「パタン」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体製造工程に用いられる露光用１００において、レジストパタンに転写される第１マスクパタン１０６と光近接効果を抑制するための、解像限界以下の第２マスクパタン１０８を設ける。例文帳に追加

In a photomask 100 used in a semiconductor manufacturing process, a first mask pattern 106 transferred to a resist pattern and a second mask pattern 108 of a resolution limit or less for suppressing the light proximity effect are provided. - 特許庁

特徴量の識別能力を低下させること無く特徴量を正規化することが可能なパタンマッチング装置、パタンマッチングプログラム、およびパタンマッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a pattern matching device that can normalize a featured value without lowering discrimination capability for the featured value, and a pattern matching program and a pattern matching method. - 特許庁

送信装置１のフレームパタン挿入部１４でフレーム信号にフレームパタンを周期的に挿入し、情報挿入部１５でフレーム信号のフレームパタン以外のタイムスロットに付加データを挿入する。例文帳に追加

A frame pattern insertion section 14 of a transmitter 1 periodically inserts a frame pattern to a frame signal, and an information insertion section 15 inserts additional data to a time slot other than that of the frame pattern of the frame signal. - 特許庁

パタン列検出器３は、Ａ／Ｄ変換器１から出力された連続する複数のサンプル値からなる入力パタン列の種類を識別して、識別結果を示すパタン列識別情報を出力する。例文帳に追加

A pattern row detector 3 identifies the type of an input pattern row composed of a plurality of continuous sample values outputted from the A/D converter 1, and outputs pattern row identification information indicating an identification result. - 特許庁

パイロットパタン情報生成部２７８は、遅延分散、移動速度、および他セル干渉に応じて、フレーム内のパイロットシンボルの配置が最適となるパイロットパタンを選択しパイロットパタン情報を生成する。例文帳に追加

A pilot pattern information generating section 278 generates pilot pattern information by selecting a pilot pattern which optimizes an arrangement of the pilot symbol in a frame in accordance with the delay dispersion, the movement speed, and the other-cell interference. - 特許庁

作成した走行速度パタ−ンと横行速度パタ−ンで走行スタ−ト位置Ｓから走行装置３と横行装置４を同時にスタ−トしたときの各時刻毎の走行装置３と横行装置４の位置パタ−ンを求める。例文帳に追加

The position patterns are determined, of the travel device 3 and of the traverse motion device 5 at every time when the travel device 3 and the traverse motion device 5 simultaneously start from a travel start position according to a travel speed pattern and a traverse motion speed pattern which have been drawn up. - 特許庁

図１（ロ）に示すように、Ｔ型ゲート電極の下部電極部レジストパタン２１を得た後、パタンシュリンク材１を３０００〜４０００オングストロームの膜厚で全面に形成して、下層レジストパタン２１からの酸をパタンシュリンク材１に拡散させ、パタンシュリンク材１が架橋するミキシングベーク７を行う。例文帳に追加

The method for manufacturing the compound semiconductor device comprises the steps of acquiring a lower electrode resist pattern 21 of a T-shaped gate electrode, then forming a pattern shrink material 1 in thickness of 3,000 to 40,000 Å on the entire surface, diffusing an acid from the lower layer resist pattern 21 in the shrink material 1, and mixing and baking 7 to crosslink the shrink material 1. - 特許庁

絶縁べ−ス材１の少なくとも一方面に所要の回路配線パタ−ン２を形成し、この回路配線パタ−ン２に於ける外部接続用端子部となる開口５を除くその回路配線パタ−ン２の全面に電着手段で電着ポリイミド樹脂層４を形成する。例文帳に追加

A required circuit wiring pattern 2 is formed on at least one surface of an insulating base material 1 and an electrodeposited polyimide resin layer 4 is formed on the whole surface of the pattern 2 except openings 5 which become outside connecting terminal sections in the pattern 2. - 特許庁

エラーがあった場合には、変更領域内のレイアウトパタンのみに関係するエラーおよび変更領域内のレイアウトパタンと変更領域外のレイアウトパタンとの両方に関係するエラーを真のエラーとして選別する。例文帳に追加

When any error is generated, an error associated only with the layout pattern within the changed region and an error associated with both the layout pattern in the changed region and the layout pattern outside the changed region are classified as a true error. - 特許庁

第１の導体パタン２ａと給電パタン２ｅとの間、並びに第２の導体パタン２ｂとグラウンド２ｆとの間は、それぞれ第２層２ｈに対して垂直に形成された線状導体２ｃと線状導体２ｄによって電気的に接続されている。例文帳に追加

A linear conductor 2c and a linear conductor 2d formed perpendicularly to the second layer 2h make electrical connection between the first conductor pattern 2a and the feeding pattern 2e, and between the second conductor pattern 2b and the ground 2f, respectively. - 特許庁

前記アッパタンク３内における前記仕切り板６を，前記アッパタンク３を前記ラジエータ１におけるアッパプレート２に取付けるときに，前記アッパプレート２と，前記アッパタンク３のうち上室７内に設けた支持手段１３とで挟んで位置固定する。例文帳に追加

When the upper tank 3 is attached to an upper plate 2 in the radiator 1, the partitioning plate 6 in the upper tank 3 is positioned and fixed while being sandwiched between the upper plate 2 and a supporting means 13 provided in the upper chamber 7 in the upper tank 3. - 特許庁

制御部６３は、パタン投影機６２で幅方向にラインパタンが投影された用紙を定着ニップへ搬送し、エリアセンサ６１で、用紙上のラインパタンの形状を測定して、用紙の面外変形形状を検知する。例文帳に追加

A control section 63 conveys a piece of paper, on which a line pattern is projected in a width direction by a pattern projector 62, to a fixing nip; measures the shape of the line pattern on paper by means of an area sensor 61; and detects the shape of deformation outside the surface of paper. - 特許庁

また、プリント基板２の角穴５に対してパタン銅箔部２ｂが、その全周ではなく支え金具２３のロック爪２３ｂがある面にのみ設けられ、パタン銅箔部２３ｂのパタン面と接する支え金具２３の面のみがはんだ付けによって固定される。例文帳に追加

Further, a pattern copper foil portion 2b is provided not on the entire circumference of a square hole 5 of the printed board 2, but only on a surface where a lock claw 23b of a support metal fitting 23 is located, and only a surface of the support metal fitting 23 in contact with a pattern surface of the pattern copper foil portion 23b is fixed by soldering. - 特許庁

標準パタン生成装置及びこれを用いた音声認識装置、標準パタン生成方法及びこれを用いた音声認識方法、並びに、標準パタン生成プログラムを記録した記録媒体及び音声認識プログラムを記録した記録媒体例文帳に追加

STANDARD PATTERN GENERATION UNIT, SPEECH RECOGNITION UNIT USING IT, STANDARD PATTERN GENERATION METHOD, SPEECH RECOGNITION METHOD USING THE METHOD, RECORDING MEDIUM IN WHICH THE STANDARD PATTERN GENERATION PROGRAM IS RECORDED, AND RECORDING MEDIUM IN WHICH SPEECH RECOGNITION METHOD IS RECORDED - 特許庁

オーディオ装置２の切替手段８１は、受信した前記情報の表す道路種別に応じた前記イコライザー設定パタン、すなわち、一般道用パタンＰ１、又は高速道用パタンＰ２などを設定記憶部８０から読み出すとともにイコライザー部２３に設定適用する。例文帳に追加

A changeover part 81 of the audio system 2 reads equalizer setting patterns from a setting storage part 80, specifically, a pattern P1 for general roads, a pattern P2 for express ways, or the like according to the type of road indicated by the received information and sets and applies them to an equalizer part 23. - 特許庁

表面に下地パタンを有するウェハ上および表面に下地パタンを有しないウェハ上のそれぞれに、１ショット毎に露光量を一定量ずつ増加させながらパタンの露光を行うことによって、exposure runningウェハである検査用ウェハを作製する（Ｓ１３）。例文帳に追加

Pattern exposure is made onto a wafer with a ground pattern on the surface and a wafer without any ground pattern on the surface while increasing the exposure energy by a certain amount each time for each shot, thus manufacturing a wafer for inspection that is an exposure running wafer (S13). - 特許庁

次いで、形成した微細な配線パタ−ン３をマスキング処理した後、所要の厚さが得られるように再度スル−ホ−ルメッキ処理を施し、最後に微細な配線パタ−ン３以外の他の所要の配線パタ−ン６，７を形成する。例文帳に追加

Then, the formed fine wiring pattern 3 is subjected to a masking treatment, then the copper plated laminated board 1 is subjected to a through-hole plating treatment again so as to be plated as thick as prescribed, and lastly other necessary wiring patterns 6 and 7 other than the fine wiring pattern 3 are formed. - 特許庁

パタン判定部は、受信データを示すビット列と、特徴パタンに含まれる複数の所定のビット列の各々とを比較して複数の所定のビット列のうちのいずれかに一致したときに、特徴パタンとの一致を通知する。例文帳に追加

The pattern determination unit gives a notice of the correspondence with a characteristic pattern if any of multiple predetermined bit strings corresponds to a bit string indicating the reception data when the bit string indicating the reception data is compared with each of the multiple predetermined bit strings included in the characteristic pattern. - 特許庁

パターン選択部１４０は、前記選択規則に基づき代表韻律パタン選択規則テーブル１３０から代表韻律パタンを選択し、韻律生成部１６０が、選択したパタンを前記変形規則に従って変形し、韻律変化点以外の部分については補間によって韻律を生成する。例文帳に追加

A pattern selecting part 140 selects a representative rhythm pattern among the representative rhythm pattern selection rule table 130 on the basis of the selection rule, a rhythm-generating part 160 deforms the selected pattern in accordance with the deformation rule and concerning each of parts except for the rhythm change point, rhythm is generated through interpolation. - 特許庁

光透過性基板１１と、光透過性基板１１の第１の表面に配置された第１のマスクパタン１５と、第１のマスクパタン１５に対向して、光透過性基板１１の第２の表面に配置された第２のマスクパタン１７とを含む。例文帳に追加

The photomask comprises a light transmissive substrate 11, first mask patterns 15 arranged on a first surface of the light transmissive substrate 11 and second mask patterns 17 arranged on a second surface of the light transmissive substrate 11 facing the first mask patterns 15. - 特許庁

半導体試験装置１１において、制御部１０は、パタンファイル使用頻度テーブル記憶部１８に、パタンファイル使用頻度テーブルを作成し、予め設定された個数分の被試験対象の半導体を試験する過程で、パタンファイルの使用頻度を求める。例文帳に追加

In this semiconductor testing device 11, a control part 10 forms a pattern file use frequency table in a pattern file use frequency table memory part 18 and determines the use frequencies of pattern files in the process of testing a preset number of semiconductors to be tested. - 特許庁

上記基本グラデーションパタンを垂直方向に沿って順次コピーを繰り返すとき、上記基本グラデーションパタンのコピー位置に応じて上記基本グラデーションパタンを水平方向に沿ってずらした（ｋ）位置からコピーするコピーステップを設ける。例文帳に追加

This processor is also provided with a copy step for copying the basic gradation pattern from a k position formed by deviating the basic gradation pattern along the horizontal direction according to the position of the copy of the basic gradation pattern, when the basic gradation pattern is sequentially and repeatedly copied along the vertical direction. - 特許庁

本発明は、磁気記録媒体上に磁化パタンを形成し、磁性粒子をこの磁性パタンに従って磁気記録媒体表面に配列し、磁気記録媒体を別の基板に押し付けることにより、磁気記録媒体表面に配列した磁性粒子のパタンを基板に転写する。例文帳に追加

The microstructure fabricating method comprises forming magnetize pattern on a magnetic recording medium, arranging magnetic particles on the surface of the recording medium in accordance with the magnetize pattern, and pressing the medium to another substrate, whereby the pattern of the magnetic particles arranged on the surface of the recording medium is transcribed onto the substrate. - 特許庁

ＦＨパタン比較部１２１は、移動局から報告される干渉ＦＨパタンと自局のＦＨパタンとを比較し、干渉サブキャリアおよび非干渉サブキャリアを特定し、このサブキャリア干渉情報をデータマッピング部１２２に出力する。例文帳に追加

An FH pattern comparing part 121 compares an interference FH pattern reported from a mobile station with an FH pattern of its own present station, specifies an interference subcarrier and a non-interference subcarrier, and outputs such subcarrier interference information to a data mapping part 122. - 特許庁

本発明は、電気回路基板上に、蛇行する配線抵抗不良検知用パタン１と、前記配線抵抗不良検知用パタン１の間隙に配置し、かつ電気的に絶縁したスルーホール導通不良検知用パタン３とを有する。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a meandering pattern 1 for detecting defective interconnect resistance formed on an electric circuit substrate, and a pattern 3 for detecting defective conduction of through hole formed in the gap of the pattern 1 for detecting defective interconnect resistance while being insulated electrically therefrom. - 特許庁

ＡＮＤ回路３３は、アイパタンが連続して同一極性であった直後にアイパタンの極性が反転した場合を除き、アイパタンの極性が反転した場合には、セレクタ２７の出力値をマスクし、その他の場合には、セレクタ２７の出力値をフリップフロップ３４に与える。例文帳に追加

An AND circuit 33 masks the output value of the selector 27 when the polarity of the eye pattern is inverted except a case when the polarity of the eye pattern is inverted immediately after the time when the eye pattern continuously has the same polarity, and also, it gives the output value of the selector 27 to a flip-flop 34 in the case other than that. - 特許庁

音声認識で使用する音声標準パタンを作成するための学習の手続きにおいて、ある回線Aを通った音声を認識するための標準パタンを作成するための訓練データが少ない場合においても認識性能低下の小さい音声標準パタン作成手段を提供する。例文帳に追加

To provide a voice standard pattern generating means which has a small decrease in recognizing performance even when training data for generating a standard pattern for recognizing a voice passed through some line A are not much as to a procedure of learning for generating the voice standard pattern used for voice recognition. - 特許庁

高い転写パタン寸法を実現できる位相シフトマスクが製造でき、さらに高い転写精度を実現することで高性能な大規模集積回路の製造が可能となる位相シフトマスク、該位相シフトマスクを用いたパタン形成法、該パタン形成法による固体素子を提供する。例文帳に追加

To produce a phase shifting mask capable of achieving high transfer pattern dimensions, to provide a phase shifting mask which enables production of a high performance large-scale integrated circuit by achieving higher transfer accuracy and to provide a pattern forming method using the phase shifting mask and a solid-state device produced by the pattern forming method. - 特許庁

前記韻律変化点を含む部分の韻律パタンの選択規則およびパタンの変形規則を、統計的手法あるいは学習によって生成し、あらかじめ代表韻律パタン選択規則テーブル１３０および変形規則テーブル１５０に格納しておく。例文帳に追加

The selection rule and deformation rule of the rhythm pattern in a part including the rhythm change point are generated by a statistical method or learning and previously stored in a representative rhythm pattern selection rule table 130 and a deformation rule table 150. - 特許庁

半導体装置の実パタンがウェハ上に所望どおりに形成されるように、半導体装置の設計パタン３１のエッジＥ０１乃至Ｅ２４を移動させる移動量を正確に算出できる設計パタン３１の補正方法を提供する。例文帳に追加

To provide a correction method for a design pattern 31 by which a moving amount to move edges E01 to E24 of a design pattern 31 of a semiconductor device can be accurately calculated so as to form a real pattern of the semiconductor device as desired on a wafer. - 特許庁

３Ｔ−２Ｔ−３Ｔの追記パタンの前後の変調後ビット列は、当該追記パタンの部分が、全てピット（凹部）で構成されたパタンに置き換わったときにも、変調後ビット列の全体が可変長変調の規則に従うように生成されている。例文帳に追加

Bit sequences before and after the postscript pattern of 3T-2T-3T are formed so that whole the bit sequence after modulation follows a rule of variable length modulation even when the part of the postscript pattern is replaced with a pattern constituted of all pits (recessed parts). - 特許庁

無線通信システムの受信機の同期獲得において、プリアンブル区間の繰返し固定パタンを利用する際に、その前後に固定パタンに類似したパタンが存在する場合やＣＮＲが小さい場合においても、性能良く同期獲得を実行可能にする。例文帳に追加

To execute the acquisition of synchronization with improved performance even if patterns similar to a fixed pattern are present before and after utilizing the repetition fixed pattern in a preamble section and even if CNR is small, when using the repetition fixed pattern when synchronizing the receiver of a radio communication system. - 特許庁

そこで、回路配線パタ−ン２とは無関係な部分をマスク４で被覆した状態で不要な導電性金属層３を除去して電着リ−ド部を形成した後、回路配線パタ−ン２に必要な開口部を残して電着手段で回路配線パタ−ン２の表面に表面保護層８を形成する。例文帳に追加

After forming an electrodeposition lead by removing an unnecessary metallic layer 3 in a state coating a part independent of the pattern 2 with a mask 4, a surface protection layer 8 is formed on the surface of the pattern 2 by an electrodeposition means in a state leaving an aperture necessary for the pattern 2. - 特許庁

辞書限定部１４の受付部がタッチパッド部６で入力を受け付け、判定部が、操作パタン記憶部１２を参照することにより、前記受付部の受け付けた入力の該当する操作パタンを判定し、その操作パタンに対応する前記操作階層を特定する。例文帳に追加

A reception part of a dictionary limiting part receives an input by a touch pad part 6 and a decision part decides a corresponding operation pattern of the input that the reception part receives by referring to an operation pattern storage part 12 to specify an operation layer corresponding to the operation pattern. - 特許庁

アルミナ等のセラミック、ガラスセラミックまたは耐熱複合材料で形成された長尺平板状の絶縁基板１１上の長手方向に配線パタン１４，１５を並行させて形成し、配線パタン１４，１５間に複数の発熱体パタン１６１〜１６６を並列して形成する。例文帳に追加

Wiring patterns 14 and 15 are formed in parallel with each other in the longitudinal direction of the long flat plate-like insulation board 11 formed of ceramics such as alumina, glass ceramics or a heat-resistant composite material; and a plurality of the heating element patterns 161-166 are formed in parallel with one another between the wiring patterns 14 and 15. - 特許庁

鉄道線路のような法線方向にも模様を有する複雑なパタン太線を表示画面上に描画する場合であっても、描画速度の低下を抑制し得るパタン太線描画装置及びパタン太線の描画方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a device and a method for plotting a pattern thick line capable of suppressing the lowering of a plotting speed even when a complicated pattern bold line having a pattern also in a normal direction as in a railroad line is plotted on a display screen. - 特許庁

可撓性絶縁べ−ス材１の一方面に形成した所要の回路配線パタ−ン２を備え、回路配線パタ−ン２の一部には電子部品と接続する為の端子部を有する可撓性回路基板は、端子部を有する回路配線パタ−ン２の表面に端子部を含めて有機防錆皮膜３を具備する。例文帳に追加

This flexible circuit board, having a required circuit pattern 2 formed on one surface of a flexible insulation base 1 and terminals for connecting electronic components at a part of the circuit wiring pattern 2, comprises an org. rust-proof film 3 on the surface of the circuit wiring pattern 2 having terminals, including the terminals. - 特許庁

被測定マスク基板に焼き付きを生じさせることなく、非破壊での測定を可能とするとともに、個々の露光条件を考慮して精度良く微細加工処理が施された基板上のパタン幅を露光機における実効的なパタン幅として測定することが可能なパタン幅測定装置を提供する。例文帳に追加

To provide pattern width measurement equipment for performing non-destructive measurement without generating seizure on a mask substrate to be measured, and for accurately measuring a pattern width on the substrate to which microfabrication has been performed under the consideration of individual exposure conditions as an effective pattern width in exposure equipment. - 特許庁

設計レイアウトパタンの任意の領域内に含まれるポリゴン図形の頂点数に応じた設計制約条件を規定し、該当パタンを抽出することで、設計レイアウト上のウェハプロセスの不具合箇所抽出を可能にするとともに、該当パタンのフォトマスクデータ補正を実施する。例文帳に追加

A defective portion of a wafer process on a design layout can be extracted by specifying design restriction conditions according to the number of vertexes in a polygonal figure included in a given region of the design layout pattern, as well as the photomask data of the pattern is corrected. - 特許庁

圧縮パタン照合は文字列照合の分野における最も活動的なトピックの一つである。例文帳に追加

Compressed pattern matching is one of the most active topics in string matching.  - コンピューター用語辞典

分子遺伝学とイメージパタンとに基づく暗号化アルゴリズムの定式化例文帳に追加

formulation of an encryption algorithm on the basis of molecular genetics and image patterns  - コンピューター用語辞典

RDF 1.0の形式文法はXDuceのパタン言語とXMLスキーマの形式主義に基づいて定義される。例文帳に追加

The RDF 1.0 formal grammar is defined according to the pattern language of XDuce and the XML Schema Formalism.  - コンピューター用語辞典

このように、メンバシップ関数評価問題はパタン認識問題としてアプローチされよう。例文帳に追加

Thus, the membership function estimation problem may be approached as a pattern recognition problem.  - コンピューター用語辞典

このパタンファイルは最新のスキャンエンジンと共に使えば最も効果的です。例文帳に追加

This pattern file is most effective when used with the latest scan engine.  - コンピューター用語辞典

この研究では, 空間テクスチャ・パタンの区別性と, ...の文脈的制約とを用いる.例文帳に追加

This work uses the distinctiveness of spatial texture patterns and contextual constraints of ...  - コンピューター用語辞典