部全周を電熱ヒータ９により加熱して当該チップ管を封止したのち、この封止部をガスバーナ１５により溶断するガラスパネルのチップ管の封止切り方法。 - 特許庁

A supply position P of cleaning liquid on a wafer W by an ultrasonic nozzle 7 is moved back and forth between a supply start position K and a supply end position F, passing through a rotation center Pa on a wafer upper surface Wa.例文帳に追加

超音波ノズル７によるウエハＷ上の洗浄液の供給位置Ｐは、ウエハ上面Ｗａにおいて供給開始位置Ｋから回転中心Ｐａを通って供給終了位置Ｆまでの間を往復移動する。 - 特許庁

When the rigidity of the tube 11 is increased in the above-mentioned way, the bending of the tube 11 at the outlet section 14 of the protector 13 is prevented when the wire harness W/H sheathed with the tube 11 is wired on a car body P side.例文帳に追加

このようにすることで、第１コルゲートチューブ１１を外装したワイヤハーネスＷ／Ｈを車体Ｐ側へ配策する際に、第１コルゲートチューブ１１がプロテクタ１４の出口部１４で屈曲することを防止している。 - 特許庁

The device is provided with a wall fixing member 1 which is fixed on a wall face W, a panel fixing member 2 in which a display panel P is installed on its front face side, and a movable connection means 3 which connects the wall fixing member 1 and the panel fixing member 2.例文帳に追加

壁面Ｗに固定される壁固定部材１と、前面側に表示パネルＰが設置されるパネル取付用部材２と、壁固定部材１とパネル取付用部材２とを連結する可動連結手段３と、を備える。 - 特許庁

Light emitting planes 551a, 552a of the light guides 551, 552 are turned toward a foot Q of a perpendicular falling vertically from the discharge port 521 to the wafer W, thereby irradiating even a side surface of the coating liquid P with the light L1, L2.例文帳に追加

ライトガイド５５１，５５２の光出射面５５１ａ，５５２ａが吐出口５２１から基板Ｗに鉛直方向に下ろした垂線の足Ｑを向く方向とされているので、光Ｌ1，Ｌ2は塗布液Ｐの側面にも照射される。 - 特許庁

A lower edge of the reflection member 25 is inclined inward, and an electromagnetic wave radiated downward in the vertical direction from an arbitrary heating lamp 20 of the upper lamp group 20G is reflected by an inclined surface 25a to be guided to an edge P of the wafer W.例文帳に追加

反射部材２５の下端部は内側に傾斜しており、上部ランプ群２０Ｇの任意の加熱用ランプ２０から真下方向に輻射された電磁波は、傾斜面２５ａで反射してウェーハＷの端部Ｐに導かれる。 - 特許庁

Thickness or the like of woolen yarn or ribbon are designated by a decoration stitch condition input device 15 and the decoration stitch data creation device 3 selects suitable stitch width W and stitch pitch P according to the designation and creates decoration stitch data.例文帳に追加

装飾ステッチ条件入力装置１５により毛糸やリボンの太さ等を指定し、該指定に応じて装飾ステッチデータ生成装置３はステッチ幅Ｗ及びステッチピッチＰを適当なものに選択して装飾ステッチデータを生成する。 - 特許庁

Since the hot water W in the bathtub 13 is drained through the drain cock 14 as the result, it is possible to reduce possibility that the bather P fallen into unconsciousness in the bathtub 13 is drowned.例文帳に追加

その結果、前記浴槽１３内の湯水Ｗが前記排水栓１４を介して排出されることにより、浴槽１３内で意識喪失状態に陥っている入浴者Ｐが溺死する可能性を抑えることができる。 - 特許庁

An axial length of the latch 7 when a knob 8 of the latch 7 is locked on the receiver 12 is determined so that an interval H between the frame W of the slide door T and the pole P is larger than a diameter of a protective cover K of the electric code C.例文帳に追加

そして、閂（７）のノブ（８）が受片（１２）に係止してロックされているときの閂（７）の軸方向の長さは、引戸（Ｔ）の枠（Ｗ）と柱（Ｐ）との間の間隔（Ｈ）が、電気コード（Ｃ）の保護カバー（Ｋ）の径よりも大きいように決める。 - 特許庁

In order to catch particles P floating in a vacuum chamber 1, a deposition preventive plate 4 having parallel plate-shaped projections 4a of eaves shape inclined in the separating direction from the substrate W is provided on an inner wall of the vacuum chamber 1.例文帳に追加

真空チャンバ１の内に浮遊するパーティクルＰを捕捉するため、真空チャンバ１の内壁に、基板Ｗから遠ざかる方向に傾斜した庇形状の平行板状突起４ａを有する防着板４を設ける。 - 特許庁

In areas (between O and P, between Q and R, between S and U, between V and W and between X and Y) where the moving speed of the carriage 21 changes, a current value to a scanner motor M1 is raised from (i) to I, and the torque of the scanner motor M1 is increased.例文帳に追加

キャリッジ２１の移動速度が変化している領域（ＯＰ間、ＱＲ間、ＳＵ間、ＶＷ間、ＸＹ間）では、スキャナモータＭ１への電流値をｉからＩに上昇させ、スキャナモータＭ１のトルクを増加する。 - 特許庁

A magnetic brush 12a is abutted on a photoreceptor 11 moving in the direction of an arrow P to form a nip section PC, and the photoreceptor 11 is subjected to injection charging in the state of interposing a liquid W in the nip section PC.例文帳に追加

矢印Ｐの方向に移動する感光体１１に磁気ブラシ１２ａを当接させてニップ部ＰＣを形成し、ニップ部ＰＣにおいて液体Ｗを介在させた状態で感光体１１を注入帯電している。 - 特許庁

In the air-feeding mechanism 3, when the number of paper sheets P to be conveyed reaches a predetermined cleaning mode execution number, processing is intercepted, air W is fed to the main scanning direction position detection sensor 5b to remove refuses such as paper dust.例文帳に追加

送風機構３では、搬送される用紙Ｐの枚数が所定の清掃モード実行枚数に達すると、処理を中断して主走査方向位置検知センサ５ｂに風Ｗを吹き付けて、紙粉等のゴミ類を除去する。 - 特許庁

On a reference plane U that is orthogonal to the vector W and goes through the center point R (x, y), the contour C (i, j) of the pixels is projected in the Z direction, the region inside the projected image is used as a relief unit plane with respect to the pixels P (i, j).例文帳に追加

ベクトルＷに直交し、中心点Ｒ（ｘ，ｙ）を通る参照平面Ｕ上に、画素の輪郭線Ｃ（ｉ，ｊ）をＺ方向投影し、投影像内部の領域を、画素Ｐ（ｉ，ｊ）についてのレリーフ単位面とする。 - 特許庁

The photo-fabrication apparatus 100 molds a solid article W by curing a photo-curable resin 102 while displacing a crossing point P of the light emitted from the first optical system 110 and the second optical system 120.例文帳に追加

そして、光造形装置１００は、第１の光学系１１０および第２の光学系１２０から照射された光の交点Ｐを変位させながら光硬化性樹脂１０２を硬化させて立体造形物Ｗを造形する。 - 特許庁

Accordingly, a space G of the opening of the supporting frame 11, which is formed for inserting the workpiece W between the punch P and the die D, may be made small and the rigidity of the supporting frame 11 is improved, so that the bending precision becomes more excellent and weight reduction becomes attainable.例文帳に追加

したがって、ワークＷをパンチＰとダイＤとの間に差し入れるための支持フレーム１１の開口間隔Ｇが小さくてもよく、支持フレーム１１の剛性向上となるので、曲げ精度が良く、軽量化可能となる。 - 特許庁

An n^- drift layer 2 is formed on an n^+ single crystal SiC substrate, a p^+ base layer 3 is formed on the layer 2, trenches 4 reach as far as the layer 2, and the layer 3 is formed so as to have a prescribed width W.例文帳に追加

ｎ^+型単結晶ＳｉＣ基板１上にｎ^-ドリフト層２が形成され、ドリフト層２上にｐ^+ベース層３が形成され、トレンチ４はドリフト層２に達し、かつ、ベース３が所定幅Ｗとなるように形成されている。 - 特許庁

Since the hardness of the elastic body 2 is low, the tight adhesion area W to the cover sheet 22 against the pressing pressure P of the elastic body roll 10 increases and the pressurizing force per unit area to the disk substrate 21 can be lowered.例文帳に追加

前記弾性体２は低硬度であるので、弾性体ロール１０の押し圧Ｐに対するカバーシート２２への密着面積Ｗが大きくなり、ディスク基板２１への単位面積あたりの加圧力を低くすることができる。 - 特許庁

The ceiling structure is composed of the frame member 1 suspended to the ceiling C by a suspension member 2, the ceiling panel P installed to the frame member 1 and a connecting auxiliary tool 4 fixed onto the wall surface W while being slidably connected to the frame member 1.例文帳に追加

天井Ｃに吊部材２で吊持されるフレーム部材１と、フレーム部材１に設置される天井パネルＰと、壁面Ｗに固定されるとともにフレーム部材１とスライド可能に連結される連結補助具４とからなる。 - 特許庁

A P-TEOS oxide film or a film of the compressed stress system such as a sputter W or the like is formed to the rear surface of the solid-state imaging element wafer, and the solid-state imaging element wafer is curved as the recessed surface like the three-dimensional spherical shape.例文帳に追加

この固体撮像素子ウエハの裏面にＰ−ＴＥＯＳ酸化膜或いは、スパッタＷ等の圧縮応力系の膜を成膜して、固体撮像素子ウエハを３次元的な球面形状に凹面湾曲させる。 - 特許庁

For the puncher P for piercing the workpiece W by a pierce punch 2 while pressing the workpiece by a stripper 3, a cover 1 is formed of a metal, and the diameter of one end through hole 10 and the diameter of a cover part in a vicinity thereof are smaller than that of other cover parts.例文帳に追加

ワークＷをストリッパー３で押圧しながらピアスパンチ２でピアス加工するパンチャーＰにおいて、カバー１は金属製であって一端開放孔１０及びその近傍のカバー部分を他のカバー部分よりも小径としてある。 - 特許庁