「成長比」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

繊維径が細く繊維径の分布の狭い気相成長炭素繊維を、従来に比し高収率で得ることのできる気相成長炭素繊維の製造方法および気相成長炭素繊維を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a vapor-grown carbon fiber, which produces a vapor-grown carbon fiber having a small fiber diameter and a narrow fiber diameter distribution in a high yield than conventional ones and to obtain a vapor-grown carbon fiber. - 特許庁

高度経済成長期や安定成長期と比べると、バブル崩壊以降は、1990年代は年率1.5％、2000年代は0.6％と低い経済成長率が続く。例文帳に追加

In a comparison of the high economic growth period and the stable growth period, a low economic growth rate is followed by an annual rate of 1.5 % in the 1990's, and 0.6 % in the 2000’s after the collapse of the bubble economy. - 厚生労働省

また、分子線エピタキシーによる分子線の直進性または、気相成長（ＣＶＤ）法および液相成長（ＬＰＥ）法による異方性成長効果を利用した選択エピタキシャル成長により、アスペクト比の高い凹凸構造またはトレンチ構造をエピタキシャル層５で埋め込む。例文帳に追加

Moreover, an uneven structure high in aspect ratio or a trench structure is buried with an epitaxial layer 5 by the selective epitaxial growth utilizing the rectilinear propagation property of the molecular beam by molecular beam epitaxy or the anisotropic growth effect by a vapor phase growth (CVD) method or a liquid phase growth (LPE) method. - 特許庁

輸出依存度の高いシンガポールやタイ等については、実質GDP成長率が2009 年の第1 四半期に大幅なマイナス成長となった後、2009 年第4 四半期には、韓国で前年同月比6.0％、シンガポールで前年同月比4.0％、タイで同5.8％まで回復しており、世界経済危機前の成長率に戻っている。例文帳に追加

Then, in the fourth quarter of 2009, their year-on-year growth rates came back to the level of prior to the global financial crisis registering 6.0% in Korea, 4.0% in Singapore and 5.8% in Thailand. - 経済産業省

また、ピッチ系炭素繊維：気相成長炭素繊維の配合比は、体積比で０．９９：０．０１〜０．１：０．９とされる。例文帳に追加

Further, the blending ratio between the pitch-based carbon fiber and vapor-grown carbon fiber is (0.99:0.01) to (0.1:0.9) by volume ratio. - 特許庁

Ｖ属金属とＩＩＩ属金属の比であるＶ／ＩＩＩ比を１より小さい条件で結晶成長させる。例文帳に追加

On a condition that a V/III ratio being the ratio of V-group metal to III-group metal is smaller than 1, crystal growth is carried out. - 特許庁

他方、実質経済成長率で比較しても、今回の景気回復が過去のそれと比較して緩やかなものとなっていることが分かる。例文帳に追加

Meanwhile, a comparison of real economic growth　rates also shows that the present recovery is gradual　compared with past recoveries. - 経済産業省

基板１またはその付近では、先に結晶成長させる半導体層ＡのＶ／III 比を後から結晶成長させる半導体層ＢのＶ／III 比よりも小さく設定する。例文帳に追加

In a substrate 1 or in the neighborhood thereof, V/III ratio of a semiconductor layer A growing the crystal previously is set smaller than V/III ratio of a semiconductor layer B growing the crystal subsequently. - 特許庁

半導体層を結晶成長させる際に結晶成長面に供給する III族元素及びＶ族元素の各材料ガスの単位時間当たりの供給量の比のことを以下Ｖ／III 比と言う。例文帳に追加

When growing the crystal of a semiconductor layer, the ratio of a supply amount per unit hour of each material gas of group III elements and group V elements is referred to as V/III hereafter. - 特許庁

上記中間層１５の成長時のＶ／III比および電流拡散層１６の成長時のＶ／III比を、結晶表面に観察される結晶欠陥の数が半導体発光素子１個当り２０個以下となるような値に設定する。例文帳に追加

The V/III ratios at the time of growing the intermediate layer 15 and current diffusing layer 16 are set so that the number of crystal defects observed on the crystalline surface of the light emitting element may become ≤20 defects. - 特許庁

フロック成長ゾーンＺ１とフロック沈降ゾーンＺ２内との間では、みかけ上の比重差が生じ、この比重差によって、フロック成長ゾーンＺ１からフロック沈降ゾーンＺ２に向けた流れが生じる。例文帳に追加

Between the floc growth zone Z1 and the floc sedimentation zone Z2, an apparent difference in specific gravity is generated and, because of the apparent difference in specific gravity, a flow toward the floc sedimentation zone Z2 from the floc growth zone Z1 is generated. - 特許庁

本発明は、ＳｉＣ基板１０上に、第１のＧａＮ層１８を成長させる工程と、第１のＧａＮ層１８上に、（横方向成長速度）／（縦方向成長速度）が、第１のＧａＮ層１８の成長に比べて小さい条件を用いることで成長された第２のＧａＮ層２０を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。例文帳に追加

A manufacturing method of a semiconductor device in the present invention comprises the steps of: growing a first GaN layer 18 on an SiC substrate 10; and forming a second GaN layer 20, grown under a condition that a ratio of a lateral growth speed to a longitudinal growth speed is smaller than that in the growth of the first GaN layer 18, on the first GaN layer 18. - 特許庁

部品本体２が与えるセラミック面が、たとえばチタン酸バリウム系セラミックからなるもので比較的高いめっき成長力を示す高めっき成長領域１１と、たとえばジルコン酸カルシウム系セラミックからなるもので比較的低いめっき成長力を示す低めっき成長領域１２とを有するようにする。例文帳に追加

The ceramic electronic component includes a component body 2 whose ceramic surface has a high-growth plating region 11 made of barium titanate ceramics, for example, indicating a relatively high plating growth rate and a low-growth plating region 12 made of calcium zirconate ceramics, for example, indicating a relatively low plating growth rate. - 特許庁

その際藤原不比等がまだ若かった事もあって鎌足の従兄弟で娘婿でもあった中臣意美麻呂が不比等が成長するまでの中継ぎとして暫定的に氏上となったらしく、それ以外の成員にも不比等が成長するまで暫定的に藤原朝臣が与えられた。例文帳に追加

However, because FUJIWARA no Fuhito was still too young at the time, it is likely that Kamatari's cousin and son-in-law, NAKATOMI no Omimaro, assumed responsibility as the head of the clan in order to govern it as a temporary successor until Fuhito was ready to take on the leadership; additionally, other members of the Nakatomi family were permitted to use the title FUJIWARA no Asomi until Fuhito was old enough.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Ｎ型コンタクト層２１は、ガリウム原料に対する窒素原料の割合（モル比）であるＶ／III比が低い条件で成長した第１Ｎ型ＧａＮ層２１１上に、Ｖ／III比が高い条件で第２Ｎ型ＧａＮ層２１２を成長させて得られたものである。例文帳に追加

An N-type contact layer 21 is obtained by growing a second N-type GaN layer 212 under the condition of the V/III ratio being high, on a first N-type GaN layer 211 grown under the condition with the V/III ratio of the nitrogen material (molar ratio) to a gallium material being low. - 特許庁

上皮成長因子（ＥＧＦ）を含有する皮膚外用組成物であって、比較的高温下であっても上皮成長因子（ＥＧＦ）の活性低下を抑制でき、しかも上皮成長因子（ＥＧＦ）の活性を高め得る皮膚外用組成物を提供するを提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a composition for skin external use which contains an epidermal growth factor (EGF), can inhibit the deterioration of the activity of EGF even at comparatively high temperatures, and furthermore can increase the activity of EGF. - 特許庁

原料ガスをシャワーヘッドの周辺部から導入した場合に、成長室の被処理基板面上のガス濃度分布を均一化することができ、成膜厚や組成比を向上させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor phase deposition apparatus and a vapor deposition method by which the gas concentration distribution on the surface of a substrate to be treated in a growth chamber can be uniformized and the thickness of a deposition film and the compositional ratio can be improved when a raw material gas is introduced from a peripheral part of a shower head. - 特許庁

原料ガスをシャワーヘッドの周辺部から導入した場合に、成長室の被処理基板面上のガス濃度分布を均一化することができ、成膜厚や組成比を向上させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method by which the gas concentration distribution on the surface of a substrate to be treated in a growth chamber can be uniformized and the thickness of a deposition film and the compositional ratio can be improved when a raw material gas is introduced from a peripheral part of a shower head. - 特許庁

ゴム成分に対し、気相成長炭素繊維と、ゴム用補強材とが配合されてなるゴム組成物において、気相成長炭素繊維が解砕処理を施されたものであり、気相成長炭素繊維の解砕処理前繊維径が２０〜１００ｎｍであり、かつ解砕処理後のかさ比重が０．０２５ｇ／ｃｍ^３以上であるゴム組成物およびそれを用いたタイヤである。例文帳に追加

The tire uses the rubber composition. - 特許庁

つまり、ｐ型基板に見立てるｐ＋型４Ｈ-ＳｉＣアノード層１２は、エピタキシャル成長により作製するから、バルク成長で作製されるｐ型基板に比べて結晶成長速度が遅く、ｐ型ドーパントであるアルミニウムの濃度を上げても、結晶品質が良くなる。例文帳に追加

This means that, since a p+ type 4H-SiC anode layer 12 likened to a p-type substrate is fabricated by epitaxial growth, its crystal growth speed is slower than for a p-type substrate fabricated by bulk growth, so that excellent crystal quality is obtained even when the concentration of aluminum which is a p-type dopant is increased. - 特許庁

活性層１４は、所定の領域の周縁部に形成された異常成長部１４ａと、異常成長部１４ａの周囲に形成され、異常成長部１４ａを除く活性層１４の他の部分と比べて禁制帯幅が大きい禁制帯幅増大部１４ｂとを有している。例文帳に追加

The active layer 14 includes an abnormal growth portion 14a formed at a peripheral edge of the predetermined region and a forbidden bandwidth increase portion 14b formed at a periphery of the abnormal growth portion 14a and having a larger forbidden bandwidth than other parts of the active layer 14 except the abnormal growth portion 14a. - 特許庁

意図した組成比であってかつ不純物の混入が抑制されたマスク層を有するＧａＮ系結晶成長用基板の製造方法を提供し、また該製造方法によって選択成長法のためのＧａＮ系結晶成長用基板を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing a substrate for growing a GaN- based crystal, which substrate has a mask layer having a prescribed composition ration and being suppressed in mixing of impurities and to provide the substrate for growing the GaN-based crystal, which is produced by the above method and is useful in a selective growth method. - 特許庁

成長が低迷した前半と回復した後半2010年前半の実質 GDP 成長率は、実質 GDP の約7割を占める個人消費の回復などにより、第1四半期に前期比年率3.7％、第2四半期に同1.7％とプラス成長ではあったが、その伸びは鈍化していった。例文帳に追加

The economy hovered at a low level in the first half and recovered in the second half The real GDP growth rate in early 2010 achieved a plus growth of 3.7% at an annual rate increase from the previous quarter in the first quarter, and gained a 1.7% increase in the second quarter supported by recovery of personal consumption which account for approximately 70% of the real GDP, but the growth rate slowed down. - 経済産業省

今回の危機において、アジア経済は、世界経済全体の中では比較的力強い成長を維持しましたが、今後、国内・地域内の需要をより重視した、バランスのとれた経済成長を目指していくことが必要です。例文帳に追加

The Asian economy has maintained relatively strong growth during the crisis, as compared to other regions of the world. Going forward, it is necessary for Asian economies to pursue balanced growth with more emphasis on domestic and intra-regional demand.  - 財務省

アルカリ金属とＩＩＩ族金属との混合比を略一定にしてＩＩＩ族窒化物結晶を結晶成長する結晶成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal growth apparatus for growing a group III nitride crystal, which maintains a nearly constant mixing ratio of an alkali metal to a III group metal. - 特許庁

エピタキシャル成長時の面内温度分布を均一にして、混晶比やキャリア濃度において均一なエピタキシャル結晶膜を成長させることができる窒化物半導体基板を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor substrate on which an epitaxial crystal film uniform in a crystal mixing ratio or carrier concentration can be grown by controlling the in-plane temperature distribution to be uniform during epitaxial growth. - 特許庁

ＨＶＰＥ法のサファイア基板上又はＳｉ基板上に、所望の組成比率ｘのＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮの結晶を成長させることができるエピタキシャル成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial growth method by which an Al_xGa_1-xN crystal is grown at a desired Al mole fraction x on a sapphire substrate or Si substrate for HVPE method. - 特許庁

約６００℃以下の低い温度でも、基板表面に窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）中のＩｎの比率ｘが高い窒化物半導体を効率よく成長させることができる窒化物半導体の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a growing method of a nitride semiconductor which can effectively form a nitride semiconductor, having a high ratio x of In in the inside of indium nitride gallium (InGaN) on the surface of a substrate, even at a low temperature of about 600°C or lower. - 特許庁

変異バチルス株が前記変異及び非変異バチルス株を本質的に同じ成長条件下で成長させた場合、対応する非変異バチルス株と比較して目的タンパク質の発現レベルが増大している。例文帳に追加

The expression level of the object protein is increased in the mutated Bacillus strain compared with corresponding non-mutated Bacillus strains in the case of growing the mutated strain and the non-mutated strain under essentially the same growth conditions. - 特許庁

このように触媒化学気相成長で形成したＳｉＮ膜は、従来のようにプラズマ化学気相成長で形成したＳｉＮ膜に比べて吸湿性が低い。例文帳に追加

The SiN film which is thus formed by the catalyst chemical vapor deposition method has lower moisture absorptivity than an SiN film which is formed by plasma chemical vapor deposition like before. - 特許庁

比較的小さい膜厚で結晶性の良いIII族窒化物半導体の結晶を成長させることができるIII族窒化物半導体の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide the growth method of a Group-III nitride semiconductor capable of growing the crystal of the Group-III nitride semiconductor having a comparatively small film thickness and an excellent crystallizability. - 特許庁

その結果、成長部の水素ガス濃度（分圧比）を速やかに変化させることができるので、成長させる結晶中の結晶組成値ｘを所望の値に速やかに且つ正確に設定することができる。例文帳に追加

Since the concentration (partial pressure ratio) of the hydrogen gas in a growth part is quickly varied as a result, the crystal composition value x in the crystals to be grown is quickly and correctly set to a desired value. - 特許庁

これにより、成長後のＳｉＣ結晶成長層としてのドリフト層２３の表面から離れている比較的深い箇所での炭素空孔を減少させることができる。例文帳に追加

So, the number of carbon air holes is reduced at a relatively deep point being away from the surface of the drift layer 23 as the grown-up SiC crystal growth layer. - 特許庁

そして、Ｎ極性面を成長面とするIII族窒化物半導体をエピタキシャル成長させる工程における供給原料のＶ／III比を小さく設定する。例文帳に追加

Then, the V/III ratio of a supply raw material in the process of epitaxially growing the group-III nitride semiconductor with the N polarity surface as a growth surface is set to be small. - 特許庁

この方法では、単結晶１２の成長面のフュージョンリングの変動周期と、結晶回転周期とを比較し、これらが一致したとき、単結晶のくねり成長と判断する。例文帳に追加

In this method, crystal rotation period is compared with variation period of fusion ring in the growing face of the single crystal 12, and it is judged as the snake growth of the single crystal when these periods coincide. - 特許庁

該窒化物系半導体層成長時に、III族原料の供給量に対するV族原料の供給量の比を０．０１〜１００とすることにより選択横方向成長を促進する。例文帳に追加

When growing the nitride-based semiconductor layer, the growth in the selected transverse direction is accelerated by setting the ratio of the feeding amount of the group V material against the feeding amount of the group III material to 0.01-100. - 特許庁

ＣＲＴ・２に表示される成長プログラムの生成画面には、データを入力するプロセスのステップと、このステップと比較する前のステップの成長条件が２つの画面でそれぞれ表示されている。例文帳に追加

On a generation picture for the growth program displayed on a CRT 2, the step of a process for inputting the data and growth conditions of this step and a step before comparison are displayed as two pictures. - 特許庁

第2に、以前の景気回復局面と比較して実質経済成長率の伸びが高くないことに加え、2006年中頃まで緩やかなデフレ状況が続いてきた結果、名目経済成長率が低いことが挙げられる。例文帳に追加

Secondly, not only is the increase in real economic　growth rate not high compared with past recovery　phases, but the nominal economic growth rate is also low　as a result of the gradual deflation which continued until　mid-2006. - 経済産業省

～いざなぎ景気と比べて、回復力の力強さが乏しいことに加えて、名目経済成長率が実質経済成長率より低いなど、デフレの影響が色濃く残る～例文帳に追加

The effects of deflation are lasting: Resilience is low and nominal economic growth rate is lower than real economic growth rate compared with Izanagi boom real economic growth rate (annual average) - 経済産業省

これと比較してみると、「対事業所サービス」は雇用者数の成長率が上昇している上、売上の成長の鈍化が抑えられていることがわかる。例文帳に追加

One can also see in comparison that the growth rate in the number of employees in “professional and business services” increased and the slowdown of the growth of sales was suppressed. - 経済産業省

一方、③これに対してGDP成長率に占める非IT寄与分については米国の方が我が国に比して相当程度大きく、これがこれらの期間のGDP成長率の差をもたらしていることがわかる。例文帳に追加

In particular, the contribution of labor services is positive in the US while it is negative in Japan due to the differences in the handling of employment and wages in Japan and the US in the late 1990s. - 経済産業省

日本のベンチャー企業は、欧米のベンチャー企業に比して、世界級大企業にまで成長するケースが少なく、一般に成長速度も低いと言われる。例文帳に追加

It is said that fewer of the start-ups in Japan grow to be major global enterprises than their peers in the United States or Europe, and that their growth is generally slower.  - 経済産業省

一方で経営革新の成果として企業成長率を取り、成長率のばらつきをみるために標準偏差で比較すると「代表者の個人的なアイデア」の標準偏差が高い（第2-1-38図折れ線グラフ）。例文帳に追加

If on the other hand we look at the enterprise growth rate as an outcome of business innovation and compare the standard deviations as a measure of variation in growth rates, we find the standard deviation for "personal ideas of representatives" to be higher (Fig. 2-1-38 line graph). - 経済産業省

今回調査で、成長店舗比率が最も高かったA市では、成長店舗には、新しく出店した若年層によるテナント入居店が多いという特徴が見られた。例文帳に追加

The city found to have the highest proportion of growing stores in the survey was City A, and growing stores in this city are characterized by the large number of stores that were newly opened by young proprietors. - 経済産業省

1990年代から2000 年代の成長に比べれば国内の宅配便事業の成長も鈍化し始め、国内宅配便市場の成熟という側面がうかがえる。例文帳に追加

The growth of the home delivery business in Japan began to slow down compared with the growth during the 1990s and the 2000s, and the domestic home delivery service market seems to have matured. - 経済産業省