「帯伝導」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

生分解性を有するとともに電気伝導性を有し、処分する際の自然環境への影響が小さく、静電気を帯びにくい汎用の材料としての利用が可能な、炭を含む成形品を提供する。例文帳に追加

To provide a molded product containing charcoal capable of being utilized as a material for a wide use wherein not only biodegradability but also electric conductivity are provided, an influence on natural environment when disposed of is little, and it is difficult to have static electricity. - 特許庁

床コンクリートスラブとフローリングのベースパネル床からなる二重床構造で低周波数帯の振動と伝導を除去する構造を提供する。例文帳に追加

To provide a double-floor structure, which is constituted of a floor concrete slab and a base panel floor formed of a flooring and eliminates vibrations in a low-frequency band and transmission thereof. - 特許庁

また、第２半導体層１０４には、電界が印加されると、第２半導体層１０４の層厚方向の中央部に両脇より伝導帯端のポテンシャルが高い領域が形成される構成となっている。例文帳に追加

The second semiconductor layer 104 is configured that when the electric field is applied to the second semiconductor layer 104, a region having a higher potential of a conduction band end than that of both edges is formed in a center part of the second semiconductor layer 104 in a layer thickness direction. - 特許庁

この熱伝導シート３０は携帯電子機器内部まで繋がっており高温を発生する電気部品６に直接接触させるか、近い場所に設置する。例文帳に追加

This heat conduction sheet 30 is connected to an inner part of the mobile electronic equipment and installed in direct contact with or nearby an electric component 6 which generates high temperature. - 特許庁

植物栽培用照明装置を、熱伝導性材からなる板状の基材の一面に、帯状のモールド材中に複数のＬＥＤを所定間隔で埋設配置して成るＬＥＤユニットを取付けて構成する。例文帳に追加

This lighting system for plant cultivation is formed by attaching an LED unit where a plurality of LEDs are buried and arranged at prescribed intervals in a belt-like mold material, to one surface of a plate-like base material made from a heat transfer material. - 特許庁

ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層３とｎ型ＩｎＡｌＧａＮキャップ層４との界面において、それぞれの伝導帯の下端が実質的に連続する。例文帳に追加

In the interface of the n-type AlGaN electron-donor layer 3 and the n-type InAlGaN cap layer 4, the bottoms of the conduction bands of the two layers substantially are uninterrupted. - 特許庁

高感度磁気センサーである超伝導量子干渉素子を用いた信号検出器において，広帯域の信号を安定に測定できる測定装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a measuring device capable of measuring stably a wideband signal in a signal detector using a superconducting quantum interference element which is a highly sensitive magnetic sensor. - 特許庁

接続状態の実現により、遮断状態における孤立領域１０の帯電量の飽和ひいては第２電子層１０４の電気伝導率の変化の飽和が解消されうる。例文帳に追加

By having connected state realized, saturation of the charged amount of the isolated region 10 during disconnection can be eliminated, that is, saturation of the change in electrical conductivity of a second electron layer 104. - 特許庁

レーザーフラッシュ法により測定した厚み方向の熱伝導率４Ｗ／ｍ・Ｋ以上のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物、好ましくはポリフェニレンスルフィド、１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する炭素繊維及び金属ケイ素粉末からなるポリフェニレンスルフィド樹脂組成物よりなり、特に携帯機器用として好ましく用いることが出来る樹脂製筐体。例文帳に追加

The housing made of resin is obtained from a polyphenylene sulfide resin composition having thermal conductivity in the thickness direction of 4 W/m×K or more measured by laser flash method, preferably from a polyphenylene sulfide resin composition comprising polyphenylene sulfide, carbon fibers having thermal conductivity of 100 W/m×K or more, and metallic silicon powders, and is suitably used especially for portable apparatuses. - 特許庁

電子写真方式画像形成装置の接触帯電部材等の装置用部材であって、その最外層を構成する材料に、少なくとも架橋フッ素樹脂及び板状構造を有する無機充填剤、導電性粒子、及び所望により難燃剤を含有し、また該導電剤として電子伝導剤及び高分子マトリクス担持イオン伝導剤を含有していてもよい画像形成用半導電性部材。例文帳に追加

The semi-conductive member for image formation is an apparatus member like a contact charging member of the electrophotographic image forming apparatus, and materials constituting its outermost layer contain an inorganic filler having at least a crosslinked fluoride resin and a tabular structure, and conductive particles , and a flame retarder when desired, and the member may contain an electron conductor and a polymer matrix bearing ion conductor as a conductive material. - 特許庁

第１電極１０と、第２電極２０と、第１電極１０と第２電極２０とに対向して設けられ、可動イオン３１を含むイオン伝導層３０と、第１電極と電気的に接続され、前記第１電極とイオン伝導層３０との間に設けられ、可視光帯域のプラズモン共鳴波長を有し、金属元素を含むナノ構造体４０と、を有する光学セル６０を備える表示装置を提供する。例文帳に追加

This display device is provided with an optical cell 60 having a first electrode 10, a second electrode 20, an ion transmission layer 30 provided by opposing to the first electrode 10 and the second electrode 20 and including movable ion 31 and a nanostructural body 40 connected electrically with the first electrode, provided between the first electrode and the ion transmission layer 30, having plasmon resonance wavelength in a visible light zone, and containing a metallic element. - 特許庁

超伝導デバイスは、第１の誘電体基板（１１）と、前記第１の誘電体基板上に超伝導材料で形成された２次元回路型の共振器パターン（１２）と、前記共振器パターンの上方に、好ましくは誘電体（１６）を介して位置し、前記共振器パターンに所望の帯域幅のカップリングを生じさせる導体パターン（１７）とを有する。例文帳に追加

The superconducting device includes a first dielectric substrate (11), a two-dimensional circuit type resonator pattern (12) formed of super-conducting materials on the first dielectric substrate, and a conductor pattern (17) which is located above the resonator pattern across, preferably, a dielectric substance (16) and generates coupling of desired bandwidth in the resonator pattern. - 特許庁

第１工程では、良熱伝導性の板状体１にスリット加工を施して特定方向に並ぶ複数の帯状部２を形成するとともに、これらの帯状部２を隣り合う帯状部２のうち一方の帯状部２の各山部２ａが他方の帯状部２の各谷部２ｂに対応した位置に来るように波状に形成する。例文帳に追加

In a first process, slitting is performed to a plate-like body 1 of high heat conductivity to form a plurality of strip parts 2 arranged in a specific direction and to form the strip parts 2 in wavy shape so that each crest part 2a of one strip part 2 out of the adjacent strip parts 2 comes to a position corresponding to each trough part 2b of the other strip part 2. - 特許庁

レーザダイオードの量子井戸と井戸障壁との間の伝導帯ギャップ差値が、３００ｍｅＶ乃至４５０ｍｅＶまで向上され、レーザダイオードの特性温度が向上されるレーザダイオードの活性層エネルギー帯を提供する。例文帳に追加

To provide an active layer energy band for a laser diode by which a conduction band gap differential value between a quantum well and a well barrier of the laser diode is improved up to 300 meV or 450 meV and a characteristic temperature of the laser diode is improved. - 特許庁

光変調器集積半導体レーザ素子の活性層にＩｎ，Ｇａ，Ａｌ及びＡｓの４元混晶を含んだＭＱＷ層を用い、伝導帯のバンドオフセットΔＥｃを７５ｅｍＶよりも大きくし、かつ、価電子帯のバンドオフセットΔＥｖを０ｍｅＶより大きく２５ｍｅＶより小さくする。例文帳に追加

An active layer of a semiconductor laser element integrated with optical modulator uses an MQW layer containing a mixed crystal of our elements In, Ga, Al and As to increase the band offset ΔEc of the conductor over 75 meV and the band offset ΔEv of the valence band over 0 meV below 25 meV. - 特許庁

さらに、伝導帯、価電子帯ともにソース部がチャネル部に対して高いエネルギーとなるため、電子・正孔ともに加速した電荷をチャネルに注入できる構造が実現でき、同一の材料系で容易に超高速のＣＭＯＳＦＥＴを作製することが可能となる。例文帳に追加

Furthermore, since the source part of both conduction band and valence band has a high energy with respect to the channel part, a structure for injecting accelerated electrons and holes into the channel can be realized and an ultrahigh speed CMOSFET can be fabricated easily using the same material system. - 特許庁

従来の半導体発光素子は、主に、ｐ型半導体とｎ型半導体の接合から構成されるが、ｐ型又はｎ型の半導体が作製困難な場合には伝導帯と価電子帯の間で発光する半導体発光素子を作製することが難しい。例文帳に追加

To solve the following problem; it is difficult to manufacture a semiconductor light emitting element which emits light between a conduction band and a valence band when a p-type or n-type semiconductor is difficult to manufacture in a conventional semiconductor light emitting element which is constituted of junction between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor. - 特許庁

Ｐチャネルトランジスタのゲート電極の仕事関数をシリコンの価電子帯上端の仕事関数値に近づけるとともに、Ｐチャネルトランジスタのゲート電極の仕事関数をシリコンの伝導帯下端の仕事関数値に近づけることで、しきい値電圧の低減を図る。例文帳に追加

To reduce threshold voltage by bringing the work function of a P channel transistor's gate electrode close to the work function value of silicon valence band's upper end as well as by bringing the work function of the P channel transistor's gate electrode close to the work function value of silicon conduction band's lower end. - 特許庁

電気構成部品（１３）で発生した熱を帯行体（１４）に伝達するように、かつ測定方向Ｘに対して少なくとも横方向での、帯行体（１４）と走査ユニット（１０）の間の相対運動を許容するように設計されている熱伝導部材１９を備えていることにより解決される。例文帳に追加

In this invention, the subject is solved with having a thermal conduction part 19 which is designed so as to have an allowance to a relative motion between a carrier body 14 and a scanning unit 10 in a horizontal direction at least to a measuring direction X, wherein a heat generated in an electric part 13 is transferred into the carrier body 14. - 特許庁

超伝導性セラミックス材料を塗布した支持体の、複数の平坦なストリップ（１）の周りに、金属性帯状体（３）を長手方向に巻いて、長手方向に走るスリットを備えた管を成形し、該金属性帯状体の、該スリットに沿って存在するエッジを互いに溶接する。例文帳に追加

For carrying out the method, around a plurality of flat strips (1) of a carrier coated with a superconductive ceramic material, a longitudinally entering metal band (3) is formed into a pipe having a slit extending in the longitudinal direction, where the edges located at the slit next to each other are welded together. - 特許庁

６Ｈ—ＳｉＣの基板１１と３Ｃ—ＳｉＣの薄膜１２は、その結晶構造（六方晶系と立方晶系）の相違によりバンドギャップのエネルギレベルがずれており、伝導帯は薄膜１２より基板１１が高く、価電子帯も薄膜１２より基板１１が高い。例文帳に追加

Energy level of band gap is shifted between the 6H-SiC substrate 11 and the 3C-SiC thin film 12 due to difference of the crystal structure (hexagonal system and cubic system) wherein the conduction band of the substrate 11 is higher than that of the thin film 12 and the valence band of the substrate 11 is also higher than that of the thin film 12. - 特許庁

強磁性半導体から成る層と、前記強磁性半導体とタイプIIのバンド配置を有する非磁性半導体から成る層とを、前記強磁性半導体層の価電子帯の自発的なスピン分裂が、前記非磁性半導体層の伝導帯のスピン分裂を誘発するように設ける。例文帳に追加

A layer comprising a ferromagnetic semiconductor and a layer comprising the ferromagnetic semiconductor and a non-magnetic semiconductor comprising type II band arrangement are so provided that a spontaneous spin splitting of a valence band of the ferroelectric semiconductor layer causes spin splitting of a conduction band of the non-magnetic semiconductor layer. - 特許庁

基材フィルムと、該基材フィルムの少なくとも一方の面に設けられた帯電防止層とからなる帯電防止フィルムにおいて、上記帯電防止層が、分子内に活性水素基を有する樹脂（Ａ）とイオン伝導ポリマーと支持電解塩とからなる樹脂（Ｂ）とポリイソシアネート（Ｃ）とを被膜形成成分として形成されていることを特徴とする帯電防止フィルム。例文帳に追加

This antistatic film consisting of the substrate film and the antistatic layer installed on at least one of the surfaces of the substrate film is characterized in that the antistatic layer is formed by containing (A) a resin having an active hydrogen group in its molecule, (B) a resin consisting of an ion-conductive polymer and a supporting electrolytic salt and (C) a polyisocyanate as film-forming components. - 特許庁

酸化物半導体電極材料２３に色素を吸着させてなる酸化物半導体電極２２と対向電極１０とを電解質３１を介して対向配置してなる太陽電池において、酸化物半導体電極材料２３の少なくとも一部が、酸化物半導体電極材料２３の伝導帯のエネルギーレベルよりも高いエネルギーレベルの伝導帯を有する酸化物半導体膜で被覆されていることを特徴とする色素増感型太陽電池。例文帳に追加

In a solar battery, in which an oxide semiconductor electrode 22 with an oxide semiconductor electrode material 23 absorbing pigment and a counter electrode 10 are arranged opposedly to each other via an electrolyte 31, at least a part of the oxide semiconductor electrode material 23 is covered with an oxide semiconductor film having a transfer band at an energy level higher than that of a transfer band of the oxide semiconductor electrode material 23. - 特許庁

ポリエステルフィルムと、帯電防止のために伝導性ポリマーを含み、前記ポリエステルフィルムの一面または両面に形成される帯電防止コーティング層と、離型物性を向上するために前記帯電防止層に積層されるシリコン樹脂層とを含んでポリエステル離型フィルムを構成する。例文帳に追加

The mold-releasing polyester film has an anti-static coating layer containing a polyester film and a conductive polymer for preventing the anti-static property and formed on one surface or both surfaces of the polyester film, and a silicone resin layer laminated on the anti-static layer to enhance the mold-releasability. - 特許庁

金属イオンと正孔捕捉剤とを含む電解液中で、導電性高分子上へ金属粒子を析出する方法であって、導電性高分子に光照射することで、価電子帯の電子を伝導帯に励起し価電子帯に正孔を形成する正孔形成工程と、励起された電子によって、上記金属イオンを還元する還元工程とを含む導電性高分子への金属粒子の光析出方法とする。例文帳に追加

The method for optical precipitation of the metallic particles onto a conductive polymer in an electrolyte containing metal ions and a hole scavenger, includes a hole forming step of exciting the electrons of a valence band to a conduction band and forming holes in the valence band by irradiating the conductive polymer with light and a reducing step of reducing the metal ions by the excited electrons. - 特許庁

量子ウェル構造を有して光を生成するＧａＩｎＮＡｓ活性層と、活性層の上下部に蒸着されて前記活性層より高い伝導帯のエネルギーと低い価電子帯エネルギーとを有するＧａＩｎＡｓ障壁層とを備え、１．３μｍ以上の長波長帯域の優秀な発光特性を有する。例文帳に追加

The optical device is provided with a quantum well structured GaInNAs active layer that generates light, and GaInAs barrier layers vapor-deposited vertically, over and under the active layer having conduction band kinetic energy and lower valence band kinetic energy higher than that of the active layer, and it has an superior long-wavelength luminescence characteristic of 1.3 ums or longer. - 特許庁

帯電部材としての帯電ローラ２０はその表面に、樹脂及びゴムあるいは樹脂又はゴムを含む被覆層を有し、該被覆層はトナーの結着樹脂を構成する樹脂成分と同じもの、及び電気伝導性物質を含有し、帯電ローラ２０の体積抵抗は１×１０^３Ω・ｃｍ乃至１×１０^１２Ω・ｃｍに設定されている。例文帳に追加

A charging roller 20, as the charging member has resin and rubber or has a coating layer containing the resin or rubber on its surface and the coating layer, contains the component which is the same as the resin component constituting the binder resin of the toner and an electrically conductive material, and the volume resistivity of the charging roller 20 is set at 1x10^3 to 1x10^12 Ωcm. - 特許庁

ピリジン環を導入できる有機化合物（例えば、ピリジン・ＤＰＰ）にプロトンを接触させ、プロトン付加に伴う前記有機化合物の電気抵抗率、光伝導度、光学吸収帯の変化を検知してなる酸並びに水素ガスセンサーに関するものである。例文帳に追加

These hydrogen gas sensor and acid sensor allow protons to be in contact with an organic compound which can introduce pyridine ring such as a pyridine DPP, detecting variations in electrical resistivity, photoconductivity and photoabsorption band of the organic compound involved in protonation. - 特許庁

ＩｎＧａＡｓオーミックコンタクト層とＩｎＡｌＡｓショットキーコンタクト層の間にｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層を挿入することによって、ヘテロ接合の伝導帯のバンド不連続量を小さくし、ソース抵抗およびドレイン抵抗を低減した半導体素子を提供する。例文帳に追加

In this semiconductor device, an n-type InGaAlP layer is inserted between an InGaAs ohmic contact layer and an InAlAs Schottky contact layer to reduce an amount of band discontinuation of a conduction band of a hetero junction, thereby lower the source and drain resistances. - 特許庁

次に、Ｂｒ原子６に局在する結合性軌道８の電子１４を、基板表面部において局所的に励起し伝導帯に放出させＳｉ原子２およびＢｒ原子６の化学結合を破壊して、Ｂｒ原子６を基板表面から脱離させる。例文帳に追加

Electrons 14 of the bonding orbital 8 localized on the Br atoms 6 is locally excited at the surface part of the substrate and emitted to a conduction band to destroy the chemical bond of the Si atoms 2 and Br atoms 6, thereby desorbing the Br atoms 6 from the surface of the substrate. - 特許庁

本発明に係るヘッドセットは、通話するために携帯電話機１３と無線通信するヘッドセット１１であって、骨伝導音声を検出して音声信号を出力し、当該出力された音声信号を認識し、当該認識された音声信号を無線通信によって出力するものである。例文帳に追加

The head set 11 performing wireless communication with a portable telephone 13 for telephone conversation outputs a voice signal by detecting bone conduction voice, recognizes the outputted voice signal, and outputs the recognized voice signal by wireless communication. - 特許庁

このような空気流動により、テレビ部２０から伝わってきた熱が外部へ帯出され、断熱室３０内の温度をほぼ一定に保つことにより、プリンタ部１０への熱伝導が抑えられるため、インクリボンと転写紙など熱に弱い部品の熱による劣化を抑制することができる。例文帳に追加

This suppresses the deterioration of thermally weak components such as ink ribbons and transfer paper due to heat. - 特許庁

帯電及び絶縁破壊を起さず、適度な導電率を有する電気的特性と、熱処理工程での変形、破損を起さない熱的特性を有し、環境汚染物質を含有しない電子伝導性ガラス及びこれを用いた電子線励起型ディスプレイ用ガラススペーサを提供する事。例文帳に追加

To provide an electron-conductive glass having electrical characteristics having moderate electric conductivity without the occurrence of electrostatic charge and dielectric breakdown and thermal characteristics not giving rise to deformation and breakage in a heat treating step, and not containing environmental pollutants, and a spacer for electron beam-excitation type display using the same. - 特許庁

不純物拡散層１１０は、ＡｌＧａＮ層１０４に対しアクセプタ性を示す不純物が拡散し、且つ、ＡｌＧａＮ層１０４における窒素空孔と不純物とが結合してなる不純物準位が、ＡｌＧａＮ層１０４の伝導帯端の近傍に形成される。例文帳に追加

In the impurity diffusion layer 110, impurities which show acceptor properties to the AlGaN layer 104 are diffused, and an impurity level obtained through coupling nitrogen holes of the AlGaN layer 104 with the impurities is formed nearby a conduction band end of the AlGaN layer 104. - 特許庁

本発明部材は、光照射時に励起されて電子を生成する光励起半導体、および光励起半導体の伝導帯の電位よりも正の酸化還元電位を有しており、還元時に陽イオンの存在下に結晶構造が変化する酸化還元材料を備えている。例文帳に追加

This member has a photo-excited semiconductor which is excited in photoirradiation and forms electrons and an oxidation reduction material which has the oxidation reduction potential more positive than the potential of the transmission band of the photo-excited semiconductor and is changed in its crystal structure in the presence of cation at the reduction. - 特許庁

Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕなどの電気伝導度が高い導体を同時焼成できる低温焼結が可能な、比誘電率が低く高周波帯域での損失が小さく、かつ温度依存性の小さい低誘電率磁器基板およびその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a low permittivity ceramic substrate low in relative permittivity, small in loss in a high frequency zone, and small in temperature dependence, enabling low temperature sintering where conductors having high electric conductivity such as Ag, Au and Cu can be simultaneously sintered, and a method for manufacturing the same. - 特許庁

多重積層型固有ジョセフソン接合を有する超伝導体ＢＳＣＣＯ構造の単結晶体により形成され、前記単結晶体が発振するテラヘルツ帯域電磁波の基本波の高次調波を利用することを特徴とする。例文帳に追加

The THz band electromagnetic wave oscillating apparatus is formed of a single crystal material of a superconducting BSCCO structure including a multilayered intrinsic Josephson-junction, and utilizes the high order harmonics of the basic wave of the THz band electromagnetic wave oscillated by the single crystal material. - 特許庁

金属製帯状体３を、超伝導セラミック材料で被覆された支持体の多数の平坦な細片１の周りに、長手方向に延びるよう成形して、該長手方向に伸長するスリットを有する管９とし、該スリットに沿って並んでいる該管の両エッジを、互いに溶接する。例文帳に追加

A metal ribbon 3 is formed around many flat strips 1 of a support which is coated with superconducting ceramic material, running in a longitudinal direction to form a tube 9 having a slit which runs in the longitudinal direction, and whose both edges which rest on the slit are welded to one another. - 特許庁

本発明の試マイクロ波加熱装置用試料台１７は、体積固有抵抗値が１０^−１Ωｃｍ以上１０^６Ωｃｍ以下、マイクロ波周波数帯域における複素誘電率が０．２以上、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミックスで構成されていることを特徴とする。例文帳に追加

The sample stage 17 for microwave heating equipment is constituted of a ceramic material having a volume resistivity of 10^-1-10^6 Ωcm, a complex dielectric constant of ≥0.2 in the frequency band of the microwave, and thermal conductivity of ≥50 W/mK. - 特許庁

プロトン伝導性、高温での機械的特性、熱水耐性など長期運転時の耐久性、及び、燃料不透過性に優れた、メタノール、水素などを燃料とした携帯機器、家庭向けコージェネレーション用や自動車用の燃料電池に最適な高分子電解質膜を提供する。例文帳に追加

To provide a polyelectrolyte membrane which includes superior proton conductivity, mechanical characteristics at high temperatures, durability such as hot water resistance when operated for a long period of time and fuel impermeability, and which is optimum for mobile equipment, co-generation for home or fuel cells of motor vehicles driven by methanol, hydrogen or the like as a fuel. - 特許庁

圧電バイモルフの主振動面とほぼ直行する外面を保持し、主振動面の振動を自由にするとともに主振動面に振動伝導部を接続し、これを開口部から携帯電話外面に導いて耳軟骨に伝達する。例文帳に追加

An external surface almost orthogonal to a main oscillation surface of a piezoelectric bimorph is held so that oscillation of the main oscillation surface becomes free, and an oscillation transmitting part is connected to the main oscillation surface, leading it out from an opening toward outside of a mobile phone so that oscillation of the main oscillation surface is transmitted to a user's ear cartilage. - 特許庁

１０００から１００００Ω・ｃｍ以下の基板抵抗を示す高抵抗シリコン基板上にコプレーナ線路を用いてミリ波帯の能動素子の整合回路を構成することによって、低損失、低コスト、熱伝導度がよく、表面が平坦な整合回路を提供できることが可能になる。例文帳に追加

The matching circuit of the active element of a millimeter wave band is constituted by using a coplanar line, a signal transmission line 102 and grand lines 103 and 104 on a highly resistant silicon substrate 101 having a substrate resistance of 1000 to 10000 Ω.cm to provide a matching circuit low in loss, low in cost, having a satisfactory thermal conductivity and a flat surface. - 特許庁

本発明の画像定着装置は、未定着トナー画像が坦持された被記録部材を加熱する加熱体が加熱源として発熱体を有し、この発熱体が炭素系物質を含む材料によりフィルムシートで帯状に形成され、２次元的等方向性の熱伝導を有している。例文帳に追加

The image forming apparatus has a heating body for heating a member to be recorded on which an unfixed toner image is carried, the heating body being provided with a heat generating body as the heat source, and the heat generating body is formed in a belt shape by a film sheet from material containing a carbon series substance and has a heat conductor with orientation such as two dimensional. - 特許庁

透明非導電性ポリマ相２ａと電解質塩が溶解したイオン伝導性ポリマ相３ａが互いに相分離した共連続構造を形成し、それぞれのポリマ相が樹脂全体にわたって立体的なネットワーク構造を形成する透明非帯電性ポリマ樹脂１ａを製造する。例文帳に追加

A bicontinuous structure in which mutual phase separation between a transparent non-conductive polymer phase 2a and an ion-conductive polymer phase 3a in which electrolytic salt is dissolved is carried out is formed and a three-dimensional network structure is formed over whole resin by respective polymer phases to produce the transparent non-antistatic polymer 1a. - 特許庁