「成長比」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

気相合成法によってダイヤモンド単結晶を成長させる方法において、規則正しい成長面を有し、かつ不純物含有が非常に少ない高品質のダイヤモンド単結晶を比較的簡単な方法によって製造することが可能であり、大型ダイヤモンド単結晶の合成方法として有効に利用できる新規なダイヤモンド単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a novel method for producing a diamond single crystal which is a method for growing a diamond single crystal by a vapor-phase synthesis process and by which a very-low-impurity-content high-quality diamond single crystal having a regular growth face can be produced relatively simply and which is effectively used as a synthesis method for a large-size diamond single crystal. - 特許庁

ＭＯＶＰＥ法において一定条件下でＶ／ＩＩＩ比を下げることにより、１０μｍ／Ｈｒ以上の成長速度が得られ、またこれをr面サファイア基板上のａ面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、ａ面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子走行素子への応用を行うこと。例文帳に追加

A growth speed of 10 μm/Hr or over is obtained by decreasing a V/III ratio under a prescribed condition by the MOVPE method, and this is applied to the growth of an a-plane nitride group semiconductor layer on an r-plane sapphire substrate so as to apply the growth method to a light emitting element and an electron transit element using the a-plane nitride group semiconductor. - 特許庁

ＧａＡｓ基板２上にサブコレクタ層４１、コレクタ層４２、ベース層４３、及びエミッタ層４４をＭＯＣＶＤ法を用いて気相成長させてＨＢＴ製造用の半導体ウェーハ１を製造する場合、サブコレクタ層４１として、ｎ型ＧａＡｓ層をＧａＡｓ基板２上にＶ／ＩＩＩ比を２０以下として成長させるようにした。例文帳に追加

In the case that the subcollector layer 41, a collector layer 42, a base layer 43 and an emitter layer 44 are grown in a gas phase on a GaAs substrate 2 by using an MOCVD method and the semiconductor wafer 1 for manufacturing HBT is manufactured, an n-type GaAs layer is grown on the GaAs substrate 2 as the sub-collector layer 41 by making a V/III ratio 20 or less. - 特許庁

こうした点からかんがみると、中国企業は、低人件費等を活用した低価格製品の生産・供給によってのみ急激な成長を遂げてきたわけではなく、比較的若い経営者層を中心とした迅速なリーダーシップの下、スピード・インセンティブを重視した能力・実績主義に基づいた経営体制の構築も、急成長の一因であると考えられる。例文帳に追加

From this perspective, the production and supply of low-priced products taking advantage of low-cost　labor is not the only factor that underpins the drastic growth of Chinese companies; the creation of a　management structure based on merit and ability, in which relatively young managers exercise swift　leadership and which emphasizes speed and incentives also seems to be an important factor. - 経済産業省

また、②IT投資によるアウトプットの上昇の寄与度を見ても、1990年代後半には、我が国においても米国とほぼ同程度に約１％上昇している。一方、③これに対してGDP成長率に占める非IT寄与分については米国の方が我が国に比して相当程度大きく、これがこれらの期間のGDP成長率の差をもたらしていることがわかる。例文帳に追加

In addition, (ii) the contribution of IT investment to increasing output in Japan in the late 1990s rose approximately one percent, almost on the same level as that in the US. Meanwhile, (iii) the contribution of non-IT sectors to GDP growth rate is substantially larger in the US than in Japan, and one can see that this is the cause of the differences in the GDP growth rate during these periods. - 経済産業省

供給項目別に見ると、10-12 月期のマイナスに大きく寄与したのは前年同期比で▲ 21.6%の大幅減となった製造業（寄与度は▲ 8.6%）であり、これまでの成長を支えてきた製造業（GDP に占めるシェアは2011年で39.0%）のサプライチェーンの混乱が成長停滞の最も大きな原因であったことがわかる。例文帳に追加

Looking at the data by supply components, a great contributor to the negative growth of the October? December quarter is the manufacturing sector, which recorded a negative growth of 21.6%compared to the same period of the previous year (negative contribution of 8.6%), indicating that the largest factor contributing to the stagnant growth is the confusion in the supply chain of the manufacturing sector (which accounts for 39.0% of GDP in 2011), which had been the major driver for the growth of the Thai economy. - 経済産業省

世界市場の中で、韓国企業とその製品の成長力が近年注目を集め続けているが、機械類の品目別の輸出収益力指標の比較では、韓国のすべての機械産業において、おしなべて同一的な成長過程や企業戦略が採用されているとは限らないことを示唆する結果となっている。例文帳に追加

As the dynamism of South Korean enterprises and their products have been attracting attention in the global market in recent years, the comparison of the export profitability index by machinery item suggests that South Korean enterprises do not necessarily go through a uniform process of expanding business or develop a uniform corporate strategy across the machinery industry. - 経済産業省

これによると、研究開発に取り組む中小企業にとって、「資金調達先の確保」は、成長初期にある中小企業の59.2％が経営課題として挙げており、最も大きな課題となっているが、成長・拡大期や安定期の中小企業では、「国内販売網の拡大・営業力の強化」が最も多く挙げられている経営課題であり、「資金調達先の確保」は他の課題に比べて少ない。例文帳に追加

According to the graph, while the biggest management challenge facing early growth phase SMEs that carry out research and development was “securing a source of funds” at 59.2%, the biggest management challenge facing companies in the growth and expansion phase and the stable phase was “expanding domestic sales networks and strengthening selling power,” and relatively few companies felt that “securing a source of funds” was a management challenge compared to other options. - 経済産業省

第三に、研究開発に取り組む中小企業で、ベンチャーキャピタルから資金調達しているところが、成長ステージが若いほど多くなっており、また、エンジェル投資家72からの資金調達をしている中小企業は、成長初期で研究開発に取り組む中小企業では17.1％存在するが、その他の資金調達手法と比べると少ないことが見て取れる。例文帳に追加

Thirdly, one can see that the earlier the developmental phase an SME that carries out research and development is in, the more likely it is to source funds from venture capital investors, and that 17.1% of early growth phase SMEs that carry out research and development source their funding from angel investors,72) though this percentage is low compared to that of the other fund procurement methods. - 経済産業省

2006年の米国経済は、住宅投資が前年比で大きくマイナスとなる中、情報関連機器投資や構築物投資を中心に民間設備投資が好調を維持したこと、個人消費が堅調に推移したことなどから、2005 年に引き続き高い成長を達成し、実質 GDP 成長率は3.3%を実現した。例文帳に追加

The US economy in 2006 continued the high level of growth that it saw in 2005, and the rate of real GDP growth amounted to 3.3%. This was due to factors such as the fact that while housing investment dropped significantly compared to the previous year, private capital investment centering on investment in information-related equipment and investment in structures continued to be strong and personal consumption was steady. - 経済産業省

自然酸化膜除去工程とエピタキシャル成長工程とを含むエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法において、多数の貫通孔が形成されているサセプタを用い、前記エピタキシャル成長工程において流す水素ガスの流量と原料ガスの流量との比を、水素流量（ｓｌｍ）／原料ガス流量（ｓｌｍ）≧４としてエピタキシャルシリコン層の成長を行うエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing epitaxial silicon wafer includes a natural oxide film removing step and an epitaxial growth step, in which an epitaxial silicon layer is grown by using the susceptor whereupon many through-holes are formed and by having a ratio of a hydrogen gas flow rate to a material gas flow rate in the epitaxial growth step satisfying the formula: hydrogen flow rate (slm)/material gas flow rate (slm)≥4. - 特許庁

我が国経済の中長期的な成長を考えるために、成長会計に基づいて我が国の景気回復期における経済成長の要因を資本投入、労働投入（質の向上及びマンアワーの増加）、全要素生産性（Total Factor Productivity、 TFP）に分解すると、1980年代後半はTFP上昇率が大きく寄与したものの、1990年代以降TFP上昇率の寄与は大幅に低下し、2000年代にやや回復したものの、1980年代と比較すると依然低い水準で伸び悩んでいる（第2-1-3-5図）。例文帳に追加

We decomposed Japanese economic growth in the economic recovery periods to capital investment, labor input (quality enhancement and increase of man hour) and total factor productivity (TFP), for the purpose of studying medium- to long-term growth in the Japanese economy. This decomposition shows that the growth rate of TFP made a substantial contribution, but the contribution of the growth rate of TFP sharply lowered after the 1990s. It increased slightly in 2000, but has remained sluggish at a level lower than that of the 1980s (Figure 2-1-3-5). - 経済産業省

この高成長の背景には、米国・EU向けを中心に輸出が急増し（前年比＋33.5%）、公共投資、民間の不動産投資及び海外からの直接投資の拡大により、固定資産投資が前年比＋27.8%と高い伸びを示したほか、消費についても、都市部を中心に自動車や住宅等の販売が引き続き好調で、前年比＋9.2%と増加したことが挙げられる。例文帳に追加

In the backdrop of such strong growth is the surge in exports primarily to the US and the European Union (EU) (33.5 percent increase year-on-year) as well as fixed assets investment, which recorded a high growth rate of 27.8 percent from the previous year. This was brought about by increased public investment, private sector real estate investment and FDI. Another factor that contributed to strong growth was consumption, which increased 9.2 percent from thef previous year as automobiles, housing and other goods continued to be strong especially in the urban areas. - 経済産業省

EUの安定成長協定は、単年度の財政赤字を対GDP比3％以下、政府債務残高（一般政府）を対GDP比60％以下と定めているが、対GDP比2.75％とされていたギリシャの2008年の財政赤字は7.75％に訂正され、ギリシャがデフォルト（債務不履行）に陥る懸念が表面化し、株価・ユーロの下落等が発生した。例文帳に追加

The stable growth agreement in the EU states that fiscal deficits for a single year must be below 3% of GDP and that outstanding government obligations (general government) must be below 60% of GDP. However the fiscal deficit in Greece for 2008 was revised to 7.75% of GDP even though they had stated it was 2.75% and because of this concerns surfaced that Greece may fall into default (default on debt) and stock prices and the value of the euro dropped. - 経済産業省

この間、中南米・カリブ海諸国は、メキシコ・ブラジル・アルゼンチンの累次の通貨金融危機の影響を大きく受けつつも、90年代には「失われた80年代」に比べてポジティブな成長を遂げるとともに、インフレ率も低く抑えられるに至っています。例文帳に追加

I would now like to turn to Latin America and the Caribbean during this period. A series of currency and financial crises in Mexico, Brazil, and Argentina had a considerable impact on the regional economies. Yet, compared with the "lost decade" of the 1980s, the region demonstrated more positive growth in the 1990s and succeeded in curbing inflation.  - 財務省

特にサブ・サハラ地域は、一人当たりのGDPが30年前と比較して減少している国が多く、総人口の半数に近い3億人が1日1ドル以下で生活しているなど、持続的成長を支える制度的、人的基盤の構築が遅れています。例文帳に追加

In the Sub-Saharan region, the lack of development in institutions and human capital hampers sustainable growth, and per capita GDP has declined over the last thirty years in many countries in the region. In fact, 300 million people in the region, or nearly half the population, live on less than $1 a day.  - 財務省

平成二十三年度財政投融資計画については、「新成長戦略」等を踏まえ、対象事業の重点化・効率化を図りつつ、必要な資金需要に的確に対応した結果、前年度当初計画と比べ十八・八％減となる十四兆九千五十九億円としております。例文帳に追加

In the Fiscal Investment and Loan Program for FY2011, we plan a reduction of 18.8% from the previous year’s initial program to 14,905.9 billion yen. We will achieve this by properly addressing the demand for funds in line with the “New Growth Strategy”, among others, while taking steps to prioritize targeted projects and increase their efficiency.  - 財務省

現在のＩＭＦクォータは、世界経済の成長、資本取引の増加、ＩＭＦ設立以来の加盟国間の相対的地位の変化に適切に対応していないため、クォータの規模は経済実態を反映しておらず、また、配分比率の歪みは十分に是正されないままとなっています。例文帳に追加

The total size and allocation of the current quotas do not appropriately reflect the reality of the world economy, as the past quota increases were not designed well enough to take proper account of global economic growth, increases in capital flows, and changes in the relative economic positions of member countries since the establishment of the IMF.As a result, at present, neither the amount nor the shares of members' allocated quotas are appropriate.  - 財務省

単分子中にタンタルＴａとアルカリ土類金属とを、２：１の原子比率で含有するアルコキシド原料よりなる化学的気相成長法用原料、及びこのアルコキシド原料より形成したビスマス層状化合物を構成する。例文帳に追加

The raw material for a chemical vapor phase growth method composed of an alkoxide raw material containing tantalum Ta and alkaline- earth metals in a unimolecule in the atomic ratio of 2:1 and a bismuth layered compound formed by the alkoxide raw material are composed. - 特許庁

評価は、プレキシンＡ１の細胞外ドメインを有するタンパク質に対するセマフォリン６Ｃの細胞外ドメインを有するタンパク質の結合性、プレキシンＡ１発現細胞の成長円錐退縮活性、又はプレキシンＡ１発現細胞の収縮活性を比較することにより行う。例文帳に追加

The evaluation is carried out by comparing bondability, growth cone atrophy activity of expression cell of plexin A1 of shrinkage activity of expression cell of plexin A1 of the protein having the extracellular domain of semaphorin 6C to those of the protein of the extracellular domain of plaxin A1. - 特許庁

この多孔質乾燥体を特殊な条件下で熱処理することで、添加剤から生成される特定の化学種により焼結体中に部分的にハイドロキシアパタイト質のアスペクト比の大きな六角柱状の結晶粒子を成長させる。例文帳に追加

A hydroxyapatite type hexagonal columnar crystal grain is partially grown in a sintered body by a specific chemical species formed from the additive by heat treating the porous dried material under a specific condition. - 特許庁

この酸化物複合材料は、炭化物による酸化物結晶の粒成長抑制効果により酸化物の結晶粒子が従来に比べ微細化され、炭化物粒子の接触点でも容易に焼結が進行してマイクロポアの発生も抑制される。例文帳に追加

In this oxide composite material, oxide crystal particles are finely divided compared with conventional particles by an effect to suppress the growth of oxide crystal particles by a carbide, and sintering easily proceeds even at contact points of carbide particles to thereby suppress development of micropores. - 特許庁

処理装置を増やす事無く、比較的容易にポリマー除去を行い、下層の金属配線の異常成長を発生させることなく、ボンディングパッド開口部の金属膜とワイヤーボンディングの密着性を向上させ、歩留まりを向上させる半導体製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor manufacturing method which performs polymer elimination comparatively easily without increasing processor, improves adhesiveness of a bonding pad opening and wire bonding without generating abnormal growth of metal wiring of a lower layer, and improves yield. - 特許庁

ドープが行われた後の結晶の領域において成長軸方向の比抵抗プロファイルが急激に変化したシリコン単結晶を引き上げることのできるシリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon single crystal pulling apparatus that can pull a silicon single crystal, of which the resistivity profile in a growth axis direction in a crystal region after doping has been rapidly changed, and to provide a method for producing a silicon single crystal. - 特許庁

これらの受容体がそのリガンドＦＧＦに対して比較的高い親和性を有することと、これらの囮受容体が腫瘍成長を阻害する能力が実証されていることとの組合せは、本明細書中に提供する組成物および方法の臨床的価値の指標である。例文帳に追加

The combination of the fact that these receptors have relatively high affinity to its ligand FGF and these decoy receptors are proved to have a capacity of inhibiting the growth of a tumor is an index of clinical value of the provided composition and the method. - 特許庁

このルックアップデータは解像度毎に用意され、低い解像度のルックアップテーブルは、高い解像度のルックアップテーブルに比較し、周辺画素の画像データが大きい場合（濃度が濃い場合）の注目画素の成長率（濃度）が低くなっている。例文帳に追加

This lookup table is prepared for each resolution, and the growth rates (density) of a noticed pixel in the case of large image data of peripheral pixels are lower in lookup tables for lower resolutions in comparison with lookup tables for higher resolutions. - 特許庁

エピタキシャル成長法による単結晶の製造方法、特に、気相合成法を利用したダイヤモンド単結晶の製造方法において、比較的短時間に低コストで大型のダイヤモンド単結晶を得ることが可能な新規な方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method capable of obtaining a large-sized diamond single crystal comparatively in a short time at a low cost in manufacturing a single crystal by an epitaxial growth method, especially a diamond single crystal by a vapor-phase synthesis method. - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置は、基板（１）上においてエピタキシャル成長させられた少なくともｐ型層（６）を含み、このｐ型層（６）はｐ型ドーパントとしてＺｎを含むとともに、基板（１）に比べて大きな格子定数を有していて圧縮歪を含んでいる。例文帳に追加

This III-V group compound semiconductor device includes at least a p-type layer (6) formed by epitaxial growth on a substrate (1), and the p-type layer (6) contains Zn as p type dopant, and has a larger lattice constant than that of the substrate (1), and includes compression distortion. - 特許庁

所望の抵抗率のエピタキシャル層と従来より更に低抵抗率なシリコンウエーハからなり、素子の電気的特性の向上を実現できる、エピタキシャル成長中のオートドープを従来に比べて容易に抑制できるシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon epitaxial wafer which comprises an epitaxial layer with a desired resistance rate and a silicon wafer with a still lower resistance rate than a conventional one, which improves electrical characteristics of elements, and which suppresses autodoping during epitaxial growth more easily than before. - 特許庁

担体上に担持された貴金属粒子の粒成長が抑制されており、使用の間のこのような貴金属粒子の活性が高く、且つ貴金属の使用量を比較的少なくすることができる排ガス浄化触媒、及びこのような排ガス浄化触媒の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an exhaust gas cleaning catalyst in which the particle growth of noble metal particles carried on a carrier is controlled, the activity of such noble metal particles is high during usage, and which is capable of making the usage volume of the noble metal relatively small; and a manufacturing method of such an exhaust gas cleaning catalyst. - 特許庁

成長した氷結晶で細胞膜を破壊するので、細胞の完全凍結に要する冷却時間より短い時間かつ比較的高い冷却温度で細胞壁を破壊でき、海苔の自然な香りや色や味などの風味を有する海苔の細胞内成分が得られる。例文帳に追加

Since the cell membranes are broken with the grown ice crystals, the cell membranes can be broken in a shorter time than a cooling time required for the perfect freezing of the cells and at a relatively high cooling temperature, and the laver intracellular ingredients having the natural flavor, such as aroma, color and taste, of the laver can be obtained. - 特許庁

高温の排ガスに長時間晒されて粒成長した白金粒子を、比較的低い温度領域であっても短時間で微細な白金粒子に再分散させて触媒活性を復活させることが可能な排ガス浄化用触媒の再生方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a regenerating method of a catalyst for cleaning an exhaust gas capable of regenerating a catalytic activity by re-dispersing a platinum particle grain-grown by being exposed to an exhaust gas of a high temperature for a long period of time to a fine platinum particle in a short time even at a relatively low temperature area. - 特許庁

溶湯の供給が間欠的に行われる場合であっても、結晶の成長が連続した高品質の鋳塊を効率良く製出でき、かつ、比較的長尺の鋳塊を得ることが可能な鋳造方法及びこれに用いられる鋳造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a casting method in which even in the case of intermittently performing the supplying of molten metal, a high quality cast block subjected to continuous growth of crystal can efficiently be produced and discharged and the comparatively long cast block can be obtained, and a casting apparatus used in the method. - 特許庁

混合融液からのアルカリ金属蒸気が融液保持容器から洩れるのを防止し、アルカリ金属とＩＩＩ族金属との混合融液の混合比変化や、融液の液面低下を低減することの可能なＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a group III nitride crystal growth method by which the alkali metal vapor from the mixed melt is prevented from leaking from a melt holder, and the change in the mixing ratio between the alkali metal and the group III metal and the lowering of the liquid level of the melt can be reduced. - 特許庁

金属基板２１上にレジストパターン２２を作成し、その後レジスト開口部に電極となる導体２３をメッキ法により成長させ、電極厚の電極間距離に対する比が１以上である電極を作成し、ペルチェ素子の電極とする。例文帳に追加

A resist pattern 22 is formed on a metal substrate 21, and then a conductor 23 which becomes an electrode is grown by plating at a resist opening part to form an electrode, such that the ratio of the electrode thickness to an inter-electrode distance is ≥1, thereby obtaining the electrode of the Peltier element. - 特許庁

結晶成長中に，前記るつぼ，ヒータ，シールドのうち少なくとも２つを昇降させることにより，表面亜粒界や転位の発生の抑制，底付きの防止，直径制御性等をバランスよく調整し，品質の良い単結晶を比較的簡単に得ることができる。例文帳に追加

While a crystal is growing, at least two of the crucible, the heater, and the shield are moved vertically, and generation of surface sub-boundary and dislocation, prevention of hitting the bottom, controllability of diameter, etc., are regulated with good balance to obtain a high quality single crystal comparatively easily. - 特許庁

成長因子やサイトカイン等に比べて、より安全且つ有効に未分化細胞の脂肪細胞への分化を抑制することができる脂肪細胞分化抑制物質のスクリーニング方法の提供、並びにより副作用の少ない抗炎症性物質のスクリーニング方法の提供。例文帳に追加

To provide the screening method of a fat cell differentiation inhibition substance that can inhibit differentiation to the fat cell of a non-differentiated cell safely and effectively as compared with growth factors, cytokine, or the like, and to provide the screening method of an anti-inflammatory substance with less side effect. - 特許庁

この化学気相成長法を、低温、高圧力、原料ガスであるアンモニアに対する四塩化チタンの流量比を従来よりも高くした条件で行うことにより、窒化チタン膜１６ａの表面の凹凸を高くすることができる。例文帳に追加

This chemical vapor depositing method is performed under the condition of a flow ratio of titanium tetrachloride to ammonia of a raw material gas at a low temperature and a high pressure, which is higher than the conventional ratio, and thereby the unevenness can be increased on the surface of the titanium nitride film 16a. - 特許庁

気相成長制御部２３を、内周面２３Ａが周縁部２２の内周面２２Ａに倣い、かつ、上面２３Ｂが周縁部２２の上面２２Ｂに倣う状態で、ＳｉＣ被膜と比べて反応ガスとの反応が抑制されるＳｉＯ_２により形成して設けている。例文帳に追加

A vapor growth controller section 23 is provided formed of SiO_2 which provides a restrained reaction with a reaction gas as compared to an SiC film, while having an inner circumferential surface 23A modeled after the inner circumferential surface 22A of the circumferential section 22 and a top surface 23B modeled after the top surface 22B of the circumferential section 22. - 特許庁

コークス中心装入にてペレットを多配合する高炉操業において、炉壁の亜鉛付着物の成長を抑制するとともに、炉内通気性を良好に維持して、さらに高生産性ないし低コークス比操業を実現しうる高炉操業方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for operating a blast furnace, wherein in the blast furnace operation for blending a large quantity of pellets in a coke-center charging, the growth of zinc-stuck material on a furnace wall is restrained and also, a gas permeability in the furnace is kept well and further, a high productivity and a low coke ratio operation can be realized. - 特許庁

その結果、コンブ類の成長過程とフコイダンの含有量は比例していないことを解明し、また、粉砕粒径も微細であればある程良いわけでもないし、例えば、粉砕粒径が同じであっても、粉砕温度によって残存するフコイダンの量に差が生じる事が判明した。例文帳に追加

As a result of this, it becomes clear that growth process of tangle and fucoidan content are not in proportion to each other, and that it is not true that the minuter a crushing particle diameter becomes, the better, and that even if a crushing particle diameter is the same, for instance, a crushing temperature makes difference in a remaining fucoidan amount. - 特許庁

比較的反射率の小さくても良い前部反射鏡を基板と半導体層の間に設けたため、成長に必要な時間を短縮し、結晶中に発生する歪や欠陥を抑制して素子特性を良好なものとすることができる。例文帳に追加

As the front reflecting mirror, whose reflectivity can be comparatively low, is provided between the substrate and the semiconductor layer, the time to grow a thick film is shortened, a distortion and a defect, generated in a crystal, is suppressed and the characteristics of an optical resonator structure element can be improved. - 特許庁

車両２３がセンサの監視範囲内で一定速度以下に減速して検出されたとき、その位置と速度を前方の低速車両２２の位置と速度と比較して、渋滞が成長しているか否かを推測し渋滞情報を作成する。例文帳に追加

This system compares the position and speed obtained when it is detected that the vehicle 23 is decelerated to the lower speed than constant speed within a monitoring range of the sensor with the position and speed of a forward low-speed vehicle 22, predicts whether or not traffic congestion is developing, and prepares traffic congestion information. - 特許庁

排ガス浄化触媒の使用の間のペロブスカイト型複合酸化物の粒成長を抑制すると共に、最高浄化率及び／又は比較的高温における触媒活性に関しても優れた性能を有することができるペロブスカイト型複合酸化物系排ガス浄化触媒を提供する。例文帳に追加

To provide a perovskite-type compound oxide-based catalyst for purifying exhaust gas, in which the grain growth of a perovskite-type compound oxide is restrained during the time to use the perovskite-type compound oxide-based catalyst for purifying exhaust gas and which can exhibit the highest purifying rate and/or the performance excellent in the catalytic activity at comparatively high temperature. - 特許庁

ゴムなどに配合したとき、従来のＦＥＦ級カーボンブラックと比較して機械的特性、及び押出特性等のゴム物性を維持しながら耐屈曲亀裂成長性を向上させることが出来るファーネスカーボンブラック及び、該カーボンブラックを配合したゴム組成物の提供。例文帳に追加

To provide a furnace carbon black that can improve flex crack growth potential resistance while maintaining the rubber physical properties of mechanical characteristics and extrusion properties or the like compared with a past FEF class carbon black when being combined to a rubber or the like, and to provide a rubber composition that combines the carbon black. - 特許庁