「DISLOCATION」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

The control of the density of the dislocation is carried out by suppressing the width of a half value in the X-ray diffraction of a base powder to low, or by the method of not applying a pressure of >100 kgf/cm2 in the steps before obtaining the sintered compact, or by sintering with nitrifying reaction of Si powder.例文帳に追加

転位密度の制御は、原料粉末のＸ線回折における半価幅を低く抑えるか、焼結体を得るまでの工程で１００ｋｇｆ／ｃｍ^2を越える圧力を加えない方法、又はＳｉ粉末の窒化反応焼結による。 - 特許庁

The control part 110 receives the information regarding the dislocation of the capillary needle 101 from the capillary needle-moving mechanism part 108 and indicates injection of the medical fluid to the injection mechanism part 111, when the capillary needle 101 is drawn up to a prescribed position, after the capillary needle 101 is maximally protruded.例文帳に追加

制御部１１０は、キャピラリ針移動機構部１０８からキャピラリ針１０１の長手方向の変位の通知を受け、キャピラリ針１０１が最大限に突き出された後、所定の位置まで引き上げられた時に、吐出機構部１１１へ薬液の吐出を指示する。 - 特許庁

To provide an inexpensive and easy-to-improve heat treatment boat capable of using over a long term in which occurrence of slip dislocation and contamination can be prevented effectively when a semiconductor wafer, or the like, is heat treated in a vertical heat treatment furnace.例文帳に追加

縦型熱処理装置により半導体ウエーハ等を熱処理する際、スリップ転位や汚染の発生を効果的に防止することができ、しかも、安価であって、改良が容易であり、さらに長期間にわたって使用することができる熱処理ボートを提供する。 - 特許庁

To make low the feedthrough dislocation density in an SiGe buffer layer and to lessen the surface roughness also of the buffer layer in a semiconductor substrate, a field-effect transistor, the forming method of an SiGe layer, the forming method of a distorted Si layer using this forming method, and the manufacturing method of the field-effect transistor.例文帳に追加

半導体基板と電界効果型トランジスタ並びにＳｉＧｅ層の形成方法及びこれを用いた歪みＳｉ層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法において、貫通転位密度を低くかつ表面ラフネスも小さくすること。 - 特許庁

After the small end 44 of the connecting rod 22 is inserted in the recessed part of the piston 20 at a given relative angular position of the axis of the piston 20 and connecting rod 22, the piston 20 and connecting rod 22 are turned on the axis into a position wherein they have a relative 90-degree dislocation from the insertion position.例文帳に追加

ピストン２０とコンロッド２２との軸周りの所定の相対角度位置でコンロッド２２の小端部４４をピストン２０の凹部４０内に挿入した後に、その状態からコンロッド２２とピストン２０とを軸周りに相対的に９０゜回転させる。 - 特許庁

In this way, even when the sheet S is shrunk in the width direction by cooling, the increase of tension in the width direction can be controlled, the molding in the molding apparatus 30 is smoothed, and the dislocation of trimming in the trimming apparatus 40 can be prevented.例文帳に追加

このため、樹脂ロールシートＳが冷却により幅方向へ収縮しても、同幅方向への張力増大を抑制することができ、成形装置３０における成形をスムーズにし、トリミング装置４０におけるトリミングずれを防止することが可能となる。 - 特許庁

A distance by which crystal dislocation of an outer edge portion of the active layer 105 generated in selective oxidation processing for forming the oxide-confinement layer 107 is propagated to a center part of the active layer is made long to improve the long-period reliability of the surface emitting laser element.例文帳に追加

酸化狭窄層１０７を形成する選択酸化処理に際して発生する活性層１０５の外縁部の結晶転位が、活性層の中央部に伝搬する距離を長くすることで、面発光レーザ素子の長期信頼性を向上する - 特許庁

The strength of each of the electrodes 10a, 10b and 10c is increased by the intermediate layer so that even if the probe 12 is brought into contact with the electrode and a pushing force is applied to the electrode, it becomes difficult for the pushing force to be transmitted to the semiconductor layer 1, thereby effectively preventing the generation of distortion or dislocation of the semiconductor layer 1.例文帳に追加

これによって、各電極10a,10b,10cの強度が向上するため、プローブ12を接触させた際にその押圧力が加わっても、その力が半導体層１側に及び難くなり、半導体層１側の歪みや転位の発生を効果的に防止できる。 - 特許庁

A laminated structure formed of GaN crystal layers is formed on an Al_xGa_1-xN (0.5≤x≤1) crystal layer (it may be a single crystal substrate) which has a dislocation density of 1×10^11 cm^-2 or below and a thickness of 0.1 μm or above for the formation of a GaN semiconductor laser.例文帳に追加

転位密度１×１０^11ｃｍ^-2以下、厚さ０．１μｍ以上のＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０．５≦ｘ≦１）結晶層（単独の結晶基板であってもよい）上に、ＧａＮ系結晶層からなる積層構造を形成し、ＧａＮ系半導体レーザを構成する。 - 特許庁

To make the best use of the properties of a ZrB_2 substrate which is promising as a lattice aligning substrate for a group III nitride semiconductor, and to realize a high quality AlGaN semiconductor layer in which the dislocation density is low over the whole surface for forming an element by the minimum processes.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体の格子整合基板として有望なＺｒＢ_２基板の性質を最大限引き出し、素子形成面全体の転位密度が小さい高品質のＡｌＧａＮ半導体層を最小限の少ない工程によって実現すること。 - 特許庁

Consequently, the surface layer is heated at a temperature equal to or higher than 1,350°C and lower than the fusion point, so that the dislocation in the STI region is prevented to reduce or eliminate the polishing damage, the local unevenness defect of the wafer surface caused by polishing or a microcrystal defect.例文帳に追加

これにより、表層が１３５０℃以上融点未満で加熱されるので、ＳＴＩ領域の転位発生を防ぎ、研磨ダメージやウェーハ表面の研磨起因の局所的な凹凸欠陥あるいは微小結晶欠陥を低減または消滅できる。 - 特許庁

Accordingly, the main substrate 5 is grown from the convex part 4 on a thin wall, hardly effected by a strain caused by the difference of thermal expansion coefficient between the substrate 1 and the substrate 5, and an AlN substrate 5 of good quality crystal, little in through dislocation, can be prepared on an inexpensive Si substrate 1.例文帳に追加

したがって、メイン基板５は、薄い壁の凸部４から成長し、基板１，５の熱膨張係数の差に起因する歪の影響を受けにくく、安価なＳｉ基板１上に貫通転位の少ない良質な結晶のＡｌＮ基板５を作成できる。 - 特許庁

To provide a resin mold apparatus capable of improving productivity by preventing an article to be shaped from being deformed by heat and causing a dislocation in case of setting the article to be shaped in a mold to make a resin molding process more effective.例文帳に追加

被成形品を樹脂モールド金型にセットした際に被成形品が加熱されて変形し、樹脂モールド金型上で被成形品が位置ずれすることを抑制し、樹脂モールド工程を効率化して生産性を向上させる樹脂モールド装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a thermal oxide film, which can prevent attachment to a wafer boat occurring at the time of forming a particularly thick thermal oxide film, and which can suppress the slip dislocation or crack of a silicon single-crystal wafer in the formation of the thermal oxide film.例文帳に追加

特に厚い熱酸化膜を形成する際に発生するウェーハボートへの貼り付きを防止し、熱酸化膜形成中のシリコン単結晶ウェーハのスリップ転位や割れの発生を抑制することのできる熱酸化膜の形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a saddled snap tap for surely preventing a slip or dislocation in the rotational direction and the shaft direction after being installed in a soft distributing water pipe of the saddled snap tap particularly when applying painting to a saddle body or a saddle band.例文帳に追加

サドル付き分水栓の軟質配水管への取付け後の回転方向及び軸方向での滑り或はズレを確実に、特にサドル本体或はサドルバンドに塗装が施されているような場合であっても、確実に防止できるサドル付き分水栓を提供する。 - 特許庁

Herein, the first carrying part 4 holds the printed sheet PS on its downstream side in the carrying direction, held by the carrying mean 55, while the carrying mean 55 holds the printed sheet PS, therefore suppressing the dislocation of the printed sheet PS being carried.例文帳に追加

ここで、第１搬送部４は、搬送手段５５が被印刷シートＰＳを挟持している間にその搬送手段５５が挟持する被印刷シートＰＳの搬送方向下流側を挟持するので、搬送に伴う被印刷シートＰＳの位置ずれを抑止することができる。 - 特許庁

Because the honeycomb can be prevented from dislocation owing to inexpensive metal material and brazing material, the metal honeycomb can be accomplished light and inexpensively with a saved amount of materials used while the anti-corrosiveness is kept to the same degree as in the conventional technique.例文帳に追加

また、本発明によれば、安価な金属材料とろう材によるハニカムのズレ防止を採用できるので、従来技術と同様の耐食性を有しながら材料使用量を節減した軽量でかつ廉価なフレームアレスタ用メタルハニカムを提供することができる。 - 特許庁

To provide a winding structure of transformer winding capable of preventing an increase in load loss due to unbalanced current, by specifying one dislocation position of multiple cylindrical winding for one winding wire by a simple method and dislocating at the specified position.例文帳に追加

多重円筒巻線の転位位置を簡易な方法にて一つの巻線に対して一箇所特定し、当該特定した位置で転位させることにより、アンバランスな電流による負荷損失の増加を防止できる変圧器巻線の巻線構造を提供する。 - 特許庁

The laminated semiconductor device, with a semiconductor chip mounted, comprises at least three layers of substrates 1, laminated together, each of which comprises dislocation detecting marks (or alignment marks) 6, with each having the same pattern and arranged at different rotational angles.例文帳に追加

積層型半導体装置は、半導体チップが搭載され、各々が同一パターン形状で且つ互いに異なる回転角で配置された位置ズレ検出用マーク（あるいはアライメント用マーク）６を有する基板１を３層以上積層してなることを特徴とする。 - 特許庁

To maintain a pinching part in an open state, by overcoming the problem that a work arm may slip toward the support point for rotation of a sheet clip, or a dislocation occurs between the work arm and a grip when the grip of the sheet clip is gripped using the work arm of an insulated plier.例文帳に追加

絶縁ヤットコの作業アームでシートクリップの把持部を把持しようとすると、作業アームがシートクリップの回動支点に向けて滑ってしまったり作業アームと把持部との位置ズレが生じたりして、挟持部を開いた状態に維持することができない。 - 特許庁

A position of the automatic door 11 on the image of the image sensor is recognized based on image information when opening and closing the automatic door 11, and when dislocation with the detecting area (b) is small, a setting position of the detecting area (b) is automatically corrected by moving the detecting area (b).例文帳に追加

自動ドア１１を開閉させたときの画像情報に基づいて、イメージセンサの画像上の自動ドア１１の位置を認識し、検知エリアｂとのずれが小さいときは、検知エリアｂを移動させることにより、検知エリアｂの設定位置を自動的に修正する。 - 特許庁

To provide a multi-color printing apparatus which can obtain a good image by controlling the generation of a printed material similar to a blurring and overlapping state caused by the dislocation of a image position by preventing the loosening of paper conveyed from a printing part on the upstream side to a printing part on the downstream side.例文帳に追加

上流側の印刷部から下流側の印刷部へと搬送される用紙の弛みを防止して、画像位置のズレによる滲みやダブリ状態と同様な印刷物の発生を抑制して良好な画像を得られる多色印刷装置を提供する。 - 特許庁

The end sticking part 22B is bent inside the weatherstrip mounting groove 19 to put the edge 52 of the decorative tape 50 in the covered state, thereby preventing the deterioration of appearance caused by the dislocation of the stuck position of the decorative tape 50.例文帳に追加

この端末貼着部２２Ｂがウェザストリップ取付溝１９の内側へ折り曲げられていることにより装飾用テープ５０の端縁５２が覆い隠された状態となっているため、装飾用テープ５０の貼り位置のずれによる見栄えの悪化を防ぐことができる。 - 特許庁

Vertical directional force is transmitted to the support ground by a column material 5 of a three-dimensional frame shape, and horizontal directional force can be surely transmitted by a top part and a bottom part slab of the three-dimensional frame-shaped structure and the frame-shaped slab structure 4 via the dislocation preventive projection 2.例文帳に追加

鉛直方向の力は立体枠状の柱材５で支持地盤に伝達され、水平方向力はずれ止め突起２を通じて、立体枠状構造体の頂部及び底部版と枠状版構造体４にて確実に伝達させることができる。 - 特許庁

In the Al_xGa_yIn_1-x-yN crystal substrate 12, the area of the main face is 10 cm^2 or larger and the total dislocation density in the region excluding a region having a distance of 5 mm or smaller from the outer circumference 12v is 1×10^2 cm^-2 to 1×10^6 cm^-2.例文帳に追加

主面の面積が１０ｃｍ^2以上であり、外周１２ｖから５ｍｍ以下の距離にある領域を除く領域における総転位密度が１×１０^2ｃｍ^-2以上１×１０^6ｃｍ^-2以下であるＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ結晶基板１２。 - 特許庁

The core diameter of GI-POF 18 is set to 200μm or larger and the light emission points 28 of the VCSEL 24 are disposed the inside of the outer periphery of the end face of the GI-POF 18, thus the deterioration of connection loss due to the axial dislocation in connection is suppressed.例文帳に追加

ＧＩ−ＰＯＦ１８のコア口径を２００μｍ以上に設定し、ＶＣＳＥＬ２４の発光点２８をＧＩ−ＰＯＦ１８の端面の外周よりも内側に配設しているので、結合の際の軸ずれに対して結合損失の悪化を抑制できる。 - 特許庁

The lateral dislocation detecting sensor 12b is provided with a movable arm moving in a prescribed direction by contacting the laterally dislocated position of the slat or the laterally dislocated position of the whole shutter curtain, and a displacement sensor or the like for detecting the movement of the movable arm.例文帳に追加

この横ずれ検出センサ１２ｂは、スラットが横ずれしている位置や、シャッターカーテン全体の横ずれが発生している位置に接触することで所定方向に移動する可動アームと、この可動アームが移動したことを検出する変位センサ等を備えている。 - 特許庁

An etching stopper layer between the inner clad layer on an active layer and a mesa-striped outer clad layer is made of strain compensation structure, thereby suppressing the entry of glide dislocation generating at a stress concentrating point into the active layer and preventing a defective characteristic element.例文帳に追加

活性層上のインナークラッド層とメサストライプ状のアウタークラッド層との間にあるエッチングストッパ層を歪補償構造とすることで、応力集中点から生じるすべり転位の活性層への侵入を抑制し、特性不良素子の発生を防止する。 - 特許庁

A dislocation amount of the part to be worked 23 when the part to be worked 23 corresponds to the working part 20 is calculated based on a distance between the known first measuring position S1 and second measuring position S2 and the position of the part to be worked 23 measured in the second measuring position S2.例文帳に追加

既知である第１測定位置Ｓ１と第２測定位置Ｓ２との距離と、第２測定位置Ｓ２で測定した被作業部２３の位置とに基づいて、被作業部２３が作業部位２０に対応したときの被作業部２３の位置ずれ量を算出する。 - 特許庁

To provide a resist composition capable of expanding the width of selectivity of a usable material, excellent in antistatic effect, having high sensitivity, and capable of efficiently forming a high-resolution fine resist pattern free of pattern defects and dislocation in a simple and easy way at a low cost.例文帳に追加

使用可能な材料の選択性の幅を広くすることができ、帯電防止効果に優れ高感度であり、パターン欠落や位置ずれ等がなく、高解像度で微細なレジストパターンを低コストで簡便に効率よく形成可能なレジスト組成物等の提供。 - 特許庁

The film 40 overlies the substance 30 such that the substance 30 is substantially trapped in the bottom of the container 10, thereby substantially preventing dislocation of the substance 30 thus preventing an undesirable scattering of the substance 30 along the sidewalls of the container 10.例文帳に追加

フィルム４０は、物質３０が容器１０の底に実質的に閉じ込められ、それによって物質３０の転置を実質的に防ぎ、その結果、物質３０の容器１０の側壁に沿った望ましくない散乱を防ぐ形で物質３０の上に重なる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a larger high quality bulk single crystal of silicon carbide with low 1c screw dislocation defect levels in a crystal formed in the seeded sublimation system in order to reduce the total number of defects in the manufactured crystal.例文帳に追加

製造された結晶にある欠陥総数を低減するために、種結晶を用いた昇華システムにおいて形成された結晶の１ｃらせん転位欠陥レベルが低く、より大きく、高品質の炭化珪素バルク単結晶を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To suppress both misfit dislocation and a stacking fault (SF) of an epitaxial silicon wafer based on a silicon crystal substrate with low electric resistivity doped with an electric-resistivity decreasing dopant, such as phosphorus, and germanium together during growth of silicon crystal.例文帳に追加

シリコン結晶育成時にリンのような電気抵抗率降下用ドーパントとゲルマニウムが一緒に高濃度にドープされた低電気抵抗率のシリコン結晶基板をベースにしたエピタキシャルシリコンウェーハにおいて、ミスフィット転位とスタッキングフォルト（ＳＦ）の双方を抑制する。 - 特許庁

An output waveform, since the rising intervals T01 and T10 of output waveforms vary in accordance with main scanning dislocation due to a difference in oscillation wavelength between the LD0 and the LD1 on the photosensitive drum, the device corrects the waveforms by changing the main scanning magnification.例文帳に追加

出力波形は、その立下り間隔Ｔ０１，Ｔ１０が、ビームの感光体ドラム上でのＬＤ０とＬＤ１の発振波長の違いに起因する主走査位置ずれに応じて変化しているので、これを主走査倍率を変更することにより補正する。 - 特許庁

Even if the surface of the N-InP substrate 1 is mechanically distorted, the mechanical distortion of the N-InP substrate 1 is absorbed by the thick N-InP buffer layer 2, and the InGaAsP multi-quantum well layer 4 can be selectively grown by keeping it from dislocation.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１の表面に機械的な歪が生じた場合であっても，厚いｎ−ＩｎＰバッファ層２によって，かかる歪が吸収されることになり，転位の少ないＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層４を選択成長させることが可能となる。 - 特許庁

To provide a high durability belt for an electrophotographic apparatus capable of preventing the tendency of elongation and curl in an environment at room temperature or at a temperature of 32°C and a humidity of 80%, less liable to cause dislocation in superposition of toner images, and capable of forming a high accuracy image.例文帳に追加

常温や温度３２℃、湿度８０％の環境下において、伸びや巻き癖の発生を防止することができ、トナー画像の重ねずれが生じにくく、高精度の画像を形成することができる高耐久性の電子写真装置用ベルトを提供する。 - 特許庁

A horizontal intensity distribution curve from an asymmetric diffraction plane of a crystalline sample in a reciprocal space is obtained by irradiating the surface of the crystalline sample with X-rays, and thus dislocation of the crystalline sample is evaluated based on the half-width of the intensity distribution curve.例文帳に追加

結晶試料の表面にＸ線を照射することにより、逆格子空間における結晶試料の非対称回折面からの水平方向の強度分布曲線を作成し、該強度分布曲線の半値幅により結晶試料の転位を評価する。 - 特許庁

To provide a toilet with a shower which can prevent the dislocation of a connecting portion due to hydraulic pressure of a shower, by providing an engaging means at the connecting portion.例文帳に追加

本発明は、接続部に係止手段を設けることにより、シャワー使用時の水圧で該接続部が外れるのを防止出来、更に該接続部を着脱可能に固定することにより、ノズルやプラグ内部を容易に清掃出来るシャワー付便器を提供することを課題とする。 - 特許庁

To suppress deterioration in an element being energized by reducing not only micropipes but also residual strain and the expansion of dislocation in a base bottom surface to lamination defects caused by the residual strain in an SiC substrate, the manufacturing method of the SiC substrate, and a semiconductor device.例文帳に追加

ＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板並びに半導体デバイスにおいて、マイクロパイプだけでなく残留ひずみや、残留ひずみに起因する基底面内転位の積層欠陥への拡張も低減し、通電中における素子の劣化を抑制すること。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer in which autodoping to a device active layer or misfit dislocation is less susceptible to occur, and pollution of the device active layer due to impurity metal is reduced effectively even if the wafer is made thin or thick after device formation, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

デバイス活性層へのオートドーピングやミスフィット転位が発生し難く、且つ、デバイス形成後に薄厚化されても不純物金属によるデバイス活性層の汚染を有効に抑制することができるエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When there is the positional dislocation between the both, by adjusting an installation position of the door striker 20 so that the leg part 24A is inserted into a recessed part 42F provided in the engaging part 42E, the door striker 20 is accurately positioned to the door lock mechanism 16.例文帳に追加

そして、両者の間に位置ズレがある場合には、係合部４２Ｅに設けられた凹部４２Ｆ内に脚部２４Ａが挿入されるようにドアストライカ２０の取付位置を調整すれば、ドアストライカ２０がドアロック機構１６に対して正確に位置決めされる。 - 特許庁

In order to cope with fluctuation or dislocation of the air gap G between the primary coil 1 and the secondary coil 4, the area of a magnetic core 14 added to the primary coil 1 and the secondary coil 4 can be changed, and the inductance of the primary coil 1 and the secondary coil 4 is variable.例文帳に追加

そして、１次コイル１と２次コイル４間のエアギャップＧ変動や位置ずれに対応すべく、１次コイル１や２次コイル４に付設された磁心コア１４の面積が変更可能、そして１次コイル１や２次コイル４のインダクタンスが可変となっている。 - 特許庁

To provide an extremely excellent inner sole capable of providing comfortable feel of wearing, achieving sufficient ventilation performance, and preventing dislocation of the inner sole inside a shoe when worn while achieving light weight and low cost.例文帳に追加

本発明は軽量、安価を担保しつつ、快適な履き心地を得るとともに、十分な通気性を担保することができ、更には、靴を履いた際にも当該靴中敷が靴内においてズレを生ずることのない、極めて優れた靴中敷を提供することを、課題とするものである。 - 特許庁

To provide an image forming method not causing fixing unevenness, image dislocation or paper wrinkling, while satisfying low-temperature fixability by using a core/shell structure toner with ensured charging stability and heat storage stability in a fixing device constituted of an endless belt, and to provide an image forming apparatus.例文帳に追加

エンドレスベルトにより構成された定着装置において、低温定着性と耐熱保存性とを両立しつつ、かつ、帯電安定性に優れたコア・シェル構造のトナーを用いた定着ムラや画像ズレ、紙シワの発生しない画像形成方法及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

The paper feeder 140 is characterized by having a paper loading plate 144 placing the paper bundle of layering a plurality of paper, and the control device 147 generating dislocation parallel to a paper surface between the respective paper of the paper bundle by lifting one end of the paper loading plate.例文帳に追加

また、給紙装置１４０は、複数枚の用紙を積層した用紙束が載置される用紙積載板１４４と、該用紙積載板の一端を昇降し、前記用紙束の各用紙間に、用紙の面と平行なずれを生じさせる捌き装置１４７を有することを特徴としている。 - 特許庁