「成長比」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

また、広葉樹材を混合させることによって、針葉樹材に含まれるハナビラタケの成長阻害成分を熱水抽出法で除去する必要がなくなり、従来の培養方法に比べてその扱いが極めて簡易なものとなる。例文帳に追加

The mixture of the hardwood eliminates the need of removing growth inhibitory components for the Sparassis crispa contained in the softwood by a hot-water extracting method to extremely simplify handling of the culture substrate as compared with a conventional method for culture. - 特許庁

植物の成長促進剤は基材としての化石粉体に対してパイナップル酵素並びにケイ砂を次の配合比をもって水で混合することとしている。例文帳に追加

This growth accelerator for plants is obtained by adding a pineapple ferment and silica sand to fossil powder as a base material and mixing with water, wherein the fossil powder, the pineapple ferment and the silica sand are contained in amounts of 90-98 pts.wt., 5-1 pts.wt. and 5-1 pts.wt., respectively. - 特許庁

アスペクト比が高く、埋込み深さの深いビアの内部に、ボトムアップ成長を促進させながら、内部にボイド等の欠陥を生じさせることなく、銅等のめっき金属を確実に効率よく埋込むことができるようにする。例文帳に追加

To reliably and effectively bury a plated metal of copper and the like in the inner part of a via, which has a high aspect ratio and a deep embedding depth, without generating a defect such as a void in the inner part while promoting a bottom up growth. - 特許庁

金属ｄｐｍ錯体をＭＯ原料ガスとして用い、目的の膜を堆積させる化学気相成長方法において、比較的低温の基板加熱温度で、結晶性が高く、不純物の少ない高品質の膜を得る。例文帳に追加

To obtain a film of high quality which has high crystallinity and comprises a low content of impurities at a relatively low substrate heating temperature in a chemical vapor deposition method of depositing an object film using a metal dpm (dipivaloyl methanate) complex as an MO (organometal) gaseous starting material. - 特許庁

ゴム成分１００重量部に対し、繊維径２０ｎｍ〜１２０ｎｍ、繊維長２μｍ〜２０μｍ、アスペクト比２０〜１０００である気相成長炭素繊維が、１〜５０重量部配合されてなるゴム組成物である。例文帳に追加

The rubber composition is obtained by blending 1-50 pts.wt. of the vapor deposited carbon fiber having a fiber diameter of 20-120 nm, a fiber length of 2-20 μm and an aspect ratio of 20-1000, per 100 pts.wt. of a rubber component. - 特許庁

貝は掃流移動する砂と同様とみなし、粒径毎の漂砂量式に移動低減率、潜砂判別係数、貝比重、殻長の成長式を付加した。例文帳に追加

The shellfish is regarded equivalent to sand transported by tractive force, and transport loss, discriminant coefficient for submerged sand, specific gravity of shellfish, and growth formula of shell length are added to the continuous formulas of amount of sand drift based on each particle size. - 特許庁

その場合に、Ａs/III族供給比＝１とすると、Ａs分子線源としてＡs_2を用いることによって、Ａsの付着確率は略１であるため過剰のIII族元素が発生することなく成長が可能である。例文帳に追加

When the As/group III supply ratio is adjusted to 1 at producing of the structure 10, the layers 2-4 can be grown, without generating excessive group III elements, because the sticking probability of As becomes about 1, when the As_2 is used as the As molecular beam source. - 特許庁

さらに Al_2O_3とCeO_2−ZrO_2との比率を最適化することにより、担体の耐熱性を維持しつつ、Rhの固溶による失活と粒成長による劣化の両方をバランスよく抑制することができる。例文帳に追加

Further, both of the deactivation of Rh caused by the formation of solid solution and the deterioration of Rh caused by grain growth are suppressed in a good balance while maintaining heat resistance of a support by optimizing the ratio of Al_2O_3 to CeO_2-ZrO_2. - 特許庁

比較的単純な機構によりながら、良好な膜厚分布を確保できる気相成長装置と、それを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor growth apparatus which can assure proper distribution of film thickness, while using a comparatively simplified structure, and to provide a method of manufacturing epitaxial wafer, using the same apparatus. - 特許庁

膜厚や組成比等の基板面内の均一性が向上するとともに、反応室内の異物発生が低減される化学気相成長装置を提供する。例文帳に追加

To obtain a chemical phase deposition apparatus which can improve a uniformity of film thickness or composition rate in a plane of a substrate and can suppress production of contamination within a reaction chamber. - 特許庁

そして、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａが、ｍ面に対して、ａ軸方向にオフ角度を有する面からなり、活性層１４（井戸層１４ａ）のＩｎ組成比が、０．１５以上０．４５以下に設定されている。例文帳に追加

The principal growth plane 10a of the GaN substrate 10 consists of a plane having an off-angle in an a-axis direction relative to an m-plane, and an In composition ratio of the active layer 14 (well layer 14a) is set at 0.15-0.45. - 特許庁

従来の技術に比べて、本発明は化学気相成長法により、一種の生長の長さが均一で且つ制御され、結ばなく、分散し易い炭素ナノチューブのマトリックスの製造方法を提供する。例文帳に追加

The method for producing a carbon nanotube matrix by a chemical vapor deposition method whose grown length is uniform and controlled, which is not tied and which is easily dispersible comparing with conventional techniques is provided. - 特許庁

また、埋め込み層１１１の少なくとも最上部がＡｌを含み、その上にそれよりもＡｌ組成比が小さい埋め込み保護層を設けて再成長界面１３２ｂの酸化を防ぐ。例文帳に追加

The uppermost part of the buried layer 111 contains Al, a buried protective layer whose Al composition ratio is smaller than that of the uppermost part of the buried layer 111 is provided thereon so as to protect a re-grown interface 132b against oxidation. - 特許庁

マトリックス樹脂と、ピッチ系炭素繊維または気相成長炭素繊維と、発泡剤とを含み、比重が１．１以下であり、かつ、熱伝導率が０．４Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であることを特徴とする熱伝導性樹脂組成物。例文帳に追加

This thermally conductive resin composition contains a matrix resin, pitch-based carbon fibers or vapor-grown carbon fibers, and a foaming agent, and has a specific gravity of ≤1.1, and a thermal conductivity of ≥0.4 W/(m-K). - 特許庁

基板上に成長した半導体層が比較的に大面積であっても、異種基板等の他の部材を均一な状態で貼り合わせ可能とすると共に、異種基板への転写を確実に行なえるようにする。例文帳に追加

To make it possible to uniformly laminate other members such as a heterogeneous substrate, etc., and ensure a transfer to the heterogeneous substrate as well, even when a semiconductor layer that has grown on the substrate occupies a comparatively large area. - 特許庁

単結晶くねり成長検出装置は、変動周期検出手段（２０，２１，２２）と結晶回転周期検出手段（２０，２１，３０）と比較手段２３とからなる。例文帳に追加

This apparatus for detecting the snake growth of the single crystal comprises a means (20, 21, 22) for detecting the variation period, a means (20, 21, 30) for detecting the crystal rotation period and a comparison means 23. - 特許庁

補助還元ガスによって析出した高融点金属が、析出した窒化物の高融点金属の不足分を補償し、低比抵抗の窒化物薄膜２４を成長させることができる。例文帳に追加

A high-melting point metal deposited with the auxiliary reducing gas compensates for the shortage portion of a high-melting point metal, consisting of a nitride deposited with the auxiliary reducing gas and the low- specific resistance nitride thin film 24 can be grown. - 特許庁

スタンパの製造工程において、導電層として、導電物質に対する緩衝剤の組成比が原盤側から厚さ方向に減少し、かつ凹凸パターンを有する導電層を、化学気相成長法を用いて形成する。例文帳に追加

In a process for manufacturing a stamper, as a conductive layer, the composition ratio of a buffer agent to a conductive material is reduced from an original disk side to the thickness direction and the conductive layer having an irregular pattern is formed by a chemical vapor deposition method. - 特許庁

下記一般式（１）で表されるトリシロキサン化合物１ｍｏｌに対し、０〜５ｍｏｌの量論比の不活性ガスとをチャンバー内に供給し、プラズマ励起化学気相成長法によりＳｉ含有膜を成膜する。例文帳に追加

The Si-containing film is formed by supplying an inert gas with a stoichiometric mixture ratio of 0 to 5 mol with respect to a trisiloxane compound of 1 mol represented by a general expression (1) using a plasma-excited chemical vapor deposition method. - 特許庁

これにより、超高純度原料２ａのみによってＳｉＣ単結晶４を成長させる場合と比べて原料コストを削減することが可能となる。例文帳に追加

This allows the reduction in material cost compared with the case where the SiC single crystal 4 is grown only by the super-high purity raw material 2a. - 特許庁

III-Ｖ化合物半導体レーザの横モード制御を容易にし、ビーム形状の縦横比を改善し、さらに、AlN 層の成長やパターニングによるダメージを減らす。例文帳に追加

To easily control a III-V compound semiconductor laser in a lateral mode, improve the aspect ration of a laser beam, and reduce damages by the growth and patterning of an AlN layer. - 特許庁

よって、アスペクト比が大きな凹部を有するウェハＷに対し、ＰＳＧ膜の成長堆積速度を維持しつつ、凹部の埋め込み性を向上できる。例文帳に追加

As a result, while the growth deposition rate of the BPSG film is maintained to the wafer W having a high aspect ratio of the recessed parts, the embedding properties of the recessed parts can be raised. - 特許庁

空気調和機の室内機において、室内環境を悪化させることなく、比較的短時間でカビの成長しにくい室内機内部状態を提供すること。例文帳に追加

To provide the internal state of an indoor unit, preventing growth of mildew in a comparatively short time without deteriorating indoor environment in the indoor unit of an air conditioner. - 特許庁

すなわち、原材料２８（樹脂発泡体４２）における第２横型１６に近接する部位では流動が遅延され、このために第１横型１４に近接する部位に比して気泡４０が大きく成長する。例文帳に追加

That is, in a part close to the second horizontal mold 16 in the raw material 28 (the resin foam 42), the flow is retarded, so that bubbles 40 grow greatly as compared with a part close to the first horizontal mold 14. - 特許庁

比較的単純な機構によりながら、良好な膜厚分布を確保できる気相成長装置と、それを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor phase growth unit that can secure an excellent film thickness distribution by means of a relatively simple constitution, and to provide a method of manufacturing epitaxial wafer using the system. - 特許庁

共沈混合物は微粒子状であり、かつ酸性質酸化物のゾルの共存下で焼成されるため、理由は不明であるが焼成時の粒成長が抑制され、Ｍ・TiO_xよりなる高い比表面積の担体が得られる。例文帳に追加

The grain growth is suppressed in the course of calcining, and a carrier with a higher specific surface are consisting of M.TiOx is obtained, since the coprecipitated mixture is of a fine particle shape and is calcined in the coexistence with the sol of an acidic oxide though its true reason is not clear. - 特許庁

このときＳｉＣ原料３２にＳｉ原料３５を添加すると、原料ガスにおけるＳｉの蒸気圧が高くなり、結晶成長面における原料ガスのＣとＳｉとの比（Ｃ／Ｓｉ）は小さくなる。例文帳に追加

By adding a Si raw material 35 to the SiC raw material 32, the vapor pressure of Si in the raw material gas increases, which reduces a ratio (C/Si) of C to Si of the raw material gas on the crystal growth surface. - 特許庁

ガリウムを含有したシリコン融液と基板を接触させ、基板表面上に板状シリコンを成長させることで、ガリウムの偏析を回避し、比抵抗等の品質の安定化を図る。例文帳に追加

It becomes possible to inexpensively manufacture the plate-like silicon because the plate-like silicon does not need a process such as slicing. - 特許庁

屈折率ｎ_Hを有する第１材料（４）と、屈折率ｎ_Hと比較して低い屈折率ｎ_Lを有する第２材料（５）から成る、複数の交互配列層で形成したブラッグ反射器（２）を基板（１）の表面に成長させる。例文帳に追加

First materials 4 of refractive index nH, and second materials 5 of refractive index nL lower than the refractive index nH are alternately arranged in layers to grow a Bragg reflector 2 on the surface of the board 1. - 特許庁

レーザアニールポリシリコン膜を用いた薄膜トランジスタは、固相成長ポリシリコン膜を用いた薄膜トランジスタに比べて電気的特性のバラツキが大きい。例文帳に追加

To eliminate a problem that a thin-film transistor using a laser annealed polysilicon film has a larger variation in electric characteristics than the one using a solid-phase growth polysilicon film. - 特許庁

区画毎のＰＩＮフォトダイオード（ＰＩＮ−ＰＤ）の共通のアノードとなるＰ-sub層８０の上に、ＰＩＮ−ＰＤのｉ層となる高比抵抗のエピタキシャル層８２を成長させる。例文帳に追加

On a P-sub layer 80 becoming the common anode of a PIN photodiode (PIN-PD) in each section, an epitaxial layer 82 of high specific resistance becoming the i-layer of the PIN-PD is grown. - 特許庁

媒体には結晶成長速度が結晶核生成速度に比較して大きな結晶化特性を持つ相変化媒体、マーク形成後に消去レベルを制御する記録波形を組み合わせる。例文帳に追加

A phase change medium having a crystallization characteristic of high crystal growing velocity compared with the crystal nucleus generating velocity is used as a medium and a recording wave form controlling the erasure level after the mark is formed is combined. - 特許庁

大気圧のインク中では減圧されたインク中に比べ気泡の発生・成長が抑制されるため、フィルタ３４に気泡が捕捉されにくくなり、動圧が高くなって下流側で不安定なインク圧となることを回避し易くなる。例文帳に追加

Since generation and growth of bubbles in the ink of atmospheric pressure are suppressed as compared with ink of reduced pressure, bubbles are not captured easily by the filter 34 and dynamic pressure increases to avoid unstable ink pressure on the downstream side. - 特許庁

この蒸着により形成された珪素酸化物及び錫酸化物より成るフィルムの成長速度はジエチルシランを珪素含有前駆体として使用した対照例の１２９Å／秒に比較して１８１Å／秒である。例文帳に追加

When ≤15 at.%, preferably 1-5 at.% one or more selected from P, Al and B as promoters are dispersed in the coating 14 by addition to the mixed oxide before chemical vapor deposition on the glass substrate 12, light scattering observed as cloudiness is suppressed. - 特許庁

昆虫成長制御剤にポリビニールアルコール、殺菌保存料及び温水を適当比率で混和し、ゲル化剤を加えて所望の形状に成形して乾燥させることを特徴とする。例文帳に追加

The insect growth controlling agent is mixed with polyvinyl alcohol, a bactericidal preservation agent and hot water at proper ratios, a gelling agent is added thereto and the mixture is formed to a desired shape and dried to obtain the controlling agent composition. - 特許庁

エピタキシャル成長時の基板温度を間接測定するアッパパイロメータを比較的短時間にかつ正確に校正して、エピタキシャル基板の品質を向上する。例文帳に追加

To improve the quality of an epitaxial substrate by calibrating an upper pyrometer for indirectly measuring a substrate temperature at the time of epitaxial growth in a comparatively short time and with accuracy. - 特許庁

低濃度で公知の神経成長因子に比べて強い神経様突起伸張作用を有し、かつ毒性の強い神経様突起伸張剤を提供すること。例文帳に追加

To obtain a nerve-like projection extender that has a stronger nerve-like projection extension action at a low concentration in combination with a known nerve growth factor and has strong toxicity. - 特許庁

基板表面に、カーボンナノチューブを成長させる触媒作用を有する複数の触媒微粒子が、基板上からの高さと比較してその平面径が大きくなった扁平な形状で分布した触媒構造。例文帳に追加

The structure of the catalyst is formed so that a plurality of catalyst fine particles, each of which is obtained by growing the carbon nanotube and has catalysis, are distributed on the surface of the substrate in flat shapes the planar diameter of each of which is made longer than the height thereof from the substrate. - 特許庁

アノーサイト（ＣａＯ・Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２）を結晶相中に含むセラミック焼結体において、該アノーサイトは、表面領域のみアスペクト比５以上の針状晶に成長していることを特徴とする。例文帳に追加

The ceramic sintered compact involves anorthite (CaO-Al_2O_3-2SiO_2) in its crystal phase, wherein the anorthite is grown to a needle crystal having an aspect ratio of 5 or higher only in the surface area thereof. - 特許庁

噴出筒13に貫通形成した噴出路22の直径は０．５０ｍｍ〜１．５０ｍｍとし、噴出路22の形成長さは、直径１に対して１．３〜３０．０の比率とする。例文帳に追加

The diameter of an injection passage 22 formed through the injection cylinder 13 is 0.50 mm to 1.50 mm, and the ratio of the formed length of the injection passage 22 to the diameter is 1.3-30.0 to 1. - 特許庁

ゴム材料を基材とし、充填材として平均アスペクト比が１０未満である気相成長炭素繊維を配合することを特徴とするゴム組成物である。例文帳に追加

This rubber composition is obtained by compounding vapor- phase-grown carbon fibers as a filler, or which the aspect ratio is below 10, with a rubber material being a base material. - 特許庁

比較的単純な機構によりながら、反応容器内の幅方向の流量分布の影響を効果的に減殺することができ、ひいては良好な膜厚分布精度を確保できる気相成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor phase growth apparatus whose mechanism is relatively simple, however, can still effectively decrease an effect of a flow distribution in a width direction inside a reaction chamber, and can keep a high film-thickness distribu tion accuracy. - 特許庁

本発明の幾つかの実施例に従って製造された光ファイバは、従来のＧｅにてドープされたシリカ光ファイバと比較して、グレーティング強度の成長がより速く、熱安定性がより高く、感光波長がより長い。例文帳に追加

Optical fibers manufactured according to embodiments of the invention provide faster growth of grating strength, higher thermal stability, and longer photosensitive wavelength compared to conventional Ge doped silica optical fibers. - 特許庁

下地層の粒成長を抑制し、且つ高い配向性を出現させることによって、低い媒体ノイズを有し、高S/N比が得られる磁気ディスクを提供する。例文帳に追加

To provide a magnetic disk which has a low medium noise and can obtain a high S/N ratio by suppressing grain growth of a ground layer and also allowing a high orientation property to appear. - 特許庁

したがって、焼成前（ａ）と後（ｂ）とを比較すると、大径のＰＺＴ粉末は成長の核になり、小径のＰＺＴ−ＰＺＮ粉末は大径のＰＺＴ粉末に吸収されつつ、流動化が活発で緻密な膜を成膜する。例文帳に追加

Therefore, the large-diameter PZT powder serves as cores of growth and the small-diameter PZT-PZN powder is actively fluidized while absorbed by the large-diameter PZT powder to form a fine film by comparison between (a) before the burning and (b) after the burning. - 特許庁