「"Pattern Defect"」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Also, by having both a low resolution optical system and a high resolution optical system, both a circular or a rectangular pattern defect and a defect of fine line width such as an CD error can be detected simultaneously.例文帳に追加

さらに、低解像度光学系と高解像度光学系の両方を具えることにより、円形又は矩形のパターン欠陥とＣＤエラーのような微細線幅の欠陥の両方を同時に検出することができる。 - 特許庁

The effective contact area of the rough area 35 with the resist is extremely small, which prevents peeling of the resist, gives preferable separating property, and prevents a pattern defect and degradation in the pattern accuracy.例文帳に追加

このことにより、粗面領域３５の実効的なレジストとの接触面積はごく僅かとなり、レジスト剥離を防止でき良好な離間性が実現でき、パターン欠陥を防ぎパターン精度の悪化を防止することができる。 - 特許庁

To provide a method and a system for preferentially analyzing a defect with the possibility of becoming an electrical failure in the inspection of the foreign matter and pattern defect of a work forming an electronic device such as a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路などの電子デバイスを形成するワークの異物やパターン欠陥の検査において、電気的に不良になる可能性の欠陥を優先的に解析する方法とシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a substrate circuit pattern defect inspecting device and an inspection method capable of decreasing frequency of erroneous measurement due to contact pressure and shortening the measurement time, by installing a capacitor sensor to a connecting circuit pattern in a noncontact manner.例文帳に追加

連結回路パターンにキャパシタセンサーが非接触式で設置されて、接触圧力による誤測定の頻度を減らし、測定時間を節減する基板の回路パターン欠陥検査装置及び検査方法を提供する。 - 特許庁

The mask for defect inspection is produced by forming the basic pattern on a photomask substrate, applying a resist on the basic pattern, and exposing and developing the resist to form a specified pattern defect.例文帳に追加

また、この欠陥検査用マスクは、フォトマスク基板に、基本パターンを形成し、この基本パターン上に、レジストを塗布した後、レジストに、露光及び現像処理を施し、所定のパターン欠陥を形成することにより形成される。 - 特許庁

After the optical image and the reference image of the entire mask 101 are stored, a pattern defect inspection of the mask 101 is conducted by a defect inspection section 124 using the optical image and the reference image of the entire mask.例文帳に追加

マスク１０１全体の光学画像及び参照画像が格納された後、欠陥検査部１２４によりこのマスク全体の光学画像及び参照画像を用いてマスク１０１のパターン欠陥検査が実行される。 - 特許庁

To provide an EUV exposure mask for leaving a buffer film, in which a pattern defect of an absorbing film is corrected and a decrease in a reflection rate is prevented, and to provide a pattern forming method employing the mask.例文帳に追加

緩衝膜を残すタイプのＥＵＶ露光用マスクにおいて、吸収膜のパターン欠陥が修正され、かつ、反射率の低下が防止されたマスク、およびそのマスクを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

In this method, a means of synchronization with detection of defects to calculates amount of image features of the defect, and a means for classifying defects into clusters, depending on the calculated amount of image features are added to the high-speed pattern defect inspection system.例文帳に追加

高速のパターン欠陥検査装置に、欠陥の検出に同期して欠陥の画像的特徴量を計算する手段と、計算された特徴量によって欠陥をクラスタに分類する手段とを付加する。 - 特許庁

To provide an EUV exposure mask for leaving a buffer film, in which a pattern defect of an absorbing film is corrected and deterioration of a reflection rate is prevented, and to provide a pattern forming method employing this mask.例文帳に追加

緩衝膜を残すタイプのＥＵＶ露光用マスクにおいて、吸収膜のパターン欠陥が修正され、かつ、反射率の低下が防止されたマスク、およびそのマスクを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a defect inspection device realizing high resolution and an increase in an inspection speed in a technology for inspecting a pattern defect, foreign matter, residue, a step and the like on a wafer in a production process of a semiconductor by an electron beam.例文帳に追加

半導体装置の製造過程にあるウェハ上パターンの欠陥、異物、残渣および段差等を電子ビームにより検査する技術において、高分解能で、かつ検査速度の高速化を実現する欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming method by which a coating film having good curability in a deep portion without a pattern defect and having high contrast and high image stability can be formed while preventing a developing solution from directly contacting a substrate.例文帳に追加

深部硬化性が良好でパターンの欠損がなく、高いコントラスト性と高い画像安定性を有する塗膜を、現像液が基材に直接触れることなく形成することが可能な画像形成方法を提供する。 - 特許庁

The reticle is transferred into a pattern defect correcting device and only the black defect on the reticle is extracted and, for example, the defect coordinate data obtained during the reticle pattern inspection and the coordinates within the defective device are opposed, by which a processing size is defined.例文帳に追加

レチクルをパターン欠的修正装置内に搬送し、レチクル上の黒欠陥のみを抽出し、例えば、レチクルパターン検査時に得た欠陥座標データと欠陥装置内の座標とを相対させて、加工サイズを定義する。 - 特許庁

To provide a semiconductor member whose productivity is excellent and whose quality is high without the influence of any flow pattern defect or COP(crystal originated particles) at the time of obtaining a single crystal semiconductor layer whose crystallinity is excellent on a substrate such as an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁性基板等の基体上に結晶性に優れた単結晶半導体層を得るうえで、生産性等に優れ、フローパターンディフェクトやＣＯＰ（Crystal OriginatedParticles）の影響を受けない高品質な半導体部材を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern defect detection device that detects a fluorescent image, a diffusion light image, and a reflection light image of a substrate formed by laminating dry films so as to easily detect various defects occurring in an exposure process.例文帳に追加

ドライフィルムが積層された基板の蛍光イメージと散乱光イメージ、そして反射光イメージをさらに検出して、露光工程で発生する様々な欠陥を容易に検出できるようにしたパターン欠陥検出装置を提供する。 - 特許庁

To provide a MOS type semiconductor device improved in breakdown resistance and having high reliability by suppressing a gain increase of a parasitic transistor caused by photo pattern defect liable to occur due to micronization of a process design rule.例文帳に追加

プロセスデザインルールの微細化に伴って発生しやすくなるフォトパターン欠陥に起因する寄生トランジスタのゲイン増大を抑制して破壊耐量を向上させて信頼性の高いＭＯＳ型半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a mirror electron projection type ( including an MPJ type (also including an SEPJ type)) electron beam inspection device which is made possible to optimize a condition and a pattern defect inspection method and system by using the above electron beam inspection device.例文帳に追加

条件出しができるようにした写像投影型（ＭＰＪ型（ＳＥＰＪ）型も含む））電子線検査装置並びにこれら電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査方法及びそのシステムを提供することにある。 - 特許庁

By calling up the information relating to contamination of the reticle during storage and transfer included in the information relating to the reticle 1, the reticle 1 in a contaminated state that may cause a pattern defect can be prevented from being used in an exposure process by cleaning the reticle.例文帳に追加

このレチクル１に係る情報に含めた保管，移動時のレチクル汚染に関する情報を呼び出すことで、レチクル洗浄を行って、パターン欠陥に結びつく汚染状態のレチクル１を露光処理に使用することを防止できる。 - 特許庁

The pattern defect inspecting device is constituted to detect the surface of a wafer 1 on almost the same region at different timing using two detectors 702 and to add and average output signals from the two detectors 702 to eliminate noise.例文帳に追加

ウエハ１面のほぼ同一領域について、２つの検出器７０２を用いて、タイミングを異ならして表面を検出し、２つの検出器７０２からの出力信号を加算し、平均することにより、ノイズを除去するように構成した。 - 特許庁

To provide a substrate processing method capable of preventing the occurrence of a pattern defect by suppressing deformation of a resist pattern due to substitution of a solvent atmosphere in a chamber, in reflow processing for dissolving the resist pattern in the chamber to form a desired resist pattern.例文帳に追加

チャンバ内でフォトレジストパターンを溶解し所望のレジストパターンを形成するリフロー処理において、チャンバ内の溶剤雰囲気置換に伴うレジストパターンの変形を抑制し、パターン不良の発生を防止することのできる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

In the circuit pattern inspection system, when a semiconductor wafer having a plurality of chip areas (dies) having the same circuit pattern is inspected, a detection image for each chip area is displayed on a monitor, and a circuit pattern defect is inspected based on the detection image for each chip area.例文帳に追加

回路パターン検査装置では、同一の回路パターンを有する複数のチップ領域（ダイ）を有する半導体ウエハを検査するとき、チップ領域毎の検出用画像をモニタに表示し、チップ領域毎の検出用画像から、回路パターンの欠陥を検査する。 - 特許庁

To provide a method and a system for fabricating a semiconductor device in which scattering of particles to an etching object can be suppressed when an insulating film and an antireflection film on a metal film are etched in the same reaction chamber and generation of pattern defect can be suppressed.例文帳に追加

金属膜上の絶縁膜と反射防止膜とを同一の反応室内でエッチングする際におけるエッチング対象物へのパーティクルの散布を抑制でき、パターン欠陥の発生を抑制し得る半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

The drive-part control part 7 controls the driving of the drive part 6, based on a pattern defect position information 27b and information are inputted from the circuits 11, 13, and 14, to control the action of the pattern correcting mechanism 2 and the image detecting mechanism 3.例文帳に追加

駆動部制御部７は、パターン欠陥位置情報２７ｂや、上記各回路１１・１３・１４から入力される情報に基づいて、駆動部６の駆動を制御することによって、パターン修正機構２および画像検出機構３の動作を制御する。 - 特許庁

To provide a pattern defect inspection device capable of detecting a defect with high inspection accuracy even when a pattern is formed with a transparent film on an object under inspection and the film thickness of the transparent film is varied according to the position on the object under inspection.例文帳に追加

被検査物体上に透明薄膜でパターンが形成されていて、その透明薄膜の膜厚が被検査物体上の位置によって変化している場合においても、高い検査精度で欠陥を検出できるパターン欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern inspection method and device that can inspect a pattern defect formed on a substrate with high accuracy in a short time, and specially, sufficiently prevent degradation of detecting sensitivity and inspection accuracy of a defect to a boundary part of pattern density of an element.例文帳に追加

基板上に形成されたパターンの欠陥検査を高精度且つ短時間で行うことができ、殊に、素子のパターン疎密の境界部に対しても、欠陥の検出感度及び検査精度の低下を十分に防止できるパターン検査方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that the instantaneous abrupt drop of high frequency power due to some causes, e.g. an inappropriate preset value of the variable capacitor or the like in a matching unit, cannot be dealt with, and a pattern defect of a body being treatment is generated to cause a large quantity of failure lots.例文帳に追加

整合器の可変コンデンサ等のプリセット値が適当でないなど、高周波電力が何等かの原因で瞬間的且つ急激に落ち込んだ場合には対応することができず、被処理体のパターン欠陥が発生し、大量のロット不良を生じさせる。 - 特許庁

In this process, a defect is detected by comparing a basic inspection image obtained from the basic pattern formed in the basic pattern region of the mask for inspection of pattern defect detection sensitivity with a defect reference image produced by image processing based on the design data of the defect pattern.例文帳に追加

この際、パターン欠陥検出感度検査用マスクの基本パターン領域に形成された基本パターンから取得した基本検査画像と、欠陥パターンの設計データを基に画像処理により生成した欠陥参照画像とを、比較して欠陥を検出する。 - 特許庁

By forming the dummy patterns 2 with the above spacing in the dummy scattered region 22, at least one dummy pattern 2 is included in the objective range for scanning in the pattern scattered region 22 when one objective range for scanning is scanned by the mask pattern defect detecting device.例文帳に追加

上述のような間隔で、パターン点在領域２２にダミーパターン２が形成されていると、マスクパターン欠陥検査装置によって１走査対象範囲の走査が行われれば、パターン点在領域２２内では、その走査対象範囲内には、少なくとも１個のダミーパターン２が含まれている。 - 特許庁

To provide a method of producing a mask blank and a method of producing a transfer mask, for obtaining desired flatness of the mask blank even when a thin film has a film stress, and preventing reduction in positional accuracy of a mask pattern as well as pattern shift and pattern defect during pattern transfer.例文帳に追加

薄膜自体に膜応力がある場合においても、マスクブランクの平坦度が所望の平坦度となり、マスクのパターン位置精度や、パターン転写の際、パターン位置ずれやパターン欠陥が発生することがないマスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a mask blank and a method of producing a transfer mask, for achieving a desired flatness of the mask blank even when a thin film itself has a film stress, and avoiding degradation in positional accuracy of a mask pattern or occurrence of a pattern displacement error and a pattern defect during pattern transfer.例文帳に追加

薄膜自体に膜応力がある場合においても、マスクブランクの平坦度が所望の平坦度となり、マスクのパターン位置精度や、パターン転写の際、パターン位置ずれやパターン欠陥が発生することがないマスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

When the integrated circuit chip on the semiconductor wafer is inspected after the exposure and any pattern defect is found out; the operating information by each pulse in cross-reference with the information of the lot number of the semiconductor wafer whose defect is found out, and the information of the integrated circuit chip position is acquired from the stored information items.例文帳に追加

露光後に半導体ウェーハ上の集積回路チップを検査し、パターン不良が発見された場合は、記憶した情報の中から不良が発見された半導体ウェーハのロット番号の情報及び集積回路チップ位置の情報に対応するパルス毎の動作情報を取得する。 - 特許庁

To avoid an influence by saturation pixels contained in an inspection image and a reference image, in defect inspection, for comparing the inspection image with the reference image that are acquired by imaging patterns which should be mutually identical and are the objects of inspection, and for detecting a difference spot as a pattern defect.例文帳に追加

検査対象である相互に同一であるべきパターンを撮像して得た検査画像と参照画像とを比較して、相違する箇所を前記パターンの欠陥として検出する欠陥検査において、検査画像と参照画像とに含まれる飽和画素による影響を回避する。 - 特許庁

Based on the displacement quantity of both patterns to be obtained by measuring an alignment mark for a light shielding pattern and an alignment mark for the phase shift pattern, displacement quantity of pieces of design data of both patterns is compensated and pattern defect inspection of a pattern to be inspected is performed on the basis of a reference pattern obtained by compensation of the displacement quantity.例文帳に追加

遮光パターン用のアライメントマークと位相シフトパターン用のアライメントマークを計測して得られる両パターンの位置ずれ量に基づき、両パターンの設計データの位置ずれ量を補正し、それにより得られた参照パターンを基準として披検査パターンのパターン欠陥検査を行う。 - 特許庁

To provide a resist composition, a resist layer, an imprint method, a pattern forming body, and their associated technique in which there is not a peel-off defect or a pattern defect over the whole pattern forming body, a pattern shape and a remained film are uniform, and productivity is improved for short peel-off time.例文帳に追加

パターン形成体の全面にわたって、剥離不良やパターン不良がなく、パターン形状及び残膜を均一なものとし、短い剥離時間で生産性を向上させるレジスト組成物、レジスト層、インプリント方法、パターン形成体、及びこれらに関連する技術を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the retry requirement-judging means 69 judges that a pattern defect exceeding an amount being specified within a region range that is specified in advance exists during inspection, the repeated inspection instruction means 61 automatically inspects a region including the range at least for two times.例文帳に追加

リトライ必要性判定手段６９により、検査中にあらかじめ指定された領域範囲内に指定された量以上のパターン欠陥があると判定した場合に、繰り返し検査命令手段６１によりそこを含む領域に関して、自動的に２回以上繰り返し検査する。 - 特許庁

The pattern shape of a wafer without any ground pattern is taken into the database of a pattern defect-inspecting machine as image data (S14) and is compared with the pattern shape of a wafer with the ground pattern, thus specifying a part where the failure in a pattern shape occurs and the exposure energy at that time (S15).例文帳に追加

下地パタンのないウェハのパタン形状を画像データとしてパタン欠陥検査機のデータベースに取り込み（Ｓ１４）、これと下地パタンを有するウェハのパタン形状を比較することによって、パタン形状の不良が発生する箇所およびそのときの露光量を特定する（Ｓ１５）。 - 特許庁

In dry etching employing a resist pattern 13 for patterning a silicon nitride film 12 and a silicon oxide film 11, a defect introduced into a silicon substrate 10 at the time of growth to cause a conical pattern defect is removed by digging down the surface of an isolation trench forming region on a silicon substrate at the time of overetching.例文帳に追加

シリコン窒化膜１２及びシリコン酸化膜１１をパターン化するためのレジストパターン１３を用いたドライエッチングにおいて、オーバーエッチング時にシリコン基板１０における分離用溝形成領域の表面部を掘り下げることにより、円錐状パターン欠陥の原因となるシリコン基板１０中の成長時導入欠陥を除去する。 - 特許庁

In this pattern defect inspection device, the quantity change in the ultraviolet laser beam is detected during inspection, to thereby determine the existence of an influence on the inspection, and service life prediction and abnormality of the light source are detected, and the inside of an optical system is cleaned, to thereby ensure prolongation of service life and long-term reliability of optical parts.例文帳に追加

検査中に紫外レーザ光の光量変動を検出して検査への影響の有無を判定し、かつ光源の寿命予測と異常を検知するとともに、光学系の内部を清浄化して光学部品の寿命延長と長期信頼性を確保するようにしたパターン欠陥検査装置である。 - 特許庁

To provide manufacturing methods for a glass substrate for an electronic device and a mask blank with which no fine uneven surface defect occurs on a substrate surface or a failure rate is low, and a manufacturing method for a transfer mask free from a phase defect or a pattern defect caused by the fine uneven surface defect on the substrate surface.例文帳に追加

基板表面に微小な凸状、凹状の表面欠陥が発生しないか又は発生率の低い電子デバイス用ガラス基板及びマスクブランクスの製造方法、並びに基板表面に微小な凸状、凹状の表面欠陥が起因する位相欠陥やパターン欠陥のない転写マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a correcting method and a correcting device for a pattern, capable of correcting a pattern defect with high accuracy and capable of suppressing deterioration of, in particular, a non-rectangular pattern shape, in the case of pattern correction of a photomask, a wafer, or the like, used in a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

本発明は、半導体製造工程で使用されるフォトマスクやウエハ等のパターン修正処理において、パターン欠陥を高精度に修正することができるとともに、特に非矩形形状のパターン形状の劣化を抑制することができるパターンの修正方法及び修正装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a letterpress having few pattern defects when manufacturing an organic electronic device such as an organic electroluminescent element at a letterpress printing method, an inspection method for a letterpress for implementing in advance to preventing of the pattern defect, a manufacturing method for an organic electronic device using the same letterpress, and an organic electronic device using the same letterpress.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子をはじめとする有機電子デバイスを凸版印刷法で作製する際、パターン欠陥の少ない凸版、及びパターン欠陥を防止するために予め行う凸版の検査方法、並びにそれを用いた有機電子デバイスの製造方法並びにそれを用いた有機電子デバイスを提供する。 - 特許庁

This pattern defect inspection device detects a defect by comparing a detection image acquired by scanning patterns, which are sequentially arranged in the line direction at equal intervals on the object under inspection and provided with the same shape, by means of an image sensor with a reference image acquired by scanning the patterns arranged adjacently in the line direction and provided with the same shape.例文帳に追加

被検査物体上に行列方向に等間隔で連続的に配列された同一形状を有するパターンをイメージセンサを走査して得られる検出画像とその行列方向に隣接する同一形状のパターンを走査して得られる参照画像とを比較して欠陥を検出するパターン欠陥検査装置である。 - 特許庁

To provide an appearance inspecting apparatus having the function of detecting an uneven defect and the function of detecting a pattern defect (minute defect) in a color filter or the like, from image data acquired by photographing a substrate such as the color filter or the like having a pattern shape by using an optics and a photographing system with high resolutions.例文帳に追加

カラーフィルタ等のパターン形状を有する基板を解像度の高い光学系と撮像系を用いて撮像した画像データより、カラーフィルタ等のパターン欠陥（微細欠陥）を検出する機能とムラ欠陥を検出する機能とを兼ね備えた外観検査装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The pattern defect detection device includes a light source 11 for generating and emitting light, a scan mirror 14 for scanning a substrate 20 with the light emitted by the light source 11, a fluorescent light image detection unit 17 for detecting the image of fluorescent light emitted by the substrate 20, and a diffusion light image detection unit 19 for detecting the image of diffusion light diffused by the substrate 20.例文帳に追加

光を生成して出射する光源１１と、光源１１から出射される光を基板２０にスキャンするスキャンミラー１４と、基板２０で蛍光された蛍光イメージを検出する蛍光イメージ検出部１７と、基板２０で散乱された散乱光イメージを検出する散乱光イメージ検出部１９と、を含むものである。 - 特許庁

To provide a photosensitive coloring composition suitable as a color filter material, being good in developability and in image and line formability, preventing a coloring composition from remaining on a non-pixel part on a substrate after developing (development residue), a pattern defect of a pixel part and/or peeling, and having high productivity, and a color filter formed using the photosensitive coloring composition.例文帳に追加

現像性および画像画線形成性が良好で、現像後の基板上の非画素部への着色組成物の残留（現像残渣）や画素部のパターン欠け及び／または剥れがなく、高生産性のカラーフィルタ材料として好適な感光性着色組成物及びこれを用いて形成されるカラーフィルタを提供することを目的とする。 - 特許庁

This pattern defect inspection device includes a nearest 8 chips, which are adjacent to the detected image and positioned diagonally in the lateral and vertical directions while putting the detected image between them, and has a means creating an average reference image from images of the same shape patterns by statistical computing and a means detecting the defect by comparing the detected image with the average reference image.例文帳に追加

このパターン欠陥検査装置は、検出画像に隣接する少なくとも検出画像を挟んだ左右上下斜めに隣接する最近接８チップを含んで同一形状のパターンの画像から統計的演算処理により平均参照画像を生成する手段と検出画像を生成された平均参照画像と比較して欠陥を検出する手段とを備える。 - 特許庁