「Cell Line」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent an initial threshold voltage of a memory cell arranged nearby a bit line contact part from rising by suppressing an influence of ultraviolet rays generated during contact hole formation with respect to an MONOS type memory.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型メモリにおいて、コンタクトホール形成時に発生する紫外線の影響を抑制し、ビット線コンタクト部近傍に配置されるメモリセルの初期しきい値電圧の上昇を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which influence by source line diffusion resistance of a memory cell array can be suppressed, variation of thresholds caused by variation of power source voltage or the like can be suppressed, and read-out error can be prevented.例文帳に追加

メモリセルアレイのソース線拡散抵抗による影響を抑制でき、電源電圧などの変動によるしきい値の変動を抑制でき、読み出しエラーを防止できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Moreover, the fluid flowing a heating line L4 is heated by the sensible heat of the stored water in the hot water storage tanks 15A, 15B and 15C by the second heat exchanger 18, even when the operation of the small-sized fuel cell 11 is stopped.例文帳に追加

さらに、燃料電池１１小型の運転を停止させても、第２熱交換器１８により、貯湯タンク１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃの貯水の顕熱で暖房ラインＬ４を流れる流体を加熱する。 - 特許庁

The connection condition is precisely inspected even when a micro disconnection exists in the battery voltage detecting line, because of using the voltage value when the resistance is connected in parallel to the unit cell to make the electric current flow.例文帳に追加

電池電圧検出線に微小断線があっても、単電池と並列に抵抗を接続し電流を流したときの電圧値を用いるので、精度よく接続状態の検査が可能である。 - 特許庁

Circulation regulating device 27a, 28a are installed which regulate fluid flowing into and flowing out of the gas line L of the fuel cell stack S through the supply side connecting tube passage 27 and the exhaust side connecting tube passage 28.例文帳に追加

供給側接続管路２７、排出側接続管路２８を通じた燃料電池スタックＳのガスラインＬへの流体の出入りを規制する流通規制装置２７ａ，２８ａを設ける。 - 特許庁

To provide technique by which an access time is shortened in write-in operation preventing destruction of data stored in a non-selection memory cell connected to a selecting word line, in write-in operation of a DRAM.例文帳に追加

ＤＲＡＭの書き込み動作において、選択ワード線に接続されている非選択メモリセルに記憶されたデータの破壊を防止しながら、書き込み動作におけるアクセス時間を短縮する技術を提供する。 - 特許庁

When the zoom position is not located on a vertical center line of the index 13, the cursors 14 and 15 are displayed on the index 13 by arranging fonts 31 and 36 in a display cell including the zoom position.例文帳に追加

ズーム位置がインデックス１３の縦中心線上に位置しないときは、ズーム位置を含む表示セルにフォント３１，３６を配置することにより、カーソル１４，１５をインデックス１３上に表示させる。 - 特許庁

To provide a laser scribing device determining whether a laminated film of a solar cell substrate has been patterned to a predetermined pattern even in a production line with a reliable and simple structure.例文帳に追加

太陽電池基板の積層膜を所定パターンにパターニングできたかどうかを、ライン工程においても確実かつ簡単な構造で判定することができる、レーザースクライブ装置を提供することにある。 - 特許庁

There is provided a method for detecting a serotonin 6 receptor ligand in high efficiency by using a cell line stably expressing HA-5-HT_6R.例文帳に追加

本発明は、セロトニン6受容体リガンドの高効率検出方法に関するもので、HA-5-HT_6Rを安定的に発現する細胞株を使用したセロトニン6受容体リガンドの高効率検出方法に関するものである。 - 特許庁

To enable high speed read-out by suppressing variation of wiring capacitance of main bit lines in a memory cell array of a hierarchical bit line system in which a plurality of sub-arrays of a virtual grounding conductor system are arranged in the column direction.例文帳に追加

列方向に仮想接地線方式のサブアレイを複数配列した階層ビット線方式のメモリセルアレイにおいて、主ビット線の配線容量のばらつきを抑えて高速読み出しを可能とする。 - 特許庁

The device includes a switch which is provided at a bit line between a memory cell and a sense amplifier and of which the conductivity varies continuously and freely, and a switch control circuit varying conductivity of the switch in accordance with an access request signal.例文帳に追加

メモリセルとセンスアンプとの間のビット線に設けられて、導通度が連続的に変化自在なスイッチと、アクセス要求信号に応じて該スイッチの導通度を変化せしめるスイッチ制御回路とを含む。 - 特許庁

In constitution having regular bit lines (BL, /BL) and refresh bit lines (RBL, /RBL), a memory cell MC is constituted of four transistors and two capacitors, complementary data is read out always to a pair of bit line.例文帳に追加

正規ビット線（ＢＬ，／ＢＬ）とリフレッシュビット線（ＲＢＬ，／ＲＢＬ）を有する構成において、メモリセルＭＣを、４トランジスタ／２キャパシタで構成し、対をなすビット線に、常に相補データが読出されるように構成する。 - 特許庁

The hydrogen gas supply pipe 22 has an extra pipe portion 30 1-2 meters longer than a shortest pipe line ranging from the depressurizing valve 23 to the fuel cell stack 10.例文帳に追加

この水素ガス供給配管２２は、減圧弁２３から燃料電池スタック１０までの最短配管経路よりも１ないし２メートル程度長くなるように余剰配管部３０を有している。 - 特許庁

Provided are monoclonal antibodies that specifically recognize the dihydropyrimidine dehydrogenase, especially human dihydropyrimidine dehydrogenase, a hybridoma cell line useful in formation of the antibodies and an assay system using the antibodies.例文帳に追加

本発明は、ジヒドロピリミジンデヒドロゲナーゼ、特にはヒトジヒドロピリミジンデヒドロゲナーゼを特異的に認識するモノクローナル抗体、該抗体の生成に有用なハイブリドーマ細胞系及び該抗体を用いるアッセイ系を提供する。 - 特許庁

Therefore, when this sector is selected conforming to sector selecting signals VD1, VS1, a current I is made to flow to bit lines BL1-5 through the memory cell MC connected to this word line WL2.例文帳に追加

従って、セクタ選択信号ＶＤ１、ＶＳ１に従ってこのセクタが選択されたときは、ビット線ＢＬ１−５に対し、このワード線ＷＬ２に接続されるメモリセルＭＣを介して電流Ｉが流れる。 - 特許庁

In this case, the voltage control circuit 11 supplies a voltage different from the voltage level applied during the ordinary read operation to the word line connected to the control gate of the memory cell of the memory circuit 9.例文帳に追加

この際、電圧制御部１１が、メモリ部９のメモリセルの制御ゲートに接続されるワードラインに対し、通常の読み出し動作時に印加する電圧レベルとは異なる電圧を供給する。 - 特許庁

The redox flow battery system is equipped with a main cell 1 conducting charge and discharge through an outside power line by circulating a positive electrolyte and a negative electrolyte.例文帳に追加

正極及び負極電解液が循環供給され、外部電力系統との間で充放電を行う主セル1と、この主セル1に接続されるモニタセル2pとを具えるレドックスフロー電池システムである。 - 特許庁

Since data can be written or readout without switching the potential of the cell plate line between the ground potential and the power supply potential, data can be protected without requiring any flash operation.例文帳に追加

セルプレート線ＰＬの電位を接地電池と電源電位との間で切り換えなくてもデータの書き込みや読み出しが可能となり、リフレッシュ動作を行なわなくてもデータの破壊を防止することができる。 - 特許庁

The voltage detection block 4 is furnished with a multiplexor 10, an A/D converter 11 and a sub MPU 12, detects cell voltage or unit voltage and outputs it to the main MPU 6 through a communication line 8.例文帳に追加

電圧検出ブロック４は、マルチプレクサ１０とＡ／Ｄコンバータ１１とサブＭＰＵ１２とを備え、セル電圧またはユニット電圧を検出して、通信回線８を介してメインＭＰＵ６に出力する。 - 特許庁

In this case, the reflecting electrodes 13 are each electrically connected to the common electrode 3 so that the axial center direction of each solar cell element 10 becomes a normal line direction of the upper surface 3a of the common electrode 3.例文帳に追加

このとき、各太陽電池素子１０の軸心方向が共通電極３の上面３ａの法線方向になるように、各反射電極１３を共通電極３に電気的に接続した。 - 特許庁

A main decoder 35 decodes the predecoded row address DRAij in response to the activation of the enable signal PNBLS to activate a word line enable signal NWEi for a corresponding memory cell among a plurality of memory cells.例文帳に追加

メインデコーダ３５は、イネーブル信号PNBLSの活性化に応答し、プリデコードされたローアドレスDRAijをデコーディングして複数個のメモリセルのうち対応するメモリセルに対するワードラインイネーブル信号NWEiを活性化させる。 - 特許庁

The charge amount in the capacitor is recognized by changing the potential of the readout word line; when the charge amount is smaller than the reference, the memory cell is refreshed.例文帳に追加

そして、容量素子に蓄えられた電荷量を、読み出しワード線の電位を変化させることにより確認し、基準以上に電荷量が減少している場合にはメモリセルのリフレッシュをおこなう。 - 特許庁

The semiconductor device is divided into a peripheral circuit region having a fuse region and a cell region where a lower structure is formed with a transistor and a capacitor formed on a bit line.例文帳に追加

前記半導体装置はヒューズ領域を有する周辺回路領域と、トランジスター及びビットライン上に形成されたキャパシターを有する下部構造物が形成されたセル領域とに仕分けられる。 - 特許庁

An external clock synchronous SRAM 1 concerning one of embodiment is equipped with an SRAM cell 11, a global digit line 12, a global precharge circuit 16, a D latch 14, and a global precharge control circuit 17.例文帳に追加

一つの実施形態に係る外部クロック同期ＳＲＡＭ１は、ＳＲＡＭセル１１と、グローバルディジット線１２と、グローバルプリチャージ回路１６と、Ｄラッチ１４と、グローバルプリチャージ制御回路１７を備えている。 - 特許庁

This cover gas supply system 1 has a dimethyl ether supply means 2 for supplying dimethyl ether to a fuel-supply line 21 supplying fuel to a high temperature fuel cell power generator 20.例文帳に追加

カバーガス供給システム１は、高温形燃料電池発電装置２０に燃料を供給する燃料供給ライン２１に、ジメチルエーテルを供給するためのジメチルエーテル供給手段２を有する。 - 特許庁

The manual valve 15 is opened and hydrogen is supplied to the fuel cell 5 through the anode bypass line 11 when sufficient electric power can not be supplied to the electromotive compressor 19 at the start due to insufficiency of capacity of a battery 33.例文帳に追加

バッテリ３３の容量が不足して起動時の電動コンプレッサ１９駆動電力が賄えないとき、手動弁１５を開いて、アノードバイパスライン１１経由で燃料電池５に水素を供給する。 - 特許庁

Responding to the masking control signal, the column decoder decodes the column address signal and enables or disables a column selection line corresponding to a column address signal decoded in the memory cell array.例文帳に追加

カラムデコーダは、マスキング制御信号に応答して、カラムアドレス信号をデコーディングしてメモリセルアレイでデコーディングされたカラムアドレス信号に対応するカラム選択ラインをイネーブルさせるか、またはディセーブルさせる。 - 特許庁

By driving an air compressor 11, air can be supplied to the anode inside the fuel cell stack 1 through a hydrogen system substitution air supply line 6, a tube passage 23, and the tube passage 20.例文帳に追加

エアコンプレッサ１１を駆動させることにより、水素系置換用空気供給ライン６、管路２３、管路２０を経由して、燃料電池スタック１内部のアノードに空気を供給することができる。 - 特許庁

When the solenoid on-off valve 320 is opened, hydrogen gas is supplied to the fuel cell 30 by a line from a hydrogen gas passage 210 via an auxiliary passage 310 and an orifice 330.例文帳に追加

電磁開閉弁３２０が開放されると、水素ガス流路２１０から補助流路３１０及びオリフィス３３０を経由する経路で、燃料電池３０に対して水素ガスが供給される。 - 特許庁

A capacitor dielectric film 15 is formed selectively on a storage node 14, and cell plate 16 which is concurrently is formed in bit line units on a semiconductor substrate 10 containing the capacitor dielectric film 15.例文帳に追加

ストレージノード１４上にキャパシタ誘電体膜１５が選択的に形成され、キャパシタ誘電体膜１５を含む半導体基板１０上にビット線兼用セルプレート１６がビット線単位に形成される。 - 特許庁

To provide a fuel cell stack capable of surely absorbing the dimensional change of a sealing material of an external manifold, and allowing a fixing position of the external manifold to be easily adjusted in line with the height of a layered product.例文帳に追加

外部マニホールドのシール材の寸法変化を確実に吸収できるとともに、積層体の高さに合わせて、外部マニホールドの固定位置を容易に調整可能な燃料電池スタックを提供する。 - 特許庁

The semiconductor memory is provided with an isolation part for isolating a bit line BL in a 1st area including a memory cell formed of a thick film transistor and a 2nd area including a sense amplifier formed of a thin film transistor.例文帳に追加

ビット線ＢＬを厚膜トランジスタで構成されるメモリセルを有する第１の領域と、薄膜トランジスタで構成されるセンスアンプを有する第２の領域に分離する分離部を設ける。 - 特許庁

First to third bit line clamping circuits 371 to 373 are respectively coupled to the bit lines and the reference bit lines and pass prescribed currents to the reference bit lines in accordance with selected magnetic memory cell data.例文帳に追加

第１乃至第３ビットラインクランピング回路３７１〜３７３は、ビットラインと基準ビットラインに各々連結され、選択された磁気メモリセルデータに従って所定の電流をビットラインと基準ビットラインに流す。 - 特許庁

In access to a memory cell , when the column decoder 4 selects a word line WL, the column decoder turns on the transfer gates G1, G2 after keeping the transfer gates G1, G2 in off-states for a prescribed time.例文帳に追加

カラムデコーダ４は、メモリセルＭＣへのアクセスにおいて、ワード線ＷＬの選択の際、トランスファゲートＧ１、Ｇ２を所定時間オフ状態に維持した後、トランスファゲートＧ１、Ｇ２をオン状態にする。 - 特許庁

A positioning hole 23 of a first separator 20, a round portion 16a of a positioning hole 16 of a resin frame 14, and a positioning hole 27 of a second separator 24 of a fuel cell are arranged so as to be a coaxial line.例文帳に追加

燃料電池の第１セパレータ２０の位置決め穴２３、樹脂フレーム１４の位置決め穴１６の円形部分１６ａ、第２セパレータ２４の位置決め穴２７は、同軸となるように配置されている。 - 特許庁

Provided is a cell line secreting a glucokinase and a glucose carrier at levels comparable with those of normal beta cells but which is, in addition, incapable of IGF-II secretion-dependent proliferation because of genetic manipulation.例文帳に追加

グルキナーゼおよびグルコースキャリアを正常のβ細胞のそれに匹敵するレベルに分泌するが、更に遺伝子操作によってＩＧＦ−II分泌依存増殖性をもたない細胞系を提供する。 - 特許庁

This device is provided with a step-down circuit 6 for stepping down the voltage VDD of an external power source 2 and outputting it, and the output voltage is supplied to a bit line control circuit 3 and a cell plate control circuit 4.例文帳に追加

外部電源２の電源電圧ＶＤＤを降圧して出力する降圧回路６を設け、その出力電圧をビットライン制御回路３とセルプレート制御回路４に供給する。 - 特許庁

In any block 22, in a period in which read-out or write-in of data is performed, refreshment of a memory cell selected by a word line of the (n)th row is performed in residual all other blocks 22.例文帳に追加

あるブロック２２において、データの読み出しまたは書き込みが行われている期間中に、残り全ての他のブロック２２において、第ｎ行のワード線により選択されるメモリセルのリフレッシュが行われる。 - 特許庁

Consequently, no potential difference is generated across the dividing line of the scanning area even while the liquid crystal cell is cut out of mother glasses 2a and 2b, so discharge breakdown of a switching element can be prevented.例文帳に追加

このため、液晶表示セルをマザーガラス２ａ、２ｂから切り出した状態でも、走査領域の分割ラインを境界とした電位差が発生しないため、スイッチング素子の放電破壊を防ぐことができる。 - 特許庁

A transition of the substrate voltage (VPS) applied to substrate areas of load transistors (PQ1, PQ2) of the memory cell is set to the timing up to the driving timing to the selection state of a word line (WL).例文帳に追加

メモリセルの負荷トランジスタ（ＰＱ１，ＰＱ２）の基板領域へ印加される基板電圧（ＶＰＳ）の遷移を、遅くともワード線（ＷＬ）の選択状態への駆動タイミングまでのタイミングに設定する。 - 特許庁

To attain real-time transmission capable of transferring cells at a peak rate without beating down the cell speed of transmitting side terminal even when a plurality of repeating nodes predict congestion and improving the throughput of a repeating transmission line.例文帳に追加

複数中継ノードが輻輳予測しても、送信端末装置のセル速度はビートダウンせず、ピークレートでセル転送可能であり、中継伝送路のスループットが高く、リアルタイム形伝送を可能とする。 - 特許庁

In the data structure concerned with the impact accuracy of one or more droplets discharged from a discharge head, the data has one or more hierarchical structures of Dot, Line, Cell and Grid depending on a discharge step from the discharge head.例文帳に追加

吐出ヘッドから吐出した１つ以上の液滴の着弾精度に関するデータの構造であって、そのデータが吐出ヘッドからの吐出工程に合わせた１つ以上の階層構造Ｄｏｔ，Ｌｉｎｅ，Ｃｅｌｌ，Ｇｒｉｄを有する。 - 特許庁

While for the grayscales with the lowest luminance among each of the grayscales with higher luminance than the predetermined luminance level, the luminance difference is made smaller between the luminance level when emitting light by the display cell belonging to the display line allocated with the largest luminance weight in comparison with the other luminance and the luminance level when emitting light by the display cell belonging to the display line allocated with the minimum luminance weight.例文帳に追加

この際、所定輝度レベルよりも高輝度を表す階調各々の内で最も低輝度を表す階調では、その他の階調に比して、最大の輝度重みが割り当てられている表示ラインに属する表示セルにて為される発光時の輝度レベルと、最小の輝度重みが割り当てられている表示ラインに属する表示セルにて為される発光時の輝度レベルとの輝度差を小にする。 - 特許庁

The program method includes a step in which the selected row and a memory cell connected to the first or second bit line are programmed by multi-bit data, and a step in which a row positioned at an adjacent position of the selected row and the programmed memory cell connected to the first or the second bit line are reprogrammed so that a read margin between adjacent states reduced due to high temperature stress is increased.例文帳に追加

本発明に係るプログラム方法は、選択された行及び前記第１または第２ビットラインに接続されたメモリセルをマルチビットデータでプログラムする段階と、高温ストレスによって減少する隣接した状態の間の読み出しマージンが増加するように、前記選択された行の隣に位置した行及び前記第１または第２ビットラインに接続されたプログラムされたメモリセルを再プログラムする段階とを含む。 - 特許庁

The ATM communication device is provided with a processing section 16 that converts operating condition data obtd. by setting operating conditions of other ATM communication device U to be connected via an ATM transmission line into an ATM cell and interface sections 11, 12 that insert the converted ATM cell to a transmission frame and transmit the transmission frame to the other ATM communication device U via the ATM transmission line L.例文帳に追加

ＡＴＭ伝送ラインＬを介して接続される他のＡＴＭ用通信機器Ｕの動作条件について設定された動作条件データをＡＴＭセルに変換する処理部１６と、変換されたＡＴＭセルを伝送フレームに挿入すると共にその伝送フレームをＡＴＭ伝送ラインＬを介して他のＡＴＭ用通信機器Ｕに送信するインターフェース部１１，１２とを備えている。 - 特許庁