「成長比」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

現行の方法に比べて生態系に対する負の影響が少ない、異なった生物付着性生物の付着・成長を予防するための、塗料に添加される選択された異種物質の混合物を提供すること。例文帳に追加

To provide a combination of selected different substances in paint to prevent the settlement and growth of different biofouling organisms with a reduced negative effect on the ecosystems compared to present methods. - 特許庁

比較的低温で基体上に精製処理の必要のなく、特性や方向性が均一なカーボンナノチューブを成長させ得る方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method capable of growing, on a substrate, a carbon nanotube uniform in characteristics and directionality at a relatively low temperature without needing a refining treatment. - 特許庁

比較的低い温度範囲で良質の単層カーボンナノチューブをガラス基板上に成長させる、単層のカーボンナノチューブ製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a single-walled carbon nanotube comprising growing a high-quality single-walled carbon nanotube on a glass substrate within a relatively low temperature range. - 特許庁

エピタキシャル成長時の面内温度分布がウェハ外周部まで均一であり、キャリア濃度や混晶比について均一性の高いエピタキシャル結晶膜を得ることのできる半導体結晶ウェハを提供することにある。例文帳に追加

To provide a semiconductor crystal wafer having an in-plane temperature distribution during epitaxial growth uniform to the outer periphery of the wafer and capable of obtaining a highly uniform epitaxial crystal film for carrier concentrations and mixed crystal ratios. - 特許庁

単結晶インゴットの連続的な成長のためのチョコラルスキー法に基づく改良されたＣＺシステムは、結晶を囲む選択的な堰を有する、低アスペクト比で大きい直径の、実質的に平面状の坩堝を備える。例文帳に追加

An improved CZ system based on the Czochralski method for continuous growth of a single crystal ingot includes an essentially flat crucible having a small aspect ratio and large diameter and having a selective weir encircling the crystal. - 特許庁

ｎ型半導体基板１に低いアスペクト比（たとえば、５）の第１のトレンチ２を形成し、エピタキシャル成長法により第１のトレンチ２をｐ型エピタキシャル層３で埋め込む。例文帳に追加

A first trench 2 having a low aspect ratio (for example, 5) is formed in an n-type semiconductor substrate 1 and buried with a p-type epitaxial layer 3 by using the epitaxial growth method. - 特許庁

比較的小さいオフ角の窒化ガリウム系半導体面へ良好な結晶品質のＩｎＧａＮ井戸層を成長可能な窒化物系半導体発光素子を作製する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a nitride based semiconductor light emitting element which can grow an InGaN well layer of sufficient crystal quality on a gallium nitride based semiconductor face with a comparatively small-off angle. - 特許庁

そして、ｎ型エピタキシャル層４に低いアスペクト比（たとえば、５）の第２のトレンチ５を形成し、エピタキシャル成長法により第２のトレンチ５をｐ型エピタキシャル層６で埋め込む。例文帳に追加

Thereafter, a second trench 5 having a low aspect ratio (for example, 5) is formed in the n-type epitaxial layer 4 and buried with a p-type epitaxial layer 6 by using the epitaxial growth method. - 特許庁

第１３族金属窒化物結晶を成長させる液中の窒素元素と第１３族金属元素のモル比（Ｎ／第１３族金属）を３．５〜５０の範囲内に保持する。例文帳に追加

The molar ratio between a nitrogen element in a liquid growing a group 13 metal nitride crystal and a group 13 metal element (N/group 13 metal) is held in the range of 3.5 to 50. - 特許庁

コレクタとして機能するシリコン半導体層上に、Ｇｅの組成比が、深さに対して対数関数的に変化するプロファイルを有するＧｅＳｉ層からなるベース層をエピタキシャル成長により形成する。例文帳に追加

A base layer constituted of a GeSi layer having a profile in which the composition rate of Ge changes logarithmically on the depth is formed by paraxial growth on a silicon semiconductor layer functioning as a collector. - 特許庁

実施形態は、見本とターゲットの局所的近隣比較に基づくテクスチャ合成テクニックと、局所的成長に基づく手続き的モデリングを結合できる。例文帳に追加

In an embodiment, texture-synthesizing technique based on a local vicinity comparison between examples and targets can be combined with procedural modeling based on local growth. - 特許庁

海洋深層水を用いて栽培することにより、蒸留水、食塩水に比べて、タラノメ１６の芽中の無機態窒素濃度が低く、海洋深層水中の硝酸態窒素が成長促進に有効に働く。例文帳に追加

Such a cultivation as to use deep seawater lowers lower inorganic nitrogen concentration of the sprouts of Aralia elata 16, and makes nitrate nitrogen in the deep seawater effective for growth promotion. - 特許庁

比較的低温においても酸素混入を抑制しながら良好な品質を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶を成長させ得る方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for growing groups III-V compound semiconductor crystal of superior quality while inhibiting oxygen mixing even at a relatively low temperature. - 特許庁

一方、トレンチ４４内に第２導電型半導体層をエピタキシャル成長させる過程で、第２導電型半導体層４６にも、底辺部側に比して開口部側が高濃度となるような濃度勾配が生じる。例文帳に追加

Meanwhile, in the step of epitaxial growth of the second conductive semiconductor layer within the trench 44, a concentration gradient to give higher concentration to the aperture side in comparison with the bottom side is also generated, even in the second conductive semiconductor layer 46. - 特許庁

原料ガスを構成する材料ガスの種類、比率および流量のうち少なくとも一つを変化させながら気相成長させることにより、複数層を積層させる。例文帳に追加

The plurality of layers are laminated by performing vapor phase growth while varying at least one of the kind, ratio, and flow rate of a material gas constituting a source gas. - 特許庁

公知技術水準と比較して低い粒子数および僅かな金属汚染を有する、保護層を有するエピタキシャル成長したシリコンウェーハを製造する。例文帳に追加

To manufacture an epitaxially grown silicon wafer having a protective layer and having a smaller number of particles than a conventional state of the art and less metal pollution. - 特許庁

Ａｌを含む窒素化合物半導体は高温で科学的に安定であり、ＧａＮに比べて横方向成長が起こり易く、転位をより低減して平坦な表面の膜１０８が得られる。例文帳に追加

The nitrogen compound semiconductor comprising Al is stable in scientific manner at a high temperature while easy to cause lateral growth compared to GaN, and a dislocation is further reduced to provide a flat-surface film 108. - 特許庁

そして、絶縁膜３をネガ型レジストによって形成すると、ポジ型レジストによって形成する場合と比較して、ダークスポットの発生、成長を抑制することができる。例文帳に追加

Then, if the insulation membrane 3 is formed by a negative type resist, the generation and growth of dark spot can be suppressed compared with the case of forming by a positive type resist. - 特許庁

シリコン基板にマグネシウムシリサイド薄膜を介してＣａ：Ｓｉのモル比が２：１のカルシウムシリサイド（Ｃａ_2Ｓｉ）単相の薄膜を成長する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of growing a thin film of single-phase calcium silicide(Ca_2Si), in which a mole ratio of Ca:Si is 2:1, on a silicon substrate via a magnesium-silicide thin film. - 特許庁

イオン性結晶の表面エネルギーの大小を簡便に比較する方法、および、イオン性結晶の成長方向の評価方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for simply comparing the magnitudes of the surface energy of an ionic crystal and to provide a method for evaluating the growth direction of an ionic crystal. - 特許庁

そのようにして得られた比較的平滑な中間層(IL)の表面をアルゴン雰囲気中でのスパッタエッチング等のイオン照射により変性し、ナノスケールの粗さとし、その上に記録層(RL)を成長させる。例文帳に追加

The comparatively smooth surface of the intermediate layer (IL) so obtained is denaturalized by irradiation with ion, such as sputter etching in an argon ambient atmosphere, to form surface roughness in a nano-scale and to grow the recording layer (RL) on it. - 特許庁

非極性面または半極性面を成長主面としたIII族窒化物半導体を用いて、偏光比の大きな発光が可能な半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light-emitting element enabling light emission having a large polarization ratio using a group-III nitride semiconductor with a nonpolar or semi-polar surface as a growth main surface. - 特許庁

しかも、基板表面Ｗｆで直接に泡を発生させているので泡が成長することなく比較的小さな泡で基板Ｗを処理することができるので、基板Ｗへのダメージを低減することができる。例文帳に追加

Since direct generation of bubbles on the front surface Wf controls excessive growth of bubbles, the substrate W can be treated with relatively small bubbles, resulting in a reduction of damage on the substrate W. - 特許庁

これにより、再着火余熱時間ΔＴ３を固定時間とした従来に比べて早期に燃焼器３０を定常燃焼制御に移行させることができるとともに、生成した種火を確実に成長させることができる。例文帳に追加

Therefore, a combustion apparatus 30 can be transferred to a steady combustion control mode earlier than to a conventional mode in which the re-ignition remaining heat time ΔT3 is fixed, and the generated pilot flame can be reliably grown. - 特許庁

発光層部の構成する際に希少金属の使用量が少なく、かつ比較的低温で成長でき、しかも青色光領域さらには紫外線領域にて高輝度発光が可能な発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a light emitting element in which an emission layer part can be grown at a relatively low temperature using a small quantity of rare metal and high luminance emission can be ensured in blue light region and UV region. - 特許庁

ゲイト電極１０５上面にマスク１０６を残し、比較的低い電圧でポーラスな第１の陽極酸化膜１０７をゲイト電極の側面に成長させる。例文帳に追加

In the method, a first porous anode oxide film 107 is grown on the side surface of a gate electrode 105 at a comparatively low voltage while leaving a mask 106 on the top surface of the gate electrode 105. - 特許庁

有機金属熱分解（ＭＯＣＶＤ）法により、２５０℃〜１２００℃の温度でＶ／ＩＩＩ比率を０．２以上４０以下として、結晶基板上に非晶質のリン化硼素系半導体層を気相成長させる。例文帳に追加

The amorphous boron phosphide semiconductor layer is vapor-deposited at temperatures of 250 to 1200°C through an organic metal thermal decomposition (MOCVD) method as a V/III ratio is set at 0.2 to 40 : 1. - 特許庁

これにより、ＳｉＣ単結晶基板３にＳｉＣ単結晶４を成長させる際に、ＳｉＣ単結晶４のうちの螺旋転位発生可能領域４ｂがその周囲の領域と比べて高温になることを防止できる。例文帳に追加

Thereby, when growing up a SiC single crystal 4 on the SiC single crystal substrate 3, it is possible to prevent that the region 4b in which screw dislocation can occur in the SiC single crystal 4 have a higher temperature than the region surrounding the above region. - 特許庁

カーボンナノチューブ２９の成膜の際に、比較的鋭い形状の凹凸によって、核の発生が促進され、発生した核が成長合体してカーボンナノチューブ２９が形成される。例文帳に追加

In film-forming the carbon nano tube 29, the generation of nuclei is promoted by relatively sharp shaped unevenness, the generated nuclei grow and are combined, and the carbon nano tube 29 is formed. - 特許庁

ガスライン圧力を適正に校正する機構により原料ガス供給量を制御し、成長速度、或いは組成比変動による歩留低下を抑制することができる半導体製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide semiconductor manufacturing equipment that can control the amount of a material gas supplied by a mechanism for properly correcting gas line pressure and can regulate yield deterioration caused by a growth rate or the fluctuation of a composition ratio. - 特許庁

混練後における気相成長炭素繊維の、平均長さと平均直径とから得られるアスペクト比の値は、好適には０．０１〜１００００の範囲内である。例文帳に追加

The aspect ratio of the average length and the average diameter of the vapor phase grown carbon fiber is suitably in the range of from 0.01 to 10,000 based on the average length and the average diameter after the kneading. - 特許庁

次に、除去された成長基板に近接していた比較的厚いＬＥＤエピタキシャル層は薄化されてその最上面が処理されて、光取り出し構造部が組み込まれる。例文帳に追加

Next, a comparatively thick LED epitaxial layer closely to the removed growth substrate is made thin, its uppermost surface is processed, and a light pick-up structure part is incorporated. - 特許庁

果樹その他植物が早魃時、或いは保水力の弱い土質土壌に対して、比較的安定した成長・育成を助ける手段として、空洞のある炭化物杭を活用する。例文帳に追加

To utilize a hollow carbonized material stake as a means for helping the relatively stabilized growth/promotion of fruit trees or other plants in drought or on a soil of a quality having weak water retention. - 特許庁

ここで、化合物半導体層２はＡｌＮ、化合物半導体層３Ａ，３ＢはＡｌＧａＮからなるが、化合物半導体層３Ａを通常のＭＯＶＰＥ法で成長させると、Ａｌ組成比が目的の値よりも小さくなってしまう。例文帳に追加

Here, the compound semiconductor layer 2 is made of AlN and the compound semiconductor layers 3A, 3B are made of AlGaN, however when the compound semiconductor layer 3A is grown by a normal MOVPE method, the Al composition ratio becomes smaller than a target value. - 特許庁

結晶の品質を向上させて、結晶の品質を向上させたＡｌの組成比の高いＡｌＧａＮなどを作成することができるようにした半導体の結晶成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing semiconductor crystal, which forms AlGaN having a high Al composition ratio or the like, by improving the quality of the crystal. - 特許庁

気相成長装置のベント／ラン方式の原料供給系において、流路の切換え時における原料気体の流量の変動、並びに原料気体の混合比の不安定性を減少させる。例文帳に追加

To reduce flow rate fluctuations and mixing ratio instability of a gaseous starting material when switching flow passages to each other in the vent/run method raw material supplying system of a vapor phase growth apparatus. - 特許庁

低温成長ＧａＡｓを用いた小型で比較的単純な構造を有する光導電性スイッチで、波長が約１．５５μmの光に応答して動作するスイッチング素子として使用可能な光導電性スイッチを提供する。例文帳に追加

To provide a photoconductive switch capable of being used as a switching element operating in response to a light having a wavelength of about 1.55 μm in the switch having a small size and a relatively simple structure using a low temperature grown GaAs. - 特許庁

得られた金属窒化物は酸素混入量も少なく金属と窒素が理論定比であるため、バルク結晶成長用の原料として極めて有用である。例文帳に追加

The obtained metal nitride having a small amount of oxygen included and containing metal and nitrogen in the stoichiometric constant is therefore very useful as a raw material for bulk crystal growth. - 特許庁

気相成長炭素繊維としては、直径が０．０１μｍ〜０．２μｍ、繊維長が１μｍ〜５００μｍ、アスペクト比が１０〜５００程度のものを配合すると好ましい。例文帳に追加

The vapor deposition carbon fibers with a diameter of from 0.01 to 0.2 μm, a fiber length of from 1 to 500 μm, and an aspect ratio of around 10-500 are preferably blended. - 特許庁

ボロンの濃度が４Ｅ１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下で、ボロンの濃度に対するリンの濃度の比が０．４２以上０．５０以下である初期シリコン融液からチョクラルスキー法によりｐ型シリコン単結晶２を成長させる。例文帳に追加

In the method, p-type silicon single crystal 2 is grown from an initial silicon melt solution having a boron concentration of not higher than 4E14 atoms/cm^3 and a ratio of a phosphorus concentration to a boron concentration of not lower than 0.42 and not higher than 0.50 by the Czochralski method. - 特許庁

したがって、子供の成長に応じて背もたれ部を、第１の背もたれ部１４から第２の背もたれ部１６へと着け替えればよく、チャイルドシート自体を買い替える場合に比べ買い替えコストを低減できる。例文帳に追加

Therefore, the first seat back 14 may be replaced by the second seat back 16 in response to the growth of the child, thereby reducing replacement cost comparing with the replacement of the child seat itself. - 特許庁

葬儀の際に使用される柩の素材が、木に比べて短年で成長を遂げ、安価にして、曲面加工も容易に施せる竹材で製造される環境問題に配慮した柩を提供する。例文帳に追加

To provide a casket for funeral whose material is bamboo which grows faster than woods and is inexpensive as a material that can easily be curved for finishing in a friendly way to environments. - 特許庁

このとき、ｎ^−型エピタキシャル層１２をエピタキシャル成長により形成する際に、チャンバーに導入する不純物（ホスフィン）の流量を制御することによって、このｎ^−型エピタキシャル層１２の比抵抗を制御する。例文帳に追加

Then, when the layer 12 is formed by an epitaxial growth, a flow rate of the impurity (phosphine) to be introduced in a chamber is controlled to control a specific resistance of the layer 12. - 特許庁

ＡｇＶＯ３は、純粋な生成物と比較して、増大したＲｄｃ成長およびより大きな電圧遅延を生じさせるのでＬｉ／ＳＶＯ電池のカソードにおいて望ましくない成分である。例文帳に追加

At the positive electrode of Li/SVO cell, AgVO3 is not a preferable component because, in comparison with the pure product, it makes generate an increased growth of Rcd and a big delay of voltage. - 特許庁

基板を導電性として電気めっき処理を行えば、主トレンチの内側の基板上にのみめっき膜が成長し、高アスペクト比の孤立形状（例えば磁極等）が形成可能になる。例文帳に追加

If the substrate is made conductive to perform electroplating processing, a plating film is grown only on the substrate at the inner side of the main trench, and the isolated shape, having a high aspect ratio (e.g., magnetic pole or the like), can be formed. - 特許庁