「First Step」に関連した英語例文の一覧と使い方(92ページ目) - Weblio英語例文検索

In the notching step A, a pair of first notched grooves 15a is formed in the transverse direction of the wire 10 while at the same time a second notched groove 15b that links the pair of first notched grooves 15a and runs over the axis of the wire 10 is formed.例文帳に追加

切込工程Ａでは、電線１０を横断する方向に第一の切込溝１５ａを一対形成するとともに、一対の第一の切込溝１５ａを繋ぎ電線１０の軸線上を通る第二の切込溝１５ｂを形成する。 - 特許庁

When a line is connected, language information on the user's own language and the language of an opposite party, the telephone number of a first portable telephone and the telephone number of the second portable telephone of the opposite party are sent from the first portable telephone to a network together with translation request information (step 1).例文帳に追加

（ステップ１）回線接続時に第１の携帯電話から自分の言語と相手の言語の言語情報、第１の携帯電話の電話番号及び相手の第２の携帯電話の電話番号を翻訳依頼情報と共にネットワークへ送る。 - 特許庁

In a placement step, a first thermoplastic resin 3A is placed in a part of a cavity 22 of a rubber mold 2, the first thermoplastic resin 3A being a solid shaped along the shape of the part of the cavity 22, and a second thermoplastic resin 3B being granular is placed in the rest of the cavity 22.例文帳に追加

配置工程においては、ゴム型２のキャビティ２２の一部に、その形状に沿った形状の固形状態の第１熱可塑性樹脂３Ａを配置すると共に、キャビティ２２の残部に、粒子状態の第２熱可塑性樹脂３Ｂを配置する。 - 特許庁

In a first grinding step, a grinding brush 2 is arrested at a first predetermined position L in the direction of the bristles, and the bottom end of the grinding brush 2 rotated by a brush holder 3 is brought into contact with the side end edge of a metal ring W for grinding.例文帳に追加

研削ブラシ２の毛足方向に沿った第１の所定位置Ｌを拘束し、ブラシホルダ３により回転される研削ブラシ２の下端側を金属リングＷの側端縁に当接して研削加工を施す第１の研削工程を行う。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device comprises an exposure step of using, as a photomask, a reticle 51 with light transmission quantities different from each other in a region inside a first line L1, a region from the first line L1 to a second line L2 and a region outside the second line L2.例文帳に追加

露光工程において、フォトマスクとして、第１のラインＬ１より内側の領域と、第１のラインＬ１から第２のラインＬ２までの領域と、第２のラインＬ２より外側の領域の光透過量がそれぞれ異なるレチクル５１を用いる。 - 特許庁

In the first step, a first groove 38a of 100-200 μm is made in a substrate 30 on a silicon wafer by scanning an abrasive grain jet nozzle 20 times repeatedly at a pitch equal to the width of the substrate 30 along the longitudinal direction of an ink supply groove 38.例文帳に追加

第１の工程でシリコンウエハ上の基板３０に第１の溝３８ａを、インク供給溝３８の長手方向に沿って砥粒噴射ノズルを基板３０の幅のピッチで２０回折り返し走査させて１００〜２００μｍの深さに形成する。 - 特許庁

To reduce the fraction defective of a display apparatus by easily inspecting a wiring state only for a second display panel arranged on a first display panel in a step having manufactured the first display panel.例文帳に追加

第１表示パネルを製造した段階で、第１表示パネルに設けた第２表示パネル専用の配線状態の検査を容易にして装置の不良率を低減できるようにした表示装置の製造方法及び表示装置を提供すること。 - 特許庁

In a growth method of a nitride semiconductor thin film, TMG (trimethyl gallium) or TEG (triethyl gallium) is supplied to a terrace 202 formed in a restricted region 102 by a step-flow growth (a first growth process) of a GaN substrate 101 having a mis-cutting, wherein a supply amount of the TMG or TEG is larger than that in the first growth process.例文帳に追加

ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（第１の成長工程）により制限領域１０２内に形成されたテラス２０２に、第１の成長工程よりも大きな供給量でTMG又はTEGを供給する。 - 特許庁

A first waveguide 11 where a coaxial connector 21 as a coaxial transmission path is provided, a third waveguide 13 as a standard base tube, and a second waveguide 12 as an intermediate part between the first and the third waveguides 11, 13 are formed in a step shape.例文帳に追加

同軸伝送線路である同軸コネクタ２１が設けられる第１導波管部分１１、標準素管である第３導波管部分１３およびこれらの間の中間部である第２導波管部分１２がステップ状に形成されている。 - 特許庁

In the first electrodeposition step, a coil end portion 32 is immersed in low volatility electrodeposition liquid 41A and 41B accumulated in a fist and a second electrodeposition bathes 40A and 40B to perform electrodeposition so that a first deposition film SA1 and SB1 is formed in the coil end portion 32.例文帳に追加

第１電着工程では、コイルエンド部３２を第１，第２電着槽４０Ａ，４０Ｂに貯留された低揮発性電着液４１Ａ，４１Ｂに浸漬して電着を行うことにより、コイルエンド部３２に第１析出被膜ＳＡ１，ＳＢ１を形成する。 - 特許庁

When a prize signal is inputted during execution of an update process in the first period in a big hit-deciding random number executed in the first period after supplying power, a main CPU decides whether an update flag is '1' or not (step TN1, TN2).例文帳に追加

電源投入後、最初の周期で行われる大当り判定用乱数における１周期目の更新処理の実行中、メインＣＰＵは、入賞信号を入力すると、更新フラグが「１」であるか否かを判定する（ステップＴＮ１，ＴＮ２）。 - 特許庁

First, in a first speed reduction step when a rotation control part 21 issues a stop command signal, the rotational speed of a motor 9 is gradually reduced by a speed reduction control part 25 until it reaches the number of rotation for starting stoppage according to the issued signal.例文帳に追加

まず回転制御部２１により停止指令信号が生成されと、その停止指定信号に基づいて停止開始回転数に達するまで減速制御部２５にてモータ９は徐々に減速される第１減速工程が行なわれる。 - 特許庁

In the first filling step, a first resin filler 92 is injected from a gap between a component side surface 24 and an inner wall surface 91, and then moved along a component back surface 23 to fill a gap between adjacent projecting conductors 28.例文帳に追加

第１充填工程では、部品側面２４と内壁面９１との隙間から第１の樹脂充填剤９２を注入した後、部品裏面２３に沿って移動させることにより、隣接する突起状導体２８の間に生じる隙間を埋める。 - 特許庁

A process for providing the projecting sections on the film surface of the first electrode 21 includes a step of growing at least the surface of a first conductive film, in such a way that the surface is replaced with a second conductive film substantially containing no silicon.例文帳に追加

前記第１の電極にその膜面に突起を設ける工程は、所望形状に形成された第１の導体膜の少なくとも表面が実質的にシリコンを含有しない第２の導体膜に置換成長させられる工程を含んいる。 - 特許庁

The method also includes a step of estimating the position of the electronic device based on at least one of the first position estimate and the second position estimate, depending upon quality characteristics of the first match and the second match and indications of the sources of the respective records.例文帳に追加

方法は、第１の適合および第２の適合の品質特性と、個々のレコードの供給源の指標とにより、第１の位置推定値および第２の位置推定値の少なくとも１つに基づいて電子機器の位置を推定するステップを含む。 - 特許庁

In the coating step S3, the acceleration of the rotation of the wafer is changed in the order of a first acceleration, a second acceleration higher than the first acceleration, and a third acceleration lower than the second acceleration to acceleratingly rotate the wafer at all times.例文帳に追加

塗布工程Ｓ３では、ウェハの回転の加速度を第１の加速度、前記第１の加速度よりも大きい第２の加速度、前記第２の加速度よりも小さい第３の加速度の順に変化させ、当該ウェハを常に加速回転させる。 - 特許庁

When exposing a plating resist film to form the post electrode, first, a semiconductor device forming region 21 and an alignment mark forming region 22 are step-exposed by using a first nega-type exposure mask for forming the post electrode.例文帳に追加

ポスト電極を形成するためのメッキレジスト膜の露光を行なうとき、まず、ポスト電極形成用のネガ型の第１の露光マスクを用いて、半導体素子形成領域２１およびアライメントマーク形成領域２２に対してステップ露光を行なう。 - 特許庁

Based on the number M, the average value X and the maximum value x_max, a first standard deviation σ_1 when assuming that the upper part of the set is distributed according to the upper part of a first normal distribution is computed (step S16).例文帳に追加

そして、個数Ｍ、平均値Ｘ及び最大値ｘ_ｍａｘに基づいて、集合の上側部分が第１の正規分布の上側部分に従って分布していると仮定したときの第１の標準偏差σ_１を算出する（ステップＳ１６）。 - 特許庁

In the method, an n-type single-crystal silicon wafer 21 is placed on a first placing surface 50A of a first substrate tray 50 covered by an i-type amorphous silicon layer 28, in a step of forming an HIT-structure.例文帳に追加

本実施形態に係る太陽電池の製造方法では、ＨＩＴ構造の形成工程において、ｎ型単結晶シリコンウェハ２１は、ｉ型非晶質シリコン層２８によって覆われた第１基板トレー５０の第１載置面５０Ａ上に載置される。 - 特許庁

The display measures a first foot position when the load exceeds the predetermined first load threshold value every one step and a second foot position when the load falls below the predetermined second load threshold value based on the sensor data of the foot position sensors.例文帳に追加

表示装置は、足位置センサのセンサデータに基づいて、一歩毎に荷重が予め定められた第１荷重閾値を超えたときの第１足位置と、荷重が予め定められた第２荷重閾値を下回ったときの第２足位置を計測する。 - 特許庁

At step S7, a level means (first level, second level of the table) of the items is calculated by using the calculated SN ratios, and m items are observed from larger one of the level mean difference (first level mean- second level mean).例文帳に追加

ステップＳ７では、算出されたＳＮ比を使って各項目の水準平均（直交表における第１水準、第２水準）を算出し、水準平均差（第１水準平均−第２水準平均）の大きいものからｍ項目見つける。 - 特許庁

In this case, the voltage step-up circuit switches the connection between the first power sources (8, 44) or second power sources (9, 45) and the output terminal (6) by a changeover switch (22) on the basis of the difference between the first reference voltage (VR1) and the second reference voltage (VR2).例文帳に追加

ここにおいて、昇圧回路は、第１基準電圧（ＶＲ１）と第２基準電圧（ＶＲ２）との差に基づいて、第１電源（８、４４）または第２電源（９、４５）のどちらかと出力端（６）との接続を切換スイッチ（２２）によって切り換える。 - 特許庁

In determining a distribution ratio of first image coded data to four sets of the video transcoders to be 1:2:1:2, break-points of the first image coded data are determined to be positions of L:2L:L:2L as shown in Fig.5A in the processing in a step S1.例文帳に追加

４台のビデオトランスコーダへの第１の画像符号化データの配分率を１：２：１：２に決定した場合、ステップＳ１の処理で、図５Ａに示すように、第１の画像符号化データの区切り位置がＬ：２Ｌ：Ｌ：２Ｌの位置に決定される。 - 特許庁

To secure ability to follow lift of a cylinder head at a first seal part, establish steps of a seal part of over the first - third seal part stepwise, and prevent a dent from being formed on a cylinder head and/or a cylinder block by a step.例文帳に追加

シリンダヘッドのリフトに対する追従性を１次シール部で確保するとともに、シール部の段差を１次〜３次シール部にかけて段階的に設定し、段差でシリンダヘッド及び／又はシリンダブロックに圧接痕ができることがなく、該部のシール性を確保する。 - 特許庁

In the step of forming gap materials, the first gap material 31 in the peripheral part E1 in an area surrounded by the first seal members 6a is formed as a gap material which is easily elastically deformed than the second gap material 32 at the center part E2 of the area.例文帳に追加

ギャップ材を形成する工程では、第１シール材６ａで囲まれる領域の周辺部Ｅ１の第１ギャップ材３１を、前記領域の中央部Ｅ２の第２ギャップ材３２よりも弾性変形容易なギャップ材として形成する。 - 特許庁

In order to decide a light shielding length L1 of a light-shielding layer 11, a characteristic straight line C1 of the optical leak current I_leak for an incident optical quantity Qd into a depletion layer DEP is first obtained using a first thin-film transistor for measurement (step A1).例文帳に追加

遮光層１１の遮光長Ｌ１を決定するため、まず、第１の測定用薄膜トランジスタを用いて、空乏層ＤＥＰへの入射光量Ｑｄに対する光リーク電流Ｉ_ｌｅａｋの特性直線Ｃ１を得る（ステップＡ１）。 - 特許庁

After stopping the heating, the long workpiece LW is brought into contact with first to fourth straightening rollers 24a-24d while increasing the number of revolutions of the long workpiece LW, and the workpiece is cooled to the temperature zone of not higher than Pf temperature to the temperature exceeding the Ms temperature in such a state (first cooling step).例文帳に追加

加熱を停止した後、長尺ワークＬＷの回転数を大きくしながら第１〜第４矯正ローラ２４ａ〜２４ｄに接触させ、この状態で、Ｐｆ温度以下〜Ｍｓ温度超の温度域まで冷却する（第１冷却工程）。 - 特許庁

In a step S1, a context generation register is subjected to '0' clearing, the first pixel (1A) of the previous line is stored in a bit 4 of the context generation register, the second pixel (1B) of the previous line is stored in a bit 3, and the first pixel (0A) of two lines previous is stored in a bit 0 respectively.例文帳に追加

ステップＳ１で、コンテクスト生成レジスタを“０”クリアしてから、コンテクスト生成レジスタのビット４に前ラインの先頭画素［１Ａ］を、ビット３に前ラインの次の画素［１Ｂ］を、ビット０に前々ラインの先頭画素［０Ａ］をそれぞれ格納しておく。 - 特許庁

The method of manufacturing a substrate includes a step for vapor depositing an amorphous material 6 at a part being bonded to a support 2 on the surface of an active element composed of a first material, and a second material is not rarer than the first material.例文帳に追加

第１の材料から成る活性要素の表面上における支持体２への接合対象部位に非晶質材料６を蒸着する工程を備え、第２の材料が第１の材料よりも希少ではないことを特徴とする。 - 特許庁

In a step of forming the intermediate electrode 40, (a) a first metal film 41 is formed above the ferroelectric film 30 by sputtering method, and (b) a second metal film 46 is formed above the first metal film 41 by vacuum deposition method.例文帳に追加

中間電極４０の形成工程で、（ａ）強誘電体膜３０の上方に、スパッタ法によって第１の金属膜４１を形成し、（ｂ）第１の金属膜４１の上方に、蒸着法によって第２の金属膜４６を形成する。 - 特許庁

The control means controls the target voltage which the step-up means boosts to a first voltage before the engine of a vehicle is started, and after the engine of the vehicle is started, the target voltage is changed to a second voltage being lower than the first voltage.例文帳に追加

制御手段は、車両のエンジン始動前に昇圧手段が昇圧する目標電圧を第１の電圧に制御し、車両のエンジン始動後に当該目標電圧を当該第１の電圧より低い第２の電圧に変更する。 - 特許庁

In the step for contact judgement, the resistance value is measured between the first probe 2(1) corresponding to the first terminal 13(1) and the N-th probe 2(N) corresponding to the N-th terminal 13(N) and it is determined whether proper probing is performed based on the measurement result or not.例文帳に追加

接触判定では、第１端子１３(1)に対応する第１プローブ２(1)と第Ｎ端子１３(N)に対応する第Ｎプローブ２(N)との間で抵抗値を測定し、その測定結果に基づいて正しくプロービングされているかを判定する。 - 特許庁

A position of the mobile station 1 is detected, based on the mobile station-to-base station distances in the mobile station 1 and the base station 2 respectively in the first and second sampling time points, and the moving distance and the moving direction between the first and second sampling time points, in the step S47.例文帳に追加

そして、ステップＳ４７で、第１及び第２サンプリング時点それぞれにおける移動局基地局間距離と、第１及び第２サンプリング時点間における移動距離、移動方向に基づき、移動局１の位置を検出する。 - 特許庁

A peripheral edge part of the window opening 1 of a vehicle body is formed in a step shape by a first shelf part 21 positioned on a cabin side from a designed surface 20 of the vehicle body, and a second shelf part 22 positioned on the cabin side from the first shelf part 21 on an inner circumference side.例文帳に追加

車体の窓開口１の周縁部を、車体の意匠面２０よりも車室側に位置させた第１の棚部２１と、その内周側に、第１の棚部２１よりも車室側に位置させた第２の棚部２２とで段状に形成する。 - 特許庁

The laser annealing step includes: applying the laser light LZ to the peripheral region 1d of the wafer WH at a first output power PW1; and applying the laser light LZ to the device region 1c of the wafer WH at a second output power PW2 higher than the first output power PW1.例文帳に追加

ウエハＷＨの周縁領域１ｄには、第１出力ＰＷ１でレーザ光ＬＺを照射し、ウエハＷＨのデバイス領域１ｃには、第１出力ＰＷ１よりも高い第２出力ＰＷ２でレーザ光ＬＺを照射する。 - 特許庁

The method for manufacturing wiring includes a step of ejecting locally a composition containing a conductive material on a first pattern so as to form a conductor functioning as a pillar, a step of forming a dielectric so as to cover the conductor, a step of etching the dielectric so as to expose a part of the conductor, and a step of forming a second pattern on the exposed conductor.例文帳に追加

本発明の配線の作製方法は、第１のパターン上に導電性材料を含む組成物を局所的に吐出してピラーとして機能する導電体を形成するステップと、前記導電体が覆われるように絶縁体を形成するステップと、前記導電体の一部が露出するように前記絶縁体をエッチングするステップと、露出した前記導電体上に第２のパターンを形成するステップとを有することを特徴とする。 - 特許庁

In a second resetting step t2 to t3, a voltage to be applied to a second display electrode line is gradually raised to a second voltage VBYP which is higher than the first voltage VBX and the voltage to be applied to the first display electrode line is gradually raised to a third voltage VBF which is lower than the first voltage VBX.例文帳に追加

第２リセット段階ｔ２〜ｔ３では、第２ディスプレー電極ラインに印加される電圧が第１電圧Ｖ_Ｂ_Ｘより高い第２電圧Ｖ_ＢＹＰまで持続的に上昇する一方、第１ディスプレー電極ラインに印加される電圧が第１電圧Ｖ_ＢＸより低い第３電圧Ｖ_ＢＦまで持続的に上昇する。 - 特許庁

The inter-step coupling capacitor includes: a first coupling capacitor electrode disposed in counter to a lower surface side of the low impedance portion of the first SIR; a second coupling capacitor electrode disposed in counter to an upper surface side of the low impedance portion of the second SIR; and a via connecting the first coupling capacitor electrode and the second coupling capacitor electrode.例文帳に追加

段間結合キャパシタは、第１ＳＩＲの低インピーダンス部の下面側に対向して配した第１結合キャパシタ電極と、第２ＳＩＲの低インピーダンス部の上面側に対向して配した第２結合キャパシタ電極と、これら第１結合キャパシタ電極と第２結合キャパシタ電極とを接続するビアとを備える。 - 特許庁

In the present bonding technology, a first bonding object and a second bonding object are aligned by a relative transfer between the first bonding object and the second bonding object in a horizontal direction with both bonding objects, the first bonding object and the second bonding object being in a heated state (step S10, S11, S12).例文帳に追加

この接合技術においては、第１の被接合物と第２の被接合物との両被接合物が加熱された状態で、第１の被接合物と第２の被接合物とを水平方向において相対的に移動して第１の被接合物と第２の被接合物とが位置合わせされる（ステップＳ１０，Ｓ１１，Ｓ１２）。 - 特許庁

After the arrangement step, a silicon carbide layer 30 is formed by a molecular beam epitaxy method on the first/second silicon carbide substrates 11, 12 so as to connect the first/second rear surfaces B1, B2 to each other and to fill a space where the first/second side faces S1, S2 face each other.例文帳に追加

この配置する工程の後に、第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２を互いにつなぎ、かつ第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２が互いに対向する空間を埋めるように、第１および第２の炭化珪素基板１１、１２上に炭化珪素層３０が分子線エピタキシ法によって形成される。 - 特許庁

By providing an inner first sliding surface 654 and an outer first sliding surface 655, the force required to push in the disk becomes maximum at an earlier step, compared with the case where the first sliding surface 653 is made a flat surface, and the pawls 42 turn less and the ends 63 move down less when mounting the disk.例文帳に追加

内側第１摺接面６５４および外側第１摺接面６５５を設けることにより、第１摺接面６５３を１つの平面とする場合と比べて、ディスクを押し込む初期の段階で押し込みに必要な力が最大となり、ディスク装着時の爪部材４２の回動および先端部６３の下降が小さい。 - 特許庁

The semiconductor device 100 is designed according to a method including the step of setting the numbers of first vias and second vias in such a way that a value obtained by dividing a capacitance value of the capacitor 112 by the total number of first vias (128) and second vias (130) included in the first via group and the second via group becomes less than or equal to a predetermined value.例文帳に追加

半導体装置１００は、容量１１２の容量値を第１のビア群および第２のビア群に含まれる第１のビア(１２８)および第２のビア(１３０)の総数で除した値が所定値以下となるように第１のビアおよび第２のビアの数を設定する工程を含む方法で設計される。 - 特許庁

The method further includes a step for displaying the first VU object in the region of the virtual universe on the display device for the first user without displaying the second VU object on the basis of both first rating information associated with the second VU object and rating information of user view preference information.例文帳に追加

本方法は、第２のＶＵオブジェクトに関連付けられた第１の評価情報とユーザ表示プリファレンス情報の評価情報との両方に基づいて第２のＶＵオブジェクトを表示せずに、仮想世界の領域における第１のＶＵオブジェクトを第１のユーザに対して表示装置に表示するステップをさらに含む。 - 特許庁

This second semiconductor chip laminated on a first semiconductor chip having an electrode pad on its main surface has a structure having a step forming a gap between with at least an electrode pad area of the first semiconductor chip on a rear surface arranged opposing the main surface of the first semiconductor chip.例文帳に追加

電極パッドを主面に有した第１の半導体チップ上に積層される本発明の第２の半導体チップを、前記第１の半導体チップの主面に対向配置される裏面に、前記第１の半導体チップの少なくとも電極パッド領域との間に間隙を形成する段差部を有した構造とする。 - 特許庁

The method comprises a first step (a) of producing silver-containing glass in which silver nanoparticles 41 have been diffused, and second steps (b)-(e) of irradiating the silver-containing glass with a first laser beam having a wavelength being easily absorbed by the silver-containing glass and coloring the silver-containing glass in a color according to the output intensity of the first laser beam.例文帳に追加

ガラス中に銀のナノ粒子４１を拡散させた銀含有ガラスを生成する第１のステップ（ａ）と、前記銀含有ガラスに吸収され易い波長の第１のレーザ光を照射して、前記銀含有ガラスを前記第１のレーザ光の出力強度に応じた色に着色する第２のステップ（ｂ）〜（ｅ）と、を備える。 - 特許庁