The round skewer K pushed out by the skewering plate 18 is skewered to the center of each of the materials N put on the tray T after pushing each of the materials N put on the tray T by the pushing unit 3A of the pushing device 3.例文帳に追加

押え装置３の押えユニット３ＡによりトレーＴに載置された各材料Ｎ…を押えた後、串打ち板１８により打ち出される丸串ＫをトレーＴに載置された各材料Ｎ…の中心に串打ちする。 - 特許庁

The blank is manufactured by punching a thin steel plate, and has excellent ductility of a punched end face having the hardness increase ratio of ≤ 270×N, where N is the work hardening index of the objective thin steel plate.例文帳に追加

薄鋼板から打ち抜き加工により製造されたブランク板であって、対象の薄鋼板の加工硬化指数をＮとした場合、打ち抜き端面の硬さ増加率が２７０×Ｎ以下である打ち抜き端面を有することを特徴とする、打ち抜き端面の延性に優れたブランク板。 - 特許庁

Consequently, vertical luminance unevenness of the (n)th frame and vertical luminance unevenness of the (n+1)th frame cancel each other.例文帳に追加

その結果、ｎフレーム目における上下方向の輝度むらとｎ＋１フレーム目における上下方向の輝度むらとが互いに打ち消し合う。 - 特許庁

When a force exceeding that of the spring force 60 acts on the side N of a garage, the spring 60 is contracted, and an arm 15 is rotatively moved to the side N of the garage.例文帳に追加

バネ６０の力に打ち勝つ力が車庫側Ｎに働けばバネ６０は縮んで、アーム１５は車庫側Ｎに回転移動することが出来る。 - 特許庁

Ionized Ga and N, which are substances constituting an n-type layer or a p-type layer, are implanted into an ion implantation area 10A under the surface of a sapphire substrate 10.例文帳に追加

サファイア基板１０の表面下のイオン打ち込み領域１０Ａにｎ層またはｐ型層を構成する物質であるイオン化したＧａおよびＮを打ち込む。 - 特許庁

An adaptive processing part receives the audible sound signal x(n) from the sound source and an output signal e(n) of the error microphone and forms a signal y(n) that cancels an ultrasonic sound wave generated by the primary sound source and an audible sound wave demodulated from an ultrasonic sound wave by using an adaptive filter and supplies the signal as an input signal for the second sound source.例文帳に追加

適応処理部は信号源からの可聴音信号x(n)とエラーマイクの出力信号e(n)とが入力され、適応フィルタを用いて、１次音源が発生する超音波及び超音波から復調された可聴波を打ち消す信号y(n)を生成し、２次音源の入力信号として供給する。 - 特許庁

A tray T carrying a plurality of materials N is supplied to a skewering position (a) on a base 2, and the tray T put on the skewering position (a) is pushed out to a pushing out position (b).例文帳に追加

複数の各材料Ｎ…が載置されたトレーＴを基台２上の串打ち位置ａに供給し、串打ち位置ａに置かれたトレーＴを押出し位置ｂへ押し出す。 - 特許庁

The control section 14 stores information on the arrangement of pins N driven into the Pachinko board 4 and information on the order of driving of pins by matching the barcode information with data of a Pachinko board information memory 14d.例文帳に追加

制御部１４は、バーコードの情報とパチンコ盤情報メモリ１４ｄのデータとのマッチング処理を行うことで、パチンコ盤４に打ち込まれている各釘Ｎの配置位置の情報と、釘の打ち込み順序の情報とを記憶する。 - 特許庁

As a nail driving machine 1 is applied to a workpiece W, the stopper 34 is pushed by the sub-probe 30 to take an unlocked attitude, and as a trigger 15 is pulled, a nail n is driven.例文帳に追加

釘打ち機１をワークＷに当てると、ストッパー34はサブプローブ30で押されてロック解除姿勢となり、トリガー15を引くと釘ｎが打ち出される。 - 特許庁

At this time, a reverse operation is performed for the corresponding coefficients of the adjacent frame, to negate the influence on the sound quality due to the operation of the frame N.例文帳に追加

この時、隣のフレームの対応する係数に、逆の操作をして、フレームＮを操作したことによる音質への影響を打ち消す。 - 特許庁

ADDITIONAL N-TYPE LDD/POCKET DRIVING FOR IMPROVING ESD ROBUSTNESS OF SHORT CHANNEL NMOS例文帳に追加

ショートチャネルＮＭＯＳのＥＳＤロバストネスを改善するための追加的なｎ−型ＬＤＤ／ポケット打ち込み - 特許庁

METHOD FOR OBTAINING LIGHT/HEAT SOURCE BY FOCUSING/ CONCENTRATING SUNLIGHT BY USING ONE OR N REFLECTING MIRRORS LAUNCHED ON SATELLITE ORBIT例文帳に追加

衛星軌道上に打ち上げた１個又はｎ個の反射鏡を用いて、太陽光を集束・集中せしめ、光・熱源を得る方法。 - 特許庁

Because the directions of the current of the P-phase and the N-phase become parallel and cancel with each other also in the connection terminal parts by this, an increase of inductance is suppressed.例文帳に追加

これにより接続端子部分でもＰ相とＮ相の電流の方向が平行となり、打ち消し合うためインダクタンスの増加を抑制できる。 - 特許庁

Each of the slave units #2 and #n not corresponding to the address stops receiving the next and subsequent telegraphic message and processes only internally.例文帳に追加

アドレスが一致しなかった子機＃２及び子機＃ｎは、その後、次の電文を取り込むための処理を打ち切り、専ら子機内の処理を実施する。 - 特許庁

Furthermore, when the processed paper is used as the backing paper for the wall paper, the internal bond strength is preferably regulated to ≥20 and ≤40 N/m.例文帳に追加

なお、この加工用紙を壁紙裏打ち紙として使用する場合には紙層間強度を20Ｎ／ｍ以上40Ｎ／ｍ以下にすることが好ましい。 - 特許庁

In an N-type MIS transistor, a carbon-injected layer 307 is formed by jointly injecting carbon into a halo region 306, into which boron has been injected as an N-type impurity, using the characteristic that carbon injected into a semiconductor substrate 300 attracts boron injected into the same region.例文帳に追加

Ｎ型ＭＩＳトランジスタにおいて、半導体基板３００に打ち込まれた炭素が、同じ領域に打ち込まれたホウ素を引き寄せる性質を利用し、ホウ素をＮ型の不純物として注入したハロー領域３０６に炭素を共注入して炭素注入層３０７を形成する。 - 特許庁

The Fin FET diode structure is formed by driving a P+dopant in a primary side of a diffused fin and an N+dopant in a secondary side to give a P+N+diode structure.例文帳に追加

Ｆｉｎ ＦＥＴダイオード構造は、拡散フィンの第１側にＰ＋ドーパントを、第２側にＮ＋ドーパントを打ち込んで、Ｐ＋Ｎ＋ダイオード構造を与えることによって形成される。 - 特許庁

In order to form a p-type III nitride semiconductor region, an Mg+ ion is, for example, implanted simultaneously with the N+ ion, its surface is covered with the SiO2, and heat annealed.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体領域を形成するには例えばMg^+イオンをN^+イオンと同時に打ち込み、表面をSiO_2で被覆した上、熱アニールをすれば良い。 - 特許庁

A nitrogen implantation region 13 is formed by additionally implanting nitrogen near an interface with a P type well layer 12 formed into the low-density N type epitaxial layer 11, so that the density distribution of an N type impurity is made uniform.例文帳に追加

低濃度Ｎ型エピ層１１内に形成されるＰ型ウエル層１２との界面近傍に窒素を追加で打ち込んで窒素注入領域１３を形成しているので、Ｎ型不純物の濃度分布が均一化される。 - 特許庁

To provide a reversed placing method capable of reducing a construction period or improving workability when, for example, a building having the basement n (n≥1) is constructed.例文帳に追加

本発明は、例えば、建物に地下ｎ階（ｎ≧１）を設けて構築する際に、工期の短縮又は施工性の向上となる逆打ち工法を提供することが課題である。 - 特許庁

A range of values that learning data (n) satisfy so that learning (n-1) is not canceled by the learning (n) is derived to make a learning speed fast.例文帳に追加

そこで、ｎ−１の学習がｎの学習によって打ち消されないためのｎの学習用データ満がたすべき値の範囲を導き、学習速度を高速化することができることを示した。 - 特許庁

That is, n-type wells are driven to the base body of a flash memory, and p-type wells and slit structures are arrayed on the n-type wells at intervals.例文帳に追加

即ち、フラッシュメモリのベース体にｎ型ウェルを打ち込み、該ｎ型ウェル上には間隔をおいてｐ型ウェルとスリット構造とを配列する。 - 特許庁

N pieces of toothed endless belts are used for a driving mechanism for a photoreceptor drum (N is positive integer ≥2), and the belts are separately stretched while shifting the belts from the same position in the circumferential direction by the amount of one cycle/N so that the rotating angle error in the circumferential direction of the toothed endless belts may be cancelled by the cycle of the belt circumferential length.例文帳に追加

感光ドラムの駆動機構にＮ（Ｎは２以上の正の整数）本の歯付無端ベルトを用い、且つこれらの歯付無端ベルトが有する周方向の回転角度誤差がベルト周長の周期で打ち消し合うように、周方向の同一位置からそれぞれ一周期／Ｎずつずらして張架する。 - 特許庁

When a source/drain regions 12, 14 are formed in CMIS, Argon is implanted into a P-type well layer 4 as a dislocation suppressive element and nitrogen is implanted into a N-type well layer 5 as the dislocation suppressive element, prior to the ion-implantation of impurities into a silicon substrate 1.例文帳に追加

ＣＭＩＳにおけるソース・ドレイン領域１２、１４の形成時、シリコン基板１に不純物をイオン注入する前に、Ｐウエル層４には転位抑制元素としてアルゴンを打ち込み、かつＮウエル層５には窒素を転位抑制元素として打ち込む。 - 特許庁

On the other hand, an (n) well 501 is formed by additionally implanting As at a does of 1×1012-2×1013 cm-2 with implantation energy of 70-120 KeV only into a region 040 for fabricating transistors in order to regulate the threshold voltage for minimizing off-leak.例文帳に追加

また、トランジスタ形成領域０４０に対してのみ、打ち込みエネルギ７０〜１２０ＫｅＶ，打ち込み量１×１０^12〜２×１０^13ｃｍ^-2のＡｓを、オフリークを極小化するためのしきい値電圧調整用として追加注入し、ｎウェル５０１を形成する。 - 特許庁

The metal 312 supplying the n-well voltage VDDB is composed of a metal of the first metal wiring layer, so that a piling region to a lower layer is not required and it is necessary to secure only a piling region of the p-well voltage VSSB to lower layers of the metals 332, 333.例文帳に追加

Ｎウェル電圧ＶＤＤＢを供給するメタル３１２は、第１の金属配線層のメタルを用いた構成としているため下層へのくい打ち領域を必要とせず、Ｐウェル電圧ＶＳＳＢのメタル３３２，３３３の下層へのくい打ち領域のみ確保すればよい。 - 特許庁

The upper end of the guide body 1 is put at the vicinity of the tapered end 12 of a nail N stuck out of a floor joist 11, and in this state, the manipulating part 4 is vertically moved to strike the tapered head 12 by the hammer block 3 and strike back the nail N to the upper floor side.例文帳に追加

床根太１１からはみ出た釘Ｎの尖端１２の近傍にガイド体１の上端を当てがい、この状態で操作部４を上下操作することにより、尖端１２をハンマーブロック３で叩打し、釘Ｎを階上側へ打ち返す。 - 特許庁

Thereafter, as shown in step (c), a resist mask 6 having openings only at contact forming portions for connection with Al interconnections is formed, after which P ions of an n-type impurity are implanted in step (d) to form highly doped n-type polycrystalline silicon regions 4a as shown in step (e).例文帳に追加

その後、（ｃ）に示すように、Ａｌ配線とのコンタクトを形成する部分のみ開口したレジストマスク６を形成してから、（ｄ）でｎ型の不純物のＰ（リン）を打ち込み、高濃度のｎ型多結晶シリコン領域４ａを（ｅ）に示すように形成する。 - 特許庁

The driving tool has: a motor 123; a driving mechanism 115 to drive a driving material N by using a rotation power of a motor 123; and a blower mechanism 201 to generate air to be blown into the driving area of the driving material N.例文帳に追加

モータ１２３と、モータ１２３の回転力を利用して打込み材Ｎの打ち込み動作を行なう打込み機構１１５とを有する打込み工具であって、打込み材Ｎの打込み領域に吹き付けられるエアを生じさせるブロワ機構２０１を更に有する。 - 特許庁

Implantation of dopant element such as Phosphorus is performed by using the gate electrode 20 as a mask, a heavily doped n^+-type region 22a as a source/drain region, a lightly doped n^--type region 22b and a channel region 24 which are shown in Fig. (B) are formed finally.例文帳に追加

該ゲート電極２０をマスクとしてリンなどの不純物元素のイオン打ち込みを行うことで、最終的には図３（Ｂ）に示すようなソース／ドレイン領域としての高濃度のＮ^+型不純物拡散領域２２ａ、低濃度のＮ^-型不純物拡散領域２２ｂ、及びチャネル領域２４が形成される。 - 特許庁

An ion implantation layer 6 is formed by driving aluminum ion 5 into a part of an SiC layer with a smoothed surface or an n-type drift layer 2.例文帳に追加

表面が平滑化されているＳｉＣ層であるｎ型ドリフト層２の一部にアルミニウムイオン５を打ち込んで、イオン注入層６を形成する。 - 特許庁

A nail driving tool 1 to be used as the driving work tool is configured so as to have the sensor of a driver detecting portion 113 for detecting whether or not a driver 21 has jammed at the driving position in driving nails n.例文帳に追加

本発明の打込み作業工具としての釘打ち工具１は、釘ｎの打込み時にドライバ２１が打撃位置に滞留しているか否かを検出するドライバ検出部１１３センサを備える構成とされる。 - 特許庁

In the magnetic circuit which imparts magnetic anisotropy in a plane radial direction of a soft magnetic backing layer 12, a magnetic field applying sections 20Aa and 20Ab are set respectively on the S pole and N pole sides of a magnetic field applying section 20A.例文帳に追加

軟磁性裏打ち層１２の面内径方向に磁気的異方性を付与する磁気回路においては、磁場印加部２０ＡのＳ極およびＮ極側にそれぞれ、磁場印加部２０Ａａおよび２０Ａｂを設ける。 - 特許庁

The face material 15 is fixed to the rectangular frame body 14 by means of a fixing implement (n) which is driven from a front side; and at least a portion, abutting on the rectangular frame body, on the backside is provided with a means 16 for making a coefficient of friction higher.例文帳に追加

面材１５は、表面側から打ち付けられた固定具ｎにより矩形枠体１４に固定されており、裏面側の少なくとも矩形枠体当接部分に高摩擦係数化手段１６が設けられている。 - 特許庁

At a time when the closing operation starting position Pc is immediately under a nozzle N, the cap 39 is closed to keep each radiation port 36 closed during the time a liquid F is extradischarged.例文帳に追加

そして、閉動開始位置ＰｃがノズルＮの直下に位置するタイミングで、キャップ３９を閉動し、液状体Ｆを捨て打ちする間、各照射口３６の閉じた状態を保持するようにした。 - 特許庁

With the nut supply guide 10 retracted by drive means 14 along the axis of the driving punch 1, the driving punch 1 cooperates with a crimping die 2 to drive and fix the nut N into the metal plate W.例文帳に追加

ナット供給ガイド１０が駆動手段１４により、打込みパンチ１の軸方向に後退すると共に、打込みパンチ１とかしめダイス２が協働してナットＮを金属板Ｗに打ち込んで固着する。 - 特許庁

By imparting correction load by a load imparting member 200 to the developer regulating member, bending moment M1 caused by the reaction N of a blade 113 including a blade supporting member 114 is offset by bending moment M2 in a reverse direction.例文帳に追加

ブレード支持部材１１４を含めたブレード１１３の抗力Ｎにより生じる曲げモーメントＭ１を、荷重付与部材２００により矯正荷重を付与して逆向きの曲げモーメントＭ２により打ち消すようにする。 - 特許庁

To prevent looseness to be generated n the case of fitting onto an exterior wall surface of a metal fitting for an outside angle accessory by nailing or the like and trouble in the case of the installation of the external-facing material outside angle accessory due to floating or the like at the lower end section of the exterior wall surface.例文帳に追加

釘打ち等による出隅役物の取付金具の外壁面への固定に際して生じていたガタツキやその下端部での浮き上がり等による外装材出隅役物の取付けに際しての不具合を防止する。 - 特許庁

The manufacture of this semiconductor may be carried out according to a suitable method e. g. an epitaxial growth method such as molecular beam epitaxy, or a method for implanting accelerated ions into an n-type SiC substrate, etc.例文帳に追加

製造は、分子線エピタキシャル法などのエピタキシャル成長法や、ｎ型のＳｉＣ基板に加速したイオンを打ち込む方法など、適宜な方法により行えばよい。 - 特許庁

To suppress the diffusion of launched Cesium (Cs) atoms in the horizontal direction to improve an S/N ratio of a spectrum in a collimation apparatus for Cs atomic fountain for trapping and cooling the atoms by a plurality of laser beams and detecting the passing of the launched Cs atoms through a micro wave resonator.例文帳に追加

本発明は複数のレーザ光でトラップと冷却か行われると共に上方に打ち上げられたセシウム原子がマイクロ波共振器を通過することを検出するセシウム原子泉コリメーション装置に関し，打ち上げた原子の水平方向への拡散を抑制し，スペクトルのＳ／Ｎ比を向上することを目的とする。 - 特許庁

By an error calculator 50 and a factor updating device 60, at this time, a calculation of the factor g_i to be used for a branch metric calculation of the viterbi detector 40 is closed even by the order smaller than K+N, then the factors q_i and q_i are adaptively calculated so as to compensate a closing error generated therefrom.例文帳に追加

その際、誤差計算器５０および係数更新器６０は、ビタビ検出器４０のブランチメトリックの計算に使用される係数ｇ_iの算出を、Ｋ＋Ｎよりも小さい次数までで打ち切り、これにより生じた打ち切り誤差を補償するように係数ｑ_iおよび係数ｑ_iを適応的に算出する。 - 特許庁

The linear density D (dtex), the cord count end E (number/5 cm) of the carcass cord 10 per 5 cm width of the carcass ply 6A, a Gurley stiffness B (mN) of the carcass cord 10, and a breaking strength S (N) of the carcass cord 10 satisfy the following equations (1)-(3).例文帳に追加

総繊度Ｄ（dtex）、カーカスプライ６Ａの幅５cm当たりのカーカスコード１０の打ち込み本数であるエンズＥ（本／５cm）、カーカスコード１０のガーレ法による剛軟度Ｂ（ｍＮ）、及びカーカスコード１０の破断強力Ｓ（Ｎ）が下記式（１）〜（３）を満たす。 - 特許庁

To obtain a digital noise-canceling phone capable of improving a signal/noise (S/N) ratio by reducing influence of internal noise even when the environmental noise is small, in a digital noise canceling head phone by which a person can listen to only music by canceling environmental noise.例文帳に追加

周囲の騒音を打ち消して音楽のみを聞くことができるデジタルノイズキャンセルヘッドホンにおいて、環境雑音が小さいときであっても内部雑音の影響を排除し、Ｓ／Ｎ比を向上させることができるデジタルノイズキャンセルホンを得る。 - 特許庁

Thus, the falling of a slump flow is 7 cm or less even if about 2 hours is passed after kneading and the initial strength (0.1 N/mm^2 or more) after passage of 6 hours after placing required before form removal even in low temperature environment lower than 10°C is ensured (wherein, examples 1-3 are shown).例文帳に追加

これにより、練混ぜ後２時間程度経過してもスランプフローの低下が７ｃｍ以下であり、また、１０℃を下回る低温環境下においても脱型する前に必要となる打ち込み後６時間後における初期強度（０．１［Ｎ／ｍｍ^２］以上）が確保できる（実施例１〜３）。 - 特許庁