「Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(57ページ目) - Weblio英語例文検索

A workpiece W is put in a working space 58 of the isolation bag body 5 for work from the chamber 3, and after performing work of handling the workpiece in the working space 58, the isolation bag body 5 for work is discarded.例文帳に追加

そして、ワークＷをチャンバー３から作業用隔絶袋体５の作業空間５８に入れ、当該作業空間５８でワークＷを取扱う作業を行った後、当該作業用隔絶袋体５を廃棄するようにした。 - 特許庁

To make cooling water in a suppression pool usable as water source of a reactor isolation cooling system even when the temperature of the suppression pool water rises because of occurrence of loss-of total AC current source event during reactor isolation in a nuclear power plant.例文帳に追加

原子力発電プラントの原子炉隔離時に全交流電源喪失事象が生じサプレッションプール水温が上昇しても、原子炉隔離時冷却系の水源としてサプレッションプール内の冷却水を使える様にすること。 - 特許庁

Part of a silicon layer 3 held between a bottom face of an element isolation insulation film 5a and a top face of a BOX layer 2 is doped with a P-type impurity for element isolation at a concentration P1 by ion implantation.例文帳に追加

素子分離絶縁膜５ａの底面とＢＯＸ層２の上面とによって挟まれている部分のシリコン層３内には、イオン注入によって、素子分離のためのＰ型不純物が不純物濃度Ｐ１で注入されている。 - 特許庁

To provide a buoyant support unit applied to a base isolation device against vertical earthquake motion capable realizing a comparatively miniaturized structure and effectively carrying out base isolation against a vertical component of earthquake motion by a simple mechanism.例文帳に追加

比較的小型化された構造物で実現でき、しかも、簡単な機構により地震動の鉛直方向成分を有効に免震できるようにした、鉛直地震動に対する免震装置に適用される浮力支持ユニットを提供する。 - 特許庁

To provide a base isolation structure exerting a base isolation effect to a superstructure against a huge earthquake, suppressing swings of the superstructure caused by winds of typhoon and further working effectively to an earthquake of middle and minor scale.例文帳に追加

巨大地震に対して上部構造体を免震可能としながらも、台風等の風荷重による上部構造体の揺れを抑制し、更には、中小地震に対しても免震作用を奏し得る免震構造を提供する。 - 特許庁

To provide a resin foam board for a base isolation structure under a foundation, resin foam panel and a construction method for the isolation structure under the foundation using the resin foam that can dispense with marking work and allow reinforcement arrangement and a concrete form to be easily installed.例文帳に追加

墨出し作業が必要なく、簡易に鉄筋の配筋やコンクリート型枠の設置をすることができる基礎下免震構造に用いる発泡樹脂板、発泡樹脂パネル及び発泡樹脂パネルを用いた施工方法を提供する。 - 特許庁

An upper end of a side face of the element isolation film 102 is positioned above a channel formation layer of the transistor, and a height (h) from the surface of the channel formation layer to a topmost part of the side face of the element isolation film 102 is ≤35 nm.例文帳に追加

素子分離膜１０２の側面の上端は、トランジスタのチャネル形成層よりも上に位置しており、かつチャネル形成層の表面から素子分離膜１０２の側面の最上部までの高さｈが３５ｎｍ以下である。 - 特許庁

To provide a solar battery in which manufacturing steps are simplified by random reflecting a light collided to a bottom of a dielectric isolation silicon island to enhance a power generating efficiency, and to provide a method for manufacturing the dielectric isolation wafer for the solar battery.例文帳に追加

誘電体分離シリコン島の底面に衝突した光を乱反射させて発電効率を高め、製造工程を簡略化する太陽電池および該電池用の誘電体分離ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor layer 3 can be formed through such a manner that a member equipped with an isolation layer (e.g. a porous layer) under the semiconductor layer 3 where the semiconductor element is formed and the board 20 are laminated together, and the member is divided along the isolation layer.例文帳に追加

半導体層３は、例えば、半導体素子が形成された半導体層３の下に分離層（例えば、多孔質層）を有する部材と基板２０とを貼り合わせた後に、該部材を分離層で分割することにより形成されうる。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor device which has trench isolation, has a structure accumulating a charge in a part, suppresses fluctuation of a memory characteristic near an end of trench isolation and has a stable memory characteristic.例文帳に追加

トレンチ分離を有し、局所に電荷を蓄積する構造の不揮発性半導体装置において、レンチ分離の端部近傍におけるメモリ特性の変動を抑制して、安定したメモリ特性を有する不揮発性半導体装置を実現する。 - 特許庁

To provide an isolation method of an element having a semiconductor layer of such as silicon/germanium, having lattice strain which is weak with respect to high temperature process, and to ensure reliability by reducing leakage current at the isolation edge.例文帳に追加

高温プロセスに弱い、シリコン・ゲルマニウムのような格子歪みを有する半導体層を持つ素子の分離方法を提供し、素子分離端でのリーク電流を低減し、信頼性の確保を可能にすることを目的としている。 - 特許庁

In the slide plate 1 of the sliding base isolation device used when a base isolation building W built, the frictional coefficient of the friction face 2 in the sliding face of the slide plate 1 is made larger at the outer peripheral part than at the central part.例文帳に追加

免震建物を建築する際に用いられるすべり式免震装置のすべり板１に於いて、該すべり板１のすべり面に設ける摩擦面２の摩擦係数を中心部より外周部の方が大きくなるように構成する。 - 特許庁

Then, if the transition time determining section 22 determines that the transition time is greater than the threshold value, an isolation cell inserting section 23 inserts an isolation cell into the scan out signal of the scan FF.例文帳に追加

そして、ｉｓｏｌａｔｉｏｎセル挿入部２３は、遷移時間判定部２２によって遷移時間がしきい値よりも大きいと判定された場合に、当該スキャンＦＦのスキャンアウト信号にｉｓｏｌａｔｉｏｎセルを挿入する。 - 特許庁

To provide a base isolation structure for shortening a construction period of foundation work, and further surely reducing costs, by simplifying pile driving work, by omitting a foundation beam for mutually joining mutual base isolation stands.例文帳に追加

免震架台どうしを互いに接合するための基礎梁の省略を可能にし、さらに、杭打ち工事の簡素化をも図ることによって、基礎工事の工期短縮と費用削減をより一層確実に達成することのできる免震構造。 - 特許庁

Each of the capacitors at both ends of the active region 40 has an impurity diffusion layer in the inner wall of the isolation trench 2 (the side wall of the active region 40) as the storage electrode, and the N type conductive film 4n in the isolation trench 2 as the cell plate electrode.例文帳に追加

活性領域４０の両端のキャパシタは、分離トレンチ２の内壁（活性領域４０の側壁）の不純物拡散層をストレージ電極とし、分離トレンチ２内のＮ型導電性膜４ｎをセルプレート電極とする。 - 特許庁

To provide an inexpensive structure of a leg of a column such as a steel frame column for a concrete foundation having a base isolation function having high strength and a long service life, without using a new and expensive component such as a conventional laminated rubber type base isolation device.例文帳に追加

コンクリート基礎に対する鉄骨柱等の柱脚構造を、従来の積層ゴム式免震装置のような高価な部品を新たに使用することなく、安価で、高強度で、かつ、耐用年数の長い免震機能を持たせる。 - 特許庁

This base isolation pulling resistance device A is adapted to resist pulling force applied to a base isolator in a base isolation structure formed in the lower structure part 2 and the upper structure part 3 supported on the lower structure part 2 through the base isolator 4.例文帳に追加

本発明は、下部構造部２と、免震装置４を介して下部構造部２に支持される上部構造部３とからなる免震構造において、免震装置４に作用する引張力に抵抗する免震引抜抵抗装置Ａである。 - 特許庁

As a consequence, an n-type impurity is not implanted into the part of the p-type silicon layer 3 positioned between the bottom face of an element-isolation insulation film 5 and the upper face of a box layer 2, and therefore it is possible to avoid the reduction of the isolation withstand voltage.例文帳に追加

従って、素子分離絶縁膜５の底面とＢＯＸ層２の上面との間に位置している部分のｐ型のシリコン層３内に、ｎ型の不純物が注入されないため、分離耐圧が低下することを回避できる。 - 特許庁

In the device, the optical isolation device 11 has at least one opening 15, and the opening is provided, at least partially, at a predetermined angle other than zero with respect to the thickness of the optical isolation device 11.例文帳に追加

この装置において光学的分離装置（１１）は少なくとも１つの開口部（１５）を有し、この開口部は少なくとも部分的に光学的分離装置（１１）の厚みに対して所定の、０以外の角度をなして設けられている。 - 特許庁

The p^+ isolation region 24 is so formed as to touch a p-type channel stopper region 21 formed on the surface of the first principal plane and a p-type collector layer 9 formed on the surface layer of the second principal plane in the isolation structure 120.例文帳に追加

ｐ^+分離領域２４は、分離構造部１２０において、第１主面の表面に形成されたｐ型チャネルストッパー領域２１および第２主面の表面層に形成されたｐ型コレクタ層９に接するようにする。 - 特許庁

To provide a vibration isolation unit and a friction damper which restrain excessive vibration without detreriorating isolation effect and cause no dislocate by changing the magnitude of a frictional force in the friction damper in accordance with relative displacement and relative velocity.例文帳に追加

摩擦ダンパにおける摩擦力の大きさを相対変位および相対速度に応じて変化させることにより、絶縁効果を損なわずに過大な振動を抑え、位置ずれも生じない振動絶縁装置及び摩擦ダンパを提供する。 - 特許庁

To attain embedding performance and reduction in channel resistance for an inter-diffusion-layer isolation insulating film in a semiconductor device of a trench gate structure having diffusion layers and an inter-diffusion-layer isolation insulating film partly recessed, formed in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に形成された拡散層および拡散層間分離絶縁膜の一部がリセスされた溝ゲート構造を有する半導体装置において、拡散層間分離絶縁膜の埋設性とチャネル抵抗の低減を両立する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which reduces stress concentration on a corner of a trench groove, can restrain generation of defect in the corner, and has an element isolation structure showing satisfactory element isolation characteristics; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

トレンチ溝のコーナー部へのストレス集中を低減させ、該コーナー部における欠陥の発生を抑制することができ、十分な素子分離特性を示す素子分離構造を有する半導体装置と製造方法を提供する。 - 特許庁

To inject a vibration isolation material into a tail void from a grout hole bored in a segment, and to form a vibration-isolation layer in homogeneous and uniform thickness in the tail void in the execution of a shaft joining section and a collapsing ground at the time of the boring of a shield tunnel.例文帳に追加

シールドトンネル掘進時の立坑接合部や崩壊性地山の施工に於いて、セグメントに開穿したグラウトホールからテールボイドへ免震材を注入し、該テールボイドに均質且つ均等な厚みの免震層を形成する。 - 特許庁

A well 21 for pn separation which has the opposite conductivity type from that of the collector well 22 is so formed in the silicon substrate 18 as to continuously surround the collector well 22, stretching over the entire distance between the first element isolation recess 20a and the second element isolation recess 20b.例文帳に追加

コレクタ・ウエルと反対の導電型のｐｎ分離用ウエル２１が、第１の素子分離溝から第２の素子分離溝まで全間隔にわたり、ウエル・コレクタの周囲を連続して取り囲むようにシリコン基板に設けられている。 - 特許庁

To provide a vibration isolation device which can suppress excessive vibrations without impairing a vibration isolation effect and does not cause positional deviation by changing the magnitude of a friction force in a friction damper in accordance with a relative displacement and a relative speed.例文帳に追加

摩擦ダンパにおける摩擦力の大きさを相対変位および相対速度に応じて変化させることにより、絶縁効果を損なわずに過大な振動を抑え位置ずれも生じない振動絶縁装置を提供する。 - 特許庁

In order to prevent the failure in contact formation an element isolation film 2 of a capacitor formation region 3 is dug down by etching in advance before the capacitor 16 is formed, and the capacitor 16 is arranged on the element isolation film 2 dug down.例文帳に追加

コンタクト形成不良を防止するために、キャパシタ１６の形成前にキャパシタ形成領域３の素子分離膜２を予めエッチングにより掘り下げ、このキャパシタ１６は、この掘り下げられた素子分離膜２上に設けられている。 - 特許庁

The diffusion layer electrode is so formed as to contain the top face of the edge of the boundary in the diffusion layer region, but not contain the top face of the edge of the boundary in the trench-type element isolation region, and so is separated from the isolation.例文帳に追加

拡散層電極は、拡散層領域における境界端部上面を含み、溝型素子分離領域における境界端部上面を含まないように形成されることにより、素子分離と分離されている。 - 特許庁

The nonvolatile memory includes a substrate, isolation structures disposed in and protrudent over the substrate, floating gates as conductive spacers on the sidewalls of the isolation structures protrudent over the substrate, and a tunneling layer between each floating gate and the substrate.例文帳に追加

不揮発性メモリは、基板と、基板に設けられ、その上に突き出た分離構造と、基板上に突き出た分離構造の側壁上にある導電性スペーサーとしての浮遊ゲートと、各浮遊ゲートと基板の間のトンネル層とを含む。 - 特許庁

To form an isolation channel of stable quality with high yield, in the manufacture of a semiconductor device which includes a process for forming an isolation groove for dividing the active region on a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明は半導体基板に活性領域を区分する分離溝を形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、安定した品質を有する分離溝を高い歩留まりで形成することを目的とする。 - 特許庁

To provide a construction method capable of further enhancing seismic isolation performance of a building by applying a clamping method or a seismic isolation and absorption method of a five-storied pagoda to absorb and scatter shape deforming energy by earthquake and minimizing damages.例文帳に追加

かすがい工法や五重の塔の免震震動吸収工法を応用し、地震による形状変形エナジーを吸収発散して被害を最小に留め、建築物の免震性能を飛躍的に強化する建築法を提供する。 - 特許庁

A part of an existing column 2 just under an upper beam 3u is cut off, and a base isolation device 4 is arranged therebetween, and a steel plate 6 is wound up to a column base part 6d from an under surface of the base isolation device 4 around the existing column 2.例文帳に追加

上梁３ｕ直下の既存柱２の一部が切除され、その間に免震装置４が設置されるとともに、既存柱２の周囲には、免震装置４の下面から柱脚部６ｄまで鋼板６が巻かれている。 - 特許庁

By disposing the sheet metal member 114 on the second surface side of the vibration isolation unit 11 and locking it on a lens barrel unit holder UH without using a joining member such as a screw, the lens barrel unit 10 is coupled with the vibration isolation unit 11.例文帳に追加

ネジなどの締結部材を使わずに、その板金部材１１４を防振ユニット１１の第２面側に配設して鏡胴ユニットホルダＵＨに係止することにより鏡胴ユニット１０と防振ユニット１１とを結合させる。 - 特許庁

To use a mounting member inexpensive but having a high natural frequency for connecting an upper fitting and a vibrating body in a vibration isolation device used for connecting a vibrating body such as an engine to a supporting body such as a car body frame in a vibration isolation state.例文帳に追加

エンジン等の振動体を車体フレーム等の支持体に対して防振的に結合する防振装置において、上側金具と振動体とを繋ぐ取付部材を低コストでありながら高い固有振動数を持つようにする。 - 特許庁

Clearance (first distance 11) between a P type isolation diffusion layer 30 and the heavily doped N type diffusion layer 10 is set shorter than the clearance (second distance 12) between the P type isolation diffusion layer 30 and the heavily doped N type diffusion layer 9.例文帳に追加

さらに、Ｐ型分離拡散層３０と高濃度Ｎ型拡散層１０との離間距離（第１の距離１１）をＰ型分離拡散層３０と高濃度Ｎ型拡散層９との離間距離（第２の距離１２）に比べて短くする。 - 特許庁

That is, the isolation wall 14 which divides radially the first light receiving element 12 into four parts is made the p-type semiconductor wall 141, and the isolation wall 14 which divides the second light receiving element 13 into four parts is made the insulator wall 142.例文帳に追加

即ち、第１の受光素子部１２を放射状に４分割する分離壁１４をＰ型半導体壁１４１とし、第２の受光素子部１３を４分割する分離壁１４を絶縁体壁１４２としている。 - 特許庁

To realize a method of forming a grooved element isolation region which surely enables formation, with higher accuracy and on the self-alignment basis, of a grooved element isolation region having the region including impurity only at the upper part of the sidewall of the groove.例文帳に追加

溝部の側壁の上部にのみ不純物含有領域を有する溝型素子分離領域を確実に且つ高い精度で、しかも自己整合的に形成すること可能とする溝型素子分離領域の形成方法を提供する。 - 特許庁

In an SRAM cell array to be formed on a semiconductor layer on an insulating layer, the bodies of an access transistor and a driver transistor of each cell are isolated in units of cells through trench isolation reaching up to the insulating layer (perfect isolation).例文帳に追加

絶縁体層上の半導体層に形成されるＳＲＡＭセルアレイにおいて、各セルのアクセストランジスタおよびドライバトランジスタのボディーを、絶縁体層にまで達するトレンチ分離（完全分離）によってセル毎に分離する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: an element isolation groove formed in the mark portion; an element isolation insulating film formed within the element isolation groove; an etching stopper film covering at least a part of an surface of the element isolation insulating film; an interlayer insulating film formed on the whole surface of the substrate; and a contact hole extending from a surface of the interlayer insulating film to a surface of the substrate.例文帳に追加

活性領域を分離するための素子分離領域を含む回路部と、マーク部とを基板に有する半導体装置であって、該マーク部に形成された素子分離溝と、該素子分離溝内に形成された素子分離絶縁膜と、該素子分離絶縁膜の表面の少なくとも一部を覆うエッチングストッパー膜と、該基板の全面に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の表面から該基板の表面まで達するコンタクトホールと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a CMP (chemical-mechanical polishing) slurry, a CMP method, and a shallow-trench isolation method using the same.例文帳に追加

化学機械的研磨スラリー、化学機械的研磨方法及びこれを採用する浅いトレンチ素子分離方法を提供する。 - 特許庁

To provide a base isolation bearing body capable of achieving excellent damping effect without using lead, and a method for manufacturing that.例文帳に追加

減衰効果に優れ、しかも鉛を使用することのない免震支承体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A field insulating film 75 for isolation is formed so that the field insulating film may surround the impurity regions 71a and 71b.例文帳に追加

不純物領域７１ａおよび７１ｂを取囲むように、素子分離用のフィールド絶縁膜７５が形成される。 - 特許庁

A base isolation device 16 is interposed between the base of column part of the building constituting unit and a foundation 14.例文帳に追加

その上で、建物構成用ユニットの柱脚部と基礎１４との間には、免震装置１６がそれぞれ介在されている。 - 特許庁

To develop a vibration isolation pad for a clean room capable of suppressing the generation of out gas from a member in the clean room.例文帳に追加

クリーンルーム内において、部材からアウトガスが発生するのを抑えたクリーンルーム用防振パッドを開発することにある。 - 特許庁

To provide a shallow trench isolation structure excelling in an insulation characteristic; and a simple and inexpensive method for forming the same.例文帳に追加

絶縁特性に優れたシャロー・トレンチ・アイソレーション構造とそれを形成するための簡便かつ低コストな方法の提供。 - 特許庁