「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(133ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain an N-phenylnaphthalimide-based compound capable of giving an electrophotographic sensitive material of high sensitivity, and to provide the electrophotographic sensitive material having excellent sensitivity characteristics as the electrophotographic sensitive material, durability in a sensitive layer, and solvent resistance with respect to a solvent of a wet developing agent.例文帳に追加

高感度な電子写真感光体を提供することのできるＮ−フェニルナフタルイミド系化合物と、電子写真感光体の感度特性、感光層の耐久性、および湿式現像剤の溶剤に対する耐溶剤性に優れた電子写真感光体とを提供すること。 - 特許庁

To provide an ultrasonic flaw detection method and a device therefor, capable of detecting with a high S/N ratio, micro defects at a surface layer part of a material to be inspected having a coarse surface like a slab, by using immersion testing (full immersion testing, partial immersion testing, and a water-column ultrasonic method).例文帳に追加

水浸法（全没水浸法、局部水浸法、水柱超音波法）を用いて、スラブのように表面が粗い検査材の表層部にある微小欠陥を高いＳ／Ｎで探傷することが可能な超音波探傷方法および装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

When a heat collecting substrate 1 becomes higher in temperature while it is being used, an electrode plate 5 and the high-temperature ends of respective thermoelectric power generation elements N and P are got in contact with each other flexibly and appropriately by means of a melted low-melting-point metal layer 8A.例文帳に追加

使用状態において集熱基板１が高温となると、各熱電発電素子Ｎ，Ｐの高温端部と電極板５との間で溶融した低融点金属層８Ａを介して電極板５と各熱電発電素子Ｎ，Ｐの高温端部とが柔軟性をもって良好に接触する。 - 特許庁

In the device, the length Ls of the Schottky diode defined by the length of a portion existing on the n-type drift layer 2 of a Schottky electrode 11 is 20-60% of the length Lm of a MOSFET constituted of a p-type body region 3 and a depletion region 5, or of a p-type region and a trench region.例文帳に追加

ショットキー電極１１のｎ型ドリフト層２上に存在する部分の長さで定義されるショットキーダイオード部の長さＬｓが、ｐ型ボディ領域３とデプレッション領域５またはｐ型ボディ領域とトレンチ領域とからなるＭＯＳＦＥＴ部の長さＬｍの２０％〜６０％である。 - 特許庁

To cope with this problem, the end side face is taper shaped with two stages unlike a conventional single face taper shape and the end side faces of p and n layers in the photoelectric conversion layer are not placed on the same surface, resulting in leak current reduction in the photoelectric conversion element.例文帳に追加

そこで、従来は単一面のテーパ形状であった端部の側面を二段階のテーパ形状にし、光電変換層のｐ層の端部の側面とｎ層の端部の側面が同一面上に存在しない構成とすることで、光電変換素子のリーク電流を低減する。 - 特許庁

To obtain a magnetoresistance element, a reproducing head, and a record reproduction system which have proper values for S/N and bit error rate, in comparison to conventional structures, and allow sensing current to flow accurately, as well as longitudinal bias to be applied accurately to a free layer.例文帳に追加

従来構造と比較して再生出力、Ｓ／Ｎ、及びビットエラーレートの値が良好で磁気抵抗効果膜部をセンス電流がきちんと流れることと、フリー層に縦バイアスをきちんと印加することを両立することができる磁気抵抗効果素子、再生ヘッド、および記録再生システムを得る。 - 特許庁

The pieces of the electrode wiring 19a and 19b connected electrically to the lower electrode 6a or the upper electrode 6c upward of the capacity element 6 from among each wiring 12, 19a and 19b are provided in an n+1-th layer interlayer insulating film 15 provided on the interlayer insulating film 8.例文帳に追加

各配線１２，１９ａ，１９ｂのうち、容量素子６の上方で下部電極６ａまたは上部電極６ｃに電気的に接続された電極用配線１９ａ，１９ｂは、層間絶縁膜８の上に設けられた第ｎ＋１層目の層間絶縁膜１５内に設けられている。 - 特許庁

A trench channel 5 is formed whose cross-sectional shape is tapered, in the normal order of a bottom getting narrower against an upper part, by combination of a wet-etching with an insulating film 3 and a dry-etching using an isotropic gas with an i-layer 2 and an n-type high concentration substrate 1.例文帳に追加

ウエットエッチング法による絶縁膜３のエッチングと、等方性ガスを用いたドライエッチング法によるｉ層２およびｎ型高濃度基板１のエッチングとを組み合わせることにより、その断面形状が、底部が上部に比べて細い順テーパー形状となるトレンチ溝５を形成する。 - 特許庁

Further, an optical disk 11 forms the depth of the information pits within a range from λ/8n to λ/4n (λ is a light source wavelength and n is a refractive index of a light transmission protection layer of the optical disk) so that a reproduction signal of the information pits and the track control error signal by the differential push-pull method can both be detectable.例文帳に追加

また、光ディスクは、情報ピットの再生信号、差動プッシュプル法によるトラック制御誤差信号が共に検出可能となるように、情報ピットの深さをλ／８ｎからλ／４ｎ（λは光源波長、ｎは光ディスクの光透過保護層の屈折率）の範囲内に形成している。 - 特許庁

A fixing belt unit consisting of a fixing roller 506 having an elastic layer, a heating roller 510, an auxiliary roller 508 and a fixing belt 504 laid over them is turned by having the rotary shaft of the auxiliary roller 508 as a supporting point, and is pressed to a receiving roller 502 positionally fixed so as to form a fixing nip part N.例文帳に追加

弾性層を有する定着ローラ５０６、加熱ローラ５１０、補助ローラ５０８及びこれらに掛け回された定着ベルト５０４からなる定着ベルトユニットを、補助ローラ５０８の回転軸を支点として回動し、位置固定された受けローラ５０２に加圧して定着ニップ部Ｎを形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a gate electrode 3 on a semiconductor substrate 1 via an insulating film 2, and forming a p-type base region 6 and an n+ type emitter region 7 on a thin film semiconductor layer 11 formed on the electrode 3 via an insulating film 5 through a coupled semiconductor 12 from the surface of the substrate 1.例文帳に追加

半導体基板1 上に絶縁膜2 を介してゲート電極3 を形成し、半導体基板1 表面から連結半導体部12を経てゲート電極3 上に絶縁膜5 を介して形成された薄膜半導体層11にｐベース領域6 、ｎ^+ エミッタ領域7 を形成する。 - 特許庁

Thus, at the portion lying between the NMOS forming region Rnm and the PMOS forming region Rpm in an oxide film 2 for an element isolation, the N/P-type well diffusion layer 12 is hardly formed, and the CMOS device that has a small element isolation width and a high isolation function is provided.例文帳に追加

したがって、素子分離用酸化膜２のうちＮＭＯＳ形成領域ＲnmとＰＭＯＳ形成領域Ｒpmとの間に位置する部分には、Ｎ／Ｐ型ウェル拡散層１２がほとんど形成されず、素子分離幅が小さく分離機能の高いＣＭＯＳデバイスが得られる。 - 特許庁

Semiconductor layers of p-tpe and n-type first and second thin film transistors constructed on a driving circuit section and a pixel region are formed particularly through a first mask step, and a first storage electrode comprising the semiconductor layer and an auxiliary electrode laminated with each other is formed.例文帳に追加

本発明は、特に、第１マスク工程によって、駆動回路部と画素領域に構成するｐ型及びｎ型の第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタの半導体層を形成して、半導体層と補助電極が積層された第１ストレージ電極を形成する。 - 特許庁

The light-emitting nitride compound semiconductor device is composed of a plurality of nitride compound semiconductor films on a nitride compound semiconductor substrate, and has a layer 102 containing Al between an n-type electrode 101 and a nitride compound semiconductor substrate 103.例文帳に追加

本発明の窒素化合物半導体発光素子は、窒素化合物半導体基板上に複数の窒素化合物半導体膜より構成される発光素子であって、ｎ型電極１０１と窒素化合物半導体基板１０３との間にＡｌを含有する層１０２を有する。 - 特許庁

This oriented film is constituted by a method wherein the adhesion modifying layer of a copolymer resin consisting of an isobutylene unit, a maleic acid unit and an n-butyl acrylate unit is stacked on at least one side of the oriented film constituted of a styrene polymer having a syndiotactic structure.例文帳に追加

シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体からなる延伸フィルムの少なくとも片面に、イソブチレン単位、マレイン酸単位およびｎ−ブチルアクリレート単位からなる共重合樹脂よりなる接着性改質層を積層した易接着シンジオタクチックポリスチレン系延伸フィルムである。 - 特許庁

After bringing the base material into contact with a solution containing organoalkoxysilane SiR' _n(OR)_4-n and calcium ions, the base material is brought into contact with an aqueous solution containing calcium ions and phosphoric acid ions to form a bioactive apatite coating layer on the base material.例文帳に追加

基材を、オルガノアルコキシシランＳｉＲ´_ｎ（ＯＲ）_４−ｎとカルシウムイオンを含有する溶液と接触させた後、カルシウムイオンとリン酸イオンを含有する水溶液と接触させて該基材上に生体活性なアパタイト被覆層を形成することを特徴とする生体活性材料の製造方法。 - 特許庁

A fixing belt unit constituted of a fixing roller 506 having an elastic layer, a heating roller 510, an auxiliary roller 508 and a fixing belt 504 trained about them is turned with the rotary shaft of the auxiliary roller 508 as a support point, and pressured on a receiving roller 502 positionally fixed to form a fixing nip part N.例文帳に追加

弾性層を有する定着ローラ５０６、加熱ローラ５１０、補助ローラ５０８及びこれらに掛け回された定着ベルト５０４からなる定着ベルトユニットを、補助ローラ５０８の回転軸を支点として回動し、位置固定された受けローラ５０２に加圧して定着ニップ部Ｎを形成する。 - 特許庁

A state of use of its own code number and first and second slave code numbers is recorded to a code number state table corresponding to each code number, and a code number #n denoting a disabled state about the state of the use of its own code number is recorded to assignment preferential tables 101 to 104 corresponding to each hierarchical layer.例文帳に追加

そして、各コード番号対応のコード番号状態テーブルに、自コード番号と、第一及び第二の子コード番号との使用状況を記録し、各階層対応の割り当て優先テーブル１０１〜１０４に、自コード番号の使用状況が使用不可状態であるコード番号＃ｎを記録する。 - 特許庁

A gap is formed between the inter-layer insulating film 22 and the second dummy gate electrode 26, by selectively removing the dummy side spacer 24, and then by implanting N-type impurity ions into the Si substrate 12 through the gap almost vertically, a second pocket region 27 is formed.例文帳に追加

選択的にダミーサイドスペーサー２４を除去することにより層間絶縁膜２２と第２ダミーゲート電極２６との間隙を形成した後、ほぼ垂直方向からこの間隙を通じてＳｉ基板１１内にＮ型不純物イオンを注入することにより、第２ポケット領域２７を形成する。 - 特許庁

In addition, a potential switch circuit 10 that can make the P well 9 in a floating state at erasure is provided and a potential switch circuit 11 that makes the potential of the N well 8 the same as a source diffused layer 7 to draw electrons by means of a Fowler-Nordheim tunnel current is provided.例文帳に追加

また、消去時にＰウエル９をフローティング状態にすることが可能な電位切り替え回路１０を設けるとともに、消去時にＮウエル８の電位を電子をファウラ−ノードハイム電流によって引き抜くソース拡散層７と同じにする電位切り替え回路１１を設ける。 - 特許庁

A P-type base region 31 is formed, adjacent to the trench 27, and an N-type source region 32 is formed on the surface layer of the P-type base region 31.例文帳に追加

Ｎ^-型ドリフト層６の表層にトレンチ２７、及びトレンチ２７にゲート酸化膜２８を介して形成されたトレンチゲート電極２９を備え、トレンチ２７に隣接して形成されたＰ型ベース領域３１と、Ｐ型ベース領域３１の表層に形成されたＮ型ソース領域３２を有する構造とする。 - 特許庁

In the diode, a lightly doped P-type semiconductor region 3 is partially formed on the surface of an N-type semiconductor layer 1, and a heavily doped P^+-type semiconductor region 4 is formed shallower than this region 3 in depth so as to embed a gap between these regions 3.例文帳に追加

本発明のダイオードは、Ｎ型半導体層１の表面に、低不純物濃度のＰ型半導体領域３が部分的に形成され、この領域３の間隙を埋めるようにこの領域３よりも浅くかつ高不純物濃度のＰ^＋型半導体領域４が形成されている。 - 特許庁

The organic light-emitting device has an organic compound layer between a pair of electrodes which contains charge transport polyester having a repeating unit of diamine derivative that has a thiophene frame in the center section which is expressed by general Formula (II) (in the Formula, n expresses an integer of 1-10).例文帳に追加

一対の電極間に有機化合物層を有し、該有機化合物層が、下記一般式（ＩＩ）（式中、ｎは１〜１０の整数を表す。）で表されるチオフェン骨格を中央部に有するジアミン誘導体の繰り返し単位を有する、電荷輸送性ポリエステルを含有する有機電界発光素子。 - 特許庁

The objective artificial soil 1 for growing plants is constituted with a plurality of fiber blocks 2 formed in a shape so that the tear strength may be 0.098-3.9 N at the surface layer 21 in which a plurality of fiber blocks 2 are allowed to form the gaps in which the plant 3 can grow.例文帳に追加

表皮部分２１の引裂強度が０．０９８〜３．９Ｎになるよう保形された繊維ブロック体２から構成され、上記繊維ブロック体２の複数を、植物３が生育可能な隙間を形成しつつ集合させてなる植物育成用の人工土壌体１である。 - 特許庁

A layer containing the negative electrode material: 10 wt.% polyvinylidene fluoride to the weight of the negative electrode material and 30 wt.% N-methylpyrrolidone to the weight of the negative electrode material are added to the negative electrode material for the lithium secondary battery and kneaded, and the kneaded material is coated, dried, and rolled at 1.0 Mpa to obtain the material.例文帳に追加

・負極材料を含む層 リチウム二次電池用負極材料に、ポリフッ化ビニリデンを負極材料重量の１０重量％、Ｎ−メチルピロリドンを負極材料重量の３０重量％加えて混練したものを塗布、乾燥し、１．０Ｍｐａで圧延して得る。 - 特許庁

The resist developer used at the time of irradiating a resist layer containing a polymer of α-chloro-acrylic ester and α-methyl styrene with energy beams so as to be exposed and developed includes an alcohol solvent A, and a solvent B made of n-amyl acetate or ethyl acetate or the admixture thereof.例文帳に追加

α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるアルコール溶媒Ａと、酢酸−ｎ−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Ｂとを含むレジスト現像剤。 - 特許庁

The respective scan lines are electrically connected to the respective gate electrode films of the n transistors arranged along a first direction out of the plurality of transistors, and includes a gate auxiliary wiring film (26) arranged by superposing on an upper layer side of the gate electrode film with an insulating film (28) sandwiched therebetween.例文帳に追加

各走査線は、複数のトランジスタのうち、第１方向に沿って並んだｎ個のトランジスタの各々のゲート電極膜と電気的に接続され、かつ絶縁膜(28)を挟んで当該ゲート電極膜の上層側に重畳して配置されたゲート補助配線膜(26)を含む。 - 特許庁

A configuration of the whole hose is set so that the elongation (%) of the EVOH layer 12 when a set load pressure is applied becomes below the elongation corresponding to fatigue limit under pulsating tension σu or repeated stress σ in the set fatigue failure repeated number N in a fatigue under pulsating tension test.例文帳に追加

設定負荷圧時におけるＥＶＯＨ層１２の伸び（％）が、片振り引張疲れ限度（σ_U ）、又は、該片振り引張疲れ試験における設定疲れ破壊繰り返し数（Ｎ）における繰り返し応力（σ）に対応する伸び以下となるように、ホース全体構成を設定する。 - 特許庁

As the technical means, an antibacterial zerolite and 2-N-octyl-4 isothiazolin-3 on antibacterial, mold-proof, slime-proof agents are mixed into an SPS resin, a PP film, a PE form, and a double-layer molding that are synthetic resin materials for composing the water receptacle.例文帳に追加

また、本発明の技術的な手段は、水受け皿を構成する合成樹脂材料のＳＰＳ樹脂、ＰＰフィルム、ＰＥフォーム、二層成形品の樹脂などに抗菌性ゼオライトと２−Ｎ−オクチル−４イソチアゾリン−３オンの抗菌、防かび、スライム化防止剤を混入するものである。 - 特許庁

The conductive substrate 1 has a thickness to some degree and the n electrode 7 is connected to the conductive substrate 1 through the side wall of the retreat part 6, so that a current is easy to expand to the whole of the conductive substrate 1 and a current is effectively supplied to the whole of the light emitting layer 3.例文帳に追加

導電性基板１がある程度の厚さを有し、かつｎ電極７が後退部６の側壁を通じて導電性基板１に接続されるために、電流が導電性基板１の全体に広がり易く、発光層３の全体に効率よく電流が供給される。 - 特許庁

The automobile exterior surface material comprises a resin film material comprising a one layer resin film or a layered body of two or more resin films and has ≥7 N Elmendorf's tear strength, ≥40 MPa tensile strength and ≥25 MPa high temperature tensile strength.例文帳に追加

１層の樹脂フィルムまたは２層以上の樹脂フィルムの積層体からなる樹脂フィルム材であって、エレメンドルフ引裂強度が７Ｎ以上であり、引張強度が４０ＭＰａ以上であり、かつ高温引張強度が２５ＭＰａ以上である樹脂フィルム材を備えてなる自動車用外装面材。 - 特許庁

In such a constitution, the aspect ratio of the first insulating film 22 is reduced to make feasible formation of a sufficiently diffused layer on the sidewall part of a trench for setting a source line SL so that a continuos N+type source region 19 may be formed.例文帳に追加

こうして、第一の埋め込み素子分離絶縁膜２２のアスペクト比を下げ、トレンチ溝の側壁部分に対しても十分に拡散層を形成できるようにすることで、ソース線ＳＬとなる、連続したＮ^+ 型ソース領域１９の形成を可能とする構成となっている。 - 特許庁

The plaster sheet for fingers, wrists, and ankles includes a laminate of a support and a plaster layer having a water content of 50-90 mass%, and has tensile shear bonding strength of 0.05-2 N/mm^2 when the support surface and the plaster surface are overlaid and bonded.例文帳に追加

支持体に含水量５０〜９０質量％の膏体層が積層されたシート状貼付剤であって、支持体面と膏体面とを重ねて接着した際の引張せん断接着強さが０．０５〜２Ｎ／ｍｍ^2であることを特徴とする、指、手首又は足首用シート状貼付剤。 - 特許庁

In this manufacturing method, a liquid impurity material source 2 composed of mixed material of aluminum, boron and organic solvent is spread on the surface of an N-type semiconductor substrate 1 and heated at a temperature lower than the diffusion temperature of aluminum, the organic solvent is vaporized, and a layer containing aluminum and boron is formed.例文帳に追加

アルミニウムとホウ素と有機溶剤との混合物から成る液状不純物源２をＮ形半導体基板１の表面に塗布し、これをアルミニウムの拡散温度よりも低い温度で加熱して有機溶剤を蒸発させてアルミニウムとホウ素を含む層を形成する。 - 特許庁

Then, an SOG 25 is rotatably applied (Fig. 2(b)), the SOG is solidified by baking, only the p-type GaN layer 23 is exposed by etching (Fig. 2(c)), a p-type electrode 27 is formed thereon, and an n-type electrode 28 is continuously formed on the backside of the SiC substrate 20 by evaporation (Fig.2(d)).例文帳に追加

次に、ＳＯＧ２５を回転塗布し（図２（ｂ））、該ＳＯＧを焼成して固化し、エッチングでｐ型ＧａＮ層２３のみを露出させ（図２（ｃ））、その上にｐ型電極２７を形成し、ＳｉＣ基板２０の裏面にｎ型電極２８を蒸着で連続形成する（図２（ｄ））。 - 特許庁

In the nonoriented silicon steel sheet which has a composition containing 1.5-20 mass% Cr and 2.5-10 mass % Si, also containing C and N in amounts reduced, in total, to ≤100 ppm, and having the balance iron with inevitable impurities, {111} inverse strength at least in the surface layer of the steel sheet is regulated to ≥3.例文帳に追加

Cr：1.5 mass％以上20mass％以下及びSi：2.5 mass％以上10mass％以下を含有し、Ｃ及びＮを合計量で100 ppm 以下に低減し、残部は鉄及び不可避的不純物の成分組成に成る無方向性電磁鋼板において、鋼板の少なくとも表層での｛１１１｝インバース強度を３以上とする。 - 特許庁

To provide a light-receiving element wherein a p-n junction capacity of the photodiode part of a semiconductor device is reduced as much as possible, to effectively utilize a photoproduction carrier, with suppression of such defects as the formation of void layer.例文帳に追加

半導体装置のホトダイオード部のｐｎ接合容量を極力低減し、光生成キャリアを有効に活用することが可能な受光素子を提供し、空乏層が形成される半導体領域の欠陥発生が抑制された受光素子を提供することを課題とする。 - 特許庁

This thermoelectric element includes: a plurality of pn junctions each formed by bonding n-type and p-type thermoelectric semiconductors to each other with a metallic layer interposed therebetween; and first and second electrodes electrically connected to the n-type and p-type thermoelectric semiconductors, respectively; wherein the plurality of pn junctions are laminated with insulating layers interposed therebetween, and are connected electrically in parallel to one another.例文帳に追加

具体的に、本発明の一実施形態は、金属層を介してｎ型及びｐ型熱電半導体が互いに接合されて形成された複数のｐｎ接合及び前記ｎ型及びｐ型熱電半導体とそれぞれ電気的に連結された第１及び第２電極を含み、前記複数のｐｎ接合は絶縁層を介して積層されるが、それぞれは互いに電気的に並列連結されたことを特徴とする熱電素子を提供する。 - 特許庁

The thickness of the metallic layer is ≥10 μm and ≤60 μm, and pressure to be applied to each unit length of the nip part concerning the longitudinal direction of the nip part is ≥0.39 N/mm and ≤0.98 N/mm.例文帳に追加

ヒータ２と、金属層と弾性層を有し、前記ヒータ２に接触しつつ移動する回転体１と、前記回転体１を介して前記ヒータ２と共に記録材５を挟持搬送するニップ部７を形成する加圧部材４と、を有し、前記金属層の厚みが１０μｍ以上６０μｍ以下、前記ニップ部の長手方向に関して該ニップ部に単位長さあたりに掛かる圧力が０．３９Ｎ／ｍｍ以上０．９８Ｎ／ｍｍ以下であることを特徴とする像加熱装置。 - 特許庁

The sheet comprises pressure sensitive adhesive layers for bonding optical materials, the both surfaces of which are equipped with plastic separators, wherein at least one of the separators is made of a polyolefin plastic film, a difference of peel forces from the pressure sensitive adhesive layer between the both plastic separators is 0.1 N/25mm or more and a total light transmittance of the pressure sensitive adhesive layer is 80 % or more.例文帳に追加

光学部材を貼り合せる感圧接着剤層からなり、両面にプラスチックセパレータを設けてなるセパレータ付き感圧型接着シートにおいて、前記プラスチックセパレータの少なくとも一方がポリオレフィン系プラスチックフィルムであり、かつ、両面のプラスチックセパレータの感圧接着剤層からの剥離力の差が０．１Ｎ／２５ｍｍ以上であり、そして、感圧接着剤層の全光線透過率が８０％以上である。 - 特許庁

The decorative sheet is obtained by applying an embossed pattern 4 to a sheet, which has a resin layer formed from a raw material based on a polypropylene resin wherein a boiling n-heptane extraction residual ratio or isotactic pendant ratio is 60-90%, by thermal embossing and the initial bending modulus of the resin layer 1 before thermal embossing formed from the raw material based on the polypropylene resin is 500-1,000 MPa.例文帳に追加

沸騰ｎーヘプタン抽出残率もしくはアイソタクティックペンタッド分率が６０〜９０％であるポリプロピレン樹脂を主成分とする原料から製膜された樹脂層１を具備するシートに熱エンボスにより凹凸模様４が施されおり、ポリプロピレン樹脂を主成分とする原料から製膜された熱エンボス前の前記樹脂層１の初期曲げ弾性率が５００〜１０００ＭＰａである。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element comprising a first transparent electrode, a photoelectric conversion layer containing a p-type organic semiconductor material and an n-type organic semiconductor material, and a second electrode in this order on a transparent substrate is characterized in that the photoelectric conversion layer contains a compound having a partial structure represented by the following general formula 1, as the p-type organic semiconductor material.例文帳に追加

透明な基板上に、透明な第一の電極、ｐ型有機半導体材料とｎ型有機半導体材料とを含有する光電変換層、および第二の電極をこの順に有する有機光電変換素子であって、該光電変換層が、該ｐ型有機半導体材料として下記一般式１で表される部分構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機光電変換素子。 - 特許庁

The wire grid polarizer 100 has: a base material 101; metallic wires 102 provided to nearly parallelly extend with a fixed interval in the fixed direction on the base material 101; and an adhesive layer 104 provided to cover at least a portion of the metallic wire 102, wherein the acid value of the adhesive layer 104 is ≤5.0 mgKOH/g and adhesive strength is ≥1.5 N/25 mm.例文帳に追加

本発明のワイヤグリッド偏光子１００は、基材１０１と、基材１０１上に一定の間隔で一定の方向に略平行に延在して設けられた金属ワイヤ１０２と、金属ワイヤ１０２の少なくとも一部を覆って設けられた粘着剤層１０４と、を有し、粘着剤層１０４の酸価が５．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下、接着強度が１．５Ｎ／２５ｍｍ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

The photovoltaic element is achieved by forming an n-type semiconductor layer 3 composed of a material containing basic dyes with an electron receptive inorganic compound as a main component, between two electrodes (2, 5) of which at least one has translucency; and a p-type semiconductor layer 4 composed of a material containing an electron receptive compound with an electron donor organic compound as a main component.例文帳に追加

少なくとも一方が透光性を有する２つの電極（２，５）の間に、電子受容性無機物を主成分とし、塩基性染料を含有する材料から構成されたｎ型半導体層３と、電子供与性有機物を主成分とし、電子受容性化合物を含有する材料から構成されたｐ型半導体層４とからなるヘテロ接合半導体膜を形成し、光起電力素子とする。 - 特許庁

This is an adhesive tape for fixing a semiconductor wafer that melts at a testing temperature of 190 °C and test load of 21.18 N in the testing method shown in "the flow testing method of thermoplastics" Japanese Industrial Standards K 7210, wherein MFR by the method is 0.1-3, and a resin layer B and adhesive layer A are laminated that includes a carboxyl group as a polymeric constituent.例文帳に追加

ＪＩＳ Ｋ ７２１０「熱可塑性プラスチックの流れ試験方法」に示される試験方法における試験温度１９０℃、試験荷重２１．１８Ｎで溶融するとともに前記方法によるＭＦＲが０．１〜３で、かつ重合体の構成成分としてカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）を有する構成成分を含む樹脂層Ｂと粘着剤層Ａとが積層されてなることを特徴とする半導体ウエハ固定用粘着テープ。 - 特許庁