「成長比」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

この微細孔がカルシウム成分と侵食した硫酸との反応により生成される化合物の結晶成長による膨張力を緩和するため、成形体の劣化が抑制され、耐硫酸性能が従来のコンクリート等に比べて格段に向上する。例文帳に追加

The deterioration of the formed body is suppressed and the sulfuric acid resistance is markedly improved in comparison with that of a conventional concrete or the like because the fine pores alleviate the expansion force by the crystal growth of a compound formed by the reaction between the calcium components and invaded sulfuric acid. - 特許庁

基板上に下部電極を介してエピタキシャル成長したペロブスカイド型のＡＴｉＯ_3 （Ａ：Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｐｂ、Ｚｒ）化合物の誘電体薄膜を有する誘電体薄膜コンデンサにおいて、比誘電率の増大を図る。例文帳に追加

To increase a dielectric constant in a dielectric thin-film capacitor that has the dielectric thin film made of a peroviskite-type AtiO3 (A:Mg, Ca, Sr, Ba, Pb, and Zr) compound that is subjected to epitaxial growth on a substrate via a lower electrode. - 特許庁

また、第一クラッド層６は第二ベース層５とＡｌＡｓ混晶比Ｘが同一のＡｌＧａＡｓからなり、第一ベース層３と第二ベース層５との双方の表面に格子整合する形で一体的にエピタキシャル成長されている。例文帳に追加

The first clad layer 6 is formed of AlGaAs whose an AlAs mixed crystal ratio X is the same as the second base layer 5, and it is integrally and epitaxially grown in such a way that it is lattice-matched on surfaces of the first base layers 3 and the second base layers 5. - 特許庁

複数の窒化物半導体層の少なくとも１層をエピタキシャル成長させる際に、Ｖ族原料とＩＩＩ族原料の供給量のモル比を１０００以下として、最上部に形成された窒化物半導体層の表面に段差が５０ｎｍ以上の凹凸面を形成する。例文帳に追加

When at least one of a plurality of nitride semiconductor layers is grown epitaxially, a protruding and recessed surface having a level difference of 50 nm or larger is formed on the surface of the nitride semiconductor layer which is formed at the topmost part, while setting the mol ratio in supply of group-V material and group-III material to be 1,000 or smaller. - 特許庁

基材１上に化学気相成長法により無機酸化物の蒸着膜２を設け、その上にガスバリア性塗布膜３を設けてなるガスバリア性積層フィルムであって、塗布膜３の比重が、１.８〜２.８（ｃｍ^3／ｇ）の範囲にあるガスバリア性積層フィルム。例文帳に追加

The gas barrier laminated film is constituted by providing a vapor deposition film 2 of an inorganic oxide on a base material 1 by a physical vapor phase growing method, and providing a gas barrier coating film 3 on the vapor deposition film 2 and characterized in that the specific gravity of the coating film 3 is 1.8-2.8 (g/cm^3). - 特許庁

これにより、一方の電極１８と接する薄板１０の温度が上昇し易くなり、ナゲットＮが薄板１０側へ成長し易くなるので、板厚比が大きな板組み１６においても薄板１０側に必要サイズのナゲットＮを形成することができる。例文帳に追加

As a result, the temperature of thin plate 10 in contact with the electrode 18 becomes easy to rise to facilitate the nugget N to grow to the thin plate 10 side, and thereby the nugget N of the required size can be formed on the thin plate 10 side even in the plate assembly 16 with the high plate thickness ratio. - 特許庁

そして、金属性導電膜６及び多結晶半導体膜５をパターニングした後、金属性導電膜６上に第１のゲート絶縁膜７を形成し、第１のゲート絶縁膜７上に第１のゲート絶縁膜７に比べて成長速度が速い第２のゲート絶縁膜８を形成する。例文帳に追加

After patterning the metal conductive film 6 and the polycrystalline semiconductor film 5, a first gate insulating film 7 is formed on the metal conductive film 6, and then a second gate insulating film 8 which grows faster than the first gate insulating film 7 is formed on the first gate insulating film 7. - 特許庁

植物の成長に合わせて散布を必要としない噴口を閉鎖状態として散布の無駄の無い効果的な散布ができ，しかもその際の噴口の閉鎖は周方向に回すだけの簡単な構成と操作で行え，コックを設けるものに比べてコストアップが押さえられる散布装置を得る。例文帳に追加

To provide a sprayer capable of closing nozzles with which the spraying is not required by considering the growth state of plants, so that the spraying is efficiently carried out without giving useless spray, and simultaneously capable of carrying out the closure of the nozzles by such a simple operation as to circumferentially rotate the nozzles simply structured, so that a cost increase is prevented when compared with conventional sprayers equipped with cocks. - 特許庁

下部クラッド２、コア３及び上部クラッド４が化学気相成長法（ＣＶＤ法）により形成されており、コア３がクラッド２，４に比して所望の高屈折率となるように、シリコン酸窒化膜の酸素添加量、窒素添加量及びシリコン添加量の少なくとも一種が調節される。例文帳に追加

The lower clad 2, the core 3, and an upper clad 4 are formed by a chemical vapor deposition (CVD) method, in which at least one kind of an oxygen additive amount, a nitrogen additive amount, and a silicon additive amount for a silicon oxynitride film is adjusted so that the core 3 has a desired refractive index higher than those of the clads 2 and 4. - 特許庁

比較的単純な機構によりながら、流量分布の影響を効果的に減殺することができ、ひいては良好な膜厚分布を確保できる気相成長装置と、それを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法とを提供する。例文帳に追加

To provide a vapor-phase epitaxial growth system and a manufacturing method of an epitaxial wafer using the same apparatus wherein the influence of its flow-rate distribution can be suppressed in spite of using a relatively simple mechanism, and resultantly, a good film-thickness distribution of its wafer can be secured. - 特許庁

気相合成法によれば、一般にナノサイズの一次粒子が鎖状に凝集した構造の酸化物粉末となるので、一次粒子どうしの接触面積が小さく粒成長が抑制され、比表面積の低下が抑制される。例文帳に追加

In the gas phase synthesis process, since an oxide powder having a structure in which a primary particle with a nanosize is normally aggregated in a chain-shape is provided, a contact area between primary particles is small, the growth of a particle is suppressed, and a decrease in specific surface area is suppressed. - 特許庁

また、浸食体２は、従来のフォトリソ形成などによる凹凸に比べて極微小で、ダミー基板１上に分散するので、横方向の成長の遅いＡｌＮであっても、平坦なメイン基板５を短時間で作成することができる。例文帳に追加

Also, since erosive bodies 2 are very small when compared with projection and recession by conventional photolithograph formation and the like and they are scattered on the dummy substrate 1, a flat main substrate 5 can be prepared in a short time, even it is an AlN slow in the growth in the lateral direction. - 特許庁

炭化珪素単結晶エピタキシャルウエハの製造において、炭化珪素単結晶基板１００を１６００℃以上に加熱し、Ｃ／Ｓｉ比が１．０以下となるように、原料ガスを供給し、エピタキシャル膜の成長速度を２．０μｍ／ｈ以下にする。例文帳に追加

In producing a silicon carbide single crystal epitaxial wafer, a silicon carbide single crystal substrate 100 is heated to be 1600°C or more, a raw material gas is supplied so that a C/Si ratio is made to be 1.0 or less, and a growth rate of the epitaxial film is controlled to be 2.0 μm/h or less. - 特許庁

本発明組成物は、バリヤー層または有機溶媒を欠く以外は同一の組成物に比較して固体粒子の沈降に対して高い耐性及び／または水不溶性殺有害生物剤または植物成長調節剤の化学分解に対して高い耐性を示す。例文帳に追加

The composition manifests a higher resistance against sedimentation of solid particles and/or a higher resistance against chemical degradation of water-insoluble pesticides or plant growth regulators compared with the same composition excluding the barrier layer or the organic solvent. - 特許庁

混合融液からのアルカリ金属蒸気が融液保持容器から洩れるのを防止し、アルカリ金属とIII族金属との混合融液の混合比変化や、融液の液面低下を低減することの可能なIII族窒化物の結晶成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a group III nitride crystal growth method by which an alkali metal vapor from a mixed melt is prevented from leaking out of a melt holder, and the change in mixing ratio between an alkali metal and a group III metal and the lowering of the liquid level of the melt can be reduced. - 特許庁

アスペクト比の大きなホール、溝等の凹部を有する基体に、特にＰＳＧプロセスで所定の化合物を堆積成長させる際に、凹部の埋め込み性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a semiconductor device which can raise the embedding properties of recessed parts such as a high aspect ratio of holes or grooves, when a prescribed compound is specially grown by a deposition on a base body having the recessed parts in a PSG process, and to provide the semiconductor device. - 特許庁

本発明は、竹の産地や種類、成長過程等によって異なるミネラル等の元素や成分組成に影響されることなく、比較的均一なミクロ孔を有する竹活性炭を、容易且つ安価で製造できる方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing bamboo activated carbon having comparatively uniform micropores easily at a low cost without being affected by elements, components, compositions such as minerals varied by growing districts, kinds, growth processes or the like of bamboo. - 特許庁

合成段階で金属フタロシアニンの結晶成長を抑制し、均一で微細な金属フタロシアニンを従来法に比べて低い温度で製造し、合成工程後の顔料化工程の負荷を大幅に低減する金属フタロシアニンの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a metal phthalocyanine, by which the inhibition in the crystal growth of the metal phthalocyanine at a synthesis step, the production of the uniformly fine metal phthalocyanine at a lower temperature than those by conventional methods, and the large reduction in the load of a graphitising process after the synthesis process can be achieved. - 特許庁

トレンチ側壁の熱酸化膜の損失を最小化し、トレンチ底面の熱酸化膜を完全に除去して正常的にシリコンを成長させて、アスペクト比を減らしてボイドの無い素子分離膜を形成できる半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide the element isolation formation method of a semiconductor device, that can reduce aspect ratio for forming an element separation film without voids, by minimizing loss in a thermal oxide film on the sidewall of a trench, by completely removing the thermal oxide film on the bottom surface of the trench for normally growing silicon. - 特許庁

高比表面積消石灰の粒子が粗いので、配管内等で他の粒子と接触・衝突しても、接触面積が小さいため凝集・成長が少なく、また質量が重く慣性力があることと相俟って配管内等に付着・堆積することも少ない。例文帳に追加

The coarse particles of the slaked lime have small contact area with other particles when they contact or collide with other particles in the piping etc., which results in little coagulation or growth, and their large mass and inertia force prevent their deposition on interior of the piping etc. - 特許庁

このような高透明・高強度ＹＡＧセラミックスは、例えば、原料粉末として易焼結性の合成微粉末を用い、相対密度９５％以上に常圧焼結した後、粒成長抑制のため比較的低温でＨＩＰ処理することにより得ることができる。例文帳に追加

The high transparency and high strength YAG ceramic can be obtained, e.g., by subjecting easily sinterable synthetic fine powder as raw material powder to atmospheric sintering to a relative density of ≥95%, and thereafter performing HIP (Hot Isostatic Press) treatment at relatively low temperature for suppressing the growth of grains. - 特許庁

炭素源及び/または触媒源と硫黄源を加熱帯域において接触させる気相成長炭素繊維の製造方法において、硫黄源中の硫黄原子のモル数を触媒金属原子のモル数との比で２．０以上にする縮れ状炭素繊維の製造方法。例文帳に追加

A method for producing a crimped carbon fiber, comprising contacting a carbon source and/or a catalyst source with a sulfur source in a heating zone to produce a vapor grown carbon fiber, wherein the ratio of the molar number of sulfur atom in the sulfur source to the molar number of the catalyst metal atom is 2.0 or more. - 特許庁

コンタクトホール底面に低濃度不純物層をエピタキシャル成長させることでアスペクト比を小さくしコンタクトホール側壁部の窒化チタン膜のカバレッジを良くし、メタルのコンタクトホール側壁部からの高不純物ドープ活性領域への侵入を防止する。例文帳に追加

A lightly doped impurity layer is grown epitaxially on the footprint of a contact hole in order to decrease an aspect ratio, to improve coverage of a titanium nitride film on the sidewall of a contact hole, and to prevent ingress of metal from the sidewall of a contact hole to a heavily doped active region. - 特許庁

軽くて持ち運びに便利であり、樹木への取り付けの作業性がよく、植物の成長を物理的に押さえつけることもなく、比較的長期にわたり、動物忌避作用が有効に発揮される、有害動物による食害の防御用保護材を提供する。例文帳に追加

To provide a lightweight protective material for preventing feeding damage by harmful animals, convenient to carry, good in the workability of its attaching to a tree, and effectively exerting animal-repelling action over a relatively long period without physically suppressing plant growth. - 特許庁

例えば、コア層（１０４）は、少なくとも一つのクラッド層（１０２）に比べて、対照射成長耐性および／または対照射クリープ耐性を有し、また少なくとも一つのクラッド層（１０２）は、コア層（１０４）よりも、対水素吸蔵および／または腐食に対するより高い耐性を有していてもよい。例文帳に追加

For instance, the core layer (104) may be significantly more resistant to irradiation growth and/or irradiation creep than the at least one cladding layer (102), and the at least one cladding layer (102) may have an increased resistance to hydrogen absorption and/or corrosion relative to the core layer (104). - 特許庁

炭素源及び/または触媒源と硫黄源を加熱帯域において接触させる気相成長炭素繊維の製造方法において、硫黄源中の硫黄原子のモル数を触媒金属原子のモル数との比で２．０以上にする縮れ状炭素繊維の製造方法。例文帳に追加

A method for producing the carbon fiber by vapor phase growing comprises contacting a carbon source and/or a catalyst source with a sulfur source in a heating zone, wherein the curled carbon fiber is produced by setting a ratio of a mol number of sulfur atoms in the sulfur source to a mol number of metal atoms of the catalyst to be 2.0 or more. - 特許庁

本発明の強誘電体膜の形成方法は、複合酸化物の原材料体２０を結晶化する工程を含み、 初期核を形成するための第１の熱処理を行う工程と、 結晶成長をさせるために、前記第１の熱処理と比して低い温度である第２の熱処理を行う工程と、を含む。例文帳に追加

The forming method of a ferroelectric film comprises a step of crystallizing a raw material body 20 of a complex oxide which step comprises a step of performing a first heat treatment to form an initial nucleus, and a step of a second heat treatment for making crystallization growth at a temperature lower than that in the first heat treatment. - 特許庁

ＡｓＨ_３を含む雰囲気中で基板３１の温度を第１の温度Ｔ１に上昇した後に、ＡｓＨ_３を用いて結晶成長する際の供給量５〜１５ｓｃｃｍに比べて十分に小さいＡｓＨ_３を流しながら、第１の温度Ｔ１で基板３１をサーマルクリーニングを行う。例文帳に追加

After elevating the temperature of a substrate 31 to a first temperature T1 in an atmosphere containing AsH_3, the substrate 31 is thermally cleaned at the first temperature T1 while making the AsH_3 sufficiently smaller than a supply amount 5 to 15 sccm when growing a crystal using the AsH_3 flow. - 特許庁

比較的単純な機構によりながら、反応容器内の原料ガスの流速分布を飛躍的に高めることができ、ひいては大口径ウェーハ等の基材に対しても、良好な膜厚分布精度を確保できる気相成長装置を提供する。例文帳に追加

To obtain a vapor growth device which can drastically raise flow rate distribution of a raw gas inside a reaction container by a relatively simple mechanism and furthermore ensure good distribution accuracy of film thickness even to a base such as a large diameter wafer. - 特許庁

本発明に係る植物による表現方法は、植物が一様に生育する面的区域において、濃淡の差のみで表現される文字及び／又は図形の濃い部位に対応させる部分に、前記部分に対応する前記部位の濃さに比例する成長促進剤を散布する。例文帳に追加

The expression method by plants includes spraying a growth promoting agent to parts corresponding to the dark portions of characters and/or figures expressed only by a difference in contrast in a flat area where the plants evenly grow, so as to match the parts and be proportional to the darkness of the portions. - 特許庁

本章においては、世界経済の現状について概観するとともに、中国経済の成長とその課題について分析し、さらに海外の企業をめぐる経済システムと比較しつつ、我が国企業を取り巻く経済システムの変化について考察する。例文帳に追加

This chapter is an overview of the current situation of the world economy. It also offers an analysis of the growth of and challenges for the Chinese economy. Furthermore, this chapter examines the changes in economic systems experienced by Japanese businesses by comparing them to economic systems that are in place in foreign businesses. - 経済産業省

これらとは対照的にアジア危機による被害の小さかった中国では、金融機関融資が拡大しており、2003年時には前年比＋64％と大きな伸びを示しており、中国経済の高成長を支えている姿がうかがえる（第2-4-5図）。例文帳に追加

In contrast, the financing of financial institutions is expanding in China, where the effects of the Asian crisis were kept to a minimum. Recording a tremendous year-on-year economic growth of 64% in 2003, the financing of financial institutions is supporting the robust economic growth in China (Figure 2.4.5). - 経済産業省

我が国企業の大半を占める中小企業が海外展開（輸出・進出など）を行い、海外の成長を取り込むことは重要であるが、中小企業にとって大企業に比べ海外展開を開始するハードルは高いため、支援策の整備が求められている。例文帳に追加

It is important for Japan to encourage SMEs, which consist mostly of Japanese enterprises, to engage in overseas development activities (such as export and advancement into overseas) and capture overseas growth and link it to the growth of Japan. However, unlike large enterprises, SMEs faces high hurdles to start overseas development, and this emphasizes the need to enhance support measures. - 経済産業省

今回の論考における時系列での比較の期間において、6 国・地域間の距離が変動したとは考えられないことから、6 極間の貿易額の差異・変動を引き起こす要因として、これらの国・地域の経済成長こそがまずは重要ということになる。例文帳に追加

As the distance between two countries/ regions cannot be changed during the period of time-series comparison in this paper, the most important factors causing the difference and changes in amount trade of the six poles are economic growth in these countries/ regions. - 経済産業省

一方、東アジアからインド向けの最終財輸出についても、2009 年時点で196.3 億ドルと、1999 年比で9.4 倍となる等大きく伸びており、飛躍的な経済成長や拡大する人口規模等を背景とした、一大需要地としての存在感を増している（第2-1-2-16 図、第2-1-2-17 図）。例文帳に追加

And also, final goods exported from East Asia to India amounted US$19.63 billion at the time of 2009 which was a 9.4-fold increase compared with the amount in 1999. India has increased its presence as a great demand center backed by the size of population and significant economic growth (Figures 2-1-2-16 and 2-1-2-17). - 経済産業省

財団法人国際経済交流財団のアンケート調査によると、我が国海外進出企業は、欧米先進国市場に比べ、大きな成長が見込まれるBRICs（中国、インド、ロシア、ブラジル）、ベトナム、ASEAN4、中・東欧、中東等、幅広い新興国市場での売上拡大を見込んでいる（第2-3-1図）。例文帳に追加

According to the survey conducted by the Japan Economic Foundation, Japanese companies operating overseas expect a greater sales increase in high potential growth markets in many emerging countries and regions such as BRIC (China, India, Russia, and Brazil), Vietnam, ASEAN4, Central and Eastern Europe, and the Middle East than in the European and US developed countries’ markets (see Figure 2-3-1). - 経済産業省

中でも、個配だけでも 8,467億円（2009年）と圧倒的な存在感を誇り様々な取組を進める生活協同組合（コラム No.8に生協の宅配サービスの取組を紹介）と、前年比25％増（2009年）と成長著しいネットスーパーには注目すべきものがある。例文帳に追加

Especially, we should pay attention on the cooperative associations of overwhelming presence achieving the sales of 846.7 billion yen (2009) only from personal delivery and still making various types of efforts (cooperative associations' home delivery services introduced in Column No. 8) and on the online supermarkets achieving the 25 percent increase (2009) from the previous year and outstandingly growing.  - 経済産業省

第2-1-34図によると、「一部の中小企業のみで行われている取組」を行った企業の成長率は、経営革新を行っていない企業に比べ9.6％高いが、「業界内では全く行われていない新たな取組」を行った企業では17.3％と格段に高い。例文帳に追加

According to Fig. 2-1-34, the growth rate of enterprises that engaged in "activities undertaken by only some SMEs" was 9.6% higher than enterprises that did not engage in business innovation, but that the growth rate of enterprises that engaged in "new activities undertaken by any other companies in the industry" was conspicuously higher at 17.3%. - 経済産業省

また、サービス業については、製造業に比べて都市部への集中度が大きいため指数も高くなっているが、中でも、近年、急成長している情報サービス業は、一部の地域への集中度が突出しており、産業発展の影響も地域限定的であると考えられる。例文帳に追加

Regarding services, the index is higher due to the heavy concentration in urban areas compared with manufacturing, and information services, which have grown rapidly in recent years, are particularly concentrated in certain regions. The impact of industrial development therefore appears to be regionally limited. - 経済産業省

石油危機後の安定成長期を迎えると、引き続き農林水産業従業者が減少し、パート等の雇用者が増加した以外は、非農林の自営業者の割合が11～12％台で推移するなど、就業構造は比較的変化の少ない状況が続いた。例文帳に追加

When the economy entered a period of stable growth following the oil crisis, there was comparatively little change in the employment structure, and apart from a continued decline in the number of workers in agriculture, forestry and fisheries and an increase in part-time and other employees, the proportion of self-employed in the non-agricultural/forestry sector has stayed around the 11~12% mark. - 経済産業省

悪化シナリオでは2009年にユーロ圏実質GDP成長率マイナス5.2％、2010 年に同マイナス2.7％、発生するトレーディング損失は約4,000 億ユーロと見込んだが、この場合も自己資本の健全性は担保される（Tier 1 比率は対象行合算ベースで9％を上回る）とした。例文帳に追加

The assumption of the adverse scenario was that the Eurozone real GDP growth rate would be minus 5.2% in 2009 and minus 2.7% in 2010, and subsequent trading losses would be about ?400 billion. Under this scenario, it was estimated that the banks would still maintain a sufficient capital adequacy ratio. (The proportion of Tier 1 capital in all surveyed banks exceeded 9%.) - 経済産業省

インド経済は、世界的な経済環境の悪化を受けて2008 年末～2009 年初にかけて景気が減速したものの、その後は政府による景気対策の効果もあり、内需主導で回復基調に転じ、他の国・地域に比べ高い水準の成長を達成している。例文帳に追加

The Indian economy slowed down its economic expansion from the end of 2008 to the beginning of 2009 influenced by the deteriorated International economy.　　However, supported by the effect of the government economic stimulus measures, the economy started recovering led by the growth of domestic demand and achieved the level of development that is higher than that of other countries and regions. - 経済産業省

このように貿易・投資における我が国とインドの関係は、中国・ASEAN4と比較すると、その緊密さは及ばないものの、近年のインド経済の順調な成長を受け、我が国企業のインドビジネスへの注目度は急速に高まっている。例文帳に追加

Although Japan’s relationship with India in the area of trade and investment is not as close as it is with China and ASEAN4, with the steady growth of India’s economy in recent years, the interest of Japanese companies in doing business with India is rapidly growing. - 経済産業省

次いで、産業集積の進むタイ、人口が多く中国同様高い経済成長を実現しているインド、東アジアの中でも所得水準が比較的高く我が国と地理的に近い韓国などで事業を拡大しようとする企業が多くなっている。例文帳に追加

Next is Thailand with its high rate of industrial development, and then India with its large population and high economic growth on par with China’s. Fourth place is occupied by South Korea, which is attractive for its income levels-comparatively high for East Asia-and for its proximity to Japan. - 経済産業省

とりわけ、中国の海外旅行人口の増加は著しく、中国国家旅遊局によれば、1999年から2008年の間、海外旅行者数は対前年比で平均19％もの高成長を続け、2008年の海外旅行者数は4,584万人と、1999年の5倍に増加している（第2-2-3-28図）。例文帳に追加

In particular, the number of outbound tourists from China is surging. According to the National Tourism Administration of the People’s Republic of China, the number of outbound tourists surged by 19% in average on a year-on-year basis for the period from 1999 to 2008, and the number for 2008 rose to 45.84 million, which is a five-fold increase from 1999 (Figure 2-2-3-28). - 経済産業省