「成長比」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

他方、近年中国を中心としたアジアへの事業展開に関しては、非製造業に対する規制緩和措置や急速な経済成長・購買力の拡大から非製造業の海外展開と製造業における現地販売・現地調達比率の拡大が見られている。例文帳に追加

On the other hand, regarding business development in China and other parts of Asia in recent years, we can see that oversees development by non-manufacturing industry and the local sales and local procurement ratios for manufacturing industry are expanding due to deregulation of nonmanufacturing industry, rapid economic growth, and growing purchasing power. - 経済産業省

GDP比で見た政府債務残高を削減するためには、プライマリーバランスが均衡した状態で国債利回りを上回る経済成長率を達成する必要があるが、イタリアはポルトガルと同様に2000年代を通じ景気が低迷している。例文帳に追加

To reduce the government debt balance of GDP, it is necessary for the country to achieve an economic growth rate that exceeds the government bond yield with the primary balance remaining constant. However, the economy of Italy has been in a slump as with Portugal through the 2000s. - 経済産業省

2010 年の米国経済の回復を支えた実質政府支出は、2011 年には国防費の支出減少及び州・地方政府の歳出削減により前年比－ 2.1%と、成長率に対してマイナスの寄与に転じた（州・地方政府支出に限ると、3年連続のマイナス寄与）。例文帳に追加

U.S. real fiscal expenditures that had supported its economic recovery in 2010 recorded minus 2.1% year on year in 2011 owing to the reduction of defense expenditures and the cutting of state/local government expenditures, shifting to negative contribution to growth rate. - 経済産業省

具体的には、過去の立地補助金に比べ、予算額を大幅に拡充し総額 5,000億円規模としたほか、対象分野についても低炭素産業に限らずサプライチェーンの中核的な部品・素材分野と、高付加価値の成長分野とした。例文帳に追加

Specifically, the budget amount was expanded greatly from the past subsidies for location, totaling about 500 billion yen. Moreover, the target fields included not only the low-carbon industry, but also the fields of parts/materials that constitute the core of supply chains and the high-value added growth fields. - 経済産業省

2011年第1四半期（改訂値）の政府支出は前期比年率マイナス5.1％と、1983年第4四半期以来の減少幅を記録し、成長率を押し下げる要因となっており、今後も財政制約が米国経済の回復の足取りを重くする可能性がある。例文帳に追加

The government Expenditure (second estimate) of the first-quarter in 2011 accounts at an annual rate of -5.1% reduction from the prior quarter and record-low size of decrease since the fourth-quarter in 1983, and this becomes a factor to push down the growth rate. - 経済産業省

家計の旺盛な消費が著しい米国が巨額（GDP比6.4％（2005年暫定））の経常収支赤字を計上しており、他方、高い経済成長を遂げている東アジア諸国及び原油価格高騰の影響を受けている中東諸国が経常収支黒字を拡大している。例文帳に追加

The US with highly brisk consumption by household is recording a huge amount of current account deficit (6.4% of GDP = provisional figure for 2005), while East Asian countries are enjoying high growths and Middle Eastern countries benefit from the sharp rise in oil price are expanding their current account surpluses. - 経済産業省

2009年第1四半期の実質GDPの成長率（速報値）は同－14.2％と過去最大の減少率を更新したが、大きく寄与したのは前期比年率換算で－31.0％と過去最大の減少率を記録した設備投資（寄与度－5.1％）や民間消費（寄与度－2.4％）といった民間内需である。例文帳に追加

The real GDP growth rate for the first quarter of 2009 (preliminary figure) was −14.2% on a quarter-to-quarter basis (annualized rate), the worst rate of decline ever. The factors largely contributing to such a figure were private domestic demands, including capital investment (contribution rate: −5.1%), which marked −31.0% on a quarter-on-quarter basis (annualized rate) and broke the record for the worst growth rate, and private consumption (contribution rate: −2.4%). - 経済産業省

そこで、各地域で経済成長の格差が見られた背景として、以下では、アジアの経済発展に特に貢献したと考えられている「輸出」、「対内直接投資」、「農業開発」及び「教育の充実」に焦点を当て、各地域の比較を行う。例文帳に追加

To further examine the underpinnings of economic disparity among the three regions, they are compared in terms of their "exports," "inward direct investments," "agricultural development," and "improvements in education"—all of which have been believed to be major contributing factors to Asia's economic development. - 経済産業省

10億人を越える人口を擁するインド経済は急速な成長を実現しており、大規模な市場としての可能性が顕在化している一方、我が国との間の貿易規模は比較的小さく、EPAの締結を機に二国間の経済関係が活性化されることが期待される。例文帳に追加

With its population of over 1 billion, the economy of India is growing rapidly. Despite the potential of this huge market, India's trade with Japan is relatively small in size and the EPA is expected to revitalize this bilateral economic relationship. - 経済産業省

※新成長戦略では、国民各層の就業率を向上させる政策を進め、2020年において2009年の就業率（56.9％）を維持するという目標を設定している。これにより、2020年の就業者数は2009年比で約50万人減にとどまる。例文帳に追加

* The new growth strategies promote the policies to enhance the employment rates for the nation's each segment with the goal of maintaining the employment rate of 2009 (56.9%) in 2020. This will result in a decrease only of about 0.5 million employees compared with the labour force in 2009. - 厚生労働省

比較的規模の小さい企業でも大きな研究開発の成果を活かして成長していくケース（グローバルニッチファーマ）や得意分野に研究開発を絞り込んで国際競争力の強化を図るケース（グローバルカテゴリーファーマ）を目指すことが求められる。例文帳に追加

They are requested to aim the case that they are growing by making use of outcomes of major research and development even in relatively small-scale companies (global niche pharma) and the cases that the international competitive power is strengthened by targeting research and development into the specialized field (global category pharma). - 厚生労働省

正方晶性ｃ／ａ比が１より大きく、かつバリウムとチタンのモル比（Ｂａ／Ｔｉ）が１より大きいチタン酸バリウム粉末を含有する内部電極ペーストを用いることにより、トンネル型の連続炉を用いた量産工程において、焼成後に、前記誘電体層中の結晶粒子および内部電極層内に存在するセラミック粒子の粒成長を抑制する。例文帳に追加

By using internal electrode paste containing barium titanate powder with c/a ratio expressing tetragonal characteristics of 1 or larger, and mol ratio of barium to titanium (Ba/Ti) of 1 or larger, growth of crystal particles in the dielectric layer and ceramic particles existing in the internal electrode layer is restrained after baking in the mass-production process using the tunnel-shape continuous furnace. - 特許庁

曲面形成方法は、第２クラッド層１３中の特定の元素の組成比ｆに応じてエッチングレートの異なるエッチャントにより、特定の元素が結晶成長方向に組成比ｆの分布を有する第２クラッド層１３を選択的に除去して、その表面に所定の曲面Ｓを形成する。例文帳に追加

In the curved surface forming method, by an etchant of a different etching rate corresponding to the composition ratio f of a specified element in a second clad layer 13, the second clad layer 13 in which the specified element has the distribution of the composition ratio f in a crystal growth direction is selectively removed, and a prescribed curved surface S is formed on the surface. - 特許庁

その後、キャリアガスを水素ガスから希ガスであるアルゴンガスに切り替え、ＴＭＧとＴＭＩとをＴＭＩのＴＭＧに対する気相比が０．９で、Ｖ族／III 族供給モル比が１００００として１時間供給することにより、下地層１３の上面にＩｎＧａＮからなり、膜厚が１００ｎｍの半導体層１４を成長させる。例文帳に追加

Thereafter, the carrier gas is switched from a hydrogen gas to an argon gas that is one of noble gases and a semiconductor layer 14 made of InGaN with a film thickness of 100 nm is formed on the upper surface of the underlying layer 13 by providing the TMG and TMI for one hour with the TMI/TMG gas phase ratio of 0.9 and V/III compound supplying mole ratio of 10,000. - 特許庁

我が国のODAが東アジア域内途上国の総固定資本形成に占める比率は、EUにおける結束基金と比較しても遜色なく（第3-4-15表、第3-4-16表）、また理論的検証、実証分析からも、我が国のODAは域内途上国の経済成長に一定程度の寄与をしていることが示されている（第3-4-17表）。例文帳に追加

The ratio of Japan’s ODA to the gross fixed capital formation of the developing countries within the East Asian region is comparable to that of the Cohesion Fund in the EU (Tables 3.4.15 and 3.4.16), and both theoretical verification and empirical analysis show that Japan’s ODA has contributed to the economic growth of developing countries within the region to a certain degree (Table 3.4.17). - 経済産業省

これは、経済成長を実現してきた国ほど、二酸化炭素排出原単位が比較的高いと考えられる製造業から、二酸化炭素排出原単位が比較的少ないと考えられるサービス産業へと産業構造がシフトする傾向にあることや、省エネルギー・新エネルギー技術の導入等が進展していること等が影響していると推測される。例文帳に追加

This is considered to be because in countries that achieved economic growth, industrial structures tended to shift from manufacturing industries with relatively high CO2 emissions intensity to service industries with relatively low CO2 emissions intensity. Other factors include advancement in the implementation of energy saving and alternative energy technologies in those countries, as well as other reasons. - 経済産業省

現状としては内陸型工業団地としては比較的大規模な長田野工業団地が高度経済成長を経た1974年（昭和49年）に整備着手がなされたことによる、工業や商業が主な福知山の産業になっているが、それらのかつての伝統と歴史を復活させようと総合的な学習の時間で学ばせる教育機関や、そういった活動の趣旨の民間団体が結成されるなどの動きも見られる。例文帳に追加

Currently heavy industries and commerce are the main industries of Fukuchiyama due to the development of Osadano Industrial Park (comparatively large inland industrial parks), which started in 1974 after the rapid economic growth; the development of this park has spawned some movements by educational institutions to implement a comprehensive curriculum to teach former traditions and history, together with the formation of private organizations which aim to carry out such activities.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

中国の場合、経済発展のモデルが日本の高度成長期と比べると、国際環境の違いもあって国際的な資金を活用していくより開放的なものになっていることや、アジア地域を中心にいわゆる華僑のネットワークがあることなどを考えると、日本よりは短期間で「国際化」が進む可能性があるが、そう簡単な話ではない。例文帳に追加

Comparing China's economic development model with Japan's high economic growth in the past, China's model is more open to mobilizing international capital reflecting different international economic environment, and there is a network of overseas Chinese throughout Asia. In light of this, China might be able to "internationalize" its currency more quickly than Japan did, but this is not simple matter at all.  - 財務省

化学気相成長によって形成される１つ又は複数の単結晶ダイヤモンド層を有する、合成単結晶ダイヤモンド組成物であって、該層が、不純物のない他の層又は同様の層と比べて、（ホウ素及び／又は炭素同位体などの）１つ又は複数の不純物の濃度が増加した１つ又は複数の層を含む。例文帳に追加

Synthetic monocrystalline diamond compositions have one or more monocrystalline diamond layers formed by chemical vapor deposition, wherein the layers include one or more layers having an increased concentration of one or more impurities (such as boron and/or isotopes of carbon), as compared to other layers or comparable layers without such impurities. - 特許庁

マンガン酸リチウム粉末と、炭素粉末と、導電材として気相成長炭素繊維と、バインダであるＰＶＤＦと、を重量比で８０：１２：３：５として混合し、分散溶媒を適量加えて十分に混練し、分散させて、スラリ状の合剤溶液とし正極集電体１に塗着し、乾燥させ、所定かさ密度まで圧縮して正極板１１を得た。例文帳に追加

Powder of lithium manganate, powder of carbon, carbon fibers made in the vapor phase epitaxy as a conductive layer and PVDF as a binder, with a weight ratio of 80:12:3:5, are mixed. - 特許庁

半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させてなる半導体エピタキシャルウェハにおいて、半導体基板と半導体薄膜の界面に存在する炭素（Ｃ）及びケイ素（Ｓｉ）の二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Secondary Ion Mass Spectrometry）によるシート濃度の比Ｄ_ｃ／Ｄ_ｓが２０以上となるようにする。例文帳に追加

In the semiconductor epitaxial wafer formed by epitaxially growing a semiconductor thin film on a semiconductor substrate, a ratio of sheet concentration D_C/D_S by a secondary ion mass spectrometry (SIMS) of carbon (C) and silicon (Si) present in the interface between the semiconductor substrate and the semiconductor thin film is 20 or higher. - 特許庁

溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造において、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素およびアルミニウムの濃度を各々［Ｎ］および［Ａｌ］で表わしたときに、窒素とアルミニウムとの濃度比を、１≦［Ｎ］／［Ａｌ］≦５０として融液に添加し、ＳｉＣ種結晶を浸漬することにより、ｎ型ＳｉＣ単結晶を成長させる。例文帳に追加

The manufacture of the SiC single crystal by a solution method includes: adding a nitrogen and an aluminum to a melt with the ratio of concentration of 1≤[N]/[Al]≤50, when the concentrations of nitrogen and aluminum that are a donor element to assume an n-type semiconductor are represented by [N] and [Al], respectively; and immersing the SiC seed crystal to grow up n-type SiC single crystal. - 特許庁

鶏糞燃焼灰と中性カリウム化合物との質量比(中性カリウム化合物／鶏糞燃焼灰)が0.05〜1.0の範囲である鶏糞燃焼灰と中性カリウム化合物との混合物に、鉱酸を添加して、核粒子を成長させる方法により造粒することを特徴とする粒状肥料の製造方法である。例文帳に追加

The method for producing a granular fertilizer includes adding a mineral acid to a mixture containing the combustion ash of chicken droppings and a neutral potassium compound, wherein the mass ratio of the neutral potassium compound to the combustion ash of chicken droppings (neutral potassium compound/combustion ash of chicken droppings) is within the range of 0.05-1.0, and then granulating the resulting mixture by a method of growing nuclear particles. - 特許庁

高い残留磁束密度を得るために酸素含有量を低減したＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石において、異常粒成長を抑制して高い保磁力及び角形比を得ることによって総合的に良好な磁気特性を備えることのできるＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石をより低コストで提供する。例文帳に追加

To provide an R-T-B-based permanent magnet in which an oxygen content is reduced for obtaining a high remaining magnetic flux density, wherein an abnormal grain growth is suppressed to obtain a high coercive force and a squareness ratio, whereby the R-T-B-based permanent magnet containing a totally excellent magnetic characteristic is provided at a lower cost. - 特許庁

Ｘ線構造回折における直交する二方向のピーク強度比Ｉ（００２）／Ｉ（１０２）が１５以上である、クリスタリットがより二次元方向に成長した層状構造を持つ、たとえば、ナトリウムコバルト酸などからなり、成形・焼結工程を２回以上繰り返して製造された六方晶系複合金属酸化物。例文帳に追加

This hexagonal system compound metal oxide is composed of sodium cobalt acid, for example, and is produced by repeating a molding/ sintering process more than twice, while having a peak intensity ratio I(002)/I(102) of 15 or in larger two orthogonal directions in X-ray structure diffraction and having a layered structure, with which crystallites are grown further in a two-dimensional direction. - 特許庁

ユニットセル間を初期絶縁膜で区分しながら、初期絶縁膜の幅を狭くして占有面積比率を低くしても、膜厚検知機能を損なうことなく、かつエピタキシャル成長時間の短縮とその研磨時間を短縮し、かつ研磨後の膜厚精度を高くできる半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of preventing a film thickness detecting function from being damaged even when the width of an initial insulating film is narrowed and an occupancy area ratio is lowered while sectioning unit cells by the initial insulating film, shortening the epitaxial growth time, shortening the polishing time, and increasing film thickness accuracy after polishing. - 特許庁

本発明の有機トランジスタ１０によれば、ソース電極上面１８ａおよびドレイン電極上面２０ａが、有機単分子膜２４で被覆されているので、有機単分子膜２４で被覆されてない場合に比較して、ソース電極１８上およびドレイン電極２０上においても、結晶粒２２ａが大きく成長する。例文帳に追加

In the organic transistor 10 of this invention, the upper surface 18a of a source electrode and the upper surface 20a of a drain electrode are covered by an organic monomolecular film 24, so that crystal grain 22a grows largely on the source electrode 18 and the drain electrode 20 unlike a case where they are not covered by the monomolecular film 24. - 特許庁

水処理槽内に配設され微生物を担持する担体に付着成長した微生物膜の膜厚が厚くなりすぎて内部が嫌気化しはじめると、水処理槽内の処理水の水質にＣＯＤMn＜ＢＯＤとなる傾向が見られるので、これを利用して、ＣＯＤMn：ＢＯＤの比から容易に微生物の膜厚が厚くなりすぎたことを検知する。例文帳に追加

Since a tendency becoming CODMn<BOD in the quality of treated water in a water treatment tank is generated when the interior of the microorganism film begins to become anaerobic because the thickness of the microorganism film bonded to an grown on the carrier for supporting microorganisms arranged in the water treatment tank becomes large, this tendency is utilized to easily detect that the microorganism film becomes too thick from a ratio of CODMn:BOD. - 特許庁

配合炭を乾留してコークスを製造する方法において、前記配合炭の配合条件を、加熱過程における石炭軟化溶融層の圧力ΔＰと粘度ηとの比で示される下記式（２）の気孔成長パラメータＲに基いて決定することを特徴とする高強度コークスの製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method of high-strength coke comprises dry-distilling a blended coal, where blending conditions of the blended coal are decided based on the pore-growing parameter R, which is a ratio of the pressure ΔP to the viscosity η of a softening and melting layer of coal in the heating process, represented by formula (2): R=ΔP/η (2). - 特許庁

蒸発器１２の表面から霜１５の成長方向に沿って順次距離を隔てて設けた少なくとも二本の温度センサーＴ1 ，Ｔ2 と、上記温度センサーＴ1 ，Ｔ2 を設置した部分に庫内の空気を送り込む送風機１４と、上記温度センサーＴ1 ，Ｔ2 の検出値を比較する手段とを備えてなり例文帳に追加

The refrigerator comprises at least two temperature sensors T1 and T2 arranged at intervals one after another from the surface of an evaporator 12 along the growing direction of frost 15, a blower 14 for feeding air in the refrigerator to the portion where the temperature sensors T1 and T2 are installed and a means for comparing values detected by the temperature sensors T1 and T2. - 特許庁

約２−４０容量％のヒドロキシアパタイトと約９８−６０容量％のリン酸三カルシウム、および約１．５０ないし約１．６０のカルシウム／リン比を有する二相燐酸カルシウムセラミックを含み、またその担体およびそのセラミックの内部に分散される骨形態形成タンパク質などの骨誘導成長因子の有効量を含有する、多孔質セラミック本体よりなる脊椎のインプラント。例文帳に追加

A vertebral implant composed of a porous ceramic body includes a biphasic calcium phosphate ceramic having about 2-40 vol.% of hydroxyapatite, about 98-60 vol.% of tricalcium phosphate, calcium/phosphorus ratio of between about 1.50 to about 1.60., and an effective amount of the osteoinductive factors such as a bone morphogenic protein dispersed in the ceramic or carriers of the above. - 特許庁

所要の容器１の内部に、成長の早い植物２の抽出液を１０％、微生物棲息植物３の抽出液を２０％、油分分解植物４の抽出液を３０％、海藻類５の抽出液を１０％、ハーブの葉と茎６の抽出液を３０％の比率で構成された抽出液１１を、静電気防止液として使用する。例文帳に追加

The antistatic liquid is an extract mixture comprising 10% extract of quickly growing plants 2, 20% extract of microorganism-living plants 3, 30% extract of oil-decomposing plants 4, 10% extract of sea weeds 5, and 30% extract of leaves and stems of herbs 6 and is contained in a required container 1. - 特許庁

透明性を有する高分子フィルムの少なくとも一方の片面に、電子ビ−ム式物理気相成長法による酸化アルミニウム蒸着薄膜を設けた蒸着フィルムからなり、更に、上記の酸化アルミニウム蒸着薄膜が、その膜厚の表面に向かって、その蒸着膜を構成するアルミニウム元素：酸素元素の含有比を増加させてなることを特徴とする透明バリア性フィルムに関するものである。例文帳に追加

The transparent barrier film is composed of a vapor-deposited film in which at least either side of a polymer film having transparency is provided with an aluminum oxide vapor-deposited thin film by an electron beam type physical vapor growth process. - 特許庁

平滑面を有する基板を用意し、該基板に触媒を蒸着させ、触媒が蒸着された基板を保護ガスで一定の温度に加熱した後に、炭化水素ガスと保護ガスの混合ガスを導入し、触媒と環境の温度差が５０℃以上であるように該混合ガスの流速を制御し、炭化水素ガスの分圧が２０％より低いように該混合ガスの流量比を制御し、５〜３０分間に反応した後炭素ナノチューブが基板から成長される。例文帳に追加

The matrix of the carbon nanotube is the bundled carbon nanotube. - 特許庁

塩化銀含有率が総銀量の５０モル％以上であり、アスペクト比が２以上である平板状粒子が全粒子投影面積の５０％以上を占めるハロゲン化銀写真乳剤の製造方法において、少なくとも１つのポリハロゲン有機化合物の存在下で粒子の成長が行われる過程を有することを特徴とするハロゲン化銀写真乳剤の製造方法。例文帳に追加

The silver halide photographic emulsion having a silver chloride content of ≥50 mol.% based on the total silver halides and containing planar silver halide grains having an aspect ratio of ≥2 and occupying ≥50% of the projection areas of the total silver halide grains is manufactured by the method characterized by having the process in which silver halide grains are grown in the presence of at least one of organic polyhalocompounds. - 特許庁

撹拌機４８を有する凝集剤反応槽５０に廃家電製品の破砕物を水比重選別する作用に寄与した汚水を入れ、この凝集剤反応槽５０で生じたフロック（凝集物）をフロック熟成槽５１で成長させ、このフロック熟成槽５１にフロック分離槽を連通し、フロックと処理水に分離する。例文帳に追加

Sewage contributing to the specific gravity sorting action using water of the crushed matter of waste household electric appliances is put in a flocculant reaction tank 50 having a stirrer 48 and floc (flocculated matter) is grown in a floc ageing tank 51 and a floc separation tank is connected to the floc ageing tank 51 to separate floc and treated water. - 特許庁

また、基板を高濃度の格子間酸素を含むものとして通常のエピタキシャル成長を行い、酸化性雰囲気中で熱処理することでＳｉＯ_2の層状領域３を形成できるため、酸素の高エネルギーイオン注入の必要性があるＳＩＭＯＸ法と比較しても、大幅なコスト低減を達成することができる。例文帳に追加

Moreover, since the substrate is performed a normal epitaxial growth as one containing the high-concentration interstitial oxygen and the region 3 can be formed by heat-treating the substrate in the oxidizing atmosphere, the significant reduction in the cost of the substrate can be achieved even though this manufacturing method of this substrate is compared with an SIMOX method needed for conducting high-energy ion implantation of oxygen. - 特許庁

所定のバンドギャップエネルギーを有するアモルファスカーボン膜を製造するための方法であって、アモルファスカーボン膜を成長させるための原料ガスＧに、パルス状のマイクロ波Ｗを所定のバンドギャップエネルギーに対応するデューティ比で断続的に照射して該原料ガスＧのプラズマＰを生成し、基材Ｂ上にアモルファスカーボン膜を形成する。例文帳に追加

The method for producing the amorphous carbon film having the desired band-gap energy includes intermittently irradiating a source gas (G) which grows to the amorphous carbon film with a pulsed microwave (W) having a duty ratio corresponding to predetermined band-gap energy to form the plasma (P) of the source gas (G) and form the amorphous carbon film on a substrate (B). - 特許庁

合成段階で金属フタロシアニンの結晶成長を抑制し、環境負荷の高い有機溶媒等の希釈液を使用することなく、また微細化のための粉砕媒体の利用等の特段の機械的エネルギー投入を必要とせずに、均一で微細な銅フタロシアニンを従来法に比べて低い温度で製造し、合成工程後の顔料化工程の負荷を大幅に低減する製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing uniform fine copper phthalocyanine at a temperature lower than that for a conventional method while suppressing crystal growth of metallophthalocyanine in a synthesis process without using any diluent such as organic solvents causing a high environmental load and without specially requiring mechanical energy supply such as use of a grinding medium for pulverization for greatly reducing a load in a pigmentation process after the synthesis process. - 特許庁

充填エピタキシャル層の過剰成長によるトレンチ開口部の狭窄が生じにくく、ひいてはトレンチのアスペクト比が大きい場合であっても、トレンチ内の充填エピタキシャル層に対する空隙等の残留を効果的に抑制できるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of silicon epitaxial wafer by which constriction of a trench opening due to excessive growth of a charged epitaxial layer is difficult to occur and residual of a void and the like with respect to the charged epitaxial layer in a trench can effectively be suppressed even if the aspect ratio of the trench is large. - 特許庁

植物の組織から、種々の時期に、フラボノイド含有抽出物を調製し比較検討した結果、植物の組織および成長段階によってフラボノイドの種類および、各種フラボノイドの相対量が一定であり、かつ、品種によって異なること、そのため、フラボノイド含有抽出物中のフラボノイドの相対量を植物の品種同定のために用いることができることを見出し、上記課題を解決した。例文帳に追加

Since the types of flavonoids and the relative amounts of various types of flavonoids do not change by plant tissues or their development stages, but will change by varieties, as a result of the preparation, comparison, and examination of flavonoid-containing extracts at various periods from plant tissues, it is possible to use the relative amounts of flavonoids in the flavonoid-containing extracts for the identification of varieties of plants. - 特許庁

冷房運転もしくは除湿運転終了後、冷房運転もしくは除湿運転の運転状況から室内機内部の状態を判断し、その判断結果を基に送風運転を行なうことにより、室内温度を上昇させることなく、比較的短時間でカビの成長に適さない室内機内部状態をつくり出すことが可能となるものである。例文帳に追加

After the end of cooling operation or dehumidifying operation, the state of the interior of the indoor unit is determined from the operation status of cooling operation and dehumidifying operation, and blowing operation is performed based on the determination result, whereby the internal state of the indoor unit not suitable for growth of mildew is produced in a comparatively short time without a rise in interior temperature. - 特許庁

ＰｂＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、Ｂ_２Ｏ_３、Ｙｂ_２Ｏ_３、Ｔｂ_２Ｏ_３及びＦｅ_２Ｏ_３を含む融液を用いて、ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法によって磁性ガーネット膜を育成する方法であって、前記ガーネット基板の格子定数は、１．２４９０〜１．２５１５ｎｍであり、かつ、融液中のモル比は、下記の４つの要件を満たすことを特徴とするＹｂＴｂＢｉＦｅ系磁性ガーネット膜の製造方法などによって提供。例文帳に追加

In the method of forming the YbTbBiFe-based magnetic garnet film, the garnet film can be grown on a garnet substrate by a liquid phase epitaxial growth method by using a solution containing PbO, Bi_2O_3, B_2O_3, Yb_2O_3, Tb_2O_3, and Fe_2O_3. - 特許庁

基板１０の表面に、当該基板１０表面に下地膜１１が形成されていない場合と比較して、ナノ粒子分散インクの基板１０に対する密着力を高め、ナノ粒子分散インクの基板１０中への拡散を抑制し、ナノ粒子分散インクに含まれる金属結晶の粒成長を抑制できる下地膜１１が形成される。例文帳に追加

A base film 11 is formed on the surface of a substrate 10, which can improve the adhesion of nanoparticle dispersed ink to the substrate 10, reduces the diffusion of the nanoparticle dispersed ink into the substrate 10, and reduce the grain growth of metallic crystals contained in the nanoparticle dispersed ink as compared to a case in which the base film 11 is not formed on the surface of the substrate 10. - 特許庁

樹脂内に気泡が形成される発泡現象における気泡の成長を、樹脂自体の密度低下現象として取り扱い、発泡材の密度が、樹脂温度または時間項を含む関数として表される連続の式または運動方程式またはエネルギ保存式を含む式を用いた計算により、熱伝導率または比熱の分布を出力する。例文帳に追加

The growth of foams in a foaming phenomenon to form foams in resin is treated as a density lowering phenomenon of the resin and the heat conductivity or the specific heat distribution is outputted by calculation using expressions including continuous expressions, a motion equation, or an energy holding equation in which the density of a foaming material is expressed as a function including a resin temperature or a time term. - 特許庁