「FLIP CHIP」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor element with a bump can be mounted on a thin-film circuit board by restraining the initial deformation of a thin-film circuit board and deformation due to heating while sucking and fixing or by sucking and fixing the outer circumference to a fixing part of a flip chip mounting device from a bump of a semiconductor element with a bump mounted on the thin film circuit board.例文帳に追加

薄膜回路基板に搭載するバンプ付半導体素子のバンプより外周部をフリップチップ実装装置の固定部に吸着固定しながら又は吸着固定する事で、薄膜回路基板の初期変形及び加熱による変形が抑えられる事で、バンプ付半導体素子の薄膜回路基板への実装が可能となる。 - 特許庁

The surface acoustic wave device is constituted so that a piezoelectric substrate 2 is flip-chip mounted on a base substrate 3 and the excitation region 6 is sealed with a resin film 5, wherein a projection bank part 13 is provided in the extension region of the propagation path 12 of an interdigital electrode 1 and on the base substrate 3 near the outer peripheral end of the piezoelectric substrate 2.例文帳に追加

この目的を達成するために、本発明は、ベース基板３上に圧電基板２をフリップチップ実装してその励振領域６を樹脂フィルム５で封止する弾性表面波デバイスにおいて、櫛形電極１の伝播路１２の延長領域で且つ圧電基板２の外周端近傍のベース基板３上に突起堤部１３を設けた。 - 特許庁

The entire integrated circuit wafer is coated with protection materials, a coating film for solder ball bonding is selectively etched, chips are separated, flip-chip assembly is performed on an opening of a ceramic substrate, a slit between solder bonding parts is filled with a polymer sealing material, protection materials for configuration components are removed, and the package is sealed by putting a cover on the substrate.例文帳に追加

集積回路ウエーハ全体を保護材料で被覆加工し、はんだボール取付け用の被覆を選択的にエッチングし、チップを単体化し、セラミック基板の開口上でチップのフリップ・チップ組立てを行い、はんだ接合部の間の間隙をポリマー密封材でアンダーフィルし、構成要素の保護材料を除去し、基板に蓋を取り付けてパッケージを密封する。 - 特許庁

To wire a first semiconductor integrated circuit and a second semiconductor integrated circuit without using a via while the first semiconductor integrated circuit has a plurality of pad rows, when a semiconductor device is formed by mounting the first semiconductor integrated circuit and the second semiconductor integrated circuit on one substrate by a flip chip technique.例文帳に追加

第１の半導体集積回路と第２の半導体集積回路とをフリップチップ工法で１つの基板上に搭載して半導体装置とする場合に、第１の半導体集積回路のパッド列を複数段としながら、第１の半導体集積回路から第２の半導体集積回路への配線をビアを介さずに行い得るようにする。 - 特許庁

When a semiconductor element 101 is flip-chip mounted to a circuit forming member 105 to manufacture a semiconductor device, the circuit forming member and the semiconductor element are positioned at a mounting temperature 121 exceeding a normal temperature to be mounted to each other via a conductive adhesive 104, and then heated at a curing reaction temperature 122 to cure the conductive adhesive.例文帳に追加

回路形成体１０５に半導体素子１０１をフリップチップ装着して半導体装置を製造するとき、常温を超える装着温度１２１にて上記回路形成体及び上記半導体素子を位置決めして導電性接着剤１０４を介して互いを装着した後、硬化反応温度１２２に加熱して導電性接着剤を硬化させる。 - 特許庁

Particularly, in the case of the flip chip type semiconductor device comprising a compound semiconductor, it is heated in the range of 200 to 300°C to connect a conductive protruded electrode and an electrode on the flat plate substrate surface, and then a heat treatment is performed in a temperature range of 350 to 450°C, whereby shear strength is ensured without causing the deterioration of device characteristics.例文帳に追加

特に、化合物半導体からなるフリップチップ型半導体素子の場合、平板基板温度を２００℃〜３００℃の範囲で加熱して導電性突起電極と平板基板表面の電極とを接続した後、３５０℃〜４５０℃の温度範囲で熱処理を行うと、素子特性の劣化を招くことなく、シア強度を上げることができる。 - 特許庁

The nitride light-emitting device that is manufactured by the method for enhancing the wire bonding efficiency and the yield of packaging of flip chip light-emitting device as characteristics of the ohmic contact with the p-type clad layer is improved, enhanced light emission efficiency because of low specific contact resistance and current/voltage characteristics, and longer life time of the device.例文帳に追加

このような窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善されてフリップチップ発光素子のパッケージング時にワイヤボンディング効率及び収率を高め、低い比接触抵抗と優秀な電流−電圧特性とによって素子の発光効率を向上させ、素子の寿命を延長できる。 - 特許庁

To provide a mounting method of a semiconductor device and the manufacturing method of a semiconductor device mounted assembly that reduce the time required for mounting the semiconductor device onto a board, and improve productivity in the mounting method of the semiconductor device and the manufacturing method of the semiconductor device mounted assembly that allow the semiconductor device to be subjected to flip-chip connection.例文帳に追加

基板上に半導体装置をフリップチップ接続する半導体装置の実装方法および半導体装置実装体の製造方法において、半導体装置を基板に搭載するに際し必要となる時間を削減し生産性を向上する半導体装置の実装方法および半導体装置実装体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the liquid crystal display apparatus having a liquid crystal panel, an optical system and a light source, the light source includes a light emitting element having positive and negative electrodes, at least one of them being plural, and wires mounted to the positive and negative electrodes through flip chip mounting by making electrical correspondence to individual regions of the positive and negative electrodes.例文帳に追加

液晶パネルと、光学系と、光源とを有する液晶表示装置であって、前記光源は、正極電極と負極電極の少なくとも一方を複数個有する発光素子と、前記正極電極と負極電極の各領域にそれぞれ電気的に対応させてフリップチップ実装する配線とを有することを特徴とする液晶表示装置。 - 特許庁

To provide a high-luminance flip chip optical semiconductor element capable of being used as a light-emitting element for various indicators and printer heads of optical printers or a light-receiving element for solar batteries, and causing almost no short-circuit regardless of the positional accuracy when arranged on a drive substrate.例文帳に追加

本発明は各種インジケータや光プリンタのプリンタヘッド用など種々の発光素子や太陽電池などの受光素子として利用可能なフリップチップ型光半導体素子に係わり、特に、駆動基板上への配置においても位置精度に関わりなく短絡が極めて少ない高輝度フリップチップ型光半導体素子を提供することにある。 - 特許庁

The method includes a process of mounting a film-like sealing resin on a plurality of semiconductor chips 20 flip-chip connected to an interposer 10 having a plurality of unit circuit patterns 11, and a process of resin-sealing the plurality of semiconductor chips by pressing a work with the sealing resin mounted on the plurality of semiconductor chips in a vacuum state.例文帳に追加

複数の単位回路パターン１１を有するインターポーザ１０にフリップチップ接続された複数の半導体チップ２０上にフィルム状の封止樹脂を搭載する工程と、複数の半導体チップ上に封止樹脂が搭載されたワークを真空状態にてプレスして複数の半導体チップを樹脂封止する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a surface accoustic wave device which is not only excellent in dust-proofness and anti-corrosion strength but also, even if a conductive piezoelectric board is used, is resistant against a pyroelectric breakdown caused when bumps are formed, can reduce variations in characteristics and can improve the reliability when the device is mounted on a circuit board by a flip-chip method.例文帳に追加

防塵性及び防食耐性に優れているだけでなく、導電性を有する圧電基板を用いた場合であっても、バンプ形成に際しての焦電破壊が生じ難く、かつ特性のばらつきが少なくフリップチップ工法による回路基板への搭載に際しての信頼性を高め得る弾性表面波装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electronic component wherein the simplification of manufacturing processes is made possible, by using a process for subjecting a semiconductor component to a flip-chip bonding to a mounting substrate being present in the state of a wafer, and using a process for injecting a resin material into the space between the semiconductor component and the mounting substrate, in the manufacturing processes of a quartz oscillator.例文帳に追加

水晶発振器の製造工程において、ウエハ状の実装基板の状態から、実装基板に半導体部品をフリップチップ実装し、半導体部品と実装基板の間に樹脂材料を注入する製造工程とすることで、製造工程の簡略化が可能な電子部品の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The surface acoustic wave element 1 flip-chip-mounts the electrode forming face 14 toward the bottom face of the cavity 20 in the inside of the ceramic base 21, a sealing member 6 is arranged to a gap between the ceramic base 21 and the surface acoustic wave 1, and the sealing member 6 encloses the entire circumference of the electrode forming face 14 of the surface acoustic wave element 1.例文帳に追加

セラミック基体21の内部には、弾性表面波素子１が電極形成面14をキャビティ20の底面に向けてフリップチップ実装されると共に、セラミック基体21と弾性表面波素子１の間隙部に封止部材６が配備されて、該封止部材６によって弾性表面波素子１の電極形成面14が全周を包囲されている。 - 特許庁

The manufacturing method includes a sputtering step of causing the mold resin containing wax or fatty acid to sputter the ball surface of the semiconductor package exposed on the side of the ball surface by Ar plasma, a step of flip-chip-bonding the semiconductor package onto a wiring substrate after the sputtering step, and a step of filling the underfill resin between the semiconductor package and the wiring substrate.例文帳に追加

ワックス又は脂肪酸が含まれたモールド樹脂がボール面側に露出した半導体パッケージのボール面をＡｒプラズマによりスパッタするスパッタ工程と、スパッタ工程の後に、半導体パッケージを配線基板上にフリップチップ接合する工程と、半導体パッケージと配線基板の間にアンダーフィル樹脂を充填する工程とを有する。 - 特許庁

In the flip-chip type light-emitting element, an n-type contact electrode 14 is formed on an n-layer 11 that is exposed like comb-tooth, a light transmitting electrode 15 formed of ITO is formed on the entire surface of a p-layer 13, and 20 pad electrodes 16 are formed keeping the predetermined interval on the light transmitting electrode 15.例文帳に追加

本発明のフリップチップ型発光素子は、櫛歯状に露出したｎ層１１上にｎ型コンタクト電極１４が形成され、ｐ層１３上面の全面にわたってＩＴＯからなる透光性電極１５が形成され、透光性電極１５上には所定の間隔で２０個のパッド電極１６が形成されている。 - 特許庁

At mounting of the electrodes 4 on the electrodes 3, the electrodes 4 are flip-chip mounted on the electrodes in an area surrounded by frame-like projecting section 1a formed on the surface of the mounting substrate 1, by bringing the top of the projecting section 1a into contact with the peripheral edge section of the semiconductor element 2.例文帳に追加

このとき、実装基板１に枠状の突起部１ａが形成され、突起部１ａの頂部を半導体素子２の周縁部に当接させ、突起部１ａにより囲まれた箇所で半導体素子２に形成された電極４と実装基板１に形成された接続用電極３とがバンプ５を介してフリップチップ実装されている。 - 特許庁

The piezoelectric component includes a substrate 6 consisting of an insulating material; a first piezoelectric element 2 mounted on the substrate 6 by a flip-chip; a second piezoelectric element 3, mounted on the top or the bottom in the perpendicular direction, rather than the first piezoelectric element 2; and the sealing resin 1 which seals and packages the first piezoelectric element 2 and the second piezoelectric element 3.例文帳に追加

絶縁材料からなる基板６と、該基板６にフリップチップ実装された第１の圧電素子２と、該第１の圧電素子２よりも鉛直方向に上あるいは下に実装された第２の圧電素子３と、前記第１の圧電素子２及び第２の圧電素子３を封止してパッケージ化する封止樹脂１と、からなることを特徴とする。 - 特許庁

There is provided a wireless package structure in which a semiconductor chip 16 mounted on a wiring board 11 by flip mounting is sealed by a sealing body 12, having an upper conductive plate 13, being a heat sink exposed from the upper surface of the sealing body 12 and an external connection electrode 14a, being a heat sink exposed from a lower surface of the sealing body 12.例文帳に追加

フリップ実装によって配線基板１１に搭載された半導体チップ１６を封止体１２によって封止したワイヤレスのパッケージ構造とし、封止体１２上面から露出した放熱板でもある上部導電板１３および封止体１２下面から露出した放熱板でもある外部接続用電極１４ａを有する。 - 特許庁

A fixing jig 11 for flip chip mounting for holding a ferrule 13 and bonding a light receiving and emitting element to the end surface of the ferrule 13 by application of ultrasonic vibration holds two side surfaces 53 perpendicular to the vibration direction a of the ferrule 13 and includes a pressing part 57 that applies elastic force to one side surface 55 to press the ferrule 13.例文帳に追加

フェルール１３を保持し、超音波振動を印加してフェルール１３の端面に受発光素子を接合させるためのフリップチップ実装用固定治具１１であって、フェルール１３の振動方向ａに垂直な二側面５３を挟持し、且つ一方の側面５５に対し弾性力を付与する押圧部５７を有してフェルール１３を押圧する。 - 特許庁

The packaging method for flip-chip packaging a semiconductor element on the substrate comprises processes of: joining an electrode on the substrate and an electrode of the semiconductor element; and forming a film at the junction part of the electrode on the substrate and the electrode of the semiconductor element with the aid of an atmospheric pressure plasma method.例文帳に追加

半導体素子を基板上にフリップチップ実装する半導体素子実装方法において、前記基板上の電極と前記半導体素子の電極とを接合する工程と、前記基板上の電極と前記半導体素子の電極とを接合した接合部に大気圧プラズマ法にて膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体素子実装方法。 - 特許庁

The circuit device 1 comprises: an insulating base material 4 composed of a resin layer 36 filled with a fibrous filler 35; projection parts 11, 12, 13 and 14 provided on the insulating base material 4 and functioning as electrodes for connection; the semiconductor element 2 to be flip-chip mounted; and under fill 29 filled between the semiconductor element 2 and the insulating base material 4.例文帳に追加

本発明の回路装置１は、繊維状充填材３５が充填された樹脂層３６から成る絶縁基材４と、絶縁基材４に設けられて接続用の電極として機能する突出部１１、１２、１３、１４と、フリップチップ実装される半導体素子２と、半導体素子２と絶縁基材４との間に充填されるアンダーフィル２９とを具備する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 mounted on a printed board 11 by flip-chip mounting through solder bumps 9 and the like is provided with a semiconductor substrate 1, the inductor 4 arranged with a first insulating resin layer 3 set between the semiconductor substrate 1 and itself, and a shield 6 arranged above the inductor 4 with a second insulating resin layer 5 set between the inductor 4 and itself.例文帳に追加

はんだバンプ９等によりプリント基板１１上にフリップチップ実装される半導体装置１０であって、半導体基板１と、前記半導体基板１との間に第１の絶縁樹脂層３を介して設けられたインダクタ４と、前記インダクタ４との間に第２の絶縁樹脂層５を介して前記インダクタ４の上部に設けられたシールド６とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a printed-wiring board enabling strong solder bonding for improving long-term reliability by solving the problem wherein solder is biased on a solder bonding surface depending on an electrode shape in the printed-wiring board, where an electrode for bonding a flip-chip packaged semiconductor device is formed by an exposed portion of a wiring pattern prescribed by a solder resist film.例文帳に追加

フリップチップ実装される半導体素子接合用の電極を、ソルダーレジスト被膜により規定した配線パターンの露出部分により形成したプリント配線板に於いて、電極形状によりはんだ接合面にはんだの偏りが生じる不都合を解消して、強固なはんだ接合を可能にし、長期信頼性を向上させたプリント配線板を提供する。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing a semiconductor device having a heat resistant resin film used generally for flip-chip connection using a solder bump or a gold bump and an epoxy based resin compound in which reliability of the semiconductor device is enhanced by improving adhesive property especially after it is held under high temperature and high humidity for a long term, and to especially provide a surface modification treatment method.例文帳に追加

半田バンプや金バンプを用いるフリップチップ接続に多用される耐熱性樹脂膜とその上に積層するエポキシ系樹脂化合物を有する半導体装置において、特に高温高湿下に長期間保持された後の接着性を改善し、半導体装置の信頼性を向上させるための半導体装置の製造方法、特に表面改質処理方法を提供する。 - 特許庁

In electronic component mounting of mounting electronic components 5 and conductive balls for forming bumps for mounting on the same substrate such flip-chip mounting the apparatus is constituted of a tray feeder 4 for receiving the component 5 and a ball feeder 7 for supplying the balls, a component supply 3 of electronic component mounting apparatus; and a suction nozzle only for the balls is equipped in a transfer head 10.例文帳に追加

フリップチップなどの電子部品５とバンプ形成用の導電性ボールとを同一の基板に実装する電子部品実装において、電子部品実装装置の部品供給部３に電子部品５を収容するトレイフィーダ４，導電性ボールを供給するボールフィーダ７を含んだ構成とし、移載ヘッド１０に導電性ボール専用の吸着ノズルを装着可能とする。 - 特許庁

This device is an optical parallel transmitting receiver containing a photodetector array 3f arranging plural photodetectors in an array state on the same semiconductor substrate and a preamplifier IC 3g integrating plural receiving circuits, and the photodetector array 3f is a back incident type photodetector, and the photodetector array 3f is flip chip mounted on the upper surface of the preamplifier IC 3g.例文帳に追加

複数の受光素子を同一半導体基板上にアレイ状に配列させた受光素子アレイ（３ｆ）と、複数の受信回路を集積化したプリアンプＩＣ（３ｇ）とを含む光並列伝送用受信器であって、受光素子アレイ（３ｆ）が裏面入射型受光素子であって、受光素子アレイ（３ｆ）がプリアンプＩＣ（３ｇ）の上面にフリップチップ実装されていることを特徴とする。 - 特許庁

This semiconductor device includes the wiring board 1 having a first terminal group 2 disposed at a substantially center on the surface of the board and a second terminal group 3 disposed on the surface of the board around the first terminal group 2, the first semiconductor element 5 flip-chip mounted on the wiring board 1 via the first terminal group 2, and the second semiconductor element 7 placed on the first semiconductor element 5.例文帳に追加

基板面の略中央部に配置された第１の端子群２と、第１の端子群２の周囲の基板面に配置された第２の端子群３とを備える配線基板１と、第１の端子群２を介して配線基板１にフリップチップ実装された第１の半導体素子５と、第１の半導体素子５上に搭載された第２の半導体素子７とを備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the surface-acoustic wave device comprises a first step of disposing a plurality of surface acoustic wave elements 20 on a mounting set substrate 40, so as to form a space between comb-like electrodes of the elements 20 and one surface of the substrate 40, and connecting the connecting electrodes of the elements 20 to conductor patterns of the substrate 40 by flip-chip bonding.例文帳に追加

第１の工程は、実装用集合基板４０上に、弾性表面波素子２０の櫛形電極と実装用集合基板４０の一方の面との間に空間が形成されるように複数の弾性表面波素子２０を配置し、フリップチップボンディングによって弾性表面波素子２０の接続電極と実装用集合基板４０の導体パターンを接続する。 - 特許庁

Since the flip-chip structure is formed by connecting the electrodes on the backside of the element 2 directly on the through-hole 5 and pattern 4 via the gold bumps 7a and 7b without going via a Zener diode as in the conventional example, the through-hole 5 and solder 6 filling up the hole 5 work as a heat sink and the heat radiating property of the LED 1 is very much improved.例文帳に追加

このように、ＬＥＤ１においては、従来のようにツェナーダイオードを介さずに、発光素子２の裏側の電極を金バンプ７ａ，７ｂによって直接スルーホール５及び導電性パターン４に接続してフリップチップ構造を形成しているために、スルーホール５とその中に充填されたハンダ６がヒートシンクの役割を果たして、極めて放熱性に優れたＬＥＤとなる。 - 特許庁

When the underfill resin sheet 6 is made of a resin having a viscosity curing start temperature of 200°C or higher and a curing start temperature of 220°C or higher where the curing reaction ends by about 1-2 min, the temperature can be raised to 240°C to lower the viscosity of the resin of the sheet 6, after the flip-chip bonding to have the resin cured.例文帳に追加

アンダーフィル樹脂シート６を加熱により粘度が低下する温度が２００℃以上で、加熱により硬化を開始する温度が２２０℃以上で、１乃至２分程度で硬化反応が完了する樹脂から構成すると、フリップリップ接合後、温度を２４０℃に昇温することによってアンダーフィル樹脂シート６の樹脂の粘度を低下させた後硬化させることができる。 - 特許庁

Thus, in an constitution wherein a high frequency is used as a frequency in a steady load state by taking the response delay of the overcurrent protecting operation into account, the overcurrent detection output is supplied to the oscillation frequency changing circuit 18 via the RS flip-flop circuit 12 to eliminate a time constant circuit for avoiding hunting, so that a chip size of an integrated circuit itself can be reduced.例文帳に追加

こうして過電流保護動作の応答遅れを考慮することで、定常負荷時の周波数を高周波化するようにした構成において、過電流検知出力を、ＲＳフリップフロップ回路１２を介して発振周波数低下回路１８に与えることで、ハンチングを防止するための時定数回路を不要し、集積回路自体のチップサイズも小型化することができる。 - 特許庁

In a substrate 61 including an IC module, an IC module 20 provided with reinforcing members 22 and 23 for reinforcing an integrated circuit 21 having an electrode 21a, on at least one of an upper surface and a lower surface of the integrated circuit 21 is mounted on a substrate 25 by a flip chip method, and a reinforcing body 65 is provided between the IC module 20 and the substrate 25.例文帳に追加

本発明のＩＣモジュールを含む基板６１は、電極２１ａを有する集積回路２１の少なくとも上面、及び下面のいずれかに集積回路２１を補強するための補強部材２２、２３を備えたＩＣモジュール２０をフリップチップ方式で基板２５に実装したＩＣモジュールを含む基板６１であって、ＩＣモジュール２０と基板２５との間に補強体６５を備えている。 - 特許庁

To reduce the size and cost of an optical module and to improve the mass productivity of the module by more effectively improving the efficiency of signal light coupling between an optical waveguide element and an optical waveguide circuit of which signal light incidence/exit end faces are opposed to each other through a gap in an integrated optical module packaging an optical waveguide element on an optical waveguide circuit platform by a flip- chip mounting.例文帳に追加

光導波路回路プラットフォーム上に光導波路素子がフリップチップ実装された集積光モジュールにおいて、空隙を挟んで信号光の入出射端面が対向する光導波路素子〜光導波路回路間の信号光結合効率を、従来より効果的に改善し、光モジュールの小型化・低コスト化・量産性向上を実現する。 - 特許庁

Accordingly, the flip-chip light emitting element can be mounted easily.例文帳に追加

本発明は金属リードフレームを金型打ち抜き或いはエッチングによって得られる反射型発光ダイオードにおいて、フリップチップ型発光素子を一旦セラミック或いはガラスエポキシ樹脂回路基板にフリップ実装した後に金属リードフレームに搭載することによって反射型発光ダイオードにおいてフリップチップ型発光素子を搭載できなかったが、このような構成とすることによって容易に搭載が可能となりより優れた反射型発光ダイオードを提供するものである。 - 特許庁

To provide a bump formation method capable of reducing thermal stress imposed at the time of mounting using a bump or when using as a product, and capable of coping with a narrower pitch by efficiently forming an elastic bump at a low cost, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of easily performing flip-chip mounting with high reliability by using the bump.例文帳に追加

弾力性を有するバンプを安価に効率よく形成することにより、バンプを用いた実装に際して、あるいは製品としての使用に際して負荷される熱応力を軽減することができ、しかも狭ピッチ化に対応することができるバンプ形成方法、及び、そのバンプを使用することで信頼性に優れたフリップチップ実装が容易にできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the piezoelectric oscillator comprises, after a step of forming an electronic circuit that includes an oscillation circuit, and packaging the semiconductor device with no protecting resin film formed thereon by flip chip bonding method in a second recessed part, a step of washing the area charging an under-fill with plasma, and a step of then charging the under-fill with an under-fill resin material.例文帳に追加

圧電発振器の製造方法において、第二の凹部に、発振回路を含む電子回路を形成し且つ裏面に保護樹脂膜が形成されていない半導体素子をフリップチップボンディング法により搭載する工程の後に、プラズマによりアンダーフィルを充填する領域を洗浄する工程を具備し、その後アンダーフィル樹脂材を充填する工程を具備することを特徴とする圧電発振器の製造方法。 - 特許庁

In a semiconductor integrated circuit device where a semiconductor element 1 is flip-chip mounted on a wiring board 2 and fastened thereon by sealing resin 5, protrusions 7a-7d protruding toward the wiring board 2 side are formed on the back side of the semiconductor element 1 to extend along the sides 1a-1d thereof on the inside of the electrode 3 of the semiconductor element 1.例文帳に追加

半導体素子１を配線基板２にフリップチップ実装し、封止樹脂材５によって半導体素子１を配線基板２に係止した半導体集積回路装置であって、半導体素子１の裏面に、半導体素子１の辺１ａ〜１ｄに沿って延び、かつ半導体素子１の電極３よりも内側の位置に、配線基板２の側に向かって突出した凸部７ａ〜７ｄを形成したことを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor module has a multilayered substrate 103, at least four terminal electrodes 102 provided on the surface of the multilayered substrate 103, an electrical function layer 109 selectively provided at an internal area of the multilayered substrate 103, placed on the lower position of all terminal electrodes 102 in the substrate thickness direction, and the semiconductor device 101 flip-chip bonded to the terminal electrodes 102.例文帳に追加

本発明の半導体モジュールは、多層基板１０３と、多層基板１０３の表面に少なくとも４つ設けられた端子電極１０２と、全ての前記端子電極１０２の基板厚み方向の下方に位置する前記多層基板１０３の内部領域に選択的に設けられた電気機能層１０９と、端子電極１０２にフリップチップ実装された半導体装置１０１とを有している。 - 特許庁

To provide a high-frequency electronic circuit module components which contain ceramic multilayer boards and flip-chip mounting surface acoustic wave elements(SAW) that are mounted direct on the board and can be hermetically sealed up in a single lot, can be improved in productivity, reliability in use, and mounting properties when being mounted, and can be reduced in height, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

セラミック多層基板とそれに直接搭載するフリップチップ実装型表面弾性波素子（ＳＡＷ）を含む高周波電子回路部品において、複数のSAW素子の気密性を一括して得ると共に、生産性の向上を可能とし、且つ使用時の信頼性を高め、実装時の装着性の向上を、さらに製品寸法の低背化を行うことができる高周波モジュール部品およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a structure including a semiconductor element, which employs a material with a low dielectric constant called a low-K material as a material constituting an interlayer insulation film of a multilayer wiring layer, flip-chip-mounted on a circuit board, with a highly reliable mounting structure by flexibly coping with a change in temperature to prevent breakdown of the interlayer insulation film.例文帳に追加

Ｌｏｗ−Ｋ材料と呼ばれる誘電率の低い材料を多層配線層の層間絶縁膜を構成する材料として用いた半導体素子が回路基板にフリップチップ実装された構造を有する半導体装置であって、温度変化に柔軟に対応して前記層間絶縁膜の破壊を防止することにより、信頼性の高い実装構造を備えた半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A semiconductor device has a power amplification semiconductor circuit and a controller circuit for controlling this power amplification semiconductor circuit laminated on a multilayer wiring board 1, wherein the power amplification semiconductor circuit and the controller circuit are formed such that they are arranged in parallel on the same semiconductor element 7, and this semiconductor element 7 has the mounting structure of being mounted onto the multilayer wiring board 1 through flip-chip connection.例文帳に追加

多層配線基板１上に、電力増幅用半導体回路と、この電力増幅用半導体回路を制御するための制御用回路が積層される半導体装置において、電力増幅用半導体回路と制御用回路は同一の半導体素子７上に並列配置されて形成されており、この半導体素子７は多層配線基板１上にフリップチップ接続により搭載される実装構造を有する。 - 特許庁

In the method for injecting underfill resin to fill the gap between a semiconductor element and a wiring board for mounting the semiconductor element where the semiconductor element and the wiring board are flip-chip bonded, the semiconductor element and the wiring board are provided with parts not filled with the underfill resin.例文帳に追加

課題を解決するために本発明は、半導体素子と、前記半導体素子が実装される配線基板と、前記半導体素子と前記配線基板がフリップチップ接続されており、前記半導体素子と前記配線基板の隙間を充填するようにアンダーフィル樹脂の注入方法において、前記アンダーフィル樹脂は前記半導体素子と該配線基板の一部にアンダーフィル樹脂を形成しない部分を設けたことを特徴とするアンダーフィル樹脂の注入方法とすることで課題を解決する。 - 特許庁

In a semiconductor device wherein a semiconductor element 2 packaged with a flip chip is supported on a semiconductor element package area of a semiconductor carrier board 4, a metallic heat radiating areas 1 plated with a high heat conductive metal as well as metallic plating heat radiating patterns 3 conducting the heat from the semiconductor element packaging area to the metallic plated heat radiating patterns 3.例文帳に追加

半導体キャリア基板４の半導体素子実装エリアにフリップチップで実装した半導体素子２を支持し、半導体キャリア基板４の上面に複数の電極７と配線１２を形成した半導体装置であって、半導体キャリア基板４の上面の複数の電極７と配線１２以外の部分に、熱伝導性が良好な金属をめっきした金属めっき放熱エリア１と、半導体素子実装エリアから金属めっき放熱エリア１に導く金属めっき放熱パターン３とを設けた。 - 特許庁

The tape film is composed of a tape material, having wiring patterns of metal foils formed on the front and back sides of an insulation tape 3 and multi-pin structured inner leads in the wiring pattern on one surface of the tape material are bonded eutectically to electrode bumps of semiconductor elements in the flip-chip system.例文帳に追加

絶縁テープの表裏両面に金属箔の配線パターンが形成されたテープ素材で構成され、前記テープ素材の表裏一方の面に配された前記配線パターンにおける多ピン構造のインナーリード部が半導体素子の電極バンプとフリップチップ方式で共晶接合されるテープフィルムにおいて、インナーリード部に対向した両面配線テープの反対面の裏面配線パターンは、半導体素子との接合時の荷重が各インナーリードに均等に加わるような形状で形成する。 - 特許庁