「AL」に関連した英語例文の一覧と使い方(145ページ目) - Weblio英語例文検索

A metallic coating process is preferably carried out in an integrated processing system that includes both PVD and CVD processing chambers so that once the substrate is introduced into a vacuum environment, the metallic coating of the vias and contacts can be carried out without the formation of an oxide layer over the CVD Al layer.例文帳に追加

金属被覆法は、統合された処理システムで実施されるのが好ましく、そのシステムは、ＰＶＤおよびＣＶＤ処理チャンバの両方を含み、基板が真空環境に入ると、バイアおよび接点の金属被覆が、ＣＶＤによるＡｌ層上に酸化物層を形成することなく行うことができる。 - 特許庁

As the conductive paste for forming an electrode on the semiconductor substrate for the photoelectric conversion device, there is adopted the conductive paste that includes: metal powder which mainly contains Al; and glass, frit-crystallized in a heat treatment by which the conductive paste, is glazed on the semiconductor substrate, to form the electrode.例文帳に追加

光電変換素子用の半導体基板に電極を形成するための導電性ペーストとして、Ａｌを主に含有する金属粉末と、電極を形成するために半導体基板上に導電性ペーストを焼き付ける熱処理において結晶化するガラスフリットとを含ませた導電性ペーストを採用する。 - 特許庁

The invention relates to a method for preparation of the humanized immunoglobulin exhibiting a binding affinity to the antigen of about 10^8M^-1 or stronger, and having framework regions originating from light and heavy chains of human receptor immunoglobulins and complementarity determining regions (CDR), defined by Kabat, et al., from a donor immunoglobulin.例文帳に追加

少なくとも１０^８Ｍ^−１の親和性で抗原に結合可能であり、かつヒト受容体免疫グロブリン軽鎖および重鎖由来のフレームワーク領域、および供与体グロブリン由来のＫａｂａｔらにより定義される相補性決定領域（ＣＤＲ）を有するヒト化免疫グロブリンの生産方法に関する。 - 特許庁

The cathode active material is comprised of nickel-based lithium transition metal composite oxide particles and particles including a layer containing LiAlO_2 provided on at least a part of the surface of the lithium transition metal composite oxide particles, and Al derived from LiAlO_2 is solid-solved at the place only near the surface of the lithium transition metal composite oxide particles.例文帳に追加

正極活物質は、ニッケル系のリチウム遷移金属複合酸化物粒子と、リチウム遷移金属複合酸化物粒子の表面の少なくとも一部に設けられたＬｉＡｌＯ_2を含む層とを有する粒子からなり、ＬｉＡｌＯ_2由来のＡｌがリチウム遷移金属複合酸化粒子の表面近傍にのみ固溶しているものである。 - 特許庁

The electrode forming method for the SAW device has a step for forming the alloy film composed of Al and Mg on a substrate and a step for forming the electrode of the SAW device by selectively etching said alloy film, and the electrode of the SAW device is formed so as to be provided with sidewalls.例文帳に追加

弾性表面波デバイスの電極形成方法において、基板上に、ＡｌとＭｇからなる合金膜を形成する工程と、前記合金膜を選択的にエッチングすることによって、弾性表面波デバイスの電極を形成する工程とを有し、前記弾性表面波デバイスの電極は、サイドウォールを有するように形成することを特徴とすること。 - 特許庁

After having formed a metal mode film 102 with an Al-O molecule on the silicon substrate 101, a sputtering state in a target 203 is stopped by stopping the supply of a high-frequency power with respect to the target 203 or the like, and a state that the surface of the metal mode film 102 on the silicon substrate 101 is irradiated with plasma 110 of Ar and oxygen is brought about.例文帳に追加

シリコン基板１０１上に、Ａｌ−Ｏ分子によるメタルモード膜１０２を形成した後、ターゲット２０３に対する高周波電力の供給を停止するなどにより、ターゲット２０３におけるスパッタ状態を停止し、シリコン基板１０１上のメタルモード膜１０２表面に、Ａｒと酸素のプラズマ１１０が照射される状態とする。 - 特許庁

To obtain a package for containing a semiconductor element in which the basic body of a semiconductor device is hardly warped when a heat sink, i.e., an Al plate, for mounting the semiconductor device is warped thermally and thereby the substrate for mounting a semiconductor element placed on the upper surface of the basic body is not cracked thus preventing the wiring of circuit formed on the mounting substrate from being broken by cracking.例文帳に追加

半導体装置を搭載するヒートシンクとしてのＡｌ板が熱で反った場合、半導体装置の基体に反りが殆ど発生せず、その結果基体上面に載置された半導体素子の搭載用基板にクラックが発生せず、また搭載用基板に形成された回路配線がクラックにより断線しないようにすること。 - 特許庁

To prevent Al in a stainless steel from being reduced by a vacuum heat treatment for diffusion welding and to conduct sound diffusion welding in the method for producing a metal carrier by rounding flat foil/waved foils consisting of a ferritic stainless steel containing A1 and welding the contact part of the flat foil/waved foils by diffusion welding.例文帳に追加

Ａｌを含有するフェライト系ステンレス鋼からなる平箔と波箔とを回し、平箔と波箔の接触部を拡散接合によって接合するメタル担体の製造方法において、拡散接合のための真空熱処理でステンレス鋼中のＡｌが減少することを防止し、かつ健全な拡散接合を行う製造方法を提供する。 - 特許庁

A pin fixedly disposed at a ring plate turnably supported to the turbocharger, to set the angle of a nozzle vane for controlling the amount of exhaust gas rotating a turbine rotor, is formed with a hard coating with a thickness of about 2 μm on austenite stainless steel used as a base material by physical vapor phase deposition of Al, Cr, Si and N.例文帳に追加

ターボチャージャに回動可能に支持されているリングプレートに固定配置され、タービンロータを回転させる排気ガスの量を制御するノズルベーンの翼角を設定するピンとして、母材であるオーステナイト系ステンレスにＡｌ、Ｃｒ、Ｓｉ、及びＮからなる物理気相蒸着した厚さ約２μｍの硬質皮膜を形成したものを用いる。 - 特許庁

An etching profile in a superior tapered shape can be obtained without undercutting nor projection phenomenon by wet-etching an Mo/AlNd double film or an Mo/Al/Mo triple film as gate and source/drain wiring materials in a single process, and a dry etching process is excluded to make processes smooth for improved productivity, thereby lowering manufacturing costs.例文帳に追加

ゲート及びソース／ドレイン配線材料であるＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜またはＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ三重膜を単一工程でウェットエッチングして、アンダーカット及び突出現象なしに優秀なテーパ状のエッチングプロファイルを収得でき、ドライエッチング工程を排除することによって、工程を円滑にして生産性を向上させ、生産コストを低減できる。 - 特許庁

A pair of heat radiating members 2 and 3 are located so as to sandwich planar located Si chips 1a and 1b, and the main electrodes of the Si chips 1a and 1b and the respective heat radiating members 2 and 3 mainly composed of metals of Cu or Al are connected through a bonding member 4 so as to electrically and thermally connect them.例文帳に追加

平面的に配置されたＳｉチップ１ａ、１ｂを挟む様にして、一対の放熱部材２、３が配置されており、Ｓｉチップ１ａ、１ｂの主電極と、ＣｕまたはＡｌを主成分とする金属からなる各々の放熱部材２、３とが電気的に、かつ熱的に接続されるように接合部材４を介して接続されている。 - 特許庁

To provide a spark plug in which the separation resistance of a jointed noble metal wear resistance part can be sufficiently secured even in the case an earth electrode base material is constructed of a heat resistance alloy in which the quantity of the corrosion resistance improvement content such as Cr and Al is increased and accordingly which can be used stably for a long period even in a severer use atmosphere.例文帳に追加

ＣｒやＡｌ等の耐食性改善成分の含有量を増加した耐熱合金により接地電極母材を構成した場合であっても、これに接合される貴金属耐消耗部の耐剥離性を十分に確保でき、ひいては、より厳しい使用環境下でも長期にわたり安定して使用できるスパークプラグを提供する。 - 特許庁

The coating steel plate is obtained by forming chemical treatment film on the surface of the Al-Zn alloy plating steel plate, forming a clear primer layer with a predetermined thickness containing a rust proofing pigment as the upper layer and further forming the upper layer clear film thereon with a predetermined thickness containing the appropriate amount of scaly aluminum powder of which the average length of the long side direction is 35 μm or less.例文帳に追加

Ａｌ−Ｚｎ合金めっき鋼板の表面に化成処理皮膜を形成し、その上層に、防錆顔料を含有する所定膜厚のクリアープライマー層を形成し、さらにその上層に、鱗片状で且つ長辺方向の平均長さが３５μｍ以下のアルミニウム粉を適量含有する所定膜厚の上層クリアー塗膜を形成した。 - 特許庁

The surface coated cutting tool has an inner layer coated on a base material, the inner layer being composed of a compound containing Al, at least any one of Cr and V, and at least one or more elements selected from N, C, and O, and further has an outermost layer coated on the inner layer, the outermost layer being formed by a carbonitride of Ti.例文帳に追加

基材上に、Ａｌと、ＣｒおよびＶのうちの少なくともいずれかの元素と、窒素、炭素、酸素から選ばれる１種以上の元素とを少なくとも含む化合物にて形成された内層が被覆され、さらに内層上にＴｉの炭窒化物にて形成された最外層が被覆されてなる表面被覆切削工具。 - 特許庁

In the cooling structure of electric or electronic equipment, the entire portion or one portion of a casing 5 of the electric or electronic equipment is formed by a far infrared radiation material 9 where a black anodization membrane is formed on the surface of a flat base made of an Al alloy, and the inside of the casing is cooled by the radiation of far infrared rays from the far infrared radiation material.例文帳に追加

電気又は電子機器のケーシング５の全体又は一部を、Ａｌ合金からなる板状基材の表面に黒色陽極酸化皮膜が形成されてなる遠赤外線放射材９によって形成し、遠赤外線放射材からの遠赤外線の放射によってケーシング内を冷却する電気又は電子機器の冷却構造を提供する。 - 特許庁

The metallic optical element 1 has a maximum shape error PV of the optical surface 2 of ≤5μm, has a surface roughness Ra of ≤20 nm, contains either one of Al, Cu, Ni, Ag, Zn, Sn, Fe and Ti by 97 mol% or more and has impurities and inevitable impurities besides the same in which the maximum particle size of the impurities is adjusted to 500μm or less.例文帳に追加

本発明による金属製光学素子１は、光学面２の最大形状誤差ＰＶが５μm以下、表面あらさＲaが２０nm以下であって、アルミニウム，銅，ニッケル，銀，亜鉛，錫，鉄，チタンの何れか１つを９７モル％以上含み、それ以外の不純物および不可避不純物の最大粒径が５００μm以下に調整されている。 - 特許庁

Though it is an act against a common sense to create a transfer optical surface by cutting a material with very high hardness of more than HRA 80 in Rockwell hardness or more than Hv 1000 in Vickers hardness in accordance with conventional experiences and knowledge of those who are engaged in this field of industry, there exists no literature to affirm it, either, as far as this inventor, et al confirm.例文帳に追加

従来における当業者の経験や知識に基づけば、ロックウェル硬度ＨＲＡ８０以上もしくはビッカース硬度でＨｖ１０００以上の非常に高い硬度を有する素材を切削して転写光学面を創成するということは、常識に反する行為といえ、これを肯定する文献は、発明者らが確認した範囲で存在しない。 - 特許庁

In the ball bearing, a bonding surface B of the ring-like members 11, 12 constituting a split type machined cage 10 is set such that an angle αformed by a line CL tightening centers O of respective pockets 13 and a line AL arriving from the center O of the pocket 13 at an intersection E of a pocket surface 11a and a bonding surface B becomes 45° or higher.例文帳に追加

本発明の玉軸受は、分割型もみ抜き保持器１０を構成するリング状部材１１，１２の結合面Ｂが、各ポケット１３の中心Ｏを結ぶ線ＣＬと、ポケット１３の中心Ｏからポケット面１１ａと結合面Ｂとの交点Ｅに至る線ＡＬとのなす角度αを４５°以上となるように設定されている。 - 特許庁

The gold alloy for forming the optical recording disk reflection film has a composition containing at least one kind of element selected from the groups consisting of Mg, Al, Ti, Co, Ge, Zr, Sb, Zn, La, Ce, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy and Ca in 0.05 to 0.2 wt.%, and the balance Au.例文帳に追加

光記録ディスク反射膜形成用の金合金であって、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、及びＣａからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を０．０５〜０．２重量％含有し、残部がＡｕからなることを特徴とする光記録ディスク反射膜形成用金合金。 - 特許庁

This alloy has a compsn. composed of, by weight, 3 to 10% Al, 5 to 20% Mn, and the balance Cu with inevitable impurities, and the space between a primary part substantially composed of β single phases and a secondary part substantially composed of α phases and whistler phases is provided with a third part whose crystal structure continuously or stepwise changes.例文帳に追加

３〜１０重量％のＡｌと、５〜２０重量％のＭｎと、残部Ｃｕ及び不可避不純物とからなる組成を有し、実質的にβ単相からなる第一部分と実質的にα相及びホイスラー相の二相からなる第二部分との間に、結晶構造が連続的又は段階的に変化する第三部分を有する。 - 特許庁

The seal material is adhered to a surface of the repairing frame material having a mount at al lower end, and the repairing frame material adhered with the seal material is moved to the part to be repaired on the inner surface of the pipe material while being contracted, the repairing frame material is expanded at that position to add the seal material on the part to be repaired on the inner surface of the pipe material.例文帳に追加

下端に台座を有する補修枠材の表面にシール材を付着し、このシール材が付着した補修枠材を収縮した状態で管材の内面の補修個所まで移動し、その位置で前記補修枠材を膨張させて管材の内面の補修個所へ前記シール材を添設させる管材の補修方法である。 - 特許庁

Because the particles of a film material composed essentially of ZnO and containing compounds of group III elements, such as Al2O3, are ionized with high efficiency and implanted in a film by optimum kinetic energy, the surface migration of the group III impurity elements, such as Al, can be accelerated and the dispersion of the impurity elements can be performed more uniformly as compared with that by the other methods.例文帳に追加

ＺｎＯを主成分としＡｌ_２Ｏ_３等の３族元素を含有する膜材料粒子が高効率でイオン化し、膜中に最適な運動エネルギーで打ち込まれるので、Ａｌ等の３族不純物元素の表面マイグレーションが促進され、他の方法に比べてより均一に不純物元素を分散させることできる。 - 特許庁

A Pd silicide layer 7 composed of the compound of palladium and silicon is formed on the surface of the layer 2 on the bottom of the opening section 6, and a metallic electrode 10 is formed by using a metallic film 8 composed of a W film and brought into contact with the Pd silicide layer 7 on the bottom of the opening section 6 and the metallic film 9 consisting of an Al film.例文帳に追加

次いで、開口部６の底部にてエピタキシャル層２の表面にパラジウムとシリコンとの化合物からなるＰｄシリサイド層７を形成した後、Ｗ膜からなり開口部６の底部でＰｄシリサイド層７と接触する金属膜８とＡｌ膜からなる金属膜９を用いて金属電極１０を形成する。 - 特許庁

This method for producing the lithium complexed metal nitride expressed by general formula Li_3-xM_xN (M is at least a metal element selected from the group consisting of Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu and Al; x is a value more than 0 and less than 0.8) comprises the steps of mixing lithium hydride powder with metal M powder and a heat treating the mixture.例文帳に追加

一般式Ｌｉ_３−ｘＭ_ｘＮ（ＭはＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌより選ばれた少なくとも一種の金属元素、ｘは０＜ｘ＜０．８の範囲の値）で表されるリチウム複合金属窒化物の製造方法であり、水素化リチウム粉末と金属Ｍの粉末とを混合し、加熱処理する構成とする。 - 特許庁

The composition contains (A) a copolymer resin prepared by adding glycidyl acrylate and/or glycidyl methacrylate to a copolymerized product of methylmethacrylate and methacrylic acid and/or acrylic acid, (B) a photopolymerization initiator, (C) photopolymerizable monomers, (D) at least one kind of conductive metal powder selected from a group comprising Au, Ag, Ni and Al, (E) glass frit and (F) a phosphoric acid compound.例文帳に追加

組成物は、（Ａ）メチルメタクリレートとメタクリル酸及び／又はアクリル酸との共重合物にグリシジルアクリレート及び／又はグリシジルメタクリレートを付加させた共重合樹脂、（Ｂ）光重合開始剤、（Ｃ）光重合性モノマー、（Ｄ）Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌよりなる群から選ばれた少なくとも１種の導電性金属粉、（Ｅ）ガラスフリット、及び（Ｆ）リン酸化合物を含有する。 - 特許庁

This method for synthesizing a polyurethane elastomer comprises selecting, as appropriate, at least one kind of compound as catalyst therefor from the group consisting of respective chlorides, acetylacetonate salts and sulfates of metals selected from Cr, Mn, Co, Ni, Fe, Cu and Al, and isocyanate complexes thereof to control the reaction proceeding mode as appropriate.例文帳に追加

ポリウレタンエラストマーの合成触媒として、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、およびＡｌから選択される金属のそれぞれの塩化物、アセチルアセトネート塩及び硫酸塩、並びにこれらのイソシアネート錯体からなる群から少なくとも一種を適宜選択することにより反応の進み方を適宜調整してポリウレタンエラストマーを合成する。 - 特許庁

In a laser beam or electron beam welding method to weld a steel material having a composition consisting of, by weight, 0.01-0.15%例文帳に追加

重量％で、Ｃ：0.01〜0.15％、Si：0.01〜1.5 ％、Mn：0.2 〜２％、Ｐ：0.03％以下、Ｓ：0.03％以下、Al：0.0005〜0.1 ％、Ti：0.001 ％〜0.1 ％を含有し、残部がFe及び不可避不純物からなり、かつ、下記の式１を満足する鋼材を溶接する方法であって、溶接部分において相対する被溶接面の少なくとも１つがスケール付着面であることを特徴とするレーザビームもしくは電子ビーム溶接方法。 - 特許庁

The hydrophilic member has a finish coat layer formed from a hydrophilic composition containing at least one hydrophilic polymer having a specified structure on a substrate and an undercoat layer formed from an undercoat layer composition containing a polyalkylene oxide (C) and the alkoxide compound of an element selected from among Si, Ti, Zr, and Al (D).例文帳に追加

基板上に特定の構造を含む親水性ポリマーの少なくとも一つを含有する親水性組成物から形成される上塗り層と、（Ｃ）ポリアルキレンオキシド及び（Ｄ）Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌから選択される元素のアルコキシド化合物を含有する下塗り層用組成物から形成される下塗り層とを有することを特徴とする親水性部材。 - 特許庁

The positive electrode active material for the nonaqueous electrolyte secondary battery is composed of lithium-containing polyanion complex oxide expressed by a composition formula AMX_2O_6 (in the formula, A contains at least lithium, M contains at least trivalent iron or trivalent manganese, X contains at least one or more selected from Si, P, and Al).例文帳に追加

組成式ＡＭＸ_2Ｏ_6（式中、Ａは少なくともリチウムを含み、Ｍは少なくとも３価の鉄又は３価のマンガンを含み、Ｘは少なくともＳｉ、Ｐ、Ａｌの中から少なくとも１つ以上含む）で表されるリチウム含有ポリアニオン複合酸化物からなることを特徴とする非水電解質二次電池用正極活物質により上記課題を解決する。 - 特許庁

A compound semiconductor element comprises the compound semiconductor layer comprising at least Al as a main constituent element, the compound semiconductor layer comprising at least As and P as main constituent elements, and a compound semiconductor layer, i.e. an intermediate layer, partially or entirely comprising at least As and P with mixed crystal composition varying slantingly or stepwise.例文帳に追加

本発明によれば、主構成元素として少なくともＡｌを含む化合物半導体層と主構成元素として少なくともＡｓとＰを含む化合物半導体層の中間層として、その一部、或いは全部に少なくともＡｌとＰが用いられており、尚且つ、混晶組成が傾斜的、或いは段階的に変化している化合物半導体層を設ける。 - 特許庁

This electromagnetic shielding glass with a colored membrane is obtained by forming on a transparent electroconductive membrane of a glass substrate with a transparent electroconductive membrane a colored membrane from a composition comprising oxides of one or more elements selected from the group consisting of Si, Ti, Al and Zr and precious metal microparticles which develop color as a precious metal colloid in the oxide.例文帳に追加

透明導電膜付きガラス基板の透明導電膜上に、組成物にＳｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒより選ばれた少なくとも一種以上の元素の酸化物と、該酸化物中で貴金属コロイドとして発色する貴金属微粒子とを含む着色膜が形成されてなることを特徴とする着色膜付き電磁遮蔽ガラス。 - 特許庁

The method for growing a gallium nitride crystal is a method for growing a gallium nitride crystal on the main surface of an aluminum nitride crystal by a hydride vapor phase growth process, wherein the main surface is the (0001) Al surface of aluminum nitride crystal and the growth temperature of gallium nitride crystal is higher than 1,100°C and lower than 1,400°C.例文帳に追加

本窒化ガリウム結晶の成長方法は、窒化アルミニウム結晶の主面上に、ハイドライド気相成長法により窒化ガリウム結晶を成長させる方法であって、その主面は窒化アルミニウム結晶の（０００１）Ａｌ表面であり、窒化ガリウム結晶の成長温度が１１００℃より高く１４００℃より低いことを特徴とする。 - 特許庁

The obtained ceramic support member 3 made of the alumina sintered body can maintain excellent mechanical characteristics and electric characteristics of alumina and shows a Q-value higher than the prior art, since a low-loss crystal phase comprising a compound containing Si, Al, Sr and O elements is present on the grain boundaries of the alumina crystal grains.例文帳に追加

これにより、アルミナの優れた機械的特性、電気特性を維持することができるとともに、アルミナ結晶粒子の粒界に、Ｓｉ、Ａｌ、ＳｒおよびＯ元素を含有する化合物からなる低損失の結晶相が存在するため、従来よりも高Ｑ値を示すアルミナ質焼結体からなるセラミック支持部材３を得ることができる。 - 特許庁

In the process of mixing the aluminum hydroxide made incommensurate in its crystalline structure by frictional crushing treatment, etc., and slaked lime in the presence of water to react calcium aluminate, the amorphous calcium aluminate hydrate is manufactured by maintaining the inside of a reaction system at ≤50°C and maintaining a mixing molar ratio Ca(OH)_2/ Al(OH)_3 within 1.0 to 2.0.例文帳に追加

摩砕処理等により結晶構造を不整化した水酸化アルミニウムと消石灰を水の存在下で混合しカルシウムアルミネートを反応させる過程において、反応系内を５０℃以下に保持し、混合モル比Ｃａ（ＯＨ）_2／Ａｌ（ＯＨ）_3を１．０〜２．０以内とすることで非晶質カルシウムアルミネート水和物を製造することが可能となる。 - 特許庁

In the method for producing the metal oxide particulates, a metal complex solution containing an A element complex containing the metal element A (A denotes a metal element Pd, Pt, Cu or Ag) and a B element complex containing the metal element B (B denotes a metal element Co, Fe, Ni, Cr, Rh, Al, Ga, Sc, In or Tl) is irradiated with a laser.例文帳に追加

金属元素Ａ（Ａは金属元素Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ又はＡｇを示す。）を含むＡ元素錯体と金属元素Ｂ（Ｂは金属元素Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｉｎ又はＴｌを示す。）を含むＢ元素錯体とを含む金属錯体溶液に、レーザー照射する金属酸化物微粒子の製造方法。 - 特許庁

The p-side electrode 16 is formed on the p-type GaN contact layer 26 and includes a contact electrode part 16a made of palladium (Pd), that is formed on a part of the p-type GaN contact layer 26, and a reflecting electrode part 16b made of aluminum (Al), that is formed on the contact electrode part 16a and the p-type GaN contact layer 26.例文帳に追加

ｐ側電極１６は、ｐ型ＧａＮコンタクト層２６上に形成され、ｐ型ＧａＮコンタクト層２６上の一部に形成されたパラジウム（Ｐｄ）からなるコンタクト電極部１６ａと、コンタクト電極部１６ａおよびｐ型ＧａＮコンタクト層２６上に形成されたアルミニウム（Ａｌ）からなる反射電極部１６ｂとを含む。 - 特許庁

The upper and lower sides of the stress relaxation layer 71 are sandwiched by an alloying prevention layer 72 which is completely unalloyable with indium (In), e.g., aluminum (Al), thereby preventing the indium (In) contained in the stress relaxation layer 71 from reacting with a gold (Au) layer 77 or platinum (Pt) layers 74, 76 on the p-side electrode 70 to from an alloy.例文帳に追加

応力緩和層７１の上側および下側を、インジウム（Ｉｎ）と合金を全く形成しない金属、例えばアルミニウム（Ａｌ）よりなる合金化防止層７２で挟むことにより、応力緩和層７１に含まれるインジウム（Ｉｎ）がｐ側電極層７０の金（Ａｕ）層７７や白金（Ｐｔ）層７４，７６と反応して合金化するのを抑制する。 - 特許庁

The reticle 2 usable for EUV aligners comprises a super-invar substrate 20, a smoothed layer FL formed on the upside of the substrate, a multilayer film ML formed on the layer FL for reflecting EUV rays and a patterning layer AL having an exposure pattern on the multilayer film.例文帳に追加

本発明に係るレチクルは、ＥＵＶ露光装置に用いるレチクル２であって、スーパインバ基板２０と、このスーパインバ基板の上面に形成された平滑化層ＦＬと、この平滑化層上に形成された、ＥＵＶ光を反射するための多層膜ＭＬと、この多層膜上に形成された、露光パタンを有するパタニング層ＡＬと、を具備するものである。 - 特許庁

This aluminum chloride solution for spinning is characterized in that the solution comprises only an aluminum chloride represented by the following general formula Al(OH)nCl3-n (wherein, 2.20≤n≤2.55)例文帳に追加

下記一般式で表される塩化アルミニウムと水とのみから成る紡糸用塩化アルミニウム溶液であって、該塩化アルミニウム溶液中のアルミニウム成分がアルミニウム（Ａｌ）換算で２２０ｇ／リットルとなるように、前記塩化アルミニウム溶液を濃縮したとき、濃縮した塩化アルミニウム溶液の２０℃での粘度が３００センチポイズ（ｃｐｓ）以下であることを特徴とする塩化アルミニウム溶液。 - 特許庁

The zeolite is a carbon-containing silicoaluminophosphate which contains 0.8-6 wt.% carbon and has a skeletal structure constituted of Me, Al, P, and Si.例文帳に追加

炭素含有量が０．８重量％以上６重量％以下であり、骨格構造を構成するＭｅ、Ａｌ、Ｐ及びＳｉの各モル比が下記式１〜４を満足するシリコアルミノフォスフェートであって、そのシリコアルミノフォスフェートを焼成して炭素含有量を０．３重量％未満とした場合に焼成前の骨格構造が保たれる炭素含有シリコアルミノフォスフェートにより、前記課題を解決した。 - 特許庁

The lead-free solder has improved solder joining characteristics of joining strength, fluidity of solder, anti-oxidizing effect or the like by totally containing 0.001-1 wt.% of at least one or more elements selected from Ni, Ge, Ga, Al and Si, so that the solder joining excellent in the solder characteristics and having the high reliability is provided.例文帳に追加

更に、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｇａ、Ａｌ、及びＳｉから選ばれる少なくとも一種類以上を合計で０．００１〜１重量％含有することにより、接合強度向上、はんだの流動性向上、酸化防止効果向上等のはんだ接合特性の向上を有して、はんだ特性に優れ、高い信頼性を有するはんだ接合の提供を可能とする。 - 特許庁

The diamond field effect transistor has a P-type nitride layer containing at least one of Al, Ga, B and In on P-type diamond, and also includes: a source electrode and a drain electrode coming in electric ohmic contact with a heterojunction between the P-type diamond and P-type nitride layer; and a gate electrode on the P-type nitride layer between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

Ｐ型ダイヤモンド上に、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｉｎの１つを含むＰ型窒化物層を有し、Ｐ型ダイヤモンドとＰ型窒化物層との間のヘテロ接合に電気的にオーミック接触するソース電極およびドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間のＰ型窒化物層上にゲート電極を有することを特徴とする。 - 特許庁

At least a surface region 2 includes a crystal growth substrate 3 made of an aluminum-containing group-III nitride semiconductor, a single metal layer 4 formed on the surface region 2 and made of crystallized Zr or Hf, and an initial growth layer 5 formed on the single metal layer 4 and formed by at least one buffer layer made of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1).例文帳に追加

少なくとも表面部分２がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板３と、前記表面部分２上に形成され、結晶化されたZrまたはHfからなる単一金属層４と、前記単一金属層４上に形成され、Al_xGa_1-xN(0≦x≦1)からなる少なくとも一層のバッファ層からなる初期成長層５と、を具える。 - 特許庁

The compound semiconductor element comprises: a gate semiconductor layer 10; a cathode semiconductor layer 12; an Au alloy cathode electrode 14 formed on the cathode semiconductor layer 12; an Au alloy gate electrode 16 formed on the gate semiconductor layer 10; an interlayer dielectric film 18; an Al wiring 20 on the cathode electrode 14 and the gate electrode 16; and a protection film 22.例文帳に追加

化合物半導体素子は、ゲート半導体層１０と、カソード半導体層１２と、カソード半導体層１２上に形成されたＡｕ合金カソード電極１４と、ゲート半導体層１０上に形成されたＡｕ合金ゲート電極１６と、層間絶縁膜１８と、カソード電極１４及びゲート電極１６上のＡｌ配線２０と、保護膜２２を備える。 - 特許庁

with one or more metal atom(s) (Me) selected from Mg, Al, Ti, Cu, and Zr by 0.1-5 mol% where the amount of Li_2CO_3 present on a surface of a particle is 0.05-0.20 wt.%.例文帳に追加

）で表されるリチウムニッケルマンガンコバルト系複合酸化物に、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ及びＺｒから選ばれる１種または２種以上の金属原子（Ｍｅ）を０．１モル％以上５モル％未満含有させたリチウム複合酸化物であって、粒子表面に存在するＬｉ_２ＣＯ_３量が０．０５〜０．２０重量％であることを特徴とするリチウム二次電池用正極活物質。 - 特許庁