「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(129ページ目) - Weblio英語例文検索

This organic photoreceptor is made by laminating photosensitive layers and protection layers sequentially on a conductive carrier, the photosensitive layer containing charge transport substance of 4.5% of atomic weight ratio of N atom or less, the protection layer being obtained by curing a composition containing a compound having a radically polymerizable hardening functional group.例文帳に追加

導電性支持体上に感光層及び保護層を順次積層した有機感光体において、前記感光層がＮ原子の原子量比が４．５％未満の電荷輸送物質を含有し、前記保護層がラジカル重合性硬化性官能基を有する化合物を含有する組成物を硬化させた保護層であることを特徴とする有機感光体。 - 特許庁

After that, the barrier film 13 and unreacted metal elements of the metal film 12 are removed and then a second heat treatment of higher temperature than the first heat treatment is carried out to form a metal silicide layer of an MSi phase thinner than the metal silicide layer of the MSi phase, formed on the surface of the n^+ type semiconductor region 9b, in the p^+ type semiconductor region 10b.例文帳に追加

続いて、バリア膜１３、未反応の金属膜１２の金属元素を除去後、第１の熱処理より高温の第２の熱処理を行って、上記ｐ^＋型半導体領域１０ｂに、上記ｎ^＋型半導体領域９ｂの表面に形成されたＭＳｉ相の金属シリサイド層よりも薄いＭＳｉ相の金属シリサイド層を形成する。 - 特許庁

A single layer or a multilayer film having a layer of a thermoplastic resin composition containing a thermoplastic resin and elastic body particles and formed by film-forming the thermoplastic resin composition in a sandwiched state by two rolls made of metal at a pushing pressure of ≥150 N/cm linear pressure is used as the polarizer protection film.例文帳に追加

熱可塑性樹脂及び弾性体粒子を含有する熱可塑性樹脂組成物の層を有する単層又は多層のフィルムであって、前記熱可塑性樹脂組成物を、線圧１５０Ｎ／ｃｍ以上の押し付け圧力にて２本の金属製ロールで挟み込んだ状態で製膜してなるものを、偏光子保護フィルムとして使用する。 - 特許庁

A semiconductor layer formation process is performed, where a semiconductor layer 13 made of an n-type low-resistance region having higher impurity concentration than a semiconductor substrate 1 at the scheduled formation part (inside the semiconductor substrate 1 at one surface side of the semiconductor substrate 1) of the electrical heating element 3 at one surface side of the semiconductor substrate 1 made of a p-type silicon substrate.例文帳に追加

ｐ形シリコン基板からなる半導体基板１の一表面側における発熱体３の形成予定部位（半導体基板１の上記一表面側における半導体基板１内）に半導体基板１よりも不純物濃度が高いｎ形の低抵抗領域からなる半導体層１３を形成する半導体層形成工程を行う。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor provided with a photosensitive layer on a conductive supporting body, the electrophotographic photoreceptor making the high resolution and the high sensitivity compatible with each other and further having the durability is provided by making the photosensitive layer contain oxotitanyl phthalocyanine and a N-naphtylenamine- hydrazone compound expressed by a structural formula (1) and by using the specified additive.例文帳に追加

導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、感光層にオキソチタニルフタロシアニンと下記構造式（１）で示されるＮ−ナフチルエナミン−ヒドランゾン化合物を含有させるとともに、特定の添加物を用いることにより、高感度と高解像度を両立させ、かつ、耐久性を有する電子写真感光体を提供する。 - 特許庁

The adhesive tape for the surface protection for a semiconductor wafer has an adhesive layer on a substrate film in which the contact angle of methylene iodide on the surface of the adhesive layer at 23°C is ≥40 degrees and ≤70 degrees and the adhesive force of the adhesive tape to SUS280 polished surface is ≤1 N/25 mm.例文帳に追加

基材フィルム上に粘着剤層を有する半導体ウエハ表面保護用粘着テープであって、前記粘着剤層表面のヨウ化メチレンに対する２３℃における接触角が４０度以上７０度以下であり、かつ前記粘着テープのＳＵＳ２８０研磨面に対する粘着力が１Ｎ／２５ｍｍ以下である半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。 - 特許庁

In the back electrode type photoelectric conversion element equipped with semiconductor layers 60, 62 and electrodes 80, 82 for collecting carriers only onto the back side of a semiconductor substrate 40 constituted of a principal constituent of a group IV material, a quantum well unit 50 is provided between a p-layer and an n-layer which constitute a pn junction unit on the back side of the substrate.例文帳に追加

ＩＶ属材料を主成分とする半導体基板４０の裏面側にのみキャリアを収集するための半導体層６０，６２及び電極８０，８２を備えた裏面電極型の光電変換素子において、基板裏面側のｐｎ接合部を構成するｐ層とｎ層との間に量子井戸部５０を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

This double-faced adhesive tape for fixing a sheet for speaker makeup is a double-faced adhesive tape having acryl-based self-adhesive layers (A layer and B layer) on both side faces of a nonwoven base material, characterized in that both machine direction (MD) tensile strength and cross direction (TD) tensile strength are 8 N/10 mm or more.例文帳に追加

本発明のスピーカー化粧用シート固定用両面接着テープは、不織布基材の両面側にアクリル系粘着剤層（Ａ層及びＢ層）を有する両面接着テープであって、テープの流れ（ＭＤ）方向の引張強度及び幅（ＴＤ）方向の引張強度が共に８Ｎ／１０ｍｍ以上であることを特徴としている。 - 特許庁

An organic photoelectric conversion element of the present invention comprises a cathode, a photoelectric conversion layer containing a p-type organic semiconductor material and an n-type organic semiconductor material, a hole transport layer containing a hole transport material, and an anode, which each are laminated in that order.例文帳に追加

また、ｐ型共役系高分子を光電変換層におけるｐ型有機半導体材料として用いた光電変換素子を製造する際に、環境管理された雰囲気や不活性ガス雰囲気を採用しない場合であっても、光電変換効率の絶対値の低下やそのバラツキの発生（安定性の低下）を最小限に抑制しうる手段を提供する。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material which is for a multilayer resist process, especially for a double layer resist process or a triple layer resist process, which functions as an excellent antireflection film especially against exposure with short wavelength light, that is, having high transparency and most suitable n and k values, and further is excellent in etching resistance in substrate working.例文帳に追加

多層レジストプロセス用、特には二層レジストプロセス用又は三層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、すなわち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

The multilayered antireflection film has an optical interference layer laminated on a transparent substrate and includes at least one layer formed by applying and drying a solution prepared by dissolving benzoyl substituted poly(p-phenylene) and/or benzoyl substituted poly(p/m-phenylene) in a solvent containing at least one solvent selected from the group comprising N-methylpyrrolidone, dimethylformamide and halogenated hydrocarbons as a high refractive index layer.例文帳に追加

透明基材上に光学干渉層が積層されてなる多層反射防止膜において、ベンゾイル置換ポリ（ｐ−フェニレン）、及び／又はベンゾイル置換ポリ（ｐ／ｍ−フェニレン）を、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド及びハロゲン化炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種の溶剤を含有する溶剤に溶解させて得られる溶液を塗布、乾燥してなる層を、高屈折率層として少なくとも一層を含有することを特徴とする多層反射防止膜。 - 特許庁

An N-type island shaped region 14 surrounded by a separation region 13 comprises a collector region 16 extending from the upper surface of the epitaxial layer EL to the second buried layer 12, island shaped base regions 15, 17 surrounded by the second buried layer 12 and the collector region 16, and an emitter region 18 whose periphery keeps an approximately constant distance away from the collector region 16.例文帳に追加

分離領域１３に囲まれたＮ型の島状領域１４の中に、エピ層ＥＬの上面から第２の埋め込み層１２まで延びるコレクタ領域１６と、第２の埋め込み層１２とコレクタ領域１６に囲まれて島状を呈するベース領域１５、１７と、内側の窓部分よりベース電極を取り出せるようにしたリング状で、その外周がコレクタ領域１６とほぼ一定の距離だけ離れているエミッタ領域１８と、を形成する。 - 特許庁

In this image forming method, at least electrification, exposure, development with toner and transfer are repeated by rotating an electrophotographic sensitive body having the intermediate layer between a conductive supporting body and a photoreceptive layer, and the intermediate layer incorporates the N type semiconductor particles and binder, then the variation coefficient of the shape factor of the toner is ≤16% and the number variation coefficient in number particle size distribution thereof is ≤27%.例文帳に追加

導電性支持体と感光層の間に中間層を有する電子写真感光体を回転させ、少なくとも帯電、露光、トナーによる現像、転写を繰り返す画像形成方法において、前記中間層がＮ型半導体粒子とバインダーを含有し、前記トナーは形状係数の変動係数が１６％以下であり、かつ個数粒度分布における個数変動係数が２７％以下であることを特徴とする画像形成方法。 - 特許庁

The polypropylene resin foamed sheet laminate comprises a polypropylene resin film, the print layer, a polypropylene resin layer, a polypropylene resin foamed sheet sequentially laminated from a surface in such a manner that a centerline mean roughness of the polypropylene resin film surface side of the laminate is in a range of 1 to 6 μm and releasing strengths of the polypropylene resin film and the print layer are 4.3 N/25 mm or more.例文帳に追加

本発明のポリプロピレン系樹脂発泡シート積層体は、表面からポリプロピレン系樹脂フィルム、印刷層、ポリプロピレン系樹脂層、ポリプロピレン系樹脂発泡シートが順に積層されている発泡シート積層体であって、該積層体のポリプロピレン系樹脂フィルム面側の中心線平均粗さが１〜６μｍの範囲内であり、ポリプロピレン系樹脂フィルムと印刷層との剥離強度が４．３Ｎ／２５ｍｍ以上に形成されている。 - 特許庁

A p-side electrode 24 is formed on slopes 26 and 28 of the upper clad layer 22 parallel to the first and second slopes 12 and 14 of the GaAs substrate 16, while an n-side electrode 30 is formed on the rear surface of the GaAs substrate 16.例文帳に追加

ｐ側電極２４が、ＧａＡｓ基板１６の第１の傾斜面１２及び第２の傾斜面１４に平行な上クラッド層２２の傾斜面２６及び傾斜面２８上に、また、ｎ側電極３０がＧａＡｓ基板１６に裏面に、それぞれ、形成されている。 - 特許庁

By this constitution, a cross-sectional shape of the InAsP active layer 3 which shape is parallel with a direction of a laser resonator and perpendicular to a main surface of the substrate 1 is a triangle whose one edge is about 25 nm in length and the vertex protrudes to the N-type InP substrate 1 side.例文帳に追加

この様な構成にすることにより、ＩｎＡｓＰ活性層３の、レーザ共振器方向に平行で基板１の主面に垂直な断面形状は、一辺がおよそ２５ｎｍの三角であり、その頂点はｎ型ＩｎＰ基板１側に突き出ている。 - 特許庁

Then, on both sides of polycrystalline silicon films 117 (= gate electrode layer), N^- type impurity diffused layers 118a and 118b and P^- type impurity diffused layers 119a and 119b (LDD regions) are formed.例文帳に追加

予め、シリコン基板１００に、シリコン酸化膜１０７、１０８を設け、その後、多結晶シリコン膜１１７（＝ゲート電極層）の両側に、Ｎ^-型不純物拡散層１１８ａ、１１８ｂ、及びＰ^-型不純物拡散層１１９ａ、１１９ｂ（以上、ＬＤＤ領域）を形成する。 - 特許庁

For a negative electrode, a slurry made in the following procedure in which 90 wt.% of carbon powders capable of taking in and out lithium ion through charging and discharging are mixed PVDF as a binder, followed by addition of N-methyl-2-pyrolidone, is coated on a copper foil and dried to be used as a negative electrode constituents layer.例文帳に追加

負極に、充放電によりリチウムイオンを挿入・脱挿入可能な炭素粉末９０ｗｔ％と、バインダとしてＰＶＤＦと、の混合物にＮ−メチル−２−ピロリドンを加え、混練したスラリを、銅箔に塗布し、乾燥させ、負極合剤層とした。 - 特許庁

Thus, the concentration of the impurity in the low concentration (p)-type region being a channel can be reduced, and the breakdown voltage of the parasitic transistor formed of an epitaxial layer 13, high concentration (p)-type region 15, and (n) type source region 19.例文帳に追加

これにより、チャネルとなる低濃度ｐ型領域の不純物濃度を低くすることができるとともに、エピタキシャル層１３、高濃度ｐ型領域１５およびｎ型ソース領域１９で形成される寄生トランジスタのブレークダウン電圧を高くすることができる。 - 特許庁

A gate electrode 39 is formed striding over a part between channel regions 36 of the respective adjacent unit cells B via a gate oxide film 37 constituted of a thin silicon oxide film on an n-type channel region 36 and via a thick silicon oxide film 38 on the drain layer 33.例文帳に追加

そして、隣接する各単位セルＢのチャネル領域３６間に跨って、ｎ型チャネル領域３６上は薄いシリコン酸化膜からなるゲート酸化膜３７と、ドレイン層３３上は厚いシリコン酸化膜３８とを介してゲート電極３９が形成されている。 - 特許庁

In the cross section in the tread width direction section area, a fold back height XN parallel with a tire equator line CL from an inside end part X of a bead core 12 to a fold back end N of a carcass layer 20 where the bead core 12 is folded back is 35-65% for a tire height SH.例文帳に追加

また、トレッド幅方向断面において、ビードコア１２の内側端部Ｘから、ビードコア１２を折り返したカーカス層２０の折返端Ｎまでタイヤ赤道線ＣＬと平行な折り返し高さＸＮは、タイヤ高さＳＨに対して３５〜６５％である。 - 特許庁

In this way, a structure for preventing overetching up to a p-type base region 3 in rounding process of corner portions of a trench 5 is formed while allowing the density of the upper layer of the n-type source region 4 to be high density to enable ohmic contact with the source region 10.例文帳に追加

これにより、ソース電極１０とオーミック接触させられるようにｎ型ソース領域４の上層部の濃度を高濃度にしつつ、トレンチ５のコーナー部の丸め処理時にｐ型ベース領域３までオーバエッチングされることを抑制できる構造にできる。 - 特許庁

An extension part 18a of the gate electrode covers a part of gate insulating film 17b on the second element region 15, and is connected to the n+ diffusion layer 16 on the second element region 15 through an opening 17c provided to the gate insulating film 17b.例文帳に追加

ゲート電極の延出部１８ａは、第２の素子領域１５上のゲート絶縁膜１７ｂの一部を被覆しており、ゲート絶縁膜１７ｂに備えられた開口部１７ｃを通じて、第２の素子領域１５上のｎ＋拡散層１６に接続されている。 - 特許庁

The gas barrier film is constituted by forming a resin composition layer, which is composed of an acrylic resin containing 50 wt.% or above of N-methylolacrylamides, a water soluble polymer, an inorganic laminar compound and an acid catalyst, at least on one side of a thermoplastic resin base material.例文帳に追加

Ｎ−メチロールアクリルアミド類を５０重量％以上含んでなるアクリル系樹脂と水溶性高分子と無機系層状化合物と酸触媒からなる樹脂組成物層を熱可塑性樹脂基材の少なくとも片面上に形成したガスバリアフィルムに関する。 - 特許庁

The active layer is sandwiched between the n- and p-type nitride semiconductor layers.例文帳に追加

前記ＩＩＩ 族窒化物基板上に形成される前記窒化物半導体層は、少なくとも活性層、ｎ型窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層を有し、前記活性層は、前記ｎ型窒化物半導体層及び前記ｐ型窒化物半導体層で挟まれるように積層されている。 - 特許庁

Thus, in the extracting section 16S of the gate electrode 16, since a long distance is secured between the gate electrode 16 and the corner section 12C of the N-type semiconductor layer 12, the occurrence of the gate leak current is prevented and the gate capacitance can be reduced.例文帳に追加

これにより、ゲート電極１６の引き出し部１６Ｓにおいてゲート電極１６とＮ−型半導体層１２の角部１２Ｃとの距離が長く確保されるため、ゲートリーク電流の発生が防止されると共に、ゲート容量を低減することができる。 - 特許庁

An n type InP buried layer 22 to which Se or S are added at a concentration of 5×1018 cm-3 or more, is formed around a mesa stripe 18 other than a surface on which a SiO2 film 16 is formed for a mesa stripe 18 having a surface on which the SiO2 film 16 is formed.例文帳に追加

ＳｉＯ_2膜１６が形成された面を有するメサストライプ１８に対し、ＳｉＯ_2膜１６が形成された面以外のメサストライプ１８の周辺にＳｅ又はＳを５×１０^18ｃｍ^-3以上の濃度で添加したｎ型ＩｎＰ埋込層２２を形成する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting device capable of improving reliability by reducing the calorific value of the device, and improving the light extraction efficiency by preventing part of light emitted from an active layer from being absorbed by an n-type electrode to become extinct.例文帳に追加

素子の発熱量を減少させて信頼性を向上させ、かつ、活性層から発光する光の一部がｎ型電極に吸収され消滅するのを防止して光抽出効率を向上させることができる窒化物系半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

Interval of the P+ type silicon regions 15 is set such that a substantially integrated depletion layer is formed by a PN junction which is formed between the N type silicon region 12 and the P+ type silicon region 15 upon application of a reverse voltage.例文帳に追加

ここで、Ｐ^＋形シリコン領域１５同士の間隔は、逆方向電圧の印加時にＮ形シリコン領域１２とＰ^＋形シリコン領域１５との間に形成されるＰＮ接合により、実質的に一体化した空乏層が形成されるように構成されている。 - 特許庁

The coated film has a coating layer of a urethane resin containing a xylylene group and/or hydrogenated xylylene group and of a thickness of 0.01 to 0.50 μm laminated on a substrate of a polymeric resin composition, and has a laminate strength of not less than 2 N/15 mm.例文帳に追加

高分子樹脂組成物からなる基材の上にキシリレン基及び／または水添キシリレン基含有ウレタン樹脂からなり、かつ厚みが０．０１〜０．５０μｍである被覆層を積層し、かつラミネート強度が２Ｎ／１５ｍｍ以上であることを特徴とする被覆フィルム。 - 特許庁

At the edge of this compound semiconductor light emitting element, a notched groove is formed from the surface to the side face of the element, and a surface-side conductive film 41 is formed from an n-type layer 21 which is in contact with the groove on the inside of the groove to the groove.例文帳に追加

化合物半導体発光素子の端に当たる部分にて、表側の面から側面にかけて切り欠き溝が形成されており、切り欠き溝に接する内側の部分にあるｎ型層２１から切り欠き溝にかけて、表側導電膜４１が形成されている。 - 特許庁

The fixing roller 91 is heated by the heat generated by the heat generating layer 97B and a toner image T is fixed to recording medium P by having the recording medium P heated/pressurized while having the recording medium P carrying the toner image T pass through the nip part N.例文帳に追加

この発熱層９７Ｂが発生する熱によって定着ローラ９１を加熱し、トナー像Ｔを担持する記録媒体Ｐをニップ部Ｎに通過させつつ、記録媒体Ｐを加熱・加圧することにより、トナー像Ｔを記録媒体Ｐに定着させる。 - 特許庁

An obtained metallized film S is subjected to heat treatment at a temperature of 100-150°C in a heat treatment apparatus B while tension of 2.4-4.9 N/mm^2 per unit cross sectional area is applied, and then, is taken up by the take-up roll 7 so that the secondary metallic layer gets face up.例文帳に追加

得られた金属化樹脂フィルムＳを、熱処理装置Ｂで単位断面積当たり２.４〜４.９Ｎ／ｍｍ^２の張力を加えながら１００〜１５０℃の温度で熱処理を施した後、二次金属層が表向きになるように巻取ロール７に巻き取る。 - 特許庁

A hard coat film includes a hard coat layer on at least one surface of a base film, in which a contact angle of water on a surface is 78° or more and 90° or less, a contact angle of n-dodecane is 22° or less, and the number of defects having a diameter of 30 μm or larger is 20 pieces/m^2 or less.例文帳に追加

基材フィルムの少なくとも片面に、表面の水の接触角が７８度以上９０度以下、ｎ−ドデカンの接触角が２２度以下であり、径が３０μｍ以上の欠点の個数が２０個／ｍ^２以下であるハードコート層を有するハードコートフィルム。 - 特許庁

The field-effect transistor includes: a channel layer 16 formed of an oxide thin film having a carrier concentration (n) (cm^-3) of >10^18 to <10^20 and a film thickness (t) (nm) of ≥1 to <30; and a gate insulating film formed of a dielectric material having a relative permittivity of 2 to 9.例文帳に追加

電子キャリア密度ｎ（ｃｍ^−３）が１０^１８＜ｎ＜１０^２０であり、かつ、膜厚ｔ（ｎｍ）が１≦ｔ＜３０の酸化物薄膜からなるチャンネル層と、 比誘電率が２〜９の誘電体材料からなるゲート絶縁膜と、を有する電界効果型トランジスタ。 - 特許庁

Then, if it is defined that the width of a part arranged in the outside of the groove 5 from between the gate extraction electrode 8 and the resistivity of an n^- type single-crystal silicon layer 1B are CHSP and ρ (Ω cm), respectively, the CHSP is set to satisfy the relation: CHSP≤3.80+0.148ρ.例文帳に追加

その際、ゲート引き出し電極８のうち溝５の外部に配置された部分の幅をＣＨＳＰとし、ｎ^−型単結晶シリコン層１Ｂの抵抗率をρ（Ω・ｃｍ）とすると、ＣＨＳＰ≦３．８０＋０．１４８ρとなるようにそのＣＨＳＰを設定する。 - 特許庁

A frame-like trench-type insulation region 4 is formed into an n-type silicon layer 3 of a SOI substrate, and linear trench-type insulation regions 6 are formed inside the frame-like trench-type insulation region 4, forming semiconductor regions 5 into the shape of a bent pattern.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のｎ形シリコン層３には枠状トレンチ溝型絶縁領域４を設けると共に、枠状トレンチ溝型絶縁領域４の内側に線状トレンチ溝型絶縁領域６を設け、屈曲型パターン形状をなす半導体領域５を形成する。 - 特許庁

A length of a JFET region 10 which is sandwiched by a pair of p-wells 15 of an n-type semiconductor layer 16, that is, an interval Ld between the p-wells 15 of the pair is set to be equal to or smaller than 3 μm, preferably equal to or larger than 0.8 μm and equal to or smaller than 3 μm.例文帳に追加

ｎ型半導体層１６の一対のｐウエル１５に挟まれる領域であるＪＦＥＴ領域１０の長さ、すなわち一対のｐウエル１５間の間隔Ｌｄを３μｍ以下、好ましくは０．８μｍ以上３μｍ以下とする。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium of a multilayer structure wherein an uppermost magnetic layer securing practical durability and a satisfactory C/N ratio in high density recording contains extremely particulate magnetic powder and having a smooth surface and extremely thin thickness.例文帳に追加

高密度記録において、実用的な耐久性と良好なＣ／Ｎを確保した、最上層磁性層が極めて微粒子の磁性粉末を含み、平滑な表面を有して厚みが極めて薄い重層構成の磁気記録媒体を提供することを目的としている。 - 特許庁

The barrier film having high oxidation resistance under a high temperature and high humidity environment, few pinholes, and high optical transmittance is provided by including at least one layer of a silicon nitride film in which two or more silicon nitride films having different compositional ratios of Si/N are stacked.例文帳に追加

バリア膜がＳｉ／Ｎ組成比が異なる窒化シリコン層を２層以上積層した窒化シリコン膜を少なくとも１層含むことにより、高温高湿環境下での耐酸化性が高く、ピンホールが少なく、かつ光学透過率が高いバリア膜を提供することができる。 - 特許庁

The integrated semiconductor laser element includes: a bluish purple laser element 110 having a light emitting area 13 and a ridge 8; and a red laser element 120 having a light emitting area 34 and an opening 30a of an n-type current block layer 30.例文帳に追加

この集積型半導体レーザ素子は、発光領域１３を含むとともに、リッジ部８を有する青紫色レーザ素子１１０と、発光領域３４を含むとともに、ｎ型電流ブロック層３０の開口部３０ａを有する赤色レーザ素子１２０とを備えている。 - 特許庁

In this optical semiconductor element, a light emitting layer 22 having a p-n junction is formed on the upper surface 25 of a transparent substrate 21 having translucency to a light emitting wavelength, and upper- and lower-surface electrodes 23 and 24 are respectively formed on the upper and lower surfaces 25 and 26 of the substrate 21.例文帳に追加

発光波長に対して透光性を有する透明基板２１の上面にｐｎ接合を有する発光層２２を形成し、透明基板２１の上面２５および下面２６に上面電極２３および下面電極２４をそれぞれ形成している。 - 特許庁

The isolation region 13 is composed of: a first isolation region 131 including an impurity diffusion region formed in the vicinity of a boundary of an n-type semiconductor layer 2 of a p type semiconductor substrate 1; and a second isolation region 132 on the first isolation region 131.例文帳に追加

分離領域１３をｐ型半導体基板１のｎ−型半導体層２の境界付近に設けた不純物拡散領域からなる第１分離領域１３１と、第１分離領域１３１上の第２分離領域１３２から構成とする。 - 特許庁

A resin is impregnated in a base paper composed of a pulp containing softwood pulp (N pulp) and hardwood pulp (L pulp) at a mass ratio of 5/5 to 7/3 and having a beating degree of 25-40°SR measured by a Schopper freeness tester, and a heat sealing agent layer is formed on one surface of the impregnated base paper.例文帳に追加

針葉樹パルプ（Ｎ材）と広葉樹パルプ（Ｌ材）との比率が質量比で５／５〜７／３で、ショッパーフリーネスでの叩解度が２５〜４０°ＳＲであるパルプからなる原紙に樹脂を含浸し、その一方にヒートシール剤層を形成してなることを特徴とする。 - 特許庁

An n-clad layer is composed of an upper surface part 64a having (0001) surface, a slope part 64b having a slope of (11-22) surface, and a flat part 64c extending along (11-20) surface from the lower end of the tilted part, with a ridge structure embedded.例文帳に追加

ｎ−クラッド層は、（０００１）面を有する上面部６４ａと、（１１−２２）面の傾斜面を有する傾斜面部６４ｂと、傾斜部の下端から（１１−２０）面に沿って延びる平坦部６４ｃとから構成されていて、リッジ構造を埋め込んでいる。 - 特許庁