「AL」に関連した英語例文の一覧と使い方(151ページ目) - Weblio英語例文検索

Lithium hydroxide having a carbon content of ≤1 mass% and showing a mass reduction ratio of ≤5 mass% when held at 200°C in a vacuum for 8 h and a nickel compound oxide obtained by oxidation roasting of a nickel compound hydroxide containing Co and/or Mn, and Al and/or Ti as additive elements are mixed and fired to obtain the objective lithium nickel compound oxide.例文帳に追加

炭素含有量が１質量％以下であり、かつ、真空中２００℃で８時間保持した場合の質量減少率が５質量％以下である水酸化リチウムと、添加元素として、Ｃｏおよび／またはＭｎと、Ａｌおよび／またはＴｉとを含有するニッケル複合水酸化物を酸化焙焼することにより得られるニッケル複合酸化物とを、混合して焼成することにより、リチウムニッケル複合酸化物を得る。 - 特許庁

The electrode contact structure includes an epitaxial layer 100, a contact metal electrode 120 formed on the epitaxial layer 100, an interlayer insulating film 140 having a contact hole, a diffusion barrier layer 200 formed on the contact metal electrode 120 and having crystal orientation property matching the crystal orientation property of the contact metal electrode, and an Al wiring 160 formed on the diffusion barrier layer 200.例文帳に追加

電極コンタクト構造は、エピタキシャル層１００と、エピタキシャル層１００上に形成されたコンタクトメタル電極１２０と、コンタクトホールを有する層間絶縁膜１４０と、コンタクトメタル電極１２０上に形成され、コンタクトメタル電極の結晶配向性と整合する結晶配向性を有する拡散障壁層２００と、拡散障壁層２００上に形成されたＡｌ配線１６０を有する。 - 特許庁

Based on one viewpoint, there is provided a complex crystal fluorescent substance which is an inorganic composition containing at least M element, Al element, silicon, oxygen and nitrogen, which inorganic composition has particles having at least two kinds of crystal phases which comprise a first crystal phase identical with M_2SiO_4 crystal and a second crystal phase of β-sialon crystal.例文帳に追加

本発明の一観点によると、少なくともＭ元素と、Ａｌ元素と、ケイ素、酸素及び窒素とを含有する無機組成物であり、当該無機組成物は少なくとも２種の結晶相を有する粒子を有し、当該少なくとも２種の結晶相はＭ_２ＳｉＯ_４結晶と同一の第１の結晶相と、β−サイアロン（Ｓｉａｌｏｎ）結晶である第２の結晶相とを含む複合結晶蛍光体を提供する。 - 特許庁

In a gate electrode 103 that is formed on a compound semiconductor layer 100 composed of GaN, an Ni layer 41 formed by Schottky junction, a low-resistance metal layer 42 that is composed of one metal selected from the group consisting of Au, Cu, and Al, and a Pd layer 44 formed between the Ni layer 41 and the low-resistance metal layer 42 are provided on the compound semiconductor layer 100 composed of GaN.例文帳に追加

ＧａＮからなる化合物半導体層１００上に形成されたゲート電極１０３において、ＧａＮからなる化合物半導体層１００上でショットキー接合してなるＮｉ層４１と、Ａｕ、Ｃｕ及びＡｌからなる群から選択された１種の金属からなる低抵抗金属層４２と、Ｎｉ層４１と低抵抗金属層４２との間に形成されたＰｄ層４４を設けるようにする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solar cell including a photoelectric conversion layer formed of at least one compound semiconductor consisting of a group Ib element, a group IIIb element and a group VIb element, and an insulating layer formed by anodizing Al, in which degradation of insulating characteristics caused by a crack in the insulating layer can be prevented even when the photoelectric conversion layer is formed at a high temperature exceeding 500°C.例文帳に追加

Ｉｂ族元素、IIIｂ族元素およびVIｂ族元素からなる少なくとも１種の化合物半導体からなる光電変換層、および、Ａｌを陽極酸化してなる絶縁層を有する太陽電池の製造において、光電変換層の成膜を５００℃を超える高温で行っても、絶縁層のクラックに起因する絶縁特性の劣化を防止できる太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

A hard nitride layer is formed on the surface of a steel member, further a ceramic precursor layer containing at least one element selected from a group composed of Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, W, Mo and Al is formed as an upper layer thereof, and the steel member is subjected to quenching so as to form a quenched steel member having an inorganic compound layer including a metal oxide formed thereon.例文帳に追加

鉄鋼部材の表面に硬質窒化物層が形成され、さらにその上層として、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏ及びＡｌからなる群の中から選択される少なくとも１種の元素を含有するセラミック前駆体層を形成し、焼き入れ処理を施すことにより、金属酸化物を含む無機化合物層が形成されたことを特徴とする焼入れ鉄鋼部材。 - 特許庁

The magnesium alloy member 1 includes a rolled plate 2 of a magnesium alloy containing 5.8-10 mass% of Al and having a through hole 2H penetrating from one surface 2A to the other surface 2B, and a resin member 3 mechanically engaged with the rolled plate 2 by extending from a part of the one surface 2A of the rolled plate 2 to a part of the other surface 2B through the through hole 2H.例文帳に追加

Ａｌを５.８〜１０質量％含有するマグネシウム合金の圧延板２であり、その一方の面２Ａから他方の面２Ｂに貫通する貫通孔２Ｈを有する圧延板２と、圧延板２における一方の面２Ａの一部から貫通孔２Ｈを経て他方の面２Ｂの一部に至ることで圧延板２に機械的に係合する樹脂部材３と、を備えるマグネシウム合金部材１である。 - 特許庁

The surface emitting laser element comprises a GaAs layer 16 having a thickness exhibiting a high reflectivity to an oscillation wavelength and formed on an upper DBR mirror 14, and a recess 42 of a depth exhibiting a low reflectivity to the oscillation wavelength at the GaAs layer 16 directly under a position bridged over the extension line of the boundary between an Al oxide layer 32 and an AlAs layer 31 on the GaAs layer 16.例文帳に追加

上部ＤＢＲミラー１４上に、発振波長に対して高い反射率を示す厚みのＧａＡｓ層１６を形成するとともに、そのＧａＡｓ層１６上であってＡｌ酸化層３２とＡｌＡｓ層３１の境界の延長線上をまたいだ位置に、直下のＧａＡｓ層１６が発振波長に対して低い反射率を示す厚みとなるような深さの窪み４２を形成する。 - 特許庁

The IDT electrode is formed by laminated films containing a substrate layer composed of titanium nitride or titanium laminated on the single crystal piezoelectric substrate one by one and an Al layer, and the single crystal piezoelectric substrate is a lithium tantalate substrate with 46° or more rotation Y-X propagation.例文帳に追加

単結晶圧電基板の表面にＩＤＴ電極を備えかつ金属バンプを介してベース基板上にＦＣＢ実装されたＳＡＷ素子を１以上含むＳＡＷ装置で、ＩＤＴ電極は、単結晶圧電基板上に順次積層した窒化チタン又はチタンからなる下地層とＡｌ層とを含む積層膜により形成されかつ、単結晶圧電基板は４６°以上の回転Ｙ‐Ｘ伝搬タンタル酸リチウム基板である。 - 特許庁

Article 37 The JLSC shall notify the name, the address of the office, and other matters provided for by an Ordinance of the Ministry of Justice of the court-appointed contract defense counsels et al. and court-appointed contract attorneys at law for victims to the related courts and local bar associations to which the said counsel and attorneys at law belong with respect to the business provided for in item (iii) of paragraph (1) of Article 30. This shall similarly apply when the name, address and matters are revised. 例文帳に追加

第三十七条　支援センターは、第三十条第一項第三号の業務に関し、国選弁護人等契約弁護士及び被害者参加弁護士契約弁護士の氏名及び事務所の所在地その他法務省令で定める事項を関係する裁判所及び当該弁護士の所属弁護士会に通知しなければならない。これらの事項に変更があったときも、同様とする。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The glass member with the optical multilayer film comprises the optical multilayer film formed on the principal surface of the glass substrate and an adhesion enhancing layer formed between the glass substrate and the optical multilayer film, wherein the adhesion enhancing layer is an oxide film of Si (silicon) or Al (aluminum) which are elements constituting a glass network, and is formed between a transition state and a metal state in reactive sputtering.例文帳に追加

ガラス基板の主表面に光学多層膜が形成され、前記ガラス基板と前記光学多層膜との間に付着力強化層が形成された光学多層膜付きガラス部材であって、付着力強化層は、ガラスネットワークを構成しうる元素であるＳｉ（珪素）もしくはＡｌ（アルミニウム）の酸化物膜であり、反応性スパッタリングにおける遷移状態から金属状態の間で形成されている。 - 特許庁

A method for producing a highly clean steel in a steel production process for producing a cast ingot after pouring a molten steel produced in an arc melting furnace or a converter to a ladle refining furnace, refining, and degassing in a reflux method, includes previous deoxidization by adding a deoxidizer such as Al and Si when pouring the molten steel to the ladle refining furnace before refinement in the ladle refining furnace.例文帳に追加

アーク溶解炉または転炉にて製造された溶鋼を取鍋に移注して精錬し、環流式真空脱ガス装置にて脱ガスを行った後、鋳造した鋳塊を製造する鋼の製造工程において、溶鋼を取鍋に移注する際にＡｌ、Ｓｉ等の脱酸剤を添加することにより取鍋における精錬の前に予め脱酸を行う高清浄度鋼の製造方法である。 - 特許庁

In a producing method of the base material for amorphous iron alloy, the constituting elements in the amorphous alloy and also, oxide of the constituting elements in the amorphous alloy, in which the absolute value of a standard formation free energy is smaller than that of Al2O3, are melted to obtain the base material having ≤50 ppm Al content by removing the formed Al2O3.例文帳に追加

本発明は、鉄基非晶質合金用母材の製造方法であって、前記非晶質合金の構成元素と共に、標準生成自由エネルギーの絶対値がＡｌ_２Ｏ_３より小さい前記非晶質合金の構成元素の酸化物を溶解し、生成するＡｌ_２Ｏ_３を除去してＡｌ含有量が５０ｐｐｍ以下である母材を得る鉄基非晶質合金用母材の製造方法である。 - 特許庁

A hydrophilic member comprising a substrate and a hydrophilic coating film provided on the substrate is provided, wherein the hydrophilic coating film is produced by coating the substrate with an aqueous solution containing (a) a hydrophilic polymer, (b) an alkoxide of a metal selected from the group consisting of Si, Ti, Zr, and Al, and (c) a metal complex catalyst, and heat-drying the solution applied.例文帳に追加

基材上に、a)親水性ポリマー、b) Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌから選択される金属アルコキシド化合物、c)金属錯体触媒を含有する親水性被膜を塗設したことを特徴とし、該基材上に、a)親水性ポリマー、b) 該金属アルコキシド化合物、c)金属錯体触媒を含有する水溶液を塗布し、加熱、乾燥することにより、親水性皮膜を塗設することにより製造することができる。 - 特許庁

Generation of the stretcher strain marks in press molding under severe forming conditions is suppressed by devising temper treatment after the final annealing when the Al-Mg based aluminum alloy sheet consisting of a specific composition containing Mg, Zn is manufactured and making a position of a first proximity peak obtained by analyzing EELS spectrums on a K loss end of Mg to be measured by electronic energy loss spectroscopy of the sheet be within a specific range.例文帳に追加

特定のＭｇ、Ｚｎを含む組成からなるＡｌ−Ｍｇ系アルミニウム合金板製造の際の、最終焼鈍後の調質処理を工夫して、この板の電子エネルギー損失分光法で計測されるＭｇのＫ損失端のＥＥＬＳスペクトルを解析して得られた第一近接ピークの位置が特定範囲内にあるようにして、厳しい成形条件でのプレス成形時のストレッチャーストレインマークの発生を抑制する。 - 特許庁

The multiple oxide fine particles contain Ti, one or more kinds of metal elements selected from the element group L comprising Sb and Bi, and one or more kinds of metal elements selected from the element group M comprising Al, Zr, Zn, Sn, Ca and Mg.例文帳に追加

Ｔｉ、下記元素群Ｌから選ばれる少なくとも１種類以上の金属元素、及び下記元素群Ｍから選ばれる少なくとも１種類以上の金属元素を含有する複合酸化物微粒子であり、含有する金属元素中の元素群Ｌのモル比［Ｌ］／［Ｔｉ＋Ｌ＋Ｍ］が０．０１〜０．２であり、かつ含有する金属元素中の元素群Ｌと元素群Ｍの合計のモル比［Ｌ＋Ｍ］／［Ｔｉ＋Ｌ＋Ｍ］が０．０１〜０．５の範囲である複合酸化物微粒子。 - 特許庁

In the module structure formed, by integrating the ceramics circuit board into the heat sink via the brazing material, the heat sink consists of an aluminum alloy having a Vickers hardness of 30 HV or more, after being heat-treated at 630°C for four minutes, and a metal layer principally comprising an Al is preferably interposed between the ceramics circuit board and the heat sink.例文帳に追加

セラミックス回路基板をろう材を介してヒートシンクに一体化してなるモジュール構造体であって、前記ヒートシンクが６３０℃、４分の加熱処理後のビッカース硬さが３０ＨＶ以上であるアルミニウム合金からなることを特徴とするモジュール構造体であり、好ましくは、セラミックス回路基板とヒートシンクとの間にＡｌを主成分とする金属層が介在してなることを特徴とする前記モジュール構造体。 - 特許庁

The surface treated galvanized steel sheet has a first film layer formed of a water based composition containing at least one kind selected from the phosphates, carbonates, nitrates, acetates, hydroxides and fluorides of Mg, Mn or Al, and an organic acid capable of coordination to a bivalent or higher metallic ion, and an organic film layer formed from an epoxy resin and a glycol urea resin on the first film layer.例文帳に追加

Ｍｇ、ＭｎまたはＡｌのリン酸塩、炭酸塩、硝酸塩、酢酸塩、水酸化物およびフッ化物の金属化合物の少なくとも１種と、２価以上の金属イオンに配位可能な有機酸とを含む水性組成物から形成された第一皮膜層と、該第一皮膜層上にエポキシ樹脂およびグリコールウリル樹脂から形成された有機皮膜層とを有する表面処理亜鉛系めっき鋼板。 - 特許庁

The manufacturing method of a light olefin and/or a monocyclic aromatic compound comprises carrying out a catalytic cracking reaction by bringing a hydrocarbon raw material into contact with a catalyst in the presence of steam in a moving bed reactor, where pentasil zeolite having an Si/Al atomic ratio smaller than 50 and containing a rare earth element is used as the catalyst.例文帳に追加

移動床反応器を用いて、水蒸気の存在下、炭化水素原料を触媒に接触させて接触分解反応を行い、軽質オレフィン及び／又は単環芳香族化合物を製造する方法であって、該触媒として、Ｓｉ／Ａｌ原子比が５０より小さく、かつ希土類元素を含有するペンタシル型ゼオライトを用いることを特徴とする軽質オレフィン及び／又は単環芳香族化合物の製造方法。 - 特許庁

The ceramic support member 3 for supporting a dielectric resonator is made of an alumina sintered body containing alumina in an amount of not less than 99.3 mass%, and Si and Sr, comprising alumina crystal grains as the major crystal grains and a crystal phase of a compound containing Si, Al, Sr and oxygen elements present on the grain boundaries of the alumina crystal grains.例文帳に追加

誘電体共振子を支持するために用いられる支持部材であって、アルミナを９９．３質量％以上含有し、ＳｉおよびＳｒを含有するとともに、アルミナ結晶粒子を主結晶粒子としてなり、前記アルミナ結晶粒子の粒界にＳｉ、Ａｌ、Ｓｒおよび酸素元素を含有する化合物の結晶相が存在するアルミナ質焼結体を支持部としたことを特徴とするセラミック支持部材３とする。 - 特許庁

The flexible laminate 101 includes a base film 1, an intermediate layer 2 laminated on the base film 1, an electrically conductive layer 3 laminated on the intermediate layer 2, wherein the intermediate layer 2 contains nitrogen together with one sort or two sorts or more of elements chosen from among Mo, Cr, Ni, Si, Fe, and Al.例文帳に追加

ベースフィルム１と、このベースフィルム１上に積層された中間層２と、この中間層２上に積層された導電層３と、を備えたフレキシブル積層板１０１であって、前記中間層２は、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｆｅ，およびＡｌから選択される１種または２種以上の元素を含有するとともに、窒素を含んでいることを特徴とするフレキシブル積層板１０１を用いることにより、上記課題を解決できる。 - 特許庁

The solder paste includes a solder alloy and flux, and, provided that the total content of the solder paste is defined as 100 mass%, the solder alloy comprises ≥0.2 and <1.5 mass% Sn, and further comprises 0.03 to 7.00 mass% Zn and/or 0.03 to 0.70 mass% Al, and the balance Bi with inevitably included impurities.例文帳に追加

はんだ合金とフラックスとを含んだはんだペーストであって、該はんだ合金はその合計を１００質量％としたとき、Ｓｎを０.２質量％以上１.５質量％未満含有するとともに、Ｚｎを０.０３質量％以上７.００質量％以下および／またはＡｌを０.０３質量％以上０.７０質量％以下含有し、残部が不可避的に含まれる不純物を除いてＢｉからなる。 - 特許庁

The stain-resistant film comprises a substrate and an organic-inorganic composite layer having a crosslinking structure formed by hydrolysis and condensation polymerization of an alkoxide of an element selected from Si, Ti, Zr and Al in a graft polymer layer composed of a graft polymer chain directly bonded to the surface of the substrate and is obtained by subjecting the surface of the organic-inorganic composite layer to water-repellent and oil-repellent treatment.例文帳に追加

本発明の防汚性フィルムは、支持体と、該支持体表面に直接結合したグラフトポリマー鎖からなるグラフトポリマー層中に、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌから選択される元素のアルコキシドの加水分解及び縮重合により形成された架橋構造を含んでなる有機−無機複合層と、を備え、該有機−無機複合層表面に撥水撥油処理を施してなることを特徴とする。 - 特許庁

In manufacturing the group III-V compound semiconductor light emitting device on a side wall of the ridge, having a ridge and a current block layer formed sandwiching the ridge, and including a layer having a larger Al ratio than that of the layer forming a bottom face of both sides of the ridge, the current block layer is made to grow under a condition of 650°C or below by a vapor deposition method.例文帳に追加

リッジと、リッジを挟んで形成された電流ブロック層とを有し、かつリッジの側壁に、Ａｌ混晶比が前記リッジの両側の底面を形成する層のＡｌ混晶比よりも大きい層を含むIII−Ｖ族化合物半導体発光素子を製造するにあたり、電流ブロック層を６５０℃以下の条件でかつ気相成長法により成長させるIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法。 - 特許庁

This radiogram conversion panel having on a support, a phosphor layer containing at least one layer of phosphor particles is characterized by containing amorphous AOx particles (A is at least one kind selected from Si, Ti, Al, Zr, transition elements and rare earth elements) whose ratio occupying in the phosphor particles is 0.0005-1.0 wt.%.例文帳に追加

支持体上に、少なくとも１層の蛍光体粒子を含有する蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、不定形ＡＯｘ粒子（Ａは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、遷移元素及び希土類元素から選ばれる少なくとも１種）を含有し、該蛍光体粒子に占める該不定形ＡＯｘ粒子の比率が、０．０００５〜１．０質量％であることを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁

This method for producing the ferrite magnetic material having a hexagonal W-type ferrite as a main phase comprises a forming process for making a formed body containing a main ingredient and the first accessory ingredient comprising one, two or more selected from the ingredients of Ga, Al, W, Ce, Mo and Cr and a firing process for firing the resultant formed body.例文帳に追加

六方晶Ｗ型フェライトが主相をなすフェライト磁性材料の製造方法であって、主成分とＧａ成分、Ａｌ成分、Ｗ成分、Ｃｅ成分、Ｍｏ成分及びＣｒ成分から選択される１種又は２種以上からなる第１副成分を含む成形体を作製する成形工程と、成形体を焼成する焼成工程と、を備えることを特徴とするフェライト磁性材料の製造方法。 - 特許庁

An electrode is provided on an N-type conductivity nitride semiconductor for the formation of a nitride semiconductor device, where the electrode is of a four-layered structure composed of a first W-containing layer, a second Al-containing layer, a third Pt-containing layer, and a fourth Au or Pt-containing layer, and the electrode is connected electrically through the fourth layer.例文帳に追加

ｎ型導電性を有する窒化物半導体上に、電極が設けられた窒化物半導体素子であって、前記電極が、Ｗを有する第１の層、該第１の層の上にＡｌを有する第２の層、該第２の層の上にＰｔを有する第３の層、該第３の層の上にＡｕ若しくはＰｔを有する第４の層であると共に、該第４の層でもって前記電極が電気的に接続されることを特徴とする。 - 特許庁

The titanium alloy contains Ti as the principal component, 3 to 11 mass% (the entire being 100 mass%) molybdenum equivalent (Moeq), and 0.3 to 3 mass% interstitial solute element comprising a least one member selected from among O, N, and C and contains 1.8 mass% or smaller aluminum (Al) and takes a βsingle phase at at least room temperature.例文帳に追加

本発明のチタン合金は、全体を１００質量％としたときに主成分であるＴｉと、モリブデン当量（Ｍｏｅｑ）を３〜１１質量％とする合金元素を一種以上と、０．３〜３質量％の、Ｏ、ＮまたはＣの一種以上からなる侵入型固溶元素とを含有すると共に、アルミニウム（Ａｌ）は１．８質量％以下であり、少なくとも室温でβ単相であることを特徴とする。 - 特許庁

The composition contains respective elements of at least either of Ca and Sr, Ti, Al, at least either of Nb and Ta, and O.例文帳に追加

Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方と、Ｔｉと、Ａｌと、Ｎｂ及びＴａの少なくとも一方と、Ｏとの各元素を含有し、これらの元素について、組成式［ａＭ^１Ｏ−ｂＴｉＯ_２−（１／２）ｃＡｌ_２Ｏ_３−（１／２）ｄＭ^２_２Ｏ_５］（但し、Ｍ^１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ^２はＮｂ及び／又はＴａであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、且つ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である）と表した場合に下記条件を満たす。 - 特許庁

This semiconductor device 100 is provided with: a semiconductor chip 102; AlCu pads 107 formed on the semiconductor chip 102, containing Al as a main constituent and further containing Cu; and CuP wires 111 being connection members connecting inner leads 117 arranged in the outside of the semiconductor chip 102 to the semiconductor chip 102, and mainly containing Cu; and is sealed by a sealing resin 115 substantially without containing halogen.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体チップ１０２、半導体チップ１０２に設けられ、Ａｌを主成分としＣｕをさらに含むＡｌＣｕパッド１０７、および、半導体チップ１０２の外部に設けられたインナーリード１１７と半導体チップ１０２とを接続するとともに、Ｃｕを主として含む接続部材であるＣｕＰワイヤ１１１を備え、実質的にハロゲンを含まない封止樹脂１１５により封止されている。 - 特許庁

The method of preestimating the catalytic activity of the Ga-Al type denitration catalyst to be used in a reaction of converting a nitrogen oxide into nitrogen and water by way of causing a hydrocarbon as a reducing agent to react with the nitrogen oxide includes a process of measuring the amount of hydrogen consumed per mole of Ga upon reducing the denitration catalyst in a hydrogen-containing atmosphere.例文帳に追加

窒素酸化物に炭化水素を還元剤として作用させることによって、当該窒素酸化物を窒素及び水に変換する反応に用いるためのＧａ−Ａｌ系脱硝触媒の触媒活性を予測する方法であって、前記脱硝触媒を水素含有雰囲気において還元した際のＧａ１ｍｏｌ当たりの水素消費量を測定する工程、を備えた、脱硝触媒の触媒活性の予測方法。 - 特許庁

Powder of the lithium manganese complex oxide expressed by general formula, LiMn_1-xMe_xO_2 (Me expresses at least one or more kinds selected from transition metals and Al), having ≥0.1 μm to ≤0.5 μm average particle diameter of powder particles and existing as a single particle without forming agglomerate constitutes the lithium secondary battery as the positive pole active material.例文帳に追加

組成式ＬｉＭｎ_1-xＭｅ_xＯ_2（Ｍｅは遷移金属およびＡｌから選ばれる１種以上、０．２≦ｘ＜０．７）で表されるリチウムマンガン複合酸化物であって、粉末状をなし、該粉末を構成する粉末粒子の平均粒径が０．１μｍ以上０．５μｍ以下であり、該粉末粒子が凝集塊を形成せずにそれらの殆どが単独で存在するものを正極活物質としてリチウム二次電池を構成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nitride semiconductor element by which a magnesium activation rate after annealing is made equal to or larger than a predetermined value irrespective of the Al composition of a p-type nitride semiconductor layer and the concentration of remaining hydrogen by forming the p-type nitride semiconductor layer by performing doping with magnesium and carbon such that the concentration ratio between magnesium and carbon in the layer reaches a predetermined concentration ratio.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層を、マグネシウムおよび炭素を、それらマグネシウムと炭素の層中の濃度比が所定の濃度比になるようにドープすることによって形成することにより、ｐ型窒化物半導体層のＡｌ組成や残留する水素濃度にかかわらず、アニール後のマグネシウム活性化率を所定値以上とすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The organic electroluminescent element is equipped with a cathode, an anode and an organic film formed between the cathode and the anode, and the cathode includes a first cathode having aluminum (Al) and a second cathode having a metal with a work function of 3.5 to 5.0 eV and a metal carboxylic acid represented as chemical formula 1 and adjacent with the organic film positioned at a lower part of the first cathode.例文帳に追加

カソード、アノード及び前記カソードとアノードとの間に形成された有機膜を備える有機電子発光素子であって、前記カソードが、アルミニウム（Ａｌ）を含む第１カソードと、前記第１カソードの下部に位置して有機膜と隣接しており、仕事関数が３．５〜５．０ｅＶである金属及び化学式１で表わされる金属カルボン酸を含む第２カソードと、を含むことを特徴とする有機電子発光素子。 - 特許庁

In a flame sensor that uses a photodetector constituted of an Al-Ga-N based semiconductor material and detects light emitted by a flame, a film for preventing the reflection of light in an ultraviolet-ray region is provided at a side where the light enters in a photodetector PS, and the photodetector PS with the reflection prevention film is provided in a sealing member C for airtightly sealing against the outside.例文帳に追加

火炎から発する光をＡｌ−Ｇａ−Ｎ系の半導体材料で構成される受光素子を用いて検出するように構成された火炎センサにおいて、受光素子ＰＳにおける入光側に、紫外線領域の光の反射を防止する反射防止膜が備えられ、その反射防止膜を備えた受光素子ＰＳが、外部に対して気密状に封止する封止部材Ｃ内に設けられている。 - 特許庁

To prevent the bite between a sintered article and a graphite forming die, to reduce the cost, and to manufacture a Ti-Al intermetallic compound of excellent quality by suppressing the coarsening of grains, suppressing generation of cavities to obtain a dense structure over the whole, performing the compacting and the sintering, and using an appropriate releasing agent in manufacturing a long article such as a piston pin by impressing energizing pulse.例文帳に追加

パルス通電加圧により、特にピストンピンのような長尺体を製造する際に、結晶粒の粗大化を抑制し、空孔の発生を抑え、全体に亘って緻密な組織を得るものであり、圧粉と焼結を連続して行うことができるようにし、さらに適切な離型剤を使用することにより、焼結品と成形用黒鉛型との食いつきを防止してコスト低減と高品質のTｉ−Ａｌ金属間化合物を製造する。 - 特許庁

An electric double-layer capacitor electrode is an electrode for a secondary battery that contains an aluminum porous sintered compact, and a polarizable electrode material and a bonding agent in the hole of the aluminum porous sintered compact, such that the aluminum porous sintered compact has metal frames of a 3D network structure, that there is a hole between the metal frames and that an Al-Ti compound is dispersed in the metal frames.例文帳に追加

アルミニウム多孔質焼結体と、前記アルミニウム多孔質焼結体の空孔内に分極性電極材料および結合剤を含む二次電池用電極であって、前記アルミニウム多孔質焼結体が、三次元網目構造の金属骨格を有し、前記金属骨格間に空孔を有し、かつ前記金属骨格にＡｌ−Ｔｉ化合物が分散していることを特徴とする、電気二重層型キャパシタ用電極である。 - 特許庁

In an insulator with forsterite and cordierite as the main crystalline phases, the surface and/or the inside of the insulator is provided with a metallized layer containing tungsten and/or molybdenum in 50-99.5vol.% and containing at least one sort of Al, Si and alkaline earth metal in 0.5-50vol.% by oxide conversion and particularly, it is preferable that the metallized layer contains alumina.例文帳に追加

フォルステライト及びコーディエライトを主結晶相とする絶縁体に対し、前記絶縁体の表面及び／又は内部に、タングステン及び／又はモリブデンを５０〜９９．５体積％含有すると共に、Ａｌ、Ｓｉ、アルカリ土類金属のうち少なくとも１種を酸化物換算で０．５〜５０体積％の割合で含有してなるメタライズ層を具備することを特徴とするものであり、特に、前記メタライズ層に、アルミナを含有することが好ましい。 - 特許庁

This drinking water for pet is obtained by adding a proper amount of a natural mineral active wave motion water containing P, Se, Mo, Sb, Zn, Ni, Co, Sn, B, Mn, Fe, Cr, Mg, Si, V, Be, Cu, Ti, Zr, Al, Sr, Ca, Ba, Na, K, Li and Rb extracted from a soil precursor, to natural water.例文帳に追加

天然水に土壌前駆物質より抽出したリン（Ｐ），セレン（Ｓｅ），モリブデン（Ｍｏ），アンチモン（Ｓｂ），亜鉛（Ｚｎ），ニッケル（Ｎｉ），コバルト（Ｃｏ），スズ（Ｓｎ），ホウソ（Ｂ），マンガン（Ｍｎ），鉄（Ｆｅ），クロム（Ｃｒ），マグネシウム（Ｍｇ），ケイ素（Ｓｉ），バナジウム（Ｖ），ベリウム（Ｂｅ），銅（Ｃｕ），チタン（Ｔｉ），ジルコニウム（Ｚｒ），アルミニウム（Ａｌ），ストロンチウム（Ｓｒ），カルシウム（Ｃａ），バリウム（Ｂａ），ナトリウム（Ｎａ），カリウム（Ｋ），リチウム（Ｌｉ），リビシウム（Ｒｂ）を含む自然ミネラル活性波動水を適量混合したことを特徴とする。 - 特許庁

In the support of a lithographic printing plate having a hydrophilic surface including hydrophilic graft chains and a crosslinked structure formed through the hydrolysis and condensation polymerization of the alkoxide of a metal selected from the group consisting of Si, Ti, Zr and Al on the surface of a base material, the hydrophilic surface includes a hydrophilic graft polymer, which is a copolymer between a macromer having a hydrophilic functional group and a structural unit having a silane coupling group.例文帳に追加

基材表面に、親水性グラフト鎖を有し、且つ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌから選択される金属アルコキシドの加水分解、縮重合により形成された架橋構造を有する親水表面を有する平版印刷版用支持体であって、該親水性表面が、親水性の官能基を有するマクロマーとシランカップリング基を有する構造単位との共重合体である親水性グラフトポリマーを含有することを特徴とする。 - 特許庁

In a p-type GaN semiconductor thin-film electrode for ohmic contact including a first electrode layer and a second electrode layer laminated in order on a p-type GaN semiconductor layer, the first electrode layer may include a Ni, Cu or Co-based alloy or solid solution which can form p-type thermoelectric oxide, or Ni oxide in which at least any one component selected from Al, Ga and In is doped.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ半導体層上に順次に積層された第１電極層および第２電極層を含むｐ型ＧａＮ半導体のオーム接触用薄膜電極の、前記第１電極層は、ｐ型熱電酸化物を形成できるＮｉ、ＣｕもしくはＣｏ系の合金または固溶体を含むか、またはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうち選択された少なくとも何れか一つの成分がドーピングされたＮｉ酸化物を含みうる。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor wafer 1; an Al-Si metal layer 2 which is patterned on the wafer 1 and provides a plurality of concaves 9 on the top surface; an oxide film 11 which is formed at the section to which the layer 2 and the wafer 1 are exposed; and Ni plated film 3 and Au plated film 4 which are formed to fill the concaves 9 through the film 11 on the layer 2.例文帳に追加

半導体ウエハ１と、半導体ウエハ１上にパターンニングして形成され最表面に複数の凹部９が形成されたＡｌ−Ｓｉ金属層２と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上と半導体ウエハ１が露出した箇所上に形成された酸化膜１１と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上に酸化膜１１を介して各凹部９を埋め込むように形成されたＮｉめっき膜３およびＡｕめっき膜４とを備える。 - 特許庁

Particles of a polymer compsn. in which 10-90 wt.% polyurethane and 90-10 wt.% vinyl polymer, based on the total amt. of these, coexist are dispersed in an aq. medium to obtain the objective coating agent for an Al-Zn alloy plated steel sheet.例文帳に追加

粒子内にポリウレタンとビニル重合体とが共存している高分子組成物粒子が水性媒体中に分散しており、かつ前記高分子組成物はポリウレタンとビニル重合体の合計量を基準にしてポリウレタンが１０〜９０重量％およびビニル重合体が９０〜１０重量％の割合で共存しているものであることを特徴とするアルミニウム−亜鉛合金めっき鋼板用被覆剤およびそれにより被覆されたアルミニウム−亜鉛合金めっき鋼板。 - 特許庁

A display device includes wiring including a first layer containing a thermoresistant conductive material and a second layer containing Al and Nd in a terminal portion of an active matrix substrate used for the display device, and a transparent conductive film electrically connected to the wiring, wherein the transparent conductive film is electrically connected through an anisotropical conductive material to a circuit provided on a substrate different from the active matrix substrate.例文帳に追加

表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板の端子部において、耐熱性導電性材料を含有する第１の層と、Ａｌ及びＮｄを含有する第２の層と、を含む配線と、前記配線に電気的に接続された透明導電膜と、を有し、前記透明導電膜は、異方性導電材を介して、前記アクティブマトリクス基板とは異なる基板に設けられた回路に電気的に接続されていることを特徴とする。 - 特許庁

In the composition control and fining method of the inclusions in the steel by adding Mg into the molten steel after refining and thereafter, adding Al, further into the molten steel after refining, before adding Mg, one or more kinds of Si, Mn and Ti or/and one or more kinds of particles of manganese oxide, silicon oxide and titanium oxide, are mixed.例文帳に追加

精錬後の溶鋼中へＭｇを添加し、その後にＡｌを添加することを特徴とする鋼中の介在物の組成制御および微細化方法であり、更にＭｇ添加前の精錬後の溶鋼中にＳｉ、Ｍｎ、Ｔｉの1種または２種以上あるいは／およびマンガン酸化物、シリコン酸化物、チタン酸化物の１または２種以上の粒子を混入させることを特徴とする鋼中の介在物の組成制御および微細化方法である。 - 特許庁