「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(129ページ目) - Weblio英語例文検索

A surface emitting laser 40 is provided with an n-type buffer layer 14, a lower semiconductor multilayer film reflecting mirror 44, a luminous layer structure 18 and an upper semiconductor multilayer film reflecting mirror 20 in order on a GaAs substrate 12 and moreover, is provided with a surface electrode 22 on the upper surface thereof and is provided with a rear side electrode 24 and a rear multilayer film reflecting mirror 42 on the rear thereof.例文帳に追加

本面発光レーザ４０は、Ｇa Ａs 基板１２上に、順次、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１４、下部半導体多層膜反射鏡４４、発光層構造１８、及び上部半導体多層膜反射鏡２０を備え、更に、上面に表面側電極２２、及び裏面に裏面側電極２４と裏面多層膜反射鏡４２を備えている。 - 特許庁

The electrical energy generator includes a plurality of nanowires made of a semiconductor material having piezoelectric characteristics; a semiconductor layer which is formed at one end of the nanowires and forms a p-n junction with the nanowires; and a contact layer which is in contact with the other end of the nanowires and made of a material having metal-insulator transition (MIT) characteristics.例文帳に追加

圧電特性を有する半導体物質からなる複数のナノワイヤと、該ナノワイヤの一端に形成される層であり、ナノワイヤとｐ−ｎ接合を形成する半導体層と、ナノワイヤの他端に接する層であり、金属−絶縁体転移（ＭＩＴ）特性を有する物質からなるコンタクト層と、を含む電気エネルギー発生装置である。 - 特許庁

By electrically connecting an n-channel type MISFETQs in the direct peripheral circuit arranged in close to a memory array and a common source line PN_1 via a pad layer 16 composed of the same conductive film as that of a storage electrode 15 of the memory cell, the aspect ratio of a contact hole 22 formed at the upper part of the pad layer 16 is reduced.例文帳に追加

メモリアレイに近接して配置した直接周辺回路のｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｓと共通ソース線ＰＮ_１との接続を、メモリセルの蓄積電極１５と同一の導電膜で構成したパッド層１６を介して電気的に接続することにより、パッド層１６の上部に形成するコンタクトホール２２のアスペクト比を小さくする。 - 特許庁

A hexagonal pyramidal pinnacle-shaped n-type GaN layer 15 composed of a plurality of crystal planes being inclined to the main surface of the sapphire substrate 11, having mutually different tilt angles and having an inclined crystal plane formed in a projecting surface as a whole is grown selectively on the layer 12 in the opening section 13 of the grown mask 14.例文帳に追加

成長マスク１４の開口部１３におけるｎ型ＧａＮ層１２上に、サファイア基板１１の主面に対して傾斜しかつ互いに傾斜角が異なる複数の結晶面からなり、全体として凸面をなす傾斜結晶面を有する六角錐状の尖塔形状のｎ型ＧａＮ層１５を選択成長させる。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor provided with a photosensitive layer on a conductive supporting body, the electrophotographic photoreceptor making the high resolution and the high sensitivity compatible with each other and further having the durability is provided by making the photosensitive layer contain oxotitanyl phthalocyanine and a N-naphtylenamine- hydrazone compound expressed by a structural formula (1) and by using the specified additive.例文帳に追加

導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、感光層にオキソチタニルフタロシアニンと下記構造式（１）で示されるＮ−ナフチルエナミン−ヒドランゾン化合物を含有させるとともに、特定の添加物を用いることにより、高感度と高解像度を両立させ、かつ、耐久性を有する電子写真感光体を提供する。 - 特許庁

The adhesive tape for the surface protection for a semiconductor wafer has an adhesive layer on a substrate film in which the contact angle of methylene iodide on the surface of the adhesive layer at 23°C is ≥40 degrees and ≤70 degrees and the adhesive force of the adhesive tape to SUS280 polished surface is ≤1 N/25 mm.例文帳に追加

基材フィルム上に粘着剤層を有する半導体ウエハ表面保護用粘着テープであって、前記粘着剤層表面のヨウ化メチレンに対する２３℃における接触角が４０度以上７０度以下であり、かつ前記粘着テープのＳＵＳ２８０研磨面に対する粘着力が１Ｎ／２５ｍｍ以下である半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。 - 特許庁

In the back electrode type photoelectric conversion element equipped with semiconductor layers 60, 62 and electrodes 80, 82 for collecting carriers only onto the back side of a semiconductor substrate 40 constituted of a principal constituent of a group IV material, a quantum well unit 50 is provided between a p-layer and an n-layer which constitute a pn junction unit on the back side of the substrate.例文帳に追加

ＩＶ属材料を主成分とする半導体基板４０の裏面側にのみキャリアを収集するための半導体層６０，６２及び電極８０，８２を備えた裏面電極型の光電変換素子において、基板裏面側のｐｎ接合部を構成するｐ層とｎ層との間に量子井戸部５０を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

This double-faced adhesive tape for fixing a sheet for speaker makeup is a double-faced adhesive tape having acryl-based self-adhesive layers (A layer and B layer) on both side faces of a nonwoven base material, characterized in that both machine direction (MD) tensile strength and cross direction (TD) tensile strength are 8 N/10 mm or more.例文帳に追加

本発明のスピーカー化粧用シート固定用両面接着テープは、不織布基材の両面側にアクリル系粘着剤層（Ａ層及びＢ層）を有する両面接着テープであって、テープの流れ（ＭＤ）方向の引張強度及び幅（ＴＤ）方向の引張強度が共に８Ｎ／１０ｍｍ以上であることを特徴としている。 - 特許庁

An organic photoelectric conversion element of the present invention comprises a cathode, a photoelectric conversion layer containing a p-type organic semiconductor material and an n-type organic semiconductor material, a hole transport layer containing a hole transport material, and an anode, which each are laminated in that order.例文帳に追加

また、ｐ型共役系高分子を光電変換層におけるｐ型有機半導体材料として用いた光電変換素子を製造する際に、環境管理された雰囲気や不活性ガス雰囲気を採用しない場合であっても、光電変換効率の絶対値の低下やそのバラツキの発生（安定性の低下）を最小限に抑制しうる手段を提供する。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material which is for a multilayer resist process, especially for a double layer resist process or a triple layer resist process, which functions as an excellent antireflection film especially against exposure with short wavelength light, that is, having high transparency and most suitable n and k values, and further is excellent in etching resistance in substrate working.例文帳に追加

多層レジストプロセス用、特には二層レジストプロセス用又は三層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、すなわち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

In this image forming method, at least electrification, exposure, development with toner and transfer are repeated by rotating an electrophotographic sensitive body having the intermediate layer between a conductive supporting body and a photoreceptive layer, and the intermediate layer incorporates the N type semiconductor particles and binder, then the variation coefficient of the shape factor of the toner is ≤16% and the number variation coefficient in number particle size distribution thereof is ≤27%.例文帳に追加

導電性支持体と感光層の間に中間層を有する電子写真感光体を回転させ、少なくとも帯電、露光、トナーによる現像、転写を繰り返す画像形成方法において、前記中間層がＮ型半導体粒子とバインダーを含有し、前記トナーは形状係数の変動係数が１６％以下であり、かつ個数粒度分布における個数変動係数が２７％以下であることを特徴とする画像形成方法。 - 特許庁

An N-type island shaped region 14 surrounded by a separation region 13 comprises a collector region 16 extending from the upper surface of the epitaxial layer EL to the second buried layer 12, island shaped base regions 15, 17 surrounded by the second buried layer 12 and the collector region 16, and an emitter region 18 whose periphery keeps an approximately constant distance away from the collector region 16.例文帳に追加

分離領域１３に囲まれたＮ型の島状領域１４の中に、エピ層ＥＬの上面から第２の埋め込み層１２まで延びるコレクタ領域１６と、第２の埋め込み層１２とコレクタ領域１６に囲まれて島状を呈するベース領域１５、１７と、内側の窓部分よりベース電極を取り出せるようにしたリング状で、その外周がコレクタ領域１６とほぼ一定の距離だけ離れているエミッタ領域１８と、を形成する。 - 特許庁

The multilayered antireflection film has an optical interference layer laminated on a transparent substrate and includes at least one layer formed by applying and drying a solution prepared by dissolving benzoyl substituted poly(p-phenylene) and/or benzoyl substituted poly(p/m-phenylene) in a solvent containing at least one solvent selected from the group comprising N-methylpyrrolidone, dimethylformamide and halogenated hydrocarbons as a high refractive index layer.例文帳に追加

透明基材上に光学干渉層が積層されてなる多層反射防止膜において、ベンゾイル置換ポリ（ｐ−フェニレン）、及び／又はベンゾイル置換ポリ（ｐ／ｍ−フェニレン）を、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド及びハロゲン化炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種の溶剤を含有する溶剤に溶解させて得られる溶液を塗布、乾燥してなる層を、高屈折率層として少なくとも一層を含有することを特徴とする多層反射防止膜。 - 特許庁

The polypropylene resin foamed sheet laminate comprises a polypropylene resin film, the print layer, a polypropylene resin layer, a polypropylene resin foamed sheet sequentially laminated from a surface in such a manner that a centerline mean roughness of the polypropylene resin film surface side of the laminate is in a range of 1 to 6 μm and releasing strengths of the polypropylene resin film and the print layer are 4.3 N/25 mm or more.例文帳に追加

本発明のポリプロピレン系樹脂発泡シート積層体は、表面からポリプロピレン系樹脂フィルム、印刷層、ポリプロピレン系樹脂層、ポリプロピレン系樹脂発泡シートが順に積層されている発泡シート積層体であって、該積層体のポリプロピレン系樹脂フィルム面側の中心線平均粗さが１〜６μｍの範囲内であり、ポリプロピレン系樹脂フィルムと印刷層との剥離強度が４．３Ｎ／２５ｍｍ以上に形成されている。 - 特許庁

A p-side electrode 24 is formed on slopes 26 and 28 of the upper clad layer 22 parallel to the first and second slopes 12 and 14 of the GaAs substrate 16, while an n-side electrode 30 is formed on the rear surface of the GaAs substrate 16.例文帳に追加

ｐ側電極２４が、ＧａＡｓ基板１６の第１の傾斜面１２及び第２の傾斜面１４に平行な上クラッド層２２の傾斜面２６及び傾斜面２８上に、また、ｎ側電極３０がＧａＡｓ基板１６に裏面に、それぞれ、形成されている。 - 特許庁

By this constitution, a cross-sectional shape of the InAsP active layer 3 which shape is parallel with a direction of a laser resonator and perpendicular to a main surface of the substrate 1 is a triangle whose one edge is about 25 nm in length and the vertex protrudes to the N-type InP substrate 1 side.例文帳に追加

この様な構成にすることにより、ＩｎＡｓＰ活性層３の、レーザ共振器方向に平行で基板１の主面に垂直な断面形状は、一辺がおよそ２５ｎｍの三角であり、その頂点はｎ型ＩｎＰ基板１側に突き出ている。 - 特許庁

Then, on both sides of polycrystalline silicon films 117 (= gate electrode layer), N^- type impurity diffused layers 118a and 118b and P^- type impurity diffused layers 119a and 119b (LDD regions) are formed.例文帳に追加

予め、シリコン基板１００に、シリコン酸化膜１０７、１０８を設け、その後、多結晶シリコン膜１１７（＝ゲート電極層）の両側に、Ｎ^-型不純物拡散層１１８ａ、１１８ｂ、及びＰ^-型不純物拡散層１１９ａ、１１９ｂ（以上、ＬＤＤ領域）を形成する。 - 特許庁

For a negative electrode, a slurry made in the following procedure in which 90 wt.% of carbon powders capable of taking in and out lithium ion through charging and discharging are mixed PVDF as a binder, followed by addition of N-methyl-2-pyrolidone, is coated on a copper foil and dried to be used as a negative electrode constituents layer.例文帳に追加

負極に、充放電によりリチウムイオンを挿入・脱挿入可能な炭素粉末９０ｗｔ％と、バインダとしてＰＶＤＦと、の混合物にＮ−メチル−２−ピロリドンを加え、混練したスラリを、銅箔に塗布し、乾燥させ、負極合剤層とした。 - 特許庁

Thus, the concentration of the impurity in the low concentration (p)-type region being a channel can be reduced, and the breakdown voltage of the parasitic transistor formed of an epitaxial layer 13, high concentration (p)-type region 15, and (n) type source region 19.例文帳に追加

これにより、チャネルとなる低濃度ｐ型領域の不純物濃度を低くすることができるとともに、エピタキシャル層１３、高濃度ｐ型領域１５およびｎ型ソース領域１９で形成される寄生トランジスタのブレークダウン電圧を高くすることができる。 - 特許庁

A gate electrode 39 is formed striding over a part between channel regions 36 of the respective adjacent unit cells B via a gate oxide film 37 constituted of a thin silicon oxide film on an n-type channel region 36 and via a thick silicon oxide film 38 on the drain layer 33.例文帳に追加

そして、隣接する各単位セルＢのチャネル領域３６間に跨って、ｎ型チャネル領域３６上は薄いシリコン酸化膜からなるゲート酸化膜３７と、ドレイン層３３上は厚いシリコン酸化膜３８とを介してゲート電極３９が形成されている。 - 特許庁

To provide an integrated circuit device in which deterioration of characteristics and erroneous operations due to the input of light are never generated easily even in the integrated circuit device in which the n-type epitaxial layer surrounding the p-type diffusing resistance part must be floated at the time of trimming.例文帳に追加

トリミング時にＰ型拡散抵抗部を取り囲むＮ型エピタキシャル層をフローティングにする必要が生じるような集積回路装置においても、光の入射による特性劣化や誤動作の問題が生じにくい集積回路装置を提供する。 - 特許庁

A gate insulator 7 of a high breakdown voltage MISFET having a thick film thickness is formed at an upper part of an n-type buried layer 3 serving as a dummy active region, and a resistance element IR of an internal circuit is formed at an upper part of the gate insulator 7.例文帳に追加

ダミーアクティブ領域であるｎ型埋込み層３の上部には、厚い膜厚を有する高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜７が形成されており、このゲート絶縁膜７の上部には、内部回路の抵抗素子ＩＲが形成されている。 - 特許庁

An inorganic material such as SiO2, TiO2 and ZrO2 is dissolved into a solvent including an alkoxide, methoxide, proxide, n-methylpropiden, or the like and a dissolution material of the solvent and an epoxy photosensitive resin is subjected to spin-coating on a metallic substrate 9 to be prebaked to form a first layer 10.例文帳に追加

まず、金属基板９上に、ＳｉＯ_2やＴｉＯ_2、ＺｒＯ_2などの無機物をアルコキシド、メトキシド、プロキシドをｎ−メチルプロピドン等の溶媒に溶解し、エポキシ系の感光性樹脂との溶解物をスピンコートし、プリベークすることで第１の層１０を形成する。 - 特許庁

By this method, a solar cell satisfying a single p-i-n junction having a single-intrinsic amorphous silicon layer having a thickness of 800 to 2,200 Å and having an open circuit voltage of a range from 0.887 V to 0.986 V and a fill factor of a range from 0.645 to 0.74 is manufactured.例文帳に追加

本方法により８００〜２２００Åの厚みの単−真性アモルファスシリコン層を有する単ｐ−ｉ−ｎ接合を具備し、０．８８７V〜０．９８６Vの範囲の開放電圧及び０．６４５〜０．７４の範囲の曲線因子を有する太陽電池を作製する。 - 特許庁

The wiring group has a structure where connection is switched so that wiring on the starting end side of J-th (J is the integer satisfying K<J≤N) wiring position is routed to wiring of the terminating end side of (J-K)th wiring position in a wiring layer above an arrangement region of the buffer circuit.例文帳に追加

配線群は、バッファ回路の配置領域の上層の配線層において、第Ｊ（Ｊは、Ｋ＜Ｊ≦Ｎを満たす整数）の配線位置の始端側の配線が第Ｊ−Ｋの配線位置の終端側の配線に接続替えされて配線される構造を有する。 - 特許庁

The sheet-like form comprises a meshy form 3 made by mutually crossing multiple longitudinal strip pieces 1 and multiple transverse strip pieces 2 and furnished with an adhesive layer N on the reverse face and a pad 4 or functional material 6 furnished on the reverse face of the meshy form 3 and smaller in size than the meshy form 3.例文帳に追加

複数の縦帯片１および横帯片２を交叉させてなり裏面に粘着層Ｎが設けられた網状体３と、この網状体３の裏面に設けられる網状体３よりも小さいパッド４または機能性材料６とを備えた。 - 特許庁

The active layer is sandwiched between the n- and p-type nitride semiconductor layers.例文帳に追加

前記ＩＩＩ 族窒化物基板上に形成される前記窒化物半導体層は、少なくとも活性層、ｎ型窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層を有し、前記活性層は、前記ｎ型窒化物半導体層及び前記ｐ型窒化物半導体層で挟まれるように積層されている。 - 特許庁

Thus, in the extracting section 16S of the gate electrode 16, since a long distance is secured between the gate electrode 16 and the corner section 12C of the N-type semiconductor layer 12, the occurrence of the gate leak current is prevented and the gate capacitance can be reduced.例文帳に追加

これにより、ゲート電極１６の引き出し部１６Ｓにおいてゲート電極１６とＮ−型半導体層１２の角部１２Ｃとの距離が長く確保されるため、ゲートリーク電流の発生が防止されると共に、ゲート容量を低減することができる。 - 特許庁

An n type InP buried layer 22 to which Se or S are added at a concentration of 5×1018 cm-3 or more, is formed around a mesa stripe 18 other than a surface on which a SiO2 film 16 is formed for a mesa stripe 18 having a surface on which the SiO2 film 16 is formed.例文帳に追加

ＳｉＯ_2膜１６が形成された面を有するメサストライプ１８に対し、ＳｉＯ_2膜１６が形成された面以外のメサストライプ１８の周辺にＳｅ又はＳを５×１０^18ｃｍ^-3以上の濃度で添加したｎ型ＩｎＰ埋込層２２を形成する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting device capable of improving reliability by reducing the calorific value of the device, and improving the light extraction efficiency by preventing part of light emitted from an active layer from being absorbed by an n-type electrode to become extinct.例文帳に追加

素子の発熱量を減少させて信頼性を向上させ、かつ、活性層から発光する光の一部がｎ型電極に吸収され消滅するのを防止して光抽出効率を向上させることができる窒化物系半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

Interval of the P+ type silicon regions 15 is set such that a substantially integrated depletion layer is formed by a PN junction which is formed between the N type silicon region 12 and the P+ type silicon region 15 upon application of a reverse voltage.例文帳に追加

ここで、Ｐ^＋形シリコン領域１５同士の間隔は、逆方向電圧の印加時にＮ形シリコン領域１２とＰ^＋形シリコン領域１５との間に形成されるＰＮ接合により、実質的に一体化した空乏層が形成されるように構成されている。 - 特許庁

At the edge of this compound semiconductor light emitting element, a notched groove is formed from the surface to the side face of the element, and a surface-side conductive film 41 is formed from an n-type layer 21 which is in contact with the groove on the inside of the groove to the groove.例文帳に追加

化合物半導体発光素子の端に当たる部分にて、表側の面から側面にかけて切り欠き溝が形成されており、切り欠き溝に接する内側の部分にあるｎ型層２１から切り欠き溝にかけて、表側導電膜４１が形成されている。 - 特許庁

The fixing roller 91 is heated by the heat generated by the heat generating layer 97B and a toner image T is fixed to recording medium P by having the recording medium P heated/pressurized while having the recording medium P carrying the toner image T pass through the nip part N.例文帳に追加

この発熱層９７Ｂが発生する熱によって定着ローラ９１を加熱し、トナー像Ｔを担持する記録媒体Ｐをニップ部Ｎに通過させつつ、記録媒体Ｐを加熱・加圧することにより、トナー像Ｔを記録媒体Ｐに定着させる。 - 特許庁

An obtained metallized film S is subjected to heat treatment at a temperature of 100-150°C in a heat treatment apparatus B while tension of 2.4-4.9 N/mm^2 per unit cross sectional area is applied, and then, is taken up by the take-up roll 7 so that the secondary metallic layer gets face up.例文帳に追加

得られた金属化樹脂フィルムＳを、熱処理装置Ｂで単位断面積当たり２.４〜４.９Ｎ／ｍｍ^２の張力を加えながら１００〜１５０℃の温度で熱処理を施した後、二次金属層が表向きになるように巻取ロール７に巻き取る。 - 特許庁

A hard coat film includes a hard coat layer on at least one surface of a base film, in which a contact angle of water on a surface is 78° or more and 90° or less, a contact angle of n-dodecane is 22° or less, and the number of defects having a diameter of 30 μm or larger is 20 pieces/m^2 or less.例文帳に追加

基材フィルムの少なくとも片面に、表面の水の接触角が７８度以上９０度以下、ｎ−ドデカンの接触角が２２度以下であり、径が３０μｍ以上の欠点の個数が２０個／ｍ^２以下であるハードコート層を有するハードコートフィルム。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium of a multilayer structure wherein an uppermost magnetic layer securing practical durability and a satisfactory C/N ratio in high density recording contains extremely particulate magnetic powder and having a smooth surface and extremely thin thickness.例文帳に追加

高密度記録において、実用的な耐久性と良好なＣ／Ｎを確保した、最上層磁性層が極めて微粒子の磁性粉末を含み、平滑な表面を有して厚みが極めて薄い重層構成の磁気記録媒体を提供することを目的としている。 - 特許庁

The barrier film having high oxidation resistance under a high temperature and high humidity environment, few pinholes, and high optical transmittance is provided by including at least one layer of a silicon nitride film in which two or more silicon nitride films having different compositional ratios of Si/N are stacked.例文帳に追加

バリア膜がＳｉ／Ｎ組成比が異なる窒化シリコン層を２層以上積層した窒化シリコン膜を少なくとも１層含むことにより、高温高湿環境下での耐酸化性が高く、ピンホールが少なく、かつ光学透過率が高いバリア膜を提供することができる。 - 特許庁

The integrated semiconductor laser element includes: a bluish purple laser element 110 having a light emitting area 13 and a ridge 8; and a red laser element 120 having a light emitting area 34 and an opening 30a of an n-type current block layer 30.例文帳に追加

この集積型半導体レーザ素子は、発光領域１３を含むとともに、リッジ部８を有する青紫色レーザ素子１１０と、発光領域３４を含むとともに、ｎ型電流ブロック層３０の開口部３０ａを有する赤色レーザ素子１２０とを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can be integrated to a higher degree and made finer by locally interconnecting an n-type MOS transistor and a p-type MOS transistor which constitute an inverter and making the well separate layer width of a CMOS transistor narrow.例文帳に追加

インバータを構成するｎ型ＭＯＳトランジスタとｐ型ＭＯＳトランジスタの接続をローカルインターコネクトで行い、ＣＭＯＳトランジスタのウェル分離層幅を狭く形成し、デバイスをより一層高集積化及び微細化することが可能となる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A pn junction layer 101 composed of a group III-V compound semiconductor includes strip-shaped n-type regions 105 whose surface is composed of a (100) plane and strip-shaped p-type regions 106 whose surface is composed of a facet other than the (100) plane that are alternately arranged.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐｎ接合層１０１は、表面が（１００）面からなる短冊状のｎ型領域１０５と、表面が（１００）面以外のファセットからなる短冊状のｐ型領域１０６とを、交互に配列して備えている。 - 特許庁

The optical recording material contains a cyanine compound expressed by general formula (I) of a molecular structure having a specified group at an N place, and the optical recording medium is constituted by forming on a base an optical recording layer consisting of the optical recording material.例文帳に追加

Ｎ位に特定の基を有する分子構造の下記の一般式（I）で表されるシアニン化合物を含有してなることを特徴とする光学記録材料及び基体上に該光学記録材料からなる光学記録層を形成した光学記録媒体。 - 特許庁

The soundproof carpet is arranged with a foam resin layer 13 that has excellent soundproofing and sound-absorbing properties and includes an organic low-molecular weight material having high dipole moment and has on open-cell structure with a hardness of 0.19-0.4 N/cm^2 on the back face of the carpet surface material 12.例文帳に追加

カーペット表面材１２の裏面に、高双極子能率を有する有機低分子材料を含み、かつ硬さが０．１９〜０．４Ｎ／ｃｍ^２である連続気泡構造を有する発泡樹脂吸音遮音層１３を配置したことを特徴とする。 - 特許庁

In a junction structure, P+type base regions 3 located on the both sides of a trench 5 are positioned at the lower part than the lowest position of an oxide film 8, and an N-type channel layer 6 is pinched between the two P+type base regions 3 from the both sides on the bottom of the trench 5.例文帳に追加

トレンチ５の両側に位置するＰ＋型ベース領域３を酸化膜８の最下方位置よりも下方に位置させ、トレンチ５の底面においてＮ−型チャネル層６を２つのＰ＋型ベース領域３で両側から挟みこんだジャンクション構造とする。 - 特許庁

An n-type ZnTh layer 2 doped at a high concentration of 1×10^17 cm^-3 or higher is grown on a substrate 1 by using molecular-beam epitaxy for the crystal growth method, wherein Al is used for the dopant, and growth condition for the ZnTh is optimized.例文帳に追加

基板１上に結晶成長法として分子線エピタキシを用い、不純物としてＡｌを用い、前記ＺｎＴｅの成長条件の最適化を行うことによって、１×１０^17ｃｍ^-3以上の高濃度ｎ型ＺｎＴｅ層２の成長を行う。 - 特許庁

This vegetation foundation layer 10 is constructed via a process of laying a vegetation net 11 on the face of slope N, a process of filling sediment on the vegetation net 11 and a process of vegetating a lawn G of a root growing state on the vegetation net 11.例文帳に追加

植生基盤層１０は、植生ネット１１を法面Ｎに敷設する工程と、その植生ネット１１上に土砂を充填する工程と、根が生育した状態の芝生Ｇを前記植生ネット１１上に植生する工程を経て構築される。 - 特許庁