「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(132ページ目) - Weblio英語例文検索

By switching between connection and non-connection of the switches 133-1 to 133-n, an distance between the signal line 131 and the ground layer is pseudo adjusted to change an effective dielectric constant in a transmission line part 130, so that the frequency of the standing wave can be adjusted.例文帳に追加

スイッチ１３３−１〜１３３−ｎの接続及び非接続を切り替えることにより、擬似的に信号線１３１とグランド層の間の距離が調節され、伝送線路部１３０における実効誘電率が変化して、定在波の周波数を調整することができる。 - 特許庁

The p-type regions 13, in boundary regions with the n-type layer 12, each include a low impurity region 13A having a lower concentration of p-type impurities that exhibit p-type conductivity than a high impurity region 13B, which is a region in the p-type region 13 adjacent to the boundary region.例文帳に追加

ｐ型領域１３は、ｎ型層１２との境界領域において、境界領域に隣接するｐ型領域１３内の領域である高不純物領域１３Ｂよりも導電型がｐ型であるｐ型不純物の濃度の低い低不純物領域１３Ａを含んでいる。 - 特許庁

Furthermore, a third trench 115 is formed on the surface of the n-type layer 106 in a region not opposing the auxiliary electrode 109 with a depth reaching the p-electrode 103, and a p-pad electrode 114 is formed on the p-electrode 103 exposed on a bottom face of the third trench 115.例文帳に追加

また、ｎ型層１０６表面であって、補助電極１０９と対向しない領域に、ｐ電極１０３に達する深さの第３の溝１１５が形成され、第３の溝１１５底面に露出したｐ電極１０３上にｐパッド電極１１４が形成されている。 - 特許庁

According to the method of manufacturing a silicon wafer, since the n-type first epitaxial film 12 formed under the second epitaxial film 13 in which the device is formed functions as a barrier layer, heavy metal introduced from the reverse-surface side of the silicon wafer in the device post-process never reaches a device region.例文帳に追加

本発明によれば、デバイスが形成される第２のエピタキシャル膜１３の下部に形成されるｎ型の第１のエピタキシャル膜１２がバリア層として機能することから、デバイス後工程でシリコンウェーハの裏面側から導入される重金属がデバイス領域に到達することがない。 - 特許庁

Though the magnetic field communication method for low-power node management is performed in a radio network of a low-frequency band that is comprised of one MFAN-C and at least one MFAN-N, a physical layer frame is comprised of a preamble, a header, and a payload, and the preamble is comprised of a wake-up bit string and a synchronization bit string.例文帳に追加

１つのＭＦＡＮ−Ｃと少なくとも１つのＭＦＡＮ−Ｎとで構成された低周波帯の無線ネットワークで行われるが、物理層フレームをプリアンブルと、ヘッダーと、ペイロードとで構成し、前記プリアンブルをウェイクアップビット列と同期ビット列とで構成してなる。 - 特許庁

The light emitting element with the bar type structure includes a rod type semiconductor core 11 made of n-type GaN, and a semiconductor layer 12 covering a coating part 11b other than an exposed part of the semiconductor core 11 such that a part of the semiconductor core 11 on one end side is not covered to serve as the exposed part 11a, and made of p-type GaN.例文帳に追加

棒状のｎ型ＧaＮからなる半導体コア１１と、半導体コア１１の一端側の部分を覆わないで露出部分１１aとするように、半導体コア１１の露出部分以外の被覆部分１１bを覆うｐ型ＧaＮからなる半導体層１２とを備える。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element includes a cathode, an anode, and a photoelectric conversion layer comprising a mixture of an electron-donating p-type conjugated polymer semiconductor material and an electron-accepting n-type semiconductor material, and the organic photoelectric conversion element contains a compound having a naphthalocyanine structure.例文帳に追加

陰極、陽極、及び電子供与性を有するｐ型共役高分子半導体材料と電子受容性を有するｎ型半導体材料が混合された光電変換層を有する有機光電変換素子であってナフタロシアニン構造を有する化合物を含有する有機光電変換素子。 - 特許庁

After bringing the base material into contact with a solution containing organoalkoxysilane SiR' _n(OR)_4-n and calcium ions, the base material is brought into contact with an aqueous solution containing calcium ions and phosphoric acid ions to form a bioactive apatite coating layer on the base material.例文帳に追加

基材を、オルガノアルコキシシランＳｉＲ´_ｎ（ＯＲ）_４−ｎとカルシウムイオンを含有する溶液と接触させた後、カルシウムイオンとリン酸イオンを含有する水溶液と接触させて該基材上に生体活性なアパタイト被覆層を形成することを特徴とする生体活性材料の製造方法。 - 特許庁

To improve avalanche resistance in a super junction semiconductor device having such a parallel pn structure that a drift layer is formed by bonding alternately and repeatedly a drift area formed of an n-type semiconductor area with higher impurity concentration and a partitioning area formed of a p-type semiconductor area.例文帳に追加

ドリフト層を、不純物濃度を高めたｎ型半導体領域よりなるドリフト領域とｐ型半導体領域よりなる仕切領域とを交互に繰り返し接合した構成の並列ｐｎ構造とした超接合半導体素子において、アバランシェ耐量を向上させること。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1 formed with a power MOSFET, a P-type first diffused region 28, a second diffused region 29 and a third diffused region 30 formed on a surface of an N-type diffused region (drift layer) 22 for constituting a drain region of the power MOSFET.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴの形成された半導体基板１２において、パワーＭＯＳＦＥＴのドレイン領域を構成するＮ形拡散領域（ドリフト層）２２の表面にＰ形の第１拡散領域２８、第２拡散領域２９及び第３拡散領域３０を形成する。 - 特許庁

The electric double layer capacitor has a high voltage characteristic which does not exist in a conventional one since oxidation reduction potential of n-dope of a dielectric of poly-fluorene is lower compared with conventional activated carbon and oxidation reduction potential of poly-fluorene or p-dope of the dielectric is higher compared with conventional activated carbon.例文帳に追加

この本発明の電気二重層キャパシタは、ポリフルオレンの誘導体のｎ−ドープの酸化還元電位は従来の活性炭に比べて低く、ポリフルオレンまたはその誘導体のｐ−ドープの酸化還元電位は従来の活性炭に比べて高いので、従来にない高電圧特性を有する。 - 特許庁

He ions are directed onto the entire surface of a chip, and a life time killer is introduced from a shallower position d2 than the position d1 of a pn junction surface 31 formed of the n^- semiconductor layer 22 and the p^+ diffusion area 23, to a deeper position d3, thus forming a low life time area 32 on the entire surface of the chip.例文帳に追加

チップ全面にＨｅイオンを照射して、ｎ^-半導体層２２とｐ^+拡散領域２３とからなるＰＮ接合面３１の位置ｄ１よりも浅い位置ｄ２から深い位置ｄ３までライフタイムキラーを導入し、チップ全体に低ライフタイム領域３２を形成する。 - 特許庁

The Si dope n-type AlGaN layer 23 is formed so that an electric conductivity in the [0001] direction of crystal orientation becomes large, and that the conductivity in the direction orthogonal to the [0001] direction becomes small while the ratio of the maximum value to the minimum value in the electric conductivity becomes more than 10.例文帳に追加

Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＮ層２３は、結晶方位の［０００１］方向の電気伝導度が大きく、［０００１］方向に直交する方向が小さくなるように形成されるとともに、電気伝導度の最大値と最小値の比が１０以上になるように形成される。 - 特許庁

In this radiological image conversion panel, a phosphor layer formed by a vapor-phase sedimentation method comprises a columnar crystal of a phosphor, and the orientation constant (hkl) specified by the formula has an orientation face satisfying the conditions: the orientation constant (hkl)≥2.5; and (the orientation constant (hkl)/N)×100≥35%.例文帳に追加

気相堆積法により形成された蛍光体層が、蛍光体の柱状結晶からなり、下記式で規定される配向定数（ｈｋｌ）≧２．５と（配向定数（ｈｋｌ）／Ｎ）×１００≧３５％を満足する配向面（ｈｋｌ）を有する放射線像変換パネル。 - 特許庁

The light-emitting nitride compound semiconductor device is composed of a plurality of nitride compound semiconductor films on a nitride compound semiconductor substrate, and has a layer 102 containing Al between an n-type electrode 101 and a nitride compound semiconductor substrate 103.例文帳に追加

本発明の窒素化合物半導体発光素子は、窒素化合物半導体基板上に複数の窒素化合物半導体膜より構成される発光素子であって、ｎ型電極１０１と窒素化合物半導体基板１０３との間にＡｌを含有する層１０２を有する。 - 特許庁

This oriented film is constituted by a method wherein the adhesion modifying layer of a copolymer resin consisting of an isobutylene unit, a maleic acid unit and an n-butyl acrylate unit is stacked on at least one side of the oriented film constituted of a styrene polymer having a syndiotactic structure.例文帳に追加

シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体からなる延伸フィルムの少なくとも片面に、イソブチレン単位、マレイン酸単位およびｎ−ブチルアクリレート単位からなる共重合樹脂よりなる接着性改質層を積層した易接着シンジオタクチックポリスチレン系延伸フィルムである。 - 特許庁

A fixing belt unit constituted of a fixing roller 506 having an elastic layer, a heating roller 510, an auxiliary roller 508 and a fixing belt 504 trained about them is turned with the rotary shaft of the auxiliary roller 508 as a support point, and pressured on a receiving roller 502 positionally fixed to form a fixing nip part N.例文帳に追加

弾性層を有する定着ローラ５０６、加熱ローラ５１０、補助ローラ５０８及びこれらに掛け回された定着ベルト５０４からなる定着ベルトユニットを、補助ローラ５０８の回転軸を支点として回動し、位置固定された受けローラ５０２に加圧して定着ニップ部Ｎを形成する。 - 特許庁

A state of use of its own code number and first and second slave code numbers is recorded to a code number state table corresponding to each code number, and a code number #n denoting a disabled state about the state of the use of its own code number is recorded to assignment preferential tables 101 to 104 corresponding to each hierarchical layer.例文帳に追加

そして、各コード番号対応のコード番号状態テーブルに、自コード番号と、第一及び第二の子コード番号との使用状況を記録し、各階層対応の割り当て優先テーブル１０１〜１０４に、自コード番号の使用状況が使用不可状態であるコード番号＃ｎを記録する。 - 特許庁

In addition, a potential switch circuit 10 that can make the P well 9 in a floating state at erasure is provided and a potential switch circuit 11 that makes the potential of the N well 8 the same as a source diffused layer 7 to draw electrons by means of a Fowler-Nordheim tunnel current is provided.例文帳に追加

また、消去時にＰウエル９をフローティング状態にすることが可能な電位切り替え回路１０を設けるとともに、消去時にＮウエル８の電位を電子をファウラ−ノードハイム電流によって引き抜くソース拡散層７と同じにする電位切り替え回路１１を設ける。 - 特許庁

The objective artificial soil 1 for growing plants is constituted with a plurality of fiber blocks 2 formed in a shape so that the tear strength may be 0.098-3.9 N at the surface layer 21 in which a plurality of fiber blocks 2 are allowed to form the gaps in which the plant 3 can grow.例文帳に追加

表皮部分２１の引裂強度が０．０９８〜３．９Ｎになるよう保形された繊維ブロック体２から構成され、上記繊維ブロック体２の複数を、植物３が生育可能な隙間を形成しつつ集合させてなる植物育成用の人工土壌体１である。 - 特許庁

A P-type base region 31 is formed, adjacent to the trench 27, and an N-type source region 32 is formed on the surface layer of the P-type base region 31.例文帳に追加

Ｎ^-型ドリフト層６の表層にトレンチ２７、及びトレンチ２７にゲート酸化膜２８を介して形成されたトレンチゲート電極２９を備え、トレンチ２７に隣接して形成されたＰ型ベース領域３１と、Ｐ型ベース領域３１の表層に形成されたＮ型ソース領域３２を有する構造とする。 - 特許庁

In the diode, a lightly doped P-type semiconductor region 3 is partially formed on the surface of an N-type semiconductor layer 1, and a heavily doped P^+-type semiconductor region 4 is formed shallower than this region 3 in depth so as to embed a gap between these regions 3.例文帳に追加

本発明のダイオードは、Ｎ型半導体層１の表面に、低不純物濃度のＰ型半導体領域３が部分的に形成され、この領域３の間隙を埋めるようにこの領域３よりも浅くかつ高不純物濃度のＰ^＋型半導体領域４が形成されている。 - 特許庁

A gap is formed between the inter-layer insulating film 22 and the second dummy gate electrode 26, by selectively removing the dummy side spacer 24, and then by implanting N-type impurity ions into the Si substrate 12 through the gap almost vertically, a second pocket region 27 is formed.例文帳に追加

選択的にダミーサイドスペーサー２４を除去することにより層間絶縁膜２２と第２ダミーゲート電極２６との間隙を形成した後、ほぼ垂直方向からこの間隙を通じてＳｉ基板１１内にＮ型不純物イオンを注入することにより、第２ポケット領域２７を形成する。 - 特許庁

The organic light-emitting device has an organic compound layer between a pair of electrodes which contains charge transport polyester having a repeating unit of diamine derivative that has a thiophene frame in the center section which is expressed by general Formula (II) (in the Formula, n expresses an integer of 1-10).例文帳に追加

一対の電極間に有機化合物層を有し、該有機化合物層が、下記一般式（ＩＩ）（式中、ｎは１〜１０の整数を表す。）で表されるチオフェン骨格を中央部に有するジアミン誘導体の繰り返し単位を有する、電荷輸送性ポリエステルを含有する有機電界発光素子。 - 特許庁

A layer containing the negative electrode material: 10 wt.% polyvinylidene fluoride to the weight of the negative electrode material and 30 wt.% N-methylpyrrolidone to the weight of the negative electrode material are added to the negative electrode material for the lithium secondary battery and kneaded, and the kneaded material is coated, dried, and rolled at 1.0 Mpa to obtain the material.例文帳に追加

・負極材料を含む層 リチウム二次電池用負極材料に、ポリフッ化ビニリデンを負極材料重量の１０重量％、Ｎ−メチルピロリドンを負極材料重量の３０重量％加えて混練したものを塗布、乾燥し、１．０Ｍｐａで圧延して得る。 - 特許庁

Time variation (interferogram) of light intensity of primary diffracted light is obtained from the intensity of laser beams incident on a surface of a wafer 2 and the intensity of the detected primary diffracted light, thereby calculating an etching rate of an n-type aluminum-gallium (AlGaAs) layer in a chemical solution 4 (S105).例文帳に追加

ウエハ表面に入射するレーザ光の光強度と、検出された１次回折光の光強度とより、１次回折光の光強度の時間変化（干渉波形）が得られ、薬液４におけるｎ型アルミガリウム（ＡｌＧａＡｓ）層のエッチングレートが算出される（Ｓ１０５）。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for activating and forming a second principal surface side p+ collector layer 8 of a substrate by a low temperature heat treatment (anneal furnace) which does not detrimentally affect the existence of the metallic film of a first principal surface side gate and the emitter electrode of the substrate in an n-type semiconductor substrate 7.例文帳に追加

ｎ型半導体基板７における該基板の第１主面側ゲート及びエミッタ電極の金属膜の存在に対し、悪影響を及ぼさない低温熱処理（アニール炉）による該基板の第２主面側ｐ^＋ コレクタ層８を活性化し形成する製造方法を提供する。 - 特許庁

An ohmic contact layer forming film 25 of n-type amorphous silicon is deposited on the top surface of the semiconductor film forming film 21 of intrinsic amorphous silicon, covering the outer surfaces of a first channel protective film 5 of silicon nitride and a second channel protective film 6 of shading metal which are both located above the semiconductor film forming film 21.例文帳に追加

窒化シリコンからなる第１のチャネル保護膜５および遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６を含む真性アモルファスシリコンからなる半導体膜形成用膜２１の上面にｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用膜２５を成膜する。 - 特許庁

The intermediate layer 16 of the low-hardness elastomer having 30 or below in Asker C hardness and 10 N/cm^2 or below in 20% compressive load is set between the substrate 12 molded in a required shape and the skin 14 forming the decorative surface of the substrate 12.例文帳に追加

所要形状に成形した基材１２と、この基材１２の化粧面をなす表皮１４との間に、アスカーＣ硬度が３０以下で、２０％圧縮荷重が１０Ｎ／ｃｍ^2以下である低硬度エラストマを材質とする中間層１６を介在させるようにする。 - 特許庁

Additionally, a silicide layer 19 whose one end and the other come into contact with the n^+- and p-type semiconductor regions 13 and 12, respectively, is formed on the surface of the semiconductor substrate 11 opposite to a contact hole 18 along the thickness direction of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

さらに、半導体基板１１の厚さ方向に沿って、一端部がｎ＋型半導体領域１３に接触し、他端部がｐ型半導体領域１２に接触するシリサイド層１９がコンタクト孔１８に対向する半導体基板１１表面に形成されている。 - 特許庁

The surface light emitting semiconductor laser 100 includes a lower DBR portion 3 provided on an n-type GaAs substrate 1, an upper DBR portion 7 provided on the lower DBR portion 3, and an active layer 5 provided between the lower DBR portion 3 and upper DBR portion 7.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ１００は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に設けられた下部ＤＢＲ部３と、下部ＤＢＲ部３上に設けられた上部ＤＢＲ部７と、下部ＤＢＲ部３と上部ＤＢＲ部７との間に設けられた活性層５とを備える。 - 特許庁

Even when a surge voltage is applied, since a pn junction is formed by the n-type semiconductor layer region 130 and the p type impurity diffusion region 170, the concentration of the surge voltage on a defect is prevented and the destruction of the dielectric separation membrane 120 is prevented.例文帳に追加

サージ電圧が印加されたとしても、ｎ−型半導体層領域１３０とｐ型不純物拡散領域１７０とによりｐｎ接合が形成されているため、サージ電圧が欠陥に集中することを防ぎ、誘電体分離膜１２０の破壊を防止することができる。 - 特許庁

To provide a hologram type optical recording medium with improved sensitivity of the recording layer, increase in multiplicity, and improvement in the S/N ratio of the optical signal, and is capable of high-density image recording, and to provide a manufacturing method by which the optical recording medium can be efficiently manufactured.例文帳に追加

記録層の感度が向上し、多重度の増大及び光信号のＳ／Ｎ比の向上を図れ、高密度画像記録が可能なホログラム型の光記録媒体及び該光記録媒体を効率よく製造することができる光記録媒体の製造方法の提供。 - 特許庁

This makes a difference in the magnitude of magnetization between the reproducing light incident side surface of the reproducing layer and the surface on the side opposite to the reproducing light incident side small in information reproduction, smoothes an expansion operation of the magnetic domain and reduces jitter of the reproduced signal to improve the S/N of the reproduced signal.例文帳に追加

これにより、情報再生時に再生層の再生光入射側表面及びその反対側の表面における磁化の大きさの差を小さくして、磁区の拡大動作をスムーズにし、再生信号のジッタを低減して再生信号のＳ／Ｎを向上させる。 - 特許庁

First, a center protective film 9 is formed at the center of the upper surface of the semiconductor film 8 made of true zinc oxide, ohmic contact layers 10 and 11 made of n-type zinc oxide and upper surface protective films 12 and 13 are formed thereon, and an upper layer insulation film 16 is formed thereon.例文帳に追加

まず、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜８の上面中央部に中央保護膜９を形成し、その上にｎ型酸化亜鉛からなるオーミックコンタクト層１０、１１および上面保護膜１２、１３を形成し、その上に上層絶縁膜１６を成膜する。 - 特許庁

P type buried diffusion layers 2 are formed on an element isolation area of a P type Si substrate 1 and a division part area between a photodiode II and an NPN transistor I respectively, and an N type buried diffusion layer 3 is formed in an area of an NPN transistor I.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板１の表層部の素子分離領域およびフォトダイオードＩＩとＮＰＮトランジスタＩとの分割部領域にＰ型埋め込み拡散層２をそれぞれ形成するとともに、ＮＰＮトランジスタＩの領域内にＮ型埋め込み拡散層３を形成する。 - 特許庁

A protective film, which is made of a dielectric film which is transparent with respect to the laser beam and having a film thickness within the range of 10 nm-λ/4n (λ is oscillation wavelength, n is refractive index), is provided on an upper multilayer reflection mirror directly or via another compound semiconductor layer.例文帳に追加

そして、レーザ光に対して透明で、かつ膜厚が１０ｎｍ以上λ／４ｎ（λ＝発振波長、ｎ＝屈折率）以下の範囲の誘電体膜からなる保護膜が、上部多層膜反射鏡上に、直接、又は他の化合物半導体層を介して設けられている。 - 特許庁

The channel stopper 40 comprises a core 42, comprising phosphorus glass embedded in the channel formed deep near the separation wall 30 by etching, etc., and a channel-stop layer 44 in an N-type region formed by applying heat to the embedded phosphorus glass, and the phosphorus is diffused around the channel.例文帳に追加

チャンネルストッパ４０は、エッチングなどにより分離壁３０近傍に深く形成した溝に埋め込まれたリンガラスからなるコア４２と、埋め込んだリンガラスに熱を加えてリンを溝の周囲に拡散させて形成したＮ型領域のチャンネルストップ層４４とにより形成する。 - 特許庁

The semiconductor laser element 80 is provided with a semiconductor layered body 82 made of an AlGaInP group chemical compound semiconductor layer on an n type GaAg substrate 81 with a step structure 14 on a slope tilted by 10-degrees in the [0-1-1] orientation from the (100) plane.例文帳に追加

本半導体レーザ素子８０は、（１００）面より〔０−１−１〕方向に１０°傾斜した傾斜面にステップ状構造１４を備えたｎ型ＧａＡｓ基板８１上に、ＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体層からなる半導体積層体８２を備えている。 - 特許庁

To prevent a dielectric breakdown voltage BVDS between a source and a drain of a DMOS transistor from being lowered owing to occurrence of dielectric breakdown in a part of a high-concentration N-type drift layer 5 formed in an active region 14 in the vicinity of a field oxide film corner part 19 surrounding an end E in a gate width direction.例文帳に追加

ゲート幅方向端部Ｅを取り囲むフィールド酸化膜コーナー部１９近傍の活性領域１４に形成された、高濃度Ｎ型ドリフト層５の部分で絶縁破壊することにより、ＤＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン間絶縁破壊電圧ＢＶＤＳが低下することを防止する。 - 特許庁

In the trench type IGBT 10, a ladder-like emitter region 15 is formed in a surface portion of a P-channel region 14 and trenches 16 are formed from the surface of a stripe-geometry portion 15a of the emitter region 15 in such a manner as to reach an N^- semiconductor layer 13, penetrating part of the P-channel region 14.例文帳に追加

トレンチ型ＩＧＢＴ10は、Ｐチャネル領域14の表面部に梯子状のエミッタ領域15が形成され、エミッタ領域15のストライプ状部15ａの表面からＰチャネル領域14の一部を貫いてＮ^−半導体層13に達するように、トレンチ16が形成されている。 - 特許庁

The device still further includes: Au films 14s and 14d electrically connected to the Ta films 11s and 11d without interposing the Al films 12a and 12d, respectively; and a gate electrode 13g that is located over the n-AlGaN layer 4 between the Ta films 11s and 11d.例文帳に追加

更に、夫々Ｔａ膜１１ｓ及び１１ｄにＡｌ膜１２ｓ及び１２ｄを介さずに電気的に接続されたＡｕ膜１４ｓ及び１４ｄと、ｎ−ＡｌＧａＮ層４上においてＴａ膜１１ｓ及び１１ｄの間に位置するゲート電極１３ｇと、が設けられている。 - 特許庁

To provide a III-V mixed crystal semiconductor of good crystalline by improving efficiency by which N is brought in, together with a method for manufacturing it, and to provide a semiconductor light-emitting element with III-V mixed crystal semiconductor as a light-emitting layer together with the method for manufacturing it.例文帳に追加

本発明はＮの取り込まれ効率を向上させて結晶性の良好なIII −Ｖ族混晶半導体、III −Ｖ族混晶半導体の製造方法、III −Ｖ族混晶半導体を発光層とする半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the thermosensitive recording material using a normally colorless or pale-color chromogenic compound and a developing compound which develops a color in the chromogenic compound by heat, a thermosensitive color developing layer contains a 4-allyloxy-4'-hydroxydiphenyl sulfone as a developing compound and a chemical compound shown by formula (1) (wherein, n is 2 to 10).例文帳に追加

通常無色ないし淡色の発色性化合物と該発色性化合物を熱時発色させうる顕色性化合物を使用する感熱記録材料において、感熱発色層中に顕色性化合物として４−アリルオキシ−４’−ヒドロキシジフェニルスルホン及び下記式（１） - 特許庁

A He ion is irradiated on the whole of a chip and a lifetime killer is introduced from a position d2 shallower than a position d1 of a PN junction surface 31 including the n^- semiconductor layer 22 and the p^+ diffusion region 23 to a position d3 deeper than the position d1 to form a low lifetime region 32 on the whole of the chip.例文帳に追加

チップ全面にＨｅイオンを照射して、ｎ^-半導体層２２とｐ^+拡散領域２３とからなるＰＮ接合面３１の位置ｄ１よりも浅い位置ｄ２から深い位置ｄ３までライフタイムキラーを導入し、チップ全体に低ライフタイム領域３２を形成する。 - 特許庁