「AL」に関連した英語例文の一覧と使い方(149ページ目) - Weblio英語例文検索

The hot dip galvanized high strength steel sheet is obtained by applying hot dip galvanizing to a steel sheet having a steel composition comprising, by mass, 0.05 to 0.25% C, ≤2.0%例文帳に追加

溶融亜鉛めっき高強度鋼板は、質量％にて、C:0.05〜0.25%、Si:2.0%以下、Mn:0.8〜35、P:0.0010〜0.1%、S:0.0010〜0.０５%、N:0.0010〜0.010%、Al:0.01〜2.0％を含有し、残部鉄及び不可避的不純物からなる鋼組成を有し、 組織中に平均炭素量０．９％以上の残留オーステナイトを３％以上含有し、 板厚ｔの1/8t〜3/8ｔの範囲でのＭｎミクロ偏析が、式（１）を満たす範囲にある鋼板に、溶融亜鉛めっきが施されたことを特徴とする。 - 特許庁

In the display device, a prescribed element is added to an Al matrix for achieving direct contact with the aluminum alloy thin film and the transparent electrode and an element forming and depositing an intermetallic compound between the element and Ni, Ag, Zn and Co in aluminum is added for achieving stable contact with the transparent electrode even in a low temperature process of 300°C or lower and for improving corrosion resistance.例文帳に追加

アルミニウム合金薄膜と透明電極との直接コンタクトを可能にするために、Ａｌマトリクス中に、所定の元素を添加するとともに、３００℃以下の低温プロセスにおいても透明電極との安定コンタクトを実現し、耐食性を改善するために、アルミニウム中でＮｉ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｃｏとの間に金属間化合物を形成・析出する元素を添加する。 - 特許庁

In the ceramic heater 10, one main face of the heating board 2 made of an aluminum nitride sintered body with an oxide film including Al over the entire surface is a heating face 3, the heating resistor 5 is formed on the other main face of the heating board 2, and an insulation film 4 is attached to the other main face of the heating board 2, to cover the heating resistor 5.例文帳に追加

窒化アルミニウム質焼結体からなり、その表面全体にＡｌを含む酸化物膜を有する加熱板２の一方の主面を加熱面３とするとともに、上記加熱板２の他方の主面に発熱抵抗体５を形成し、この発熱抵抗体５を覆うように上記加熱板２の他方の主面に絶縁膜４を被着してセラミックヒーター１０を形成する。 - 特許庁

By this, since the suppression torque Tα is set smaller as an elapsed time tstop is shorter and as an altitude Al is higher, or as the negative pressure of an intake system of the engine is larger and as the torque fluctuation acting on the driving shaft is smaller, excessive suppression torque Tα to torque fluctuation can be suppressed to suppress the shock at the time of starting the engine.例文帳に追加

これにより、停止後経過時間ｔｓｔｏｐが短いほど、また、標高Ａｌが高いほど、すなわち、エンジンの吸気系の負圧が大きく駆動軸に作用するトルク変動が小さいほど、抑制トルクＴαを小さく設定するから、トルク変動に対して抑制トルクＴαが過剰になるのを抑えてエンジンを始動する際のショックの発生を抑制することができる。 - 特許庁

The epoxy resin composition for sealing semiconductors comprises the epoxy resin, a curing agent, ≥1 kind of inorganic fillers selected from silicate salts such as talc, baked cay and the like, oxides such as silica, fused silica and the like, and hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide and the like and a Mg, Zn, Al hydroxide carbonate hydrate as a pH buffer agent.例文帳に追加

本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、タルク、焼成クレー等のケイ酸塩、シリカ、溶融シリカ等の酸化物および水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の水酸化物の中から選ばれる１種以上の無機充填材と、ｐＨ緩衝剤としてマグネシウム・亜鉛・アルミニウム・ハイドロオキサイド・カーボネート・ハイドレートと、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The reticle 2 is usable for EUV aligners and comprises a low expansion glass substrate 20, a multilayer film ML formed on the upside of the glass substrate 20 for reflecting EUV rays, an absorptive layer AL having an exposure pattern formed on the multilayer film ML and a conductive film CL formed on the downside of the glass substrate.例文帳に追加

本発明に係るレチクルは、ＥＵＶ露光装置に用いるレチクル２であって、低膨張ガラス基板２０と、このガラス基板２０の上面に形成された、ＥＵＶ光を反射するための多層膜ＭＬと、この多層膜上に形成された、露光パタンを有する吸収層ＡＬと、低膨張ガラス基板の下面に形成された導電性の膜ＣＬと、を具備するものである。 - 特許庁

A redundant circuit is previously connected to another circuit via a fuse 3 formed of Al wiring, and when a normal circuit becomes partially defective, a defective circuit is replaced by a redundant circuit isolated by cutting off the fuse 3, to ensure a semiconductor integrated circuit device of normal operations, where the cut edge face of the cut fuse 3 is formed of an inactive compound 21.例文帳に追加

冗長回路をＡｌ配線からなるヒューズ３を介して別回路に予め接続しておき、正規回路が部分的に不良回路となった場合には、ヒューズ３を切断して分離した冗長回路を不良回路に代替して正常動作を確保する半導体集積回路装置において、切断したヒューズ３の切断端面を、不活性な化合物２１で構成する。 - 特許庁

The aluminum alloy casting brazing wire is composed of an Al-Si-based alloy sheet of 5 to 15mass% in Si content, a hollow sheath constructed of a clad material composed of a Cu sheet in which mass of Cu with respect to the mass of the entire sheath corresponds to 22 to 37mass%, and a fluoride-based non-corrosive flux powder containing cesium fluoride filled into the sheath.例文帳に追加

Ｓｉ含有量が５〜１５質量％のＡｌ−Ｓｉ系合金板と、鞘全体の質量に対するＣｕの質量が２２〜３７質量％に相当するＣｕ板からなるクラッド材で構築された中空の鞘と、当該鞘内に充填されたフッ化セシウムを含むフッ化物系非腐食性フラックス粉末とから構成されたアルミニウム合金ろう付けワイヤー。 - 特許庁

The method of manufacturing the color filter includes: a step of forming a layer including an organic metal compound which is a compound obtained by substituting at least one sort of a metal atom selected from a group of Ti, Zr and Al for an alkoxy group and/or an acyloxy group on a transparent substrate; and a step of printing a light-curable ink composition on a layer including the organic metal compound.例文帳に追加

Ｔｉ、Ｚｒ、およびＡｌの群から選ばれた少なくとも１種の金属原子に、アルコキシ基、および／またはアシルオキシ基が置換した化合物である有機金属化合物を含む層を、透明基板上に設ける工程、次いで該有機金属化合物を含む層の上に光硬化性インク組成物を印刷する工程 を含むカラーフィルタの製造方法。 - 特許庁

This alloy has 5-50 μm average grain diameter in a section and a compsn. consisting of 0.005-0.05%, in total, of residual carbon and residual oxygen, 15-60% Co and the balance Fe or further contg. 0.5-4% one or more selected from V, Si, Cr, Al and Mn.例文帳に追加

合金断面の平均結晶粒径が５〜５０μｍであり、合金中の残留炭素と残留酸素の合計含有量が０.００５〜０.０５％である、Ｃｏ：１５〜６０％および残部のＦｅからなる組成の電磁石用合金、および０.５〜４％のＶ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｎの１種または２種以上の元素をさらに含む電磁石用合金およびそれらの製造方法。 - 特許庁

This method of manufacturing a positive electrode active material for a nonaqueous secondary battery by baking a mixture of a metal compound containing a lithium compound is characterized in that a contact surface to the mixture of the metal compound during baking is formed with a member made of a Ni-based alloy containing 10-35 wt.% of Cr element and 0.1-15 wt.% of Al element.例文帳に追加

本発明は、リチウム化合物を含有する金属化合物の混合物を焼成して非水二次電池用正極活物質を製造する方法において、焼成中に該金属化合物の混合物との接触面を、Ｃｒ元素が１０〜３５重量％、およびＡｌ元素が０．１〜１５重量％を含有するＮｉ基合金製の部材で構成することを特徴とする。 - 特許庁

In the repairing method of the moving blade for repairing a fin 8a vertically provided on an outer surface of a tip shroud, powder building-up is carried out using a laser device 9 while supplying powder of heat resistant super alloy containing 3-5 wt.% of Al and 2-3.5 wt.% of Ti on a surface of the fin, and the damaged fin is repaired.例文帳に追加

チップシュラウドの外側表面に立設されたフィン８ａを補修する動翼の補修方法であって、フィンの表面に、Ａｌを３ｗｔ％以上５ｗｔ％以下、Ｔｉを２ｗｔ％以上３．５ｗｔ％以下含む耐熱超合金の粉体を供給しながら、レーザー装置９を用いて粉体肉盛を実施して、損傷したフィンを補修するようにした。 - 特許庁

To provide a refining method by which when an Al-less extra-low carbon steel is refined using an RH-vacuum degassing apparatus, the erosion of a refractory in the RH-vacuum degassing apparatus caused by slag and deoxidation product can be prevented, as a result, the productivity of the RH-vacuum degassing apparatus is improved and production cost can be remarkably reduced compared with the conventional method.例文帳に追加

ＲＨ真空脱ガス装置を用いてＡｌレス極低炭素鋼を溶製するに当たり、スラグ及び脱酸生成物によるＲＨ真空脱ガス装置の耐火物の溶損を防止することができ、その結果、ＲＨ真空脱ガス装置の生産性を向上させ、製造コストを従来に比較して大幅に低減することのできる精錬方法を提供する。 - 特許庁

Article 4 The Chief Justice of the Supreme Court may have the JLSC use without charge and for its own purpose the national property which was provided for the affairs concerning payment of travel expenses, daily allowances, accommodation charges and remuneration for court-appointed defense counsel et al. as of the commencement of business under Article 30, paragraph (1), item (iii), pursuant to the provisions of a Cabinet Order. 例文帳に追加

第四条　最高裁判所長官は、第三十条第一項第三号の業務の開始の際現に国選弁護人等の旅費、日当、宿泊料及び報酬の支給に関する事務の用に供されている国有財産であって政令で定めるものを、政令で定めるところにより、支援センターの用に供するため、これに無償で使用させることができる。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Examples of large-scale facilities built above subway stations as urban redevelopment projects in Kyoto City include Kitaoji Station (Kitaoji VIVRE above-ground and the Kitaoji Bus Terminal underground), Yamashina Station (RACTO A, B, C, a hotel, DAIMARU YAMASHINA, RACTO-Kenko-Bunkakan (RACTO SPORTS PLAZA), and Yamashina Shakai-kyoiku-sogo Center (ASNY YAMASHINA) above-ground), and Daigo Station (Kyoto Prefecture)(AL PLAZA, and Daigo-chuo Library, Kyoto City above-ground). 例文帳に追加

京都市では、都市の再開発として地下鉄駅上に大型の施設がオープンした例として、北大路駅（地上に北大路ビブレ、地下に北大路バスターミナル）、山科駅（地上にラクトA～C、ホテル、大丸山科店、ラクト健康・文化館、山科社会教育総合センターなど）、醍醐駅(京都府)（地上にアルプラザ・京都市醍醐中央図書館などが入居）が存在する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An Al wiring for connecting the heaters 101 with pads for applying a voltage externally comprises individual wirings 102 independent for individual heaters 101, a first common wiring 103 for common use in one group, and a pad side wiring 108 comprising second common wiring 106 being used commonly for each sub-loop 107 of four heaters 101.例文帳に追加

ヒータ１０１と外部から電圧を印加するためのパッドとを接続するＡｌ配線は、個々のヒータ１０１で独立した個別配線１０２、１つのグループ内で共通に使われる第１の共通配線１０３、および４個ずつのヒータ１０１よりなるサブグループ１０７毎で共通に使われる第２の共通配線１０６からなるパッド側配線１０８で構成されている。 - 特許庁

A hydrogen absorbing body preferably includes at least one metal selected from the group consisting of Cu, Ni, Zn, Ti, Zr, Al, Fe, Sn, In, Pt, Pd, Au and Ag, in addition to a hydrogen absorbing material, and the hydrogen absorbing composite includes an inorganic porous material which covers the partial or whole surface of the hydrogen absorbing body.例文帳に追加

水素吸蔵材料に加えて、好ましくはＣｕとＮｉとＺｎとＴｉとＺｒとＡｌとＦｅとＳｎとＩｎとＰｔとＰｄとＡｕとＡｇとからなる一群から選ばれる少なくとも１種の金属を含有してなる水素吸蔵体及び、この水素吸蔵体の表面の一部又は全部を覆うように無機多孔質体を含んでなる水素吸蔵複合体を提供する。 - 特許庁

The reflective liquid crystal display device is constructed by arranging a first substrate with an Al reflection pixel electrode 12 formed thereon and a transparent second substrate with an ITO counter transparent electrode 9 formed thereon so as to place the reflection pixel electrode 12 and the counter transparent electrode 9 opposite to each other, and injecting a liquid crystal layer 8 in a gap between the first and second substrates.例文帳に追加

Ａｌ反射画素電極１２を形成してなる第１の基板と、ＩＴＯ対向透明電極９を形成してなる透明な第２の基板とを、反射画素電極１２と前記対向透明電極９とが対向するように配置し、これら第１の基板と第２の基板との間隙に液晶層８を注入してなる反射型液晶表示装置。 - 特許庁

The steel sheet for a can is composed in such a manner that a steel sheet comprising, by weight, ≤0.006% C, ≤0.04% Si, 0.50 to 0.60% Mn, ≤0.02% P, ≤0.02% S, 0.005 to 0.1% Al, ≤0.01%例文帳に追加

重量％にてＣ：０．００６％以下、Ｓｉ：０．０４％以下、Ｍｎ：０．５０〜０．６０％、Ｐ：０．０２％以下、Ｓ：０．０２％以下、Ａｌ：０．００５〜０．１％、Ｎ：０．０１％以下、Ｃａ：０．００５％以下を含有し、残部が鉄および不可避的不純物からなる鋼板を下式（Ａ）〜（Ｃ）を満たすことによって、強度を保ち、加工性や非時効性に優れた缶用鋼板を製造する。 - 特許庁

To maintain sufficient insulation of an organic insulating film, while securing favorable electrical connection between an electrode on a chip and wiring connected thereto in a semiconductor device, in which the surface of a semiconductor chip is covered with the organic insulating film (polyimide layer or the like) and a metal layer (aluminium (Al) layer or the like) constituting an electrode pad is exposed, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

半導体チップの表面が有機絶縁膜（ポリイミド層など）で覆われ、電極パッドを構成する金属層（アルミニウム（Ａｌ）層など）が露出している半導体装置及びその製造方法において、有機絶縁膜の十分な絶縁性を維持しながら、チップ上の電極とこれに接続される配線との間に良好な電気的接続を確保することを目的とする。 - 特許庁

At least in either of the first member 14 and the second member 15, a part including a polishing surface (dynamic pressure clearance formation surface) facing to the dynamic pressure clearance 17 is constituted of ceramic and the content rate of AL components in terms of Al2O3 in alumina- based ceramic comprising a polishing-finished dynamic pressure clearance formation surface is adjusted to 90-99.5 mass%.例文帳に追加

そして、第一部材１４及び第二部材１５の少なくともいずれかにおいて、動圧隙間１７に面する研磨表面（動圧隙間形成面）を含む部分が少なくともセラミックにて構成されるとともに、その研磨仕上げされた動圧隙間形成面を構成するアルミナ質セラミックにおける、Ａｌ_２Ｏ_３換算したＡｌ成分の含有率が９０〜９９．５質量％に調整される。 - 特許庁

In the method for reforming the slag, by which oxygen concentration of the slag on the molten steel in a ladle is reduced, a slag reforming material containing ≥30 mass% MgO and containing ≥10 mass% total content of one or more reducing materials among Si, Al, Ti and Zr is added onto the slag surface to reduce lower-grade oxides in the slag.例文帳に追加

取鍋内の溶鋼上にあるスラグの酸素濃度を低減するスラグ改質法において、ＭｇＯ含有率を３０質量％以上、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒの内１種類以上の還元材の総含有率を１０質量％以上としたスラグ改質材をスラグ表面に添加して、スラグ中の低級酸化物を還元することを特徴とするスラグ改質方法である。 - 特許庁

A polyol is allowed to react with an organic polyisocyanate in the presence of a catalyst composition comprising a metal complex catalyst represented by general formula (1) M(acac)_n (wherein M is Fe, Mn, Cu, Zr, Th, Ti, Ni, Al or Co; acac represents acetylacetonate; n is an integer of ≥1 and ≤4) and a compound having a cumulative double bond.例文帳に追加

下記一般式（１） Ｍ（ａｃａｃ）_ｎ （１）（式中、Ｍは、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｔｈ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｌ又はＣｏであり、ａｃａｃはアセチルアセトナートを表し、ｎは１以上４以下の値を有する整数である）で示される金属錯体触媒と累積二重結合を有する化合物とからなる触媒組成物の存在下で、ポリオールと有機ポリイソシアナートとを反応させる。 - 特許庁

The oxide sintered body has a perivskite structure shown by the chemical equation of MRuO3 (M: any one kind of Ca, Sr, and Ba) which has features that the total content of an alkali metal element such as Na and K, and Fe, Ni, Co, Cr, Cu, and Al is 100 ppm or less and that relative density is 90% or higher.例文帳に追加

Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元素及びＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｌの含有量が総計で１００ｐｐｍ以下、Ｕ、Ｔｈの各元素の含有量が１０ｐｐｂ以下であり、かつ相対密度が９０％以上であることを特徴とするＭＲｕＯ_３（Ｍ：Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのいずれか一種以上）の化学式で表されるペロブスカイト構造を有する酸化物焼結体。 - 特許庁

The zinc alloy powder contains alloy compositions of aluminum (Al) 0.001-0.03 wt.%, bismuth (Bi) 0.001-0.02 wt.%, and indium (In) 0.01-0.07 wt.%, and the zinc alloy powder is powder made by a centrifugal atomization method and 85% or more of the zinc alloy powder has a particle size 250 μm or less.例文帳に追加

アルミニウム（Ａｌ）０．００１ｗｔ％〜０．０３ｗｔ％、ビスマス（Ｂｉ）０．００１ｗｔ％〜０．０２ｗｔ％、インジウム（Ｉｎ）０．０１ｗｔ％〜０．０７ｗｔ％がそれぞれ合金成分として添加された亜鉛合金粉末であって、その亜鉛合金粉末が遠心噴霧法で造紛された粉末体であるとともに、粒度２５０μm以下の亜鉛合金粉末が８５％以上存在する。 - 特許庁

This magnesium oxide particle agglomerate comprises magnesium oxide particles agglomerated, where the magnesium oxide powder has ≤1 μm average particle diameter, contains ≤10 mass ppm each of Si, Al, Ca, Fe, V, Cr, Mn, Ni, Zr, B and Zn as impurities, and the total mass ratio of impurities is ≤100 mass ppm.例文帳に追加

酸化マグネシウム粒子が凝集してなる酸化マグネシウム粒子凝集体であって、酸化マグネシウム粒子が、平均粒径１μｍ以下であり、不純物としてＳｉ、Ａｌ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｒ、ＢおよびＺｎのそれぞれを１０質量ｐｐｍ以下含み、不純物の合計質量比が、１００質量ｐｐｍ以下である、酸化マグネシウム粒子凝集体である。 - 特許庁

This manufacturing method has a step of anodizing the Al layer to form fine holes and filling magnetic materials in those fine holes to form data areas, and a step of removing the predetermined areas in the above data areas to form servo areas by forming magnetic layer in those predetermined areas and writing magnetic patterns on this magnetic layer.例文帳に追加

また、Ａｌ層を陽極酸化することで微細孔を形成し、該微細孔に磁性材料を充填してデータ領域を形成する工程と、前記データ領域の所定の領域を除去し、該所定の領域に磁性層を形成して該磁性層に磁化パターンを書き込むことでサーボ領域を形成する工程と、を有することを特徴とする記録媒体の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor structure comprises a crystal mixed region 7 formed by crystal mixing a part of a semiconductor superlattice structure 3 constituted by alternatively laminating two or more types of III-V semiconductor layers containing different Al compositions, and a selectively oxidized region 8 formed by selectively oxidizing a non-crystal mixing region obtained by not crystal mixing the structure 3.例文帳に追加

Ａｌ組成の異なる２種以上のIII−Ｖ族半導体層を交互に積層することによって構成された半導体超格子構造３の一部が混晶化されて混晶化領域７として形成されており、前記半導体超格子構造３の混晶化されていない非混晶化領域が選択酸化されて選択酸化領域８として形成されている。 - 特許庁

The aluminum battery comprises: a cathode 4; an anode 1 containing an anode activator containing an intermetallic compound containing at least two kinds of metals chosen from Al, Mg, Zn, Mn, Sn and In by not less than 0.001 Wt.% and not more than 30 Wt.%, and at least one substance chosen from aluminum or aluminum alloy; and an electrolyte containing iodic component.例文帳に追加

正極４と、Ａｌ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｓｎ及びＩｎよりなる群から選択される少なくとも２種類の元素からなる金属間化合物を０．００１重量％以上、３０重量％以下と、アルミニウム及びアルミニウム合金のうち少なくとも一方とを含有する負極活物質を含む負極１と、沃素成分を含有する電解液とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

The aluminum alloy sheet for a cap has a composition comprising Mg, Fe, Mn and Cr, and the balance Al with inevitable impurities, has a texture in which cube orientation density is ≤9, and also, the maximum orientation density of each orientation belonging to β fiber is ≤15, and has a tensile strength in the range of 190 to 290 MPa.例文帳に追加

Ｍｇ、Ｆｅ、Ｍｎ及びＣｒを含有するとともに残部がＡｌ及び不可避的不純物からなり、集合組織のキューブ方位密度が９以下であり、かつβファイバに属する各方位の最大方位密度が１５以下であり、引張強度が１９０ＭＰａ以上２９０ＭＰａ以下の範囲であることを特徴とするキャップ用アルミニウム合金板を採用する。 - 特許庁

The substrate for the hydrophilic member has an undercoat layer of a partial structure represented by M-OH (wherein M is Si, Ti, Zr or Al) on the base material, in which a value of M-OH/M on the surface of the undercoat layer is 1-0.4, and the hydrophilic layer on the undercoat layer.例文帳に追加

本発明の親水性部材用基板は、基材上にＭ−ＯＨ（式中、ＭはＳｉ、Ｔｉ、ＺｒまたはＡｌを表す。）で表される部分構造を含有する下塗層を有し、該下塗層表面のＭ−ＯＨ／Ｍの値が１〜０．４であるものであり、本発明の親水性部材用基板は、その下塗層上にさらに親水性層を有することを特徴とする。 - 特許庁

The alloy sheet has a composition containing, by mass, 0.05 to 0.3% Cu, 0.05 to 0.8% Mg, 0.6 to 1.5% Mn and either or both of Si and Fe by 0.1 to 1.0%, and the balance Al with inevitable impurities, and has proof stress of 240 to 320 MPa.例文帳に追加

Ｃｕを０．０５から０．３質量％、Ｍｇを０．０５から０．８質量％、およびＭｎを０．６から１．５質量％含み、さらにＳｉおよびＦｅの両方またはいずれか一方の各元素を、０．１から１．０質量％含み、残部がＡｌと不可避的不純物とからなる組成を有し、かつ耐力が２４０から３２０ＭＰａとしたアルミニウム合金板として構成する。 - 特許庁

The cleaning device uses the cleaning blade 62 introducing a pressure-contact system by a spring 66, wherein the cleaning device is additionally provided with a dynamic vibration reducer 670 having a natural frequency equal to the frequency of the blade 62 in the natural vibration primary mode when the leading end part of the blade 62 performs the stick-slip vibration upon cleaning an image carrier al.例文帳に追加

バネ６６による圧接方式のクリーニングブレード６２を用いたクリーニング装置であって、像担持体ａ１の清掃においてブレード６２の先端部がスティックスリップ振動しようとするときのブレード６２の固有振動第１次モードの振動数と同じ固有振動数を有する動吸振器６７０が付加されているクリーニング装置６０及び該クリーニング装置を採用した画像形成装置Ａ。 - 特許庁

The organic electroluminescent element 10 includes a first electrode 14, the organic layer 16 including at least a light emitting layer, and a second electrode 20, stacked in this order, in which the second electrode includes, starting from the organic layer side, an Al layer 18 having a thickness of 0.1 nm to 10 nm and an Ag layer 19 having a thickness of 3 nm to 50 nm.例文帳に追加

第１電極１４と、少なくとも発光層を含む有機層１６と、第２電極２０とが、この順で積層されており、前記第２電極が、前記有機層側から、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の厚さを有するＡｌ層１８と、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚さを有するＡｇ層１９とを含むことを特徴とする有機電界発光素子１０。 - 特許庁

The Schottky electrode 2 includes: an electrode body 6; a connection electrode 8, which is formed in a position apart from the electrode body 6 when viewed from the semiconductor layer 1, and contains Al; and a barrier layer 7 formed between the electrode body 6 and connection electrode 8, and containing at least one selected from a group consisting of W, TiW, WN, TiN, and Ta.例文帳に追加

ショットキー電極２は、電極本体６と、半導体層１から見て電極本体６よりも離れた位置に形成され、かつＡｌを含む接続用電極８と、電極本体６と接続用電極８との間に形成された、Ｗ、ＴｉＷ、ＷＮ、ＴｉＮ、およびＴａよりなる群から選ばれる少なくとも１種を含むバリア層７とを含んでいる。 - 特許庁

This hydrocarbon adsorbing material is acid BETA zeolite in which a part or all of Al atoms or Si atoms are substituted by other metal atoms, acid NU-2 zeolite having the same BEA structure as that of the acid BETA zeolite or the zeolite which has the BEA structure resembled to that of the acid BETA zeolite and is obtained by using SSZ-31 and/or SSZ-41 as a precursor.例文帳に追加

Ａｌ原子又はＳｉ原子の一部又は全部が他の金属原子によって置換された酸性ＢＥＴＡゼオライト、酸性ＢＥＴＡゼオライトと同じＢＥＡ構造を有する酸性ＮＵ−２ゼオライト、あるいは酸性ＢＥＴＡゼオライトと類似のＢＥＡ構造を有し、ＳＳＺ−３１及び／又はＳＳＺ−４１を前駆体として得られたゼオライトを使用する。 - 特許庁

The plasma display panel is such that a scanning electrode 12a and a sustaining electrode 12b formed on a front surface glass substrate 11 are covered by a dielectric glass layer 13 and the dielectric glass layer 13 is covered by a protection layer 14 of magnesium oxide, and the protection layer 14 is structured by a material made of magnesium oxide containing at least either boron (B) or aluminum (Al).例文帳に追加

前面ガラス基板１１上に形成した走査電極１２ａ、維持電極１２ｂを誘電体ガラス層１３で覆い、その誘電体ガラス層１３を酸化マグネシウムの保護層１４で覆われたプラズマディスプレイパネルであって、前記保護層１４を酸化マグネシウムにホウ素（Ｂ）およびアルミニウム（Ａｌ）の少なくとも一方を含む材料により構成したものである。 - 特許庁

To remove residues after patterning an electrode film on one principal surface side of a wafer without affecting the other principal surface side even if a curvature is generated on the wafer in a method of manufacturing an insulation gate type semiconductor device that includes a step of forming an Al-based alloy electrode film on the one principal surface of a thin wafer of 200 μm.例文帳に追加

２００μｍ以下の薄いウエハの一方の主面にＡｌ系合金電極膜を形成する工程を有する絶縁ゲート型半導体装置の製造方法において、ウエハに反りが生じても他方の主面側に影響を及ぼさずに一方の主面側の電極膜のパターニング後の残渣除去ができる絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To highly strongly join different materials, i.e., a steel and a light alloy material, without forming a brittle intermetallic compound layer of Fe and Al, to dispense with pushing a rivet into the aluminum alloy material by a spot welding electrode and penetrating the aluminum alloy material, and to dispense with energizing the rivet and heating/fusing the aluminum alloy material to form a hole.例文帳に追加

ＦｅとＡｌとの脆弱な金属間化合物層が形成されることなく、高強度の異材接合が可能であり、しかも、スポット溶接電極によりリベットをアルミニウム合金材に押し込み、アルミニウム合金材を貫通させる必要がなく、また、リベットに通電してアルミニウム合金材を発熱溶融させて孔を開ける必要がなく、鋼材と軽合金材とを異材接合する。 - 特許庁

A MOSFET 100 has an embedded electrode 102, which consists of W formed in a contact hole 4 prepared in an interlayer insulating film 3 comprising PSG etc., a lower electrode layer 5 comprising Al prepared thereon, a source electrode 101 equipped with an upper electrode layer 6 comprising the laminates of Ti layer, Ni layer, and Ag layer formed thereon.例文帳に追加

本発明のＭＯＳＦＥＴダイ１００は、ＰＳＧ等からなる層間絶縁膜３に設けれられたコンタクトホール４内に形成されたＷからなる埋め込み電極部１０２と、その上に形成されたＡｌからなる下層電極層５と、その上に形成されたＴｉ層，Ｎｉ層，Ａｇ層の積層体からなる上層電極層６とを備えたソース電極１０１を有している。 - 特許庁

This organic EL element is provided with: transparent electrodes 18 formed on the surface of a transparent substrate 10 of glass, quartz or resin with a transparent electrode material such as ITO or SnO2; a luminescent layer 20 laminated on the transparent electrodes 18 and formed of an EL material; and back electrodes 22 laminated on the luminescent layer 20, and formed oppositely to the transparent electrodes 18 with Al, Li, Cs, etc.例文帳に追加

ガラスや石英、樹脂等の透明基板１０の表面にＩＴＯやＳｎＯ_２等の透明な電極材料により形成された透明電極１８と、透明電極１８に積層された有機ＥＬ材料からなる発光層２０と、この発光層２０に積層され、透明電極１８に対向して形成されたＡｌ，Ｌｉ，Ｃｓ等からなる背面電極２２とを備える。 - 特許庁

The Ti-Al-N film contains titanium, aluminum and nitrogen, and is deposited on a substrate in such a way that particulates composed of nitrogen, titanium and/or aluminum produced in plasma are jetted into a vacuum chamber 30 from a supersonic nozzle 34 in a state of being carried on the gas flow of an supersonic free jet, and are physically vapor-deposited on a substrate 33 arranged in the vacuum chamber 30.例文帳に追加

チタン、アルミニウムおよび窒素を含有して、基板に形成されたＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜であって、プラズマ中で生成された窒素とチタンおよび／またはアルミニウムからなる微粒子を超音速ノズル３４から超音速フリージェットの気流に乗せて真空チャンバー３０中に噴出して、真空チャンバー３０中に配置した基板３３上に物理蒸着させて形成した膜とする。 - 特許庁

In this diamond grinding method, a diamond grinding wheel consisting mainly of an intermetallic compound of Ti and one or two or more kinds of elements selected from a group of Al, Cr, Mn, Fe, Co, Ni and Cu is pressed against a relatively rotating or moving diamond and ground while keeping the grinding wheel at room temperature or heating a grinding part at 100-800°C as necessary.例文帳に追加

Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕの群から選択した１種または２種以上の元素とＴｉとの金属間化合物を主成分とすることを特徴とするダイヤモンド研磨用砥石、及び室温又は必要により研磨部を１００〜８００°Cに加熱しながら、砥石を相対的に回転又は移動するダイヤモンドに押し当て、研磨するダイヤモンドの研磨方法。 - 特許庁

The acceleration sensor includes piezoresistive elements constituted of diffusion layers; a first insulating layer with which the diffusion layer is coated; an interlayer connecting conductor passed through the first insulating layer and connected to the diffusion layers; and a wiring arranged over the insulating layer and connected to the interlayer connecting conductor, and further includes a conductor part containing Al and Nd and a second insulating layer with which the conductor part is coated.例文帳に追加

加速度センサが，拡散層から構成されるピエゾ抵抗素子と，拡散層を被覆する第１の絶縁層と，第１の絶縁層を貫通して前記拡散層に接続される層間接続導体と，絶縁層上に配置されて層間接続導体に接続される配線と，を有し，かつＡｌとＮｄとを含む導体部と，導体部を被覆する第２の絶縁層と，を具備する。 - 特許庁

The aluminum alloy for diecasting has a composition containing, by mass, 3.6 to 5.5% Mg, 0.6 to 1.2% Mn, 0.2 to <0.5% Ni, 0.001 to 0.010% Be, 0.01 to 0.3% Ti and 0.001 to 0.05% B, and the balance Al with inevitable impurities.例文帳に追加

ダイカスト用アルミニウム合金は、Ｍｇが３．６質量％乃至５．５質量％、Ｍｎが０．６質量％乃至１．２質量％、Ｎｉが０．２質量％乃至０．５質量％未満、Ｂｅが０．００１質量％乃至０．０１０質量％、Ｔｉが０．０１質量％乃至０．３質量％、Ｂが０．００１質量％乃至０．０５質量％で、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなる。 - 特許庁