「Etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(399ページ目) - Weblio英語例文検索

The surface protective member is provided for partially protecting the crystalline semiconductor substrate against an etchant in the process of etching the crystalline semiconductor substrate in contact with the etchant, the surface protective member includes a base and an adherent resin composition laminated thereupon, wherein the adherent resin composition contains an urethane resin having a polybutadiene skeleton and/or a polyisoprene skeleton and a radical polymerization initiator.例文帳に追加

結晶系半導体基板をエッチング液に接触させてエッチングする工程において、結晶系半導体基板をエッチング液から部分的に保護するための表面保護部材であって、該表面保護部材が基材とその上に積層された粘着性樹脂組成物を含み、該粘着性樹脂組成物が、ポリブタジエン骨格及び／又はポリイソプレン骨格を有するウレタン樹脂及びラジカル重合開始剤を含有することを特徴とする表面保護部材。 - 特許庁

A method for forming the upper electrode in a ferroelectric device includes processes of preparing a silicon substrate; depositing a lower electrode; depositing a ferroelectric material layer; depositing an aluminum upper electrode layer; coating the aluminum layer with photoresist; patterning and developing the photoresist layer; etching the aluminum layer; and completing the ferroelectric device.例文帳に追加

強誘電体デバイスにおいて上部電極を形成する方法は、シリコン基板を準備する工程と、下部電極を堆積する工程と、強誘電体材料の層を堆積する工程と、アルミニウム上部電極層を堆積する工程と、アルミニウム層をフォトレジストで被覆する工程と、フォトレジスト層をパターニングおよび現像する工程と、アルミニウム層をエッチングする工程と、強誘電体デバイスを完成させる工程とを包含する。 - 特許庁

The manufacturing method for the circuit board having an electrode wiring formed at a surface part of a substrate and an electro-thermal conversion element with a heating resistor film formed on the electrode wiring for generating heat energy comprises the steps of forming an electrode wiring layer for forming the electrode wiring, forming the heating resistor film and etching the electrode wiring layer and the heating resistor film altogether to form the electrode wiring.例文帳に追加

基板の表面部に形成された電極配線と、該電極配線上に形成された熱エネルギーを発生するための発熱抵抗体膜を有する電気熱変換素子と、を有する回路基板の製造方法であって、前記電極配線を形成するための電極配線層を形成し、前記発熱抵抗体膜を成膜した後、前記電極配線層と発熱抵抗体膜を一括エッチングすることにより、前記電極配線を形成することを特徴とする回路基板の製造方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a step of forming a resist pattern on a surface to be processed by forming a resist film on the surface using the resist composition for immersion exposure, irradiating the resist film with exposure light by immersion exposure, and developing it, and a step of transferring the pattern to the surface to be processed by etching through the resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工面上に、本発明の前記液浸露光用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、該レジスト膜に対して液浸露光により露光光を照射し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面にパターンを転写するパターン転写工程とを少なくとも含む。 - 特許庁

A method for manufacturing semiconductor includes a step for forming a substrate, a step for sticking a polysilicon layer on the substrate, a step for sticking the photoresist layer on the polysilicon layer, a step for patterning the photoresist layer, a step for sticking an inorganic material layer which is conformable and not photosensitive on the patterned photoresist layer, and a step for etching anisotropically the inorganic material layer and a semiconductor material layer.例文帳に追加

基板を形成するステップと、前記基板上にポリシリコン層を被着させるステップと、前記ポリシリコン層上にフォトレジスト層を被着させるステップと、前記フォトレジスト層をパターン形成するステップと、前記パターン形成したフォトレジスト層上に共形かつ非感光性の無機材料層を被着させるステップと、前記無機材料層および半導体材料層に異方性エッチングを施すステップとを含むことを特徴とする半導体製造方法である。 - 特許庁

The fluorine-containing tricyclononene compounds being new polymerizable monomers and the polymer compounds using the monomers are highly transparent to a wide range of wavelengths from the vacuum-ultraviolet region to the optical communication region in spite of their high fluorine content because of the presence of polar groups in the same molecule, have a close adhesion to substrates and a good film-forming ability and a high etching resistance because of their alicyclic structure.例文帳に追加

高いフッ素含量を有しながら、同一分子内に極性基を持たせることにより、幅広い波長領域すなわち真空紫外線から光通信波長域にいたるまで高い透明性を有し、かつ基板への密着性や高い成膜性を併せ持ち、また、脂環式構造を持たせることにより、高いエッチング耐性を有する新規な重合性単量体である含フッ素トリシクロノネン化合物、およびそれを用いた高分子化合物を見い出した。 - 特許庁

In the liquid crystal display device including a liquid crystal layer placed between a pair of substrates opposed to each other and pixel electrodes connected to plural data signal lines and scan lines arranged in matrix on at least one of the substrates with switching elements, one of the data signal lines or scan lines are curved in one direction to make the treatment solution for washing or etching gush out to the same direction.例文帳に追加

対向する一対の基板間に液晶層が挟持され、少なくとも一方の基板上にマトリックス状に並設された複数のデータ信号線と走査信号線とに、スイッチ素子を介して接続された画素電極を有する液晶表示装置の該データ信号線または走査信号線の何れかが一方向に屈曲した構成になっており、その製造方法では洗浄やエッチングなどの処理液を該一方向の同じ方向に噴出する。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes processes of: forming an etching mask on a processing object 10 formed of a compound semiconductor containing indium as an essential constituent element; introducing a mixture gas comprising two constituents such as hydrogen iodide gas and silicon tetrachloride gas onto the processing object 10 and converting the mixture gas to plasma; and entering the mixture gas converted to plasma into the processing object to selectively etch the processing object.例文帳に追加

この製造方法は、インジウムを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０の上にエッチングマスクを形成する工程と、被加工物１０の上にヨウ化水素ガスおよび四塩化ケイ素ガスの２成分からなる混合ガスを導入するとともに混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物に入射させて被加工物を選択的にエッチングする工程と、を含む。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises processes for forming a resist pattern on a base layer; smoothing, at least the wall surfaces of the resist pattern by applying a resist pattern smoothing material to the surface of the resist pattern and by controlling at least either one of coating thickness and heating temperature, including heating and development; and patterning the base layer by etching, using the smoothed resist pattern.例文帳に追加

下地層上にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンの表面にレジストパターン平滑化材料を塗布した後、加熱し、現像することを含み、塗布の厚み及び加熱の温度の少なくともいずれかを調整することにより、レジストパターンにおける少なくとも壁面を平滑化させる工程と、平滑化されたレジストパターンを用いてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for separating metal ions and recovering phosphoric acid at high yield from a mixed acid aqueous solution containing the metal ions such as a metal ion-containing mixed acid waste liquid produced from a metal etching process or the like in a semiconductor manufacturing plant or the like using a distillation and extraction means in place of a membrane or an ion exchange treatment which is commonly used as a conventional technique.例文帳に追加

半導体製造工場などにおける金属エッチング工程などから発生する金属イオン含有混酸廃液のような金属イオンを含有する混酸水溶液から、金属イオンを分離するとともにリン酸を高い収率で回収するにあたり、従来技術では膜処理またはイオン交換処理を行なうのが常識であったが、本発明では発想を全く変えて蒸留、抽出手段を用いた回収方法および装置の提供。 - 特許庁

To provide a method of cleaning the reaction vessel of an epitaxial growth device and a method of manufacturing an epitaxial wafer, which can suppress generation of a deep crack on the back of a wafer by fusion of the wafer and a polysilicon film formed on a susceptor surface and can reduce the effects of contaminants that have got into a hydrogen chloride gas used for cleaning by vapor-phase etching.例文帳に追加

ウェーハとサセプタ表面上に形成されたポリシリコン膜とが融着することによって、ウェーハ裏面に深いキズが生じてしまうことを抑制でき、さらに気相エッチングによるクリーニングに用いられる塩化水素ガスに取り込まれた汚染物質の影響を低減することができるエピタキシャル成長装置の反応容器のクリーニング方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The kit for applying adhesiveness to a hard tissue or coating the tissue contains a water-dispersible primer containing an acid of an amount effective for adhesion and a film former containing a polymer having a weight-average molecular weight of ≥1,100 and a polymerizable monomer; and one or more dental materials selected from a restoration material, adhesive, acidic etching agent, cement and sealing material.例文帳に追加

本発明は、硬質組織に接着性を供する又はコーティングを施すためのキットであって、接着に有効な量の酸と、少なくとも 1,100の重量平均分子量を有するポリマー及び重合性モノマーを含んで成るフィルムフォーマーとを含んで成る水分散性プライマー；並びに修復材、接着剤、酸性エッチング剤、セメント及びシール材から成る群から選ばれる１又は数種の歯科材料；を含んで成るキットを提供する。 - 特許庁

A method and an apparatus for manufacturing a polycrystal silicon permitting the reactor to be continuously operated by effectively preventing silicon from precipitating and depositing by injecting an etching gas containing hydrogen chloride onto the surface of the reaction gas feeding means, when manufacturing at a large scale the polycrystal silicon of particle form by fluidizing silicon particles while feeding the reaction gas by using a fluidized bed reactor, are provided.例文帳に追加

本発明は、流動層反応器を用いて反応ガスを供給しながらシリコン粒子を流動させて粒子形態の多結晶シリコンを量産するにおいて、塩化水素を含むエッチングガスを反応ガス供給手段の表面に注入することによってシリコンが析出されて堆積されるのを有効に防ぎ、反応器を連続的に運転することを可能とする多結晶シリコンの製造方法及び装置を提供する。 - 特許庁

In the other embodiment, a manufacture of the packed crown-shaped memory cell 100 according to this invention includes the steps of forming a memory node contact body (memory cell plug), forming the side wall of a memory cell, etching crown-type polysilicon again to form a separated memory cell and to electrically separate the memory cell, and removing core oxide (PSG).例文帳に追加

また別の実施例では、本発明による充填された王冠型メモリ・セルを製造する方法は下記の段階、すなわち、（１）記憶ノード接触体（メモリ・セル・プラグ）を作成する段階、（２）メモリ・セル側壁を作成する段階、（３）分離されたメモリ・セルを作成するためにおよびメモリ・セルを電気的に分離するために王冠型ポリシリコンを再びエッチングする段階およびコア酸化物（ＰＳＧ）を除去する段階、を有する。 - 特許庁

This manufacturing method comprises a process for forming a silicon film on an insulating film, a process for forming a rough-surface polysilicon film having a rough surface, and a process for forming larger unevenness of the surface than that of the rough-surface polysilicon film by etching the rough-surface polysilicon film in a recess region of the rough-surface polysilicon film and the silicon film selectively.例文帳に追加

絶縁膜上にシリコン膜を形成する工程と、シリコン膜上に、表面が粗面化された粗面ポリシリコン膜を形成する工程と、エッチングに対してデポジションが相対的に強いエッチング条件を用いることにより、粗面ポリシリコン膜の凹部領域の前記粗面ポリシリコン膜及び前記シリコン膜を選択的にエッチングし、前記粗面ポリシリコン膜の表面凹凸よりも大きい表面凹凸を形成する工程とを有する。 - 特許庁

A dry etching device 1 includes a transfer mechanism 15 transferring trays between a tray stock part housing each tray on which a substrate is placed and a plasma processing part 11, a centering mechanism 27 positioning each tray at a predetermined position in an alignment part 14, and a height measurement sensor 37 measuring a height of the predetermined position of the positioned tray.例文帳に追加

ドライエッチング装置１は、基板を載置したトレイを収納するトレイストック部とプラズマ処理部１１の間で前記トレイを搬送する搬送機構１５と、アラインメント部１４においてトレイを所定の位置に位置決めするセンタリング機構２７と、位置決めされた前記トレイの前記所定の位置の高さを計測する高さ計測センサー３７と、を備え、計測された前記高さからトレイ厚さ計測処理部４９が前記トレイの厚さデータを算出する。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor element includes steps of forming: multiple metal wires on a semiconductor substrate; a reaction prevention film on the metal wires in a region with via holes formed therein; an interlayer insulation film on the semiconductor substrate including the reaction prevention film; via holes by etching the interlayer insulation film above the reaction prevention film; and the via plugs in the via holes.例文帳に追加

半導体基板上に多数の金属配線を形成する段階;ビアホールが形成される領域の前記金属配線上に反応防止膜を形成する段階;前記反応防止膜を含む前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成する段階;前記反応防止膜の上部の前記層間絶縁膜をエッチングしてビアホールを形成する段階;前記ビアホール内部にビアプラグを形成する段階を含む半導体素子の製造方法。 - 特許庁

For the purpose of reducing the short-circuit defects between wirings and enhancing the yield in the manufacturing stage, the semiconductor layer is patterned utilizing the dry etching construction method, then etched by using dilute HF before a thin film is deposited in the next stage to remove the polymer generated at the time of patterning of the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層のパタンニング時に発生するポリマを除去し、ショート不良を低減し製造工程における歩留まりの向上を達成するために、半導体層のパタンニングをドライエッチ工法を利用して行い、エッチングした後、次の薄膜堆積前に希ＨＦにてエッチングすることによって、半導体層のパタンニング時に発生するポリマを除去し、配線間のショート不良を低減し製造工程における歩留まりの向上につなげる。 - 特許庁

To provide a metal patterning method performing exposure, development and etching of a circuit pattern after a photocrosslinking resin layer is formed on a substrate and subjected to thinning with an organic alkaline aqueous solution which allows for uniform thinning even of a photocrosslinking resin layer where the photocrosslinking resin has a composition less susceptible to swelling with high productivity, and in-plane uniform and fine metal patterning.例文帳に追加

本発明は、基板上の光架橋性樹脂層を形成した後、有機アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行った後、回路パターンの露光、現像、エッチング処理を行う金属パターンの作製方法において、光架橋性樹脂が現像液に対して膨潤しにくい組成の樹脂であっても光架橋性樹脂層をむらなく略均一に生産性良く薄膜化することができ、面内均一で微細な金属パターンの作製方法を提供するものである。 - 特許庁

The film carrier tape for mounting electronic component 10 having a mounting unit where a wiring pattern 22 is formed on a substrate by etching and the final defect marking method of the film carrier tape for mounting electronic component are characterised in that the unit has a target mark 30 being a reference for positioning to perform final defect marking in the target position on the mounting unit by a marking means.例文帳に追加

基材上にエッチングにより配線パターン２２を形成した実装ユニットを有する、電子部品実装用フィルムキャリアテープ１０であって、前記実装ユニットは、前記エッチングにより前記基材上に形成したパターンとして、マーキング手段により前記実装ユニット上の目標位置に最終不良マーキングを行うための位置合わせの基準となるターゲットマーク３０を有することを特徴とする電子部品実装用フィルムキャリアテープ、および電子部品実装用フィルムキャリアテープの最終不良マーキング方法。 - 特許庁

The composition for forming films comprises an organic solvent solution containing polyimide having a specific alicyclic tetracarboxylic acid structure, the method for forming film is characterized by forming the polyimide film by coating the composition for forming film and evaporating the solvent, and the method for processing the film is characterized by applying a wet etching method using an aprotic polar organic solvent as the etchant to remove the polyimide film of unwanted parts.例文帳に追加

特定の脂環族テトラカルボン酸構造を有するポリイミドを含有する有機溶剤溶液からなる皮膜形成用組成物、および該皮膜形成用組成物を塗布した上で溶剤を蒸発除去させる事により該ポリイミドの皮膜を形成することを特徴とする皮膜形成法、および非プロトン性極性有機溶剤をエッチャントとしてウェットエッチング法を用いて不要部分のポリイミド皮膜を除去することを特徴とする皮膜加工法。 - 特許庁

To provide a hetero-junction field effect transistor by which plasma damage of a reactive ion or the like entering a crystal due to dry etching for selective removal of an insulation layer or a semiconductor layer above a barrier layer is suppressed in a crystal structure, where the barrier layer with a larger atomic weight than an electron supply layer is formed on the electron supply layer of the hetero-junction field effect transistor.例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果トランジスタの電子供給層上に電子供給層よりも平均原子量の大きなバリア層を形成した結晶構造において、バリア層より上の絶縁膜もしくは半導体層を選択に除去する際のドライエッチングによって結晶内に侵入する反応性イオン等のプラズマ損傷を抑制することを目的したヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the etching process, the specimen 21 is heated to a temperature not lower than the point where the surface mobility of deposit begins to grow large, which is a reaction product between plasma 40 and the specimen 21 or the product resulting from the sputtering of the resist pattern 30 by plasma 40, and lower than the point where the deposit is firmly fixed on the surface of the specimen 21.例文帳に追加

該エッチング工程は試料２１を加熱し、試料２１の加熱温度は、プラズマ４０と試料２１とが反応してなる反応生成物又はレジストパターン３０がプラズマ４０によりスパッタされてなる生成物が試料２１の表面上に堆積物として堆積する際の堆積物の表面移動度が大きくなり始める温度以上で、且つ堆積物が試料の表面に固着する温度よりも低い温度に設定する。 - 特許庁

A photovoltaic device having at least one semiconductor unit is manufactured by using a continuous operation type production line which includes a step for washing at least one surface of the semiconductor unit by etching, a step for drying at least the one surface of the semiconductor unit in an environment in which oxygen does not exist or the oxygen is lacked substantially, and a step for accumulating the passivation layer on at least the one surface.例文帳に追加

エッチングにより半導体ユニットの少なくとも１つの表面を洗浄する工程と、実質的に無酸素である又は酸素が欠乏した環境内で半導体ユニットの少なくとも１つの表面を乾燥させる工程と、少なくとも１つの表面上にパッシベーション層を堆積する工程とを含む、連続作業方生産ラインを用いて、少なくとも１つの半導体ユニットを有する光起電力素子を製造する。 - 特許庁

In a semiconductor device in which an ion implantation process for ROM writing is performed after an interlayer insulating film is formed in order to shorten a TAT(turn around time), an etching stopper film consisting of a polysilicon film 12 acting as the bottom part of a through hole 20 for ion implantation lies at least at a desired position of the interlayer insulating film formed on a transistor 6 region where ROM writing is performed.例文帳に追加

ＴＡＴ短縮を図るために層間絶縁膜を形成した後にＲＯＭ書き込み用のイオン注入工程が施される半導体装置において、前記イオン注入用のスルーホール２０の底部となるポリシリコン膜１２から成るエッチングストッパ膜が、少なくともＲＯＭ書き込みが行われるトランジスタ６領域上に形成された層間絶縁膜の所望位置に介在されていることを特徴とする。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device excellent in element characteristics and reliability with high yield by carrying out dry etching of a multilayer film having an SiGe film containing Si and Ge and an oxide film to form a gate electrode pattern and a gate oxide film pattern, and then sufficiently removing dry etched products or particles adhering to a semiconductor substrate without damaging the SiGe layer or the gate oxide film configuring the gate electrode.例文帳に追加

Ｓｉ及びＧｅを含有するＳｉＧｅ膜と酸化膜とを有する積層膜をドライエッチングしてゲート電極パターン及びゲート酸化膜パターンを形成した後、ゲート電極を構成するＳｉＧｅ層とゲート酸化膜とを損傷させることなく、半導体基板上に付着したドライエッチ生成物やパーティクルを十分に除去し、素子特性および信頼性に優れた半導体装置を歩留りよく製造する。 - 特許庁

The method includes steps of: forming a hard mask layer 410 and an etch still film 420 over a semiconductor substrate 400; forming a sacrificial oxide film pattern over the etch still film; forming a spacer on sidewalls of the sacrificial pattern; removing the sacrificial oxide film pattern; and etching the etch still film and the hard mask layer with the spacer as an etch mask to form a hard mask pattern.例文帳に追加

半導体基板４００上部にハードマスク層４１０及びエッチング静止膜４２０を形成する段階と、前記エッチング静止膜上部に犠牲酸化膜パターンを形成する段階と、前記犠牲酸化膜パターンの側壁にスペーサを形成する段階と、前記犠牲酸化膜パターンを除去する段階と、前記スペーサをマスクに前記エッチング静止膜及び前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a metal recovering method and apparatus, which is related to a method and apparatus of recovering a metal or an alloy as a valuable resource from a process liquid such as an etching waste liquid containing mainly copper (Cu), and nickel (Ni), capable of recovering copper and the like of recovery object metals as a metal or an alloy as a valuable resource, and dispensing with additional preparation of a flocculant for treatment.例文帳に追加

主として銅（Ｃｕ）やニッケル（Ｎｉ）を含むエッチング廃液等の被処理液から、それらを有価物である金属単体あるいは合金として回収する方法と装置に関し、エッチング廃液等の被処理液から回収対象金属である銅等を有価物である金属単体あるいは合金として回収することができ、しかも処理のための凝集剤を別途準備する必要のない回収方法と装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

A method for inspecting a semiconductor wafer which has a film to form device structures, including device patterns and may have crystal defects, comprises a process of exposing the crystal surface of the semiconductor wafer, by removing the device structure film with a chemical solution, a process of making apparent any crystal defects by selectively removing the surface layer of the semiconductor wafer through selective etching, and a process of quantitatively evaluating the crystal defects.例文帳に追加

デバイスパターンを含むデバイス構造を構成する膜を備え、結晶欠陥を有することがある半導体ウェーハを検査する方法において、上記デバイス構造膜を薬液で除去して半導体ウェーハの結晶表面を露出させる工程と、選択エッチングにより半導体ウェーハの表面層を選択的に除去して上記結晶欠陥を顕在化する工程と、上記結晶欠陥を定量的に評価する工程と、を備える。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element that can prevent a reduction in MR ratio to keep performance as a magnetoresistance effect element high even when an oxide layer is formed as an outermost surface layer of a protection layer in an oxidation step inevitably included in a manufacturing process by laminating a mask material used for microfabrication double without specially altering the manufacturing step of microfabrication of dry etching carried out under a vacuum.例文帳に追加

真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、ＭＲ比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

This pattern forming method includes (i) a step of forming a resist pattern on a support body using resist composition, (ii) a step of forming coating for pattern reversal by applying the material for forming a reverse pattern to the support body on which the resist pattern is formed, and (iii) a step of forming the reverse pattern by removing the resist pattern by etching.例文帳に追加

支持体上に、レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する工程（ｉ）と、前記レジストパターンが形成された前記支持体上に、反転パターン形成用材料を塗布してパターン反転用被膜を形成する工程（ｉｉ）と、前記レジストパターンをエッチングにより除去し、反転パターンを形成する工程（ｉｉｉ）と、を備えるパターン形成方法であって、前記反転パターン形成用材料が、下記式（ｘ０−１）で表される構成単位を有し、シリコン含有量が１５質量％超のシロキサンポリマーを含有することを特徴とする。 - 特許庁

This etching treatment method includes spraying an etchant which is formed in a slit form by a spray nozzle onto the substrate to be etched so that an angle in a longitudinal direction of the slit form becomes a predetermined angle γ with respect to the transportation direction of the substrate to be etched while making a spray nozzle periodically swing and spray the etchant in an orthogonal direction with respect to the transportation direction of the substrate to be etched.例文帳に追加

スプレーノズルによりスリット状に形成されるエッチング液を被エッチング基板の搬送方向に対して、所定の角度γを成すように噴霧させ、且つ、エッチング液を被エッチング基板の搬送方向に対して直角方向に周期的に揺動、噴霧させ、スプレーノズルの揺動周期Ｔ（ｓｅｃ）を前記被エッチング基板の搬送速度Ｖ（ｃｍ／ｓｅｃ）に対して、Ｔ＝Ｋ・２・Ｓ／Ｖを満足するように揺動動作させるものである。 - 特許庁

The plating-method two-layer copper polyimide laminated film which keeps a metal vapor deposition layer overlying one side or both sides of a polyimide film with a conductive metal layer which is composed of copper overlaying the metal vapor deposition layer to unify them is characterized in that a surface modification depth index after eliminating the conductive metal layer by etching is 25 or smaller and a surface modification strength index is 1.1 or more.例文帳に追加

ポリイミドフィルムの片面または両面に、金属蒸着層を設け、その金属蒸着層上に銅からなる導電性金属層を積層し一体化したメッキ法２層銅ポリイミド積層フィルムであって、その導電性金属層をエッチングにより除去した後の表面改質深さ指数が２５以下であり、そしてその表面改質強度指数が１．１以上のメッキ法２層銅ポリイミド積層フィルム。 - 特許庁

The method for removing the engine deposits comprises a step for providing a turbine component 10 having a surface 14 with engine deposits 58 thereon, wherein the turbine component 10 comprises a nickel and/or cobalt-containing base metal 50, and a step for treating the surface 14 of the turbine component 10 with the cleaning composition to convert the engine deposits 58 thereon to a removable smut without substantially etching the base metal 50 of the turbine component 10.例文帳に追加

デポジット除去方法は、その上にエンジンデポジット５８が付着した表面１４を有し、ニッケル及び／又はコバルト含有ベース金属５０を含むタービン構成部品１０を準備する段階と、タービン構成部品１０の表面１４を洗浄組成物で処理して、実質的に該タービン構成部品１０のベース金属５０をエッチングせずに該表面上のエンジンデポジット５８を除去可能なスマットに転換する段階とを含む。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: an element isolation groove formed in the mark portion; an element isolation insulating film formed within the element isolation groove; an etching stopper film covering at least a part of an surface of the element isolation insulating film; an interlayer insulating film formed on the whole surface of the substrate; and a contact hole extending from a surface of the interlayer insulating film to a surface of the substrate.例文帳に追加

活性領域を分離するための素子分離領域を含む回路部と、マーク部とを基板に有する半導体装置であって、該マーク部に形成された素子分離溝と、該素子分離溝内に形成された素子分離絶縁膜と、該素子分離絶縁膜の表面の少なくとも一部を覆うエッチングストッパー膜と、該基板の全面に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の表面から該基板の表面まで達するコンタクトホールと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To peel a plurality of sets of semiconductor layer groups from one semiconductor substrate by laminating a buffer layer right on the semiconductor device and a peel layer having a selective etching property with respect to the buffer layer, to obtain the semiconductor layer groups of high crystal quality, to save the labor for a substrate recycling stage by eliminating the need for a surface treatment for recycling the semiconductor substrate, and to make the semiconductor substrate not thinner.例文帳に追加

半導体基板直上のバッファ層と、該バッファ層と選択的なエッチング性を備える剥（はく）離層とを積層することによって、１枚の半導体基板から複数組の半導体層群を剥離することができ、高い結晶品質の半導体層群を得ることができ、半導体基板を再利用するために表面処理を行う必要がなく、基板再利用工程を省力化することができ、半導体基板の厚さが薄くなることがないようにする。 - 特許庁

To avoid lowering the yield due to breaking of a resist pattern and prevent an etching liquid flow from being blocked in the gap between thick film patterns to accurately form a desired pattern over the entire substrate, when photosensitive layers on a substrate are exposed and developed to form a mask pattern and the substrate is etched with the mask pattern to form the pattern of the same shape as that of the mask pattern on the substrate.例文帳に追加

基板上に形成された感光層に露光および現像によりマスクパターンを形成し、そのマスクパターンを用いて基板をエッチングすることにより、基板にマスクパターンと同一形状のパターンを形成する際に、レジストパターンの破れによる歩留の低下を防止する一方で、厚膜パターン同士の隙間でエッチング液の流れが阻害されることを防止し、基板全体にわたり所望のパターンを精度良く形成できるようにする。 - 特許庁

The etching agent for copper or a copper alloy consists of an aqueous solution containing hydroxylamine keeping the solution alkaline, and suppressing the decomposition of an oxidizer, an oxidizer for oxidizing copper, and accelerating its dissolution into the solution, ammonium salt feeding ammonia ions into the solution, and accelerating the dissolution of copper, and an azole compound suppressing the dissolution of copper in the vertical direction, and accelerating the dissolution of copper in the horizontal direction.例文帳に追加

液をアルカリ性に保って酸化剤の分解を抑制するヒドロキシルアミン、銅を参加して液中への溶解を促進するための酸化剤、液中にアンモニヤイオンを供給して銅の溶解を促進するアンモニウム塩および垂直方向の銅の溶解を抑制し水平方向の銅の溶解を促進するアゾール化合物を含有する水溶液からなる銅または銅合金のエッチング剤ならびにエッチング方法。 - 特許庁

To provide a copper foil with an insulating adhesive for a multilayer printed wiring board, which is superior with an insulating adhesive layer having high adhesive force at low permittivity, a low dielectric dissipation factor, room temperature and a high temperature, and which is superior in that the manufacturing process of the multilayer printed wiring board can be shortened by providing the copper foil which can form a circuit by an etching and working operation or the like.例文帳に追加

多層プリント配線板用絶縁接着剤付き銅箔で、絶縁接着剤層が低誘電率、低誘電正接、常温及び高温での高い接着力を有する点が優れており、またエッチング加工等により回路形成可能な銅箔を備えていることにより多層プリント配線板の製造工程の短縮が可能である点が優れている多層プリント配線板用絶縁接着剤付き銅箔を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing wiring includes a step of ejecting locally a composition containing a conductive material on a first pattern so as to form a conductor functioning as a pillar, a step of forming a dielectric so as to cover the conductor, a step of etching the dielectric so as to expose a part of the conductor, and a step of forming a second pattern on the exposed conductor.例文帳に追加

本発明の配線の作製方法は、第１のパターン上に導電性材料を含む組成物を局所的に吐出してピラーとして機能する導電体を形成するステップと、前記導電体が覆われるように絶縁体を形成するステップと、前記導電体の一部が露出するように前記絶縁体をエッチングするステップと、露出した前記導電体上に第２のパターンを形成するステップとを有することを特徴とする。 - 特許庁

This manufacturing method has a first step of anodizing a second layer containing aluminum to form fine holes on a first layer, a second step of forming metal oxides contained in the first layer at bottoms of the fine holes, a third step of removing the metal oxides by dry-etching, and a fourth step of forming magnetic materials in the fine holes by electrolytic plating through the first layer.例文帳に追加

第１の層上の、Ａｌを含む第２の層を陽極酸化して微細孔を形成する第１の工程と、前記微細孔の底部に、前記第１の層に含まれる金属の酸化物を形成する第２の工程と、前記金属の酸化物をドライエッチングにより除去する第３の工程と、前記第１の層を通電経路とする電解メッキにより前記微細孔に磁性材料を形成する第４の工程と、を有することを特徴とする記録媒体の製造方法。 - 特許庁

A channel plate 12 having a large number of ink channels 14 provided to at least one surface thereof by etching, the actuators related to the ink channels in order to pressurize the ink in the ink channels and a means 10 demarcating the ink sumps communicating with the ink channels are included and the ink sump demarcating means is formed by a base member 10 formed from a substance different from that of the channel plate 12.例文帳に追加

少なくとも１つの表面へエッチングされた複数のインク・チャネル（１４）を有するチャネル・プレート（１２）、インク・チャネルに含まれるインクを加圧するためインク・チャネルの各々に関連づけられたアクチュエータ（２２）、及びインク・チャネルと連通するインク溜め（３２）を画定する手段（１０）を含み、前記インク溜め画定手段が、チャネル・プレート（１２）とは異なった物質から作られたベース部材（１０）によって形成される。 - 特許庁

In manufacturing an electromagnetic wave shielding adhesive film, related to a plastic film with a conductive metal where a conductive metal layer is laminated on a transparent base material through an adhesive layer which is solidified when irradiated with an active energy ray, an etching resist pattern is formed by screen printing or offset printing, and the conductive metal layer is etched to form a geometric graphic of a conductive metal.例文帳に追加

透明基材上に活性エネルギー線を照射することにより硬化する接着剤層を介して導電性金属層が積層されてなる導電性金属付きプラスチックフィルムにおいて、スクリーン印刷法又はオフセット印刷法により作製したエッチングレジストパターンを形成し、導電性金属層をエッチングすることにより導電性金属からなる幾何学図形を形成することを特徴とする電磁波シールド性接着フィルムの製造法。 - 特許庁

A method of manufacturing an optical semiconductor device comprises the steps of: forming a semiconductor intermediate layer on a semiconductor substrate; forming a semiconductor stack including an optical waveguide layer above the semiconductor intermediate layer; forming trenches for exposing the semiconductor intermediate layer on their inner surfaces in the semiconductor stack; and forming a cavity by removing the semiconductor intermediate layer exposed on the inner surfaces of the trenches by using selective wet etching.例文帳に追加

光半導体素子の製造方法は、半導体基板上に、半導体中間層を形成する工程と、半導体中間層上に光導波層を含む半導体積層体を形成する工程と、その内面に半導体中間層が露出する溝を半導体積層体に形成する工程と、溝の内面に露出した半導体中間層を選択的ウェットエッチングによって除去することで、空隙を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To obtain an etched product which retains flexibility fit for conveyance by a reel-to-reel system and has stabilized etching sizes and shapes of holes, etc., without impairing the flexibility a patterned resin layer mask when a photosensitive resin layer formed on the surface of a polyimide film is irradiated with UV through a photomask and developed to form the patterned resin layer mask and the polyimide film is etched with an alkaline solution.例文帳に追加

ポリイミドフィルム面上に形成された感光性樹脂層に、フォトマスクを用いて紫外線を照射し、かつ、現像して樹脂層パターンマスクを形成した後、アルカリ性液でポリイミドフィルムをエッチングする場合において、樹脂層パターンマスクの可撓性を損わないでリールツーリール方式の搬送等に適した可撓性を保持し、しかも、穴等のエッチング寸法及び形状が安定化したエッチング製品を得ることができるようにする。 - 特許庁