「成長比」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

基板の成長面の面内における成長温度の分布を小さくすることによって窒化ガリウム系化合物半導体層の厚み分布、混晶組成比の分布、半導体不純物濃度の分布などを低減することのできる基板、及びその基板を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate which can reduce a thickness distribution of a gallium nitride-based compound semiconductor layer, a ratio distribution of mixed crystals, and a concentration distribution of impurities in a semiconductor or the like by reducing the distribution of the growing temperature within the growing surface of the substrate, and a method for growing a gallium nitride-based compound semiconductor using the substrate. - 特許庁

融解したＳｉ合金の溶媒中にＳｉＣ（炭化珪素）が溶解した溶液から種結晶基板上にＳｉＣ単結晶を成長させる溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の製造において、量産化を実現するため、比較的容易に入手できる原料を用いて、良質の炭化珪素単結晶を高い成長速度で安定して製造できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a good quality silicon carbide (SiC) single crystal at a high growth rate by using a relatively easily available raw material so as to realize mass production, in the manufacturing of the SiC single crystal by a solution growth method, comprising growing the SiC single crystal on a seed crystal substrate from a solution obtained by dissolving SiC into a solvent comprising a molten Si alloy. - 特許庁

融解したＳｉ合金の溶媒中にＳｉＣが溶解した溶液から、種結晶基板上にＳｉＣ単結晶を成長させる液相成長法による炭化珪素単結晶の製造において、量産化を実現するため、比較的容易に入手できる原料を用いて、良質の炭化珪素単結晶を高い成長速度で安定して製造できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of silicon carbide single crystal having high quality at a high growing speed and stably using a raw material that is comparatively easily available for realizing the mass production, in manufacturing of silicon carbide single crystal by a liquid phase growth method in which the SiC single crystal is grown on a seed crystal substrate from a solution that is obtained by dissolving SiC in a solvent of a molten Si alloy. - 特許庁

2008 年第2 四半期から固定資本形成が主要な下押し要因となって徐々に成長を鈍化させており、リーマンショック後の2008年第4 四半期には前期比マイナス1.7％まで落ち込んだが、2009 年第2 四半期以降、輸送機械を中心とする輸出の持ち直しによって実質GDP成長率は回復へし、緩やかにプラス成長を続けている（第1-2-2-20 図）。例文帳に追加

From the second quarter of 2008, economic growth gradually lost pace, primarily on account of the formation of fixed capital, with growth in the fourth quarter of 2008, after the outbreak of the Lehman shock, down 1.7% from the previous term.　　However, the real GDP growth rate revived in the second quarter of 2009, primarily due to the recovery of transport machinery exports, and has maintained moderate growth (see Figure 1-2-2-20). - 経済産業省

第二に、代表者・役員からの資金調達を行っている中小企業が、成長ステージが若くなるほど多くなり、成長初期で研究開発に取り組む中小企業では約7割に達し、成長初期で研究開発に取り組んでいない中小企業の約4割と比べても顕著に多い。例文帳に追加

Secondly, the earlier the developmental phase an SME is in, the more likely it is to source funding from company representatives and executives; with early growth phase SMEs that carry out research and development approximately 70% do so, and this is a much larger percentage than the approximately 40% seen amongst early growth phase SMEs that do not carry out research and development. - 経済産業省

これによれば、米国の財政赤字削減は、ドルの減価の場合に比べて、物価上昇はそれほど大きくない（６年間累積で1.5％）ものの、政府支出縮小を通じてGDP成長率を大きく低下（同－4.5％）させ、短期金利の引下げ（同－5.4％）をもたらすと見られている。また、米国のGDP成長率の低下は我が国のGDP成長率低下（同－2.0％）ももたらすという結果となっている。例文帳に追加

According to the estimate, a decrease in the fiscal deficit of the US will have smaller impacts on commodity prices(a 1.5% rise for 6 years) than those by the dollar depreciation, but will lower the GDP growth rate significantly (-4.5%) as well as the short-term interest rate (-5.4%) through the reduction of government expenditures. The estimate also shows that a lower GDP growth rate of the US will result in a lower GDP growth rate of Japan (-2.0%). - 経済産業省

シラン系ガスとシラン系ガスに対して流量比で５０倍以上の水素とを原料ガスとして、プラズマ化学気相成長法により第１単結晶半導体層をエピタキシャル成長させて第２単結晶半導体層を形成する。例文帳に追加

The first single crystal semiconductor layer is epitaxially grown to form a second single crystal semiconductor layer with the plasma chemical vapor deposition method using the silane system gas and hydrogen of 50 times or more in the flow rate ratio for the silane system gas as the raw material gas. - 特許庁

本発明の解決すべき課題は、従来のプレバイオティクスやプロバイオティクス、大豆蛋白由来ペプチド、γ−アミノ酪酸といった成長ホルモン分泌促進物質と比較して、安全で高い効果を示し、耐用性が良好で経口投与可能な成長ホルモン分泌促進剤を提供することである。例文帳に追加

To provide an orally administrable growth hormone secretagogue which is safer, more highly effective, and better in durability as compared with a conventional growth hormone secretagogue such as a prebiotic, a probiotic, a soy protein-derived peptide, or γ-aminobutyric acid. - 特許庁

負極合剤層２３Ｂは、メソカーボンマイクロビーズ（ＭＣＭＢ）と気相成長炭素繊維（ＶＧＣＦ）とを含むものであり、メソカーボンマイクロビーズ（ＭＣＭＢ）１００に対する気相成長炭素繊維（ＶＧＣＦ）の質量比は、３．１以上５．５以下である例文帳に追加

The negative electrode mix layer 23B contains mesocarbon microbeads (MCMB) and a vapor-grown carbon fiber (VGCF), wherein the mass ratio of the vapor-grown carbon fiber (VGCF) to the mesocarbon microbeads (MCMB) 100 is 3.1-5.5. - 特許庁

単結晶基板２２上に結晶成長により形成された半導体結晶層３０が形成されたＬＥＤウエハ１０Ａは、半導体結晶層３０の表面の素子形成領域の一部が結晶成長面に比べて粗面化された粗面部５０を備えている。例文帳に追加

An LED wafer 10A having a semiconductor crystal layer 30 formed on a single-crystal substrate 22 by crystal growth includes a rough surface portion 50 formed by making a part of an element formation region on the surface of the semiconductor crystal layer 30 rougher than the crystal growth surface. - 特許庁

チョクラルスキー法による単結晶シリコンの製造装置１において、成長軸方向の上下２つに分割された下ヒーター４−２に対する上ヒーター４−１の出力比を４以上に制御することにより、低酸素濃度の単結晶シリコンＳを成長させることができる。例文帳に追加

A silicon single crystal S having low oxygen concentration can be grown in a single crystal production device 1 by Czochralski method by controlling the output ratio of an upper heater 4-1 to a lower heater 4-2 to not less than 4, the heaters constituting two vertically separated heaters in a growth axis direction. - 特許庁

原料ガスを周辺部から導入した場合に、成長室の被成膜基板面上のガス濃度分布を均一化することができ、成膜厚や組成比を向上させることができる気相成長装置及び半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor deposition device capable of making uniform a gas concentration distribution on a substrate surface to be film-deposited in a growth chamber when introducing a raw material gas from peripheral parts, and capable of improving the thickness of a deposited film and a composition ratio. - 特許庁

その上に成長温度６７０℃から６８５℃の範囲内で、Ａｌ組成比が０．３から０．６のＡｌＧａＡｓ層１１をクラッド層として成長させてからＧａＡｓを供給し、Ｖ溝内に断面が三ケ月形状のＧａＡｓ量子細線１３を複数本、アレイ状に形成する。例文帳に追加

Moreover, after an AlGaAs layer 11, of which an Al composition ratio is from 0.3 to 0.6, is grown as a clad layer within a growth temperature range from 670°C to 685°C, GaAs is supplied and a plurality of GaAs quantum wires 13 of shape like a crescent moon in cross section is formed as an array in the V groove. - 特許庁

これにより、埋め込み成長時に、支持板２３ａのうち円筒部２３ｂよりも内側を、支持板２３ａのうち円筒部２３ｂよりも外側と比べて相対的に温度を低くでき、多結晶４５が成長し難くなることを抑制することが可能となる。例文帳に追加

Thereby, the temperature in a region inside the cylindrical part 23b of the support plate 23a can be controlled to be relatively lower than in a region outside the cylindrical part 23b of the support plate 23a, which suppresses difficulty in growing a polycrystal 45. - 特許庁

ガス供給部は、III族及びＶ族原料ガスの一方を供給して第１半導体層を成長させる動作と、混合されたガスを供給してIII組成比が第１半導体層とは異なる第２半導体層を成長させる動作と、を切り替え可能である。例文帳に追加

These gas supply sections can switch the operation of allowing a first semiconductor layer to grow by supplying one of the group III and V material gases, and the operation of allowing a second semiconductor layer having a different III composition ratio from the first semiconductor layer to grow by supplying a mixed gas. - 特許庁

ＭＯＣＶＤ法によりエミッタ層４４を形成後にサブエミッタ層４５を形成してＩｎＧａＰ系ＨＢＴ製造用の半導体ウェーハ１を製造する場合、サブエミッタ層４５を成長温度６００℃以下及び又はＶ／ＩＩＩ比２０以下の条件で成長させる。例文帳に追加

When a sub-emitter layer 45 is formed to manufacture a semiconductor wafer 1 for manufacturing the InGaP-based HBT after forming an emitter layer 44 by an MOCVD method, the sub-emitter layer 45 is grown at 600°C or lower and/or at a V/III ratio of 20 or less. - 特許庁

被処理体上に成膜される薄膜の膜厚および組成成分比の均一性を損なうことなく、成膜操作の１バッチ当たりの生産量を増加することのできる気相薄膜成長装置および気相薄膜成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor phase thin film epitaxial growth system and a vapor phase thin film epitaxial growth method in which production per butch of film depositing operation can be increased without sacrifice of the thickness of a thin film being deposited on an article being processed and the uniformity of compositional ratio. - 特許庁

気相成長ガスの熱分解により、シリコンが雰囲気中より液滴中に取り込まれ、液状体は固体状態に比べシリコン原子を取り込みやすいので、Ｓｉ−Ａｕ合金２８の液滴中には次第にシリコンが過剰となり、シリコン単結晶が管状に成長する。例文帳に追加

Thus, a tubular silicon single crystal 30 having a hollow part 32 is obtained. - 特許庁

この結晶は、Ｂａに対するＴｉのモル比が大きくなるように原料を配合する原料配合工程と、ＫＦを融剤としたフラックス法によりＢａＴｉＯ_３結晶を成長させようとする結晶成長工程と、を経ることにより得ることができる。例文帳に追加

The crystal is prepared by a method comprising a raw material-blending process of blending raw materials in such a manner that Ti has a greater molar ratio relative to Ba, and a crystal growth process of growing a crystal of BaTiO_3 by the flux method using KF as a flux. - 特許庁

メッシュスクリーンシートを形成するステンレススチール細線上に形成されたNiメッキ層におけるメッシュスクリーンシートの面方向に最も成長した部分の厚さと厚み方向に最も成長した部分の厚さとの比率を0.94以上1.28以下の範囲とする。例文帳に追加

In the Ni plated layer formed on stainless steel fine lines for forming a mesh screen sheet, the ratio between the thickness of the most growing part in the face direction of the mesh screen sheet and the thickness of the most growing part in the thickness direction is set to 0.94 to 1.28. - 特許庁

ＳｉＣ単結晶を成長させる際、ＳｉＣ単結晶の成長面近傍の原料ガスにおけるＣとＳｉとの比（Ｃ／Ｓｉ）を１未満、望ましくは０．２５以下にすることにより、種基板１からのＳｉの昇華が抑制され、種基板１の端部のエッチングが防止される。例文帳に追加

By controlling the ratio (C/Si) of C to Si in the raw material gas close to the growth surface of the SiC single crystal to be less than 1, preferably 0.25 or lower when growing the SiC single crystal, sublimation of Si from the seed substrate 1 is suppressed, which prevents an end of the seed substrate 1 from being etched. - 特許庁

これによって、タイヤ１０に使用内圧を付与した時のタイヤ外周面のセンター部におけるタイヤ径方向の成長が、タイヤ外周面のサイド部におけるタイヤ径方向の成長に比べて大きくなり、センター部における接地面積が大きくなる。例文帳に追加

Thus, growth in the tire radial direction in the central part on the tire outer peripheral face when use inner pressure is applied to the tire 10 becomes larger than growth in the tire radial direction in the side part on the tire outer peripheral face, to increase a ground contact area in the central part. - 特許庁

すなわち、少子高齢化・人口減少社会を迎えて比較的低成長にとどまる我が国に対して、世界経済、中でも東アジアが高い成長を遂げてマーケットを拡大するため、我が国の生産は、国内需要ではなく海外需要に依存する割合が大きくなることを反映している。例文帳に追加

In other words, this reflects the fact that a greater proportion of Japan’s production will depend on overseas demand rather than domestic demand since the world economy,particularly the East Asian economy, will achieve high growth and expand its markets in contrast to Japan,which will become an aging society with a falling birthrate and shrinking population and experience relatively low growth. - 経済産業省

このような公的資金移転が、域内統合による貿易・投資の円滑化を見込んだEU企業による投資の増加とあいまって、中・東欧諸国にEU平均に比べ高い成長率をもたらしており、また今後も高い経済成長を続けると予測されている（第3-4-14図）。例文帳に追加

This kind of public funds transfer, in combination with the increase in investment by EU companies anticipating smoother flows of trade and investment as a result of intra-regional integration, is bringing about a higher growth rate than the EU average in the countries of central and eastern Europe and it is projected that rapid economic growth will continue in the future (Figure 3.4.14). - 経済産業省

その成長のペースは311996年から2006年の11年間で年平均9.1％と、同期間の世界の実体経済の名目GDP成長率（年平均）5.7％を大きく上回っており、実体経済に対する比率は、1990年の約2.0倍から2006年には約3.5倍へと拡大している32。例文帳に追加

The average annual growth rate31 for the 11 years between 1996 and 2006 was 9.1%, which insignificantly greater than the 5.7% nominal GDP growth rate (annual average) of the world’s real economy for the same period. The ratio of these markets to the real economy increased from about 2.0times in 1990 to about 3.5 times in 200632. - 経済産業省

国際経済の成長を地域別の寄与度で見ると（第1-1-3図）、東アジア諸国・地域の寄与度は過去に比べて増加しているものの依然として小さく、経済規模を反映して我が国、米国、欧州といった先進国が世界の経済成長をけん引している。例文帳に追加

A comparison of contributions by respective areas to the international economic growth (Figure1.1.3) shows that contributions by East Asian countries and regions to the world economic growth remain small, although they have increased their contributions compared with the past. Reflecting the economic scales, advanced countries such as Japan, the U.S. and European nations are driving the international economic growth. - 経済産業省

経営革新に取り組んでいない企業の企業成長率を基準として、経営革新の内容別に比較すると、事業転換を除くいずれの取組についても取り組んだ企業の方が高く、特に新分野進出を行った企業の成長率が顕著に高い数値を示している（第2-1-32図、付注2-1-2）。例文帳に追加

If we compare the types of business nnovation undertaken taking as our baseline the growth rate of enterprises not engaging in business innovation, we find that enterprises engaging in any activities with the exception of a change of business had a higher growth rate, and enterprises that entered new fields exhibited a particularly high growth rate (Fig. 2-1-32, Appended Note 2-1-2). - 経済産業省

米国の2004年の実質GDP成長率は前年比4.4％と1999年（同4.5％）以来の高い伸びとなり、その強靱性を示している。しかしながら、内需主導による成長の過程で、米国では財政赤字と経常収支赤字という双子の赤字が拡大を続けている。例文帳に追加

The U.S. economy is demonstrating its resilience, posting a real GDP growth rate of 4.4% year-on-year in 2004, the strongest growth since 1999 (4.5%). In the process of domestic demand-led growth, however, the twin deficits—the budget deficit and current account deficit—are continuing to expand in the U.S. - 経済産業省

中国経済は1978年の改革開放以降、漸進的に市場経済を拡大させながら、20年以上の長期にわたり年平均９％以上の実質GDP成長率を達成し、2003年の実質GDPは1978年に比して9.4倍に拡大する等、世界経済の中でも目覚ましい経済成長を遂げてきている。例文帳に追加

Since the beginning of reform and liberalization in 1978, the Chinese economy has achieved an annual average of more than 9% growth rate in real GDP for more than 20 years, while continuing to gradually expand principles of market economy. Real GDP in 2003 had expanded to 9.4 times that of 1978, and this and other developments have made China’s pursuit of economic growth very noticeable in the world economy. - 経済産業省

新興国市場等の拡大により中長期的に海外市場の伸びが我が国市場と比べて大きくなると見込まれる中では、我が国企業が海外の経済成長の果実を獲得し、それを国内の豊かさに結びつけることが、我が国の持続的な経済成長のために不可欠である。例文帳に追加

In order to achieve sustainable economic growth in Japan under the conditions imposed today by the expansion of markets in emerging economies, which are expected to become larger than the Japanese market in the medium-to-long term, it is imperative for Japanese-owned companies to obtain economic growth overseas, which would in turn lead to the prosperity of Japan. - 経済産業省

この際に、ガリウム原料に対する窒素原料の割合（モル比）であるＶ／III比が１０００以上の条件を用い、前記Ｖ／III比が１０００未満の条件を用いることなく、また、ＧａＮ単結晶基板１の表面に、バッファ層を介在させることなく、ＧａＮ半導体層２を成長させる。例文帳に追加

The GaN semiconductor layer 2 is grown without using conditions of a V/III ratio less than 1,000 and without interposing a buffer layer on the surface of the GaN monocrystal board 1 by using conditions of the V/III ratio of 1,000 or more as the ratio (a mole ratio) of a nitrogen raw material to a gallium raw material in this case. - 特許庁

リッジと、リッジを挟んで形成された電流ブロック層とを有し、かつリッジの側壁に、Ａｌ混晶比が前記リッジの両側の底面を形成する層のＡｌ混晶比よりも大きい層を含むIII−Ｖ族化合物半導体発光素子を製造するにあたり、電流ブロック層を６５０℃以下の条件でかつ気相成長法により成長させるIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法。例文帳に追加

In manufacturing the group III-V compound semiconductor light emitting device on a side wall of the ridge, having a ridge and a current block layer formed sandwiching the ridge, and including a layer having a larger Al ratio than that of the layer forming a bottom face of both sides of the ridge, the current block layer is made to grow under a condition of 650°C or below by a vapor deposition method. - 特許庁

原料ガスと複数の有機金属原料を導入することにより行われる化合物半導体結晶のエピタキシャル成長工程において、前記原料ガスの供給量に対する前記ＭＯ原料の全供給量の比（Ｖ／III比）を低減させることにより、前記化合物半導体結晶の成長過程において生じる結晶中のピット数を抑制する。例文帳に追加

In the epitaxial growth process of the compound semiconductor crystal carried out, by introducing a raw material gas and a plurality of organic metal raw materials, the number of the pits generated in the growing process of the compound semiconductor crystal is suppressed, by decreasing the ratio of the total supplied amount of the MO raw materials to the supplied mount of the raw material gas (V/III ratio). - 特許庁

基板上に予形成された窒化ガリウム（０００１）表面上に、ガリウム金属クラスタが成長阻害要因として生成されない比率以下で、窒素原子Ｎとガリウム原子Ｇａとの供給比を１：２以上としたガリウム原子供給過多状態において窒素原子Ｎとガリウム原子Ｇａとを供給することにより、分子線エピタキシャル法で窒化ガリウムを成長させる。例文帳に追加

Gallium nitride is grown by the molecular beam epitaxial method by supplying nitrogen atoms N and gallium atoms Ga under a gallium atom oversupply condition under which the supply ratio of nitrogen atoms N and gallium atoms Ga is set at 1:2 or above at a ratio at which gallium clusters are not formed as a factor to hinder their growth or below onto a gallium nitride (0001) surface preformed on a substrate. - 特許庁

また、事業分野の選択理由について比較しても（第1-2-22図）、開業率上位の業種においては「成長性のある分野であるため」、「少ない資金で創業できるから」と回答した企業の割合が下位の業種に比較して高く、インターネット関連や介護サービスなど、個人が少額で開業でき、今後の成長性も見込まれる業種で開業が活発になっていると言えよう。例文帳に追加

In addition, if the reasons for choosing their fields of business are compared (Fig. 1-2-22), more respondents in industries with top entry rates than industries with bottom entry rates stated that "The field has growth potential" and they "Can start up with few funds." It seems from this that industries in which individuals can start up with few funds and in which future growth potential is expected, such as Internet-related services and nursing care services, will experience many entries. - 経済産業省

中国の投資効率を見るために、投資の対名目GDP比を実質GDP成長率で除して得られる限界資本係数を日本、韓国、ASEAN4の高度成長期のそれと比較すると、中国の投資効率は徐々に低下しており、2000年～2006年の中国の投資効率はこれらアジア諸国よりも低いことが分かる（第1-3-8表）。例文帳に追加

Comparing China’s incremental capital-output ratio,26 which can be obtained by dividing investment as a percentage of nominal GDP by the real GDP growth rate, with that of Japan, South Korea, and ASEAN4 during high-growth periods, in order to see investment efficiency, China’s investment efficiency has been gradually declining, and it can be seen that China’s investment efficiency from 2000 through 2006 was lower than that of these Asian countries (Table 1-3-8). - 経済産業省

このように、中国経済は高成長が続いているものの、近年の成長の原動力の多くを固定資産投資に依存している。固定資産投資の名目GDPに占める割合を見ると、家計消費の比率が低下しているのとは対照的に、2003年には４割を超える水準にまで急速に高まっており、これは過去の日本の高度成長期のピークと比較しても高い水準となっている。例文帳に追加

In this way, although the Chinese economy continues to be on a high growth track, in recent years the economy has been increasingly relying on fixed asset investments for its source of power in large part. Looking at the share of fixed asset investments as a proportion of nominal GDP, we see that they are continuing to grow rapidly, in contrast to the rate of household consumption which is stagnating, exceeding 40% of GDP for the first time in 2003. This is an extremely high level, even when comparing figures with the peak of Japan’s period of high growth in the past. - 経済産業省

製造業に比べて大きく遅れをとっている非製造業における生産性向上、それも設備投資の活性化により内外価格差の是正と成長力を確保するというのがベストシナリオだ。例文帳に追加

The best way for adjusting the gap between the internal and the external price and securing economic growth is to promote the non-manufacturing industry's productivity by aggressive investing in facilities. - Tatoeba例文

製造業に比べて大きく遅れをとっている非製造業における生産性向上、それも設備投資の活性化により内外価格差の是正と成長力を確保するというのがベストシナリオだ。例文帳に追加

The best way for adjusting the gap between the internal and the external price and securing economic growth is to promote the non-manufacturing industry's productivity by aggressive investing in facilities.  - Tanaka Corpus

歩道の車道寄りには新たにケヤキ223本が植え直されたが、以前の立派な街路樹とは比べるべくもなく、成長するには20年以上かかる。例文帳に追加

Two hundred and twenty-three new zelkova trees have been planted along the street between the sidewalk and the driving lane, but they are still incomparable with the previous excellent roadside trees; it will take more than 20 years for the new trees to grow as tall.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

中国では、経常収支黒字の対GDP比は2007年の10.1％から2011年には2.7％まで縮小しており、このことからも内需が成長により大きな貢献をするようになっていることが明らかだ。例文帳に追加

Given the fact, for instance, that China’s current account surplus decreased from 10.1 percent to GDP in 2007 to 2.7 percent last year, it is evident that domestic demand has begun to make a greater contribution toward the growth of economy.  - 財務省

2009年の経済成長率は、昨年との対比で約５％も低下し、世界全体でマイナス1.3％、先進国全体ではマイナス3.8％、途上国は1.6％と急激に落ち込む見込です。例文帳に追加

The world economy is projected to contract by 1.3% in 2009, which represents a 5% swing in growth rate compared to last year.Economies of developed countries are projected to contract by 3.8%, while growth in developing countries is expected to slow down to 1.6％.  - 財務省

2009年の経済成長率が約マイナス３％と見込まれるなど今回の金融危機により最も打撃を受けている東欧は、他の地域に比して、外国銀行からの借入れに大きく依存していました。例文帳に追加

Eastern Europe, which has been hardest hit by the current financial crisis, with its regional economy expected to contract by around 3% in 2009, is more heavily dependent on foreign bank borrowing than any other region.  - 財務省

こうした復興需要にも支えられ、我が国の内需は全体として堅調に推移してきました。本年第１四半期の実質GDP成長率は、前期比年率で＋5.3％、第２四半期は同0.7％となりました。例文帳に追加

Supported by such reconstruction-related demand, domestic demand in Japan has stayed firm on the whole.Japan’s GDP recorded an annualized growth rate of 5.3 percent in the first quarter of this year and an annualized growth rate of 0.7 percent in the second quarter on a quarter-on-quarter basis.  - 財務省

投資環境については、アジアの投資率は他の地域に比べて決して低くありませんが、成長を持続可能なものとするためには更なる投資を呼び込むことが必要です。例文帳に追加

As to the investment climate, while the ratio of investment in Asia is by no means lower than those in most other regions, it is necessary to attract more investments for sustainable growth.  - 財務省