「成長比」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

2011年第4 四半期 の実質GDP 成長率は前年同期比4.8%増と欧州債務危 機の影響により世界主要国の成長が鈍化する中でも堅 調な伸びを維持している（第1-6-2-1 図）。例文帳に追加

The real GDP growth rate in the fourth quarter of 2011 increased by 4.8% from the same quarter of the previous year, and the Russian economy has enjoyed continued strong growth despite a slowdown in growth of the world's leading economies due to the European debt crisis (see Figure 1-6-2-1). - 経済産業省

実質GDP成長率は、2008年度4-6月期から10-12月期まで3四半期連続でマイナス成長となり、特に10-12月期は前期比3.2％減、うち外需の寄与度は3.0％減に達した（第1-1-6図）。例文帳に追加

Real GDP growth has been negative for three consecutive quarters from the periods of April-June to October-December of 2008. Growth was especially weak for the period of October-December 2008, falling 3.2% from the previous quarter, of which the majority (-3 percentage points) can be attributed to the drop in exports (Fig. 1-1-6). - 経済産業省

その一方で、2011年第2四半期の時点において、新興国のGDP成長率（前期比年率、6.3%）は、先進国（同0.8%）を大幅に上回り、今後も堅調な経済成長を維持することが見込まれる（第1-1-1-1図）。例文帳に追加

As of the second quarter of 2011 the GDP growth rate in emerging economies (up 6.3% from the same quarter of the previous year) was far greater than the rate achieved in advanced economies (up 0.8%). - 経済産業省

1996年から2006年にかけた実質GNIの成長率を主要先進国（日、米、英、独、仏）で比較すると、我が国は5か国中最低であり、年平均成長率は0.96％にとどまる（第2-2-10表）。例文帳に追加

Comparing the rate of growth in Japan from1996 to 2006 with those of major industrial countries (U.S., Britain, Germany, and France), we can find that Japan's growth has been the slowest, with the average yearly growth standing at 0.96% (see Table 2-2-10). - 経済産業省

中国が年率8％の経済成長を遂げ、日本の経済成長率が前年比－3.5％以下となった場合などは2009年中に日中逆転が起こる可能性もある。例文帳に追加

The Chinese economy could overtake the Japanese economy even within 2009, if China achieves an annual growth rate of 8% and Japan suffers a contraction of 3.5% or more. - 経済産業省

2011年通年の実質GDP成長率も、第一四半期までの回復に支えられマイナス成長は回避できたものの、前年比+1.5%と2010年の同+1.9%から減速した。例文帳に追加

Also, though the real GDP growth rate throughout 2011 managed to avoid negative growth thanks to the recovery by the time of the 1st quarter, it marked +1.5% year-on-year, slowing from +1.9% in 2010. - 経済産業省

2012 年第 1 四半期の実質 GDP 成長率（速報値）は前期比年率 2.2%と前期の同 3.0%からは減速したが、2011 年第 1-3 四半期の各成長率を上回る伸びは維持した。例文帳に追加

Though the real GDP growth rate for the 1st quarter of 2012 (quick estimation) was a 2.2% quarter-on-quarter annualized change, slowing down from 3.0 % of the previous quarter, it maintained a larger growth rate than each growth rate for the 1st-3rd quarters of 2011. - 経済産業省

世界経済危機の発生後、先進国に比して新興国は高成長を遂げており、今後も新興国経済が先進国経済を上回るペースで成長していけば、新興国の投資もますます拡大していくと予測されている。例文帳に追加

In this circumstance, it is predicted that in view of the growing investment prospects, the newly emerging economies would increase more and more in number in the future, provided that the emerging economies grow faster to surpass the advanced economies. - 経済産業省

世界経済危機の影響を受けて減速した中国経済は、2009年第1四半期を谷として回復傾向を強め、2010年の実質 GDP 成長率は、前年比10.3％と、2007年以来、3年ぶりとなる2桁成長を達成した。例文帳に追加

From the end of 2008 through early 2009, China’s economy that slowed under the influence of the world economic crisis, strengthened the recovery tendency after the bottom in the first-quarter in 2009, and, as for the real growth rate in 2010, it was 10.3% increase over the previous year. It achieved a double digit growth after 3 years since 2007. - 経済産業省

特に、成長著しいのが8.1兆ドルの金融・資本市場を有する中国であり、金融・資本市場の対GDP比が3倍となる等、急成長する実態経済以上の金融経済の発展が進んでいる。例文帳に追加

Growth is remarkable, particularly due to China whose financial and capital markets are valued at 8,100 billion dollars. The ratio of financial and capital markets to GDP has tripled, and the financial economy is developing even faster than the rapidly-growing real economy. - 経済産業省

その結果、2007年第4四半期のEUの実質GDP成長率は前年同期比0.5％に減速しており、今後、個人消費や固定資本形成が低迷を続ける場合には、EUの成長は不安定化する可能性が高まると考えられる。例文帳に追加

As a result, during the fourth quarter of 2007, the real GDP growth rate in the EU, had slowed 0.5% compared to the same period of the previous year, and it is thought that, if personal consumption and fixed capital formation continue to flag, the likelihood of growth in the EU becoming unstabilized will increase. - 経済産業省

2009年1～3月期の実質ＧＤＰ（国内総生産）成長率は、前期比で3.8％減（年率14.2％減）と、５四半期連続のマイナス成長で、減少幅が大幅に拡大。例文帳に追加

The real GDP growth rate in the Q1 2009 period declined 3.8% from the previous period (declined 14.2% annually), posting an even greater fall as a result of negative growth for five consecutive quarters. - 厚生労働省

日本経済は、これまでの成長の制約となっていた3つの過剰問題、即ち企業部門における｢過剰雇用｣｢過剰設備｣「過剰債務」を解消し、主要銀行の不良債権比率が、2002年第1四半期の8.4%から2005年第3四半期には2.4%まで低下するなど、民需中心の成長を続けており、2005年度の実質経済成長率は2.7%、2006年度は2%程度の成長が見込まれています。例文帳に追加

The Japanese economy is now enjoying a stable private-sector-led growth, after succeeding in eliminating those of excesses in three areas in the corporate-sector that used to hamper growth, namely employment, production capacity, and debt. Thus, the ratio of non-performing loans of major banks, for example, declined from 8.4% to 2.4% between the first quarter of 2002 and the third quarter of 2005, and the real rate of economic growth reached 2.7% in fiscal 2005 and is expected to be around 2% in fiscal 2006.  - 財務省

半導体層Ａの結晶成長過程では、最初の結晶成長面σが殆ど平らな場合でも、上記の半導体層ＡのＶ／III 比や、或いは結晶成長温度Ｔ_A などを最適化することにより、半導体層Ａの上面を、その後積層される半導体層Ｂの横方向成長作用を発現させるのに十分な起伏のある凹凸形状にすることができる。例文帳に追加

In the crystal growth process of the semiconductor layer A, the upper face of the semiconductor layer A can be made a recess and projection shape having sufficient ruggedness to generate lateral direction growth action of the semiconductor layer B laminated thereafter, by optimizing V/III ratio of the semiconductor layer A or crystal growth temperature T_A or the like even in the case that a initial crystal growth face σ is substantially flat. - 特許庁

1960年代以降の高度経済成長期における日本では、栄養豊富な畜肉が比較的高価な食材であった。例文帳に追加

From the 1960's onward, during the high economic growth period in Japan, meat of livestock rich in nutrition was one of the relatively expensive ingredients.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

平成21年4月から6月期の四半期別GDPの実質成長率は、前期比でプラス0.9％、年率でプラスの3.7％となったと承知しております。例文帳に追加

In the April-June quarter of 2009, real GDP posted positive growth of 0.9% on a quarter-to-quarter basis and positive growth of 3.7% on an annualized basis.  - 金融庁

敦賀気比の東(あずま)哲(てっ)平(ぺい)監督は「一戦一戦，成長する選手たちを見て誇らしく思った。」と語った。例文帳に追加

Tsuruga Kehi manager Azuma Teppei said, "I was proud to see our players improve with each game." - 浜島書店 Catch a Wave

しかし、ここでは、アジア各国の経済は、リーマン危機後もこれまで比較的強い成長を維持してきているということを強調しておきたい。例文帳に追加

In spite of such negative impacts, however, I would like to stress that Asian economies have been resilient, maintaining relatively strong growth so far even after the Lehman crisis in 2008.  - 財務省

本年第1四半期の実質GDP成長率は、前期比年率でプラス5.3パーセント、第2四半期は同0.7パーセントとなりました。例文帳に追加

Japan’s GDP recorded an annualized growth rate of 5.3 percent, in the first quarter of this year, and an annualized growth rate of 0.7 percent in the second quarter on a quarter-on-quarter basis.  - 財務省

中南米カリブ地域（Latin America and Caribbean(LAC)）は、世界的な経済危機の影響を比較的軽微なものに留めることに成功し、現在高い成長を実現しています。例文帳に追加

Latin America and the Caribbean (LAC) countries are growing rapidly, having succeeded in containing the adverse impacts of the global economic crisis to relatively minor levels.  - 財務省

これらの方法により、比較的簡便にシリコンの突起上に選択的にカーボン・ナノチューブを成長させることができる。例文帳に追加

Thus, carbon nanotubes can be rather easily and selectively grown on the silicon projections. - 特許庁

結晶品質に優れている比較的大口径のサファイア基板を用いたｍ面窒化物半導体の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of growing an m-plane nitride semiconductor using a sapphire substrate having a relatively large size and excellent crystal quality. - 特許庁

従来例に比較してより結晶欠陥の少ない窒化物半導体の成長方法と窒化物半導体基板を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a nitride semiconductor and a nitride semiconductor substrate in which crystal defects are suppressed as compared with prior art. - 特許庁

III族窒化物系化合物半導体エピタキシャル成長条件としての、サファイア基板のＲ面からのオフ角αとＶ／III比ρの最適化例文帳に追加

To optimize off-angle α from the R-surface of a sapphire substrate and V/III ratio ρ as the epitaxial growth conditions of a group III nitride-based compound semiconductor. - 特許庁

比較的低い温度で初期層を形成してから、それをより高温で成長させると、結晶性の高いβ−ＦｅＳｉ_２膜を得ることができる。例文帳に追加

The β-FeSi_2 film having high crystallinity can be obtained by forming the initial layer at the relatively low temperature, and then growing the same at the temperature higher than that. - 特許庁

この時Ｖ−ＩＩＩ比を３０以上８０以下としたハライド気相成長法とすることでクラックの無い半導体結晶Ａを得ることができる。例文帳に追加

By employing a halide vapor phase growth method and a V-III ratio of 30-80, the semiconductor crystal A having no crack is obtained. - 特許庁

受傷後比較的初期の段階では患部周辺部位に仮骨が成長するため、その形状認識によって診断を可能する。例文帳に追加

Since a callus grows in a part in the periphery of the lesion in a comparatively early stage after the bone is fractured, diagnosing is performed by recognizing the shape. - 特許庁

化学気相成長プロセスは適当な化学前駆体が利用されると低比誘電率を有する膜を生じさせる。例文帳に追加

Chemical vapor deposition processes produce films having low permittivity when suitable chemical precursors are utilized. - 特許庁

磁気記録媒体及び磁気記録装置に関し、十分微細化した磁性結晶粒を再現性良く成長させて、Ｓ／Ｎ比を高める。例文帳に追加

To make an S/N ratio greater by growing satisfactorily fine magnetic crystal grains with good reproducibility with respect to a magnetic recording medium and a magnetic recording apparatus. - 特許庁

当該上界面の位置に基づいて原料融液Ｂの結晶化している比率が導出され，結晶成長界面の位置が特定される。例文帳に追加

The ratio of crystallization of the raw material melt B is derived on the basis of the position of the upper interface, and the position of the crystal growth interface is identified. - 特許庁

気相成長炭素繊維を配合したゴム組成物において、従来に比し高い熱伝導率を得ることのできる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology to produce a rubber composition compounded with a vapor-grown carbon fiber and having high thermal conductivity compared with rubber compositions produced by conventional methods. - 特許庁

ＧａＮ層３０が成長を開始してから（３．Ｂ）、溝部を埋める迄（３．Ｃ）は、常圧で、Ｖ／III比を高く保った。例文帳に追加

The method is carried out at normal pressure while maintaining a high V/III ratio in a period from when a GaN layer 30 starts to grow (3.B) until the layer buries grooves (3.C). - 特許庁

比較的大きな欠損部に補填されても、細胞を健全に成長させ、均一かつ十分なリモデリングを可能とする。例文帳に追加

To grow cells healthfully even when filling is performed to a relatively large defective part and to enable uniform and sufficient remodeling. - 特許庁

磁気記録媒体及び磁気記録装置に関し、磁性結晶粒を十分微細化且つ均一化し、再現性良く成長させて、Ｓ／Ｎ比を高める。例文帳に追加

To provide a magnetic recording medium and a magnetic recording apparatus wherein an S/N ratio is raised by finely and uniformly pulverizing magnetic crystal grains and growing the resultant grains with satisfactory reproducibility. - 特許庁

シラン酸化物前駆体の化学気相成長によって基材上に比較的低温で酸化ケイ素膜を形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a silicon oxide film on a base material by chemical vapor deposition of a silane oxide precursor at a relatively low temperature. - 特許庁

次いで基板上に、シリコン炭素組成比（Ｃ／Ｓｉ）が１以上である有機シリカ膜を成長させる（基板処理工程）。例文帳に追加

Then the organic silica film having a silicon-carbon composition ratio (C/Si) of ≥1 is grown on the substrate (substrate processing process). - 特許庁

第１配線の比抵抗が小さく、シリサイド異常成長が抑制された半導体装置の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a first wire has low resistivity and the abnormal growth of silicide is prevented. - 特許庁

凹部の面積比が、内奥部よりも周辺部において高くなるように表面に凹凸が形成された成長用基板を準備する。例文帳に追加

The substrate for growth is prepared which has unevenness formed on a surface such that an area ratio of recesses is higher at a peripheral part than at an inner part. - 特許庁

したがって、第１金属体２７に比べて第２金属体２８と金属パッド２４との間で金属間化合物の成長は抑制される。例文帳に追加

Therefore, growth of an inter-metal compound between the second metal body 28 and a metal pad 24 is suppressed as compared with the first metal body 27. - 特許庁

この濃度比（Ｃ２／Ｃ１）が所定値以下のときに、同じ製造ロット内の他のウエハを、先行ウエハと同じ条件で結晶成長する。例文帳に追加

When the ratio of concentration (C2/C1) is not higher than a specified value, other wafer in the same production lot is subjected to expitaxial growth under the same conditions as those of the preceding wafer. - 特許庁

比較的簡易な方法で付着物が付かないように、または付着物の成長を防止することができるジェットミキサーを提供する。例文帳に追加

To eliminate a deposit or to prevent growth of the deposit by a relatively simple method. - 特許庁

また、ＰＶＤ法は成膜温度もＣＶＤに比べて低く、結晶粒も成長せず、特定の結晶面の選択エッチングも排除できる。例文帳に追加

A PVD method enables film formation at a temperature lower than that in a CVD method, results in no growth of crystal grains and eliminates occurrence of selective etching of particular crystal planes. - 特許庁

結晶性および電気伝導性を向上させると共に、結晶の成長面内における組成比やｐ型不純物濃度を均一とする。例文帳に追加

To improve a crystal property and electrical conductivity and also uniform the composition ratio and the p-type impurity concentration in a growth surface of a crystal. - 特許庁

従来と比較して膜厚均一性の高い薄膜を半導体基板の主表面に気相成長させる。例文帳に追加

To provide vapor-growing in a thin film having the higher uniformity in film thickness than in the prior art on a principal surface of a semiconductor substrate. - 特許庁

結晶性および電気伝導性を向上させると共に、結晶の成長面内における組成比やｐ型不純物濃度を均一とする。例文帳に追加

To improve crystallinity and electrical conductivity, and to average the composition ratio or p-type impurity concentration within the crystal growth side. - 特許庁