「PHOTOELECTRIC」に関連した英語例文の一覧と使い方(221ページ目) - Weblio英語例文検索

Even if the photoelectric conversion device region 13 and a connection pad 14 connected therewith are provided on the upper surface of the photosensor 11, the photosensor 11 is mounted without employing a bonding wire or a flexible wiring board and mounting of the photosensor 11 is facilitated.例文帳に追加

この場合、光センサ１１の上面に光電変換デバイス領域１３および該光電変換デバイス領域１３に接続された接続パッド１４が設けられていても、ボンディングワイヤあるいはフレキシブル配線板を用いることなく実装することができ、したがって、光センサ１１の実装を容易に行なうことができる。 - 特許庁

To provide a transparent base substrate with a transparent conductive film which has reduced light absorbing property (high light transmitting property) over a light wavelength range from visible light to near-infrared light, appropriate irregularities on a surface where a photoelectric conversion layer is formed, and a high conductivity; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

可視光域から近赤外域迄の光波長範囲に渡って、低減された光吸収性（高度の光透過性）を有し、かつ、光電変換層が形成される側の表面に適度の凹凸を有しており、さらに、高度の導電性を有する透明導電膜付き透明基体、および、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor which can completely prevent the occurrence of an image defect, can inexpensively and surely be manufactured, and is made excellent in photoelectric characteristic even in the case of using conductive base substance to which centerless grinding is performed as it is without performing post-processing, and to provide an image forming device using the electrophotographic photoreceptor.例文帳に追加

センタレス研削が施された導電性基体を後処理を施さずにそのまま用いた場合であっても、画像欠陥の発生を十分に防止することができ、安価に且つ確実に製造可能でありしかも光電特性に優れた電子写真感光体、並びにその電子写真感光体を用いた画像形成装置を提供すること。 - 特許庁

This organic photosensitive photoelectric device includes: an anode; an organic photosensitive layer formed on the anode and including an acceptor portion and a donor portion; a hole blocking layer formed on the organic photosensitive layer for interposing the organic photosensitive layer between the anode and itself; and a cathode formed on the hole blocking layer for interposing the hole blocking layer between the organic photosensitive layer and itself.例文帳に追加

陽極と、前記陽極の上に形成され、アクセプター部とドナー部を含む有機感光層と、前記有機感光層の上に形成され、前記陽極との間に前記有機感光層を介在させる正孔ブロッキング層と、前記正孔ブロッキング層の上に形成され、前記有機感光層との間に前記正孔ブロッキング層を介在させる陰極と、を有する有機感光性の光電装置を提供する。 - 特許庁

The imaging device comprising an imaging element capable of reading image signals for one frame obtained by photoelectric conversion is provided with: light emission means capable of varying light distribution characteristics; and light distribution control means which controls light distribution by the light emission means in accordance with the contrast within the screen occurring when reading the image signals.例文帳に追加

光電変換により得られた１フレーム分の画像信号を読み出すことが可能な撮像素子を有する撮像装置において、配光特性を変化させることが可能な発光手段と、前記画像信号を読み出す際に生じる画面内の明暗差に応じて前記発光手段の配光を制御する配光制御手段を備えていることを特徴とする構成とした。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a photoelectric conversion element capable of preventing the occurrence of short circuit between a first electrode or a semiconductor layer and a second electrode when the second electrode is formed on an intermediate layer after a porous layer including the semiconductor layer displaying a semiconductor electrode function and the intermediate layer not displaying the semiconductor layer function is formed in the first electrode.例文帳に追加

第一電極に、半導体電極機能を発揮する半導体層と、半導体電極機能を発揮しない中間層とを備える多孔質層を形成した後、中間層に重ねて第二電極を形成する際に、第一電極や半導体層と第二電極との短絡が生じることを防止することができる光電変換素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a color filter capable of increasing the intensity of light taken into a photoelectric transfer element through the color filter and separated in colors to achieve the satisfactory color reproducibility of each color and high sensitivity simultaneously in a solid imaging element, and to provide the solid imaging element having the color filter.例文帳に追加

カラーの固体撮像素子において、各色の色再現性と高感度を両立させる目的で、カラーフィルタを通して光電変換素子に取り込まれる色分解された光の強度を大きくするカラーフィルタを提供すること、およびそのようなカラーフィルタを有する固体撮像素子を提供すること。 - 特許庁

For the photoelectric conversion element comprising a conductive supporter, a semiconductor particle layer with adsorbed pigment, an electric charge transfer layer, and an opposite pole, a pretreatment is done by making the semiconductor layer with adsorbed pigment, or the pigment before adsorption contact with a quaternary salt solution before assembling the element.例文帳に追加

導電性支持体、色素を吸着させた半導体微粒子層、電荷移動層および対極を有する光電変換素子であって、当該素子を組み立てる前に、色素を吸着させた半導体微粒子層または吸着させる前の色素を、４級塩溶液と接触させて前処理したことを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

The electrolyte for the photoelectric conversion element contains ionic liquid, silicon oxide and/or metal oxide, and carbon black, the total content of the silicon oxide and/or the metal oxide and the carbon black is 5 to 100 pts.mass to 100 pts.mass of the ionic liquid, and iodine is not essentially contained.例文帳に追加

イオン性液体と、酸化ケイ素および／または金属酸化物と、カーボンブラックとを含有し、 前記酸化ケイ素および／または前記金属酸化物と、前記カーボンブラックとの合計の含有量が前記イオン性液体１００質量部に対して５〜１００質量部であり、ヨウ素を実質的に含まない光電変換素子用電解質。 - 特許庁

The photographing apparatus uses a photoelectric conversion element 14 for photographing, and has a control means 50 for controlling actuators 121, 340 for driving operation mechanisms 122, 123, 330 for performing second operation (preparation drive) for returning to a state before first operation after the first operation for enabling the photography, is performed.例文帳に追加

光電変換素子１４を用いて撮影を行う撮影装置であって、該撮影を可能とするための第１の動作を行った後に、該第１の動作前の状態に戻る第２の動作（準備駆動）を行う動作機構１２２，１２３，３３０を駆動するアクチュエータ１２１，３４０を制御する制御手段５０を有する。 - 特許庁

In the photoelectric conversion element 1 provided with a semiconductor electrode 11 with at least a semiconductor fine particle layer formed, an opposing electrode 12, and an electrolyte layer 5 interposed between the electrodes, the semiconductor fine particle layer 4 is put under a hydrothermal treatment after film forming to increase its specific surface area and a sensitizing dye-carrying quantity.例文帳に追加

透明基板２上に、少なくとも半導体微粒子層４が形成された半導体電極１１と、対向電極１２と、これら電極間に挟持されてなる電解質層５とを有する光電変換素子１において、半導体微粒子層４を成膜後に水熱処理することによって、その比表面積を増大化せしめ、増感色素担持量を増加させる。 - 特許庁

To provide a text for learning that sunlight of a wide band from an ultraviolet band to a far infrared band has a band with high photoelectric conversion efficiency, and a band with high thermoelectric conversion efficiency, and that a solar power generating system with high efficiency is provided by using both bands.例文帳に追加

本発明の課題は、紫外線域から遠赤外線域にわたる広帯域の太陽光には光電変換効率のよい帯域別と熱電変換効率のよい帯域別があることを理解させ、両者を併用することで効率のよい太陽光発電システムが可能となることを学習させる教材を提供することにある。 - 特許庁

2) In the photoelectric transducer having the dye-sensitized semiconductor electrode and charge- transfer layer, the charge-transfer layer comprises a fused salt electrolyte or a positive hole transport material, and at least one kind of pigment used in the dye-sensitization is what was adsorbed on the semiconductor in a supercritical fluid.例文帳に追加

２）色素増感された半導体電極および電荷移動層を有する光電変換素子において、該電荷移動層が溶融塩電解質又は正孔輸送材料を含んでなり、かつ、該色素増感に用いられる少なくとも１種の色素が超臨界流体中で半導体上に吸着させたものであることを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

A radiation detection device comprises: a scintillator panel including a scintillator layer for converting radiation into light and a scintillator protective layer for protecting the scintillator layer; and a sensor panel including a sensor array on which a plurality of photoelectric conversion elements for detecting the light from the scintillator layer are arranged and a sensor protective layer for protecting the sensor array.例文帳に追加

放射線検出装置は、放射線を光に変換するシンチレータ層と前記シンチレータ層を保護するシンチレータ保護層とを含むシンチレータパネルと、前記シンチレータ層からの光を検出する複数の光電変換素子が配列されたセンサアレイと前記センサアレイを保護するセンサ保護層とを含むセンサパネルと、を備える。 - 特許庁

The electronic timepiece with the solar cell wherein the solar cell is bent and arranged approximately vertically to the dial has a constitution with a resin substrate, a photoelectric conversion layer sandwiched by the upper electrode and a lower electrode, a protection film provided in the state of coating the upper electrode, and a resin film provided adherently onto the protection film.例文帳に追加

ソーラーセルを湾曲させて、文字板に対して略垂直に配置したソーラーセル付き電子時計において、樹脂基板と、上部電極と下部電極とで挟持される光電変換層と、前記上部電極を被覆して設けられる保護膜と、当該保護膜に被着して設けられた樹脂製のフィルムと、を備える構成とした。 - 特許庁

Therefore, optical characteristics of image light are easily and precisely measured without exceeding an allowable limit for enabling photoelectric conversion of an imaging unit by reflecting the image light output from a projector in one of the first to third measurement areas 331, 332, 333 with proper reflectance.例文帳に追加

このため、プロジェクタから出力される画像光を第一ないし第三測定領域３３１，３３２，３３３のうちいずれかの適切な反射率の領域で反射させることにより、撮像部の光電変換可能な許容量を越えることがなく、容易に、かつ精度よく画像光の光学特性を測定することができる。 - 特許庁

To provide a photomultiplier tube in which condensing efficiency of radial rays incident, especially from the front side is improved, and the condensed radial rays can be connected much more efficiently to a photoelectric cathode, and has a high packaging density when assembled in an array, thereby imaging characteristics can be improved.例文帳に追加

特にフロント面の周囲から入射する放射線の集線効率を向上させ、その集線された放射線を光電陰極に一層効率的に繋げることができ且つアレーに組み立てられた時に高いパッケージング密度を有し、その結果撮像特性を向上させることのできる光電子増倍管を提供することを課題とする。 - 特許庁

The photoelectric conversion element comprises a metal fine particle is selected from gold, silver, or platinum that is deposited in a thin-film shape on a conductive substrate, and a sulfur compound having an electron- donating coloring matter molecule and/or an electron-accepting coloring matter molecule that are fixed on the surface of the metal fine particle via metal-sulfur coupling.例文帳に追加

導電性基板；導電性基板上に薄膜状に堆積した金、銀または白金から選ばれる金属の微粒子；ならびに、金属微粒子の表面に金属−イオウ結合を介して固定された、電子供与性色素分子および／または電子受容性色素分子を有するイオウ化合物から成る光電変換素子。 - 特許庁

A semiconductor layer 19 of an MIS photoelectric transducer 2 and an n+ semiconductor layer 20 are formed on a second insulation layer 18 covering the TFT1 to fit a source/drain electrode 16 capable of functioning as a lower electrode, and a semiconductor layer 21 of a TFT sensor 3 is formed to fit an electrode 17 in plan view.例文帳に追加

読出用ＴＦＴ１を覆う第２の絶縁体層１８上には、ＭＩＳ型光電変換素子２の半導体層１９及びｎ^＋半導体層２０が、下部電極としても機能するソース・ドレイン電極１６と整合するようにして形成され、ＴＦＴ型センサ３の半導体層２１が、平面視でゲート電極１７と整合するようにして形成されている。 - 特許庁

The photoelectric conversion element is provided with a metal electrode 12, an oxide layer 13 installed adjacent to the metal electrode 12, a dye 15 carried by the oxide layer 13, a counter electrode 11 arranged oppositely on the oxide layer 13 side of the metal electrode 12, and an electrolyte layer 14 installed between the oxide layer 13 and the counter electrode 11.例文帳に追加

金属電極１２と、金属電極１２に隣接して設けられた酸化物層１３と、酸化物層１３によって担持された色素１５と、金属電極１２の酸化物層１３の側に対向配置された対向電極１１と、酸化物層１３と対向電極１１との間に設けられた電解質層１４とを備えている。 - 特許庁

To provide a quantum dot structure in which quantum dots are three-dimensionally distributed uniformly and arranged periodically, and to provide a method of forming the quantum dot structure in which quantum dots are three-dimensionally distributed uniformly and can be formed periodically, and a wavelength conversion element utilizing the quantum dot structure, an optical converter and a photoelectric converter.例文帳に追加

３次元的に分布が均一、かつ周期的に量子ドットが配置された量子ドット構造体を提供するとともに、低い生産コストで、３次元的に分布が均一、かつ周期的に量子ドットを形成することができる量子ドット構造体の形成方法を提供するとともに、量子ドット構造体を利用した波長変換素子、光光変換装置および光電変換装置を提供する。 - 特許庁

A CMOS image sensor (imaging device) 100 includes a PD unit 11 for generating charges by photoelectric conversion, and a charge transfer region 10a (a transfer channel 10 under a transfer gate electrode 14, a multiplication gate electrode 15, a transfer gate electrode 16, and an accumulation gate electrode 17) that includes an electron multiplication unit 10c for multiplying charges.例文帳に追加

このＣＭＯＳイメージセンサ１００（撮像装置）は、光電変換により電荷を生成するＰＤ部１１と、電荷を増倍するための電子増倍部１０ｃを含む電荷転送領域１０ａ（転送ゲート電極１４、増倍ゲート電極１５、転送ゲート電極１６および蓄積ゲート電極１７下の転送チャネル１０）とを備える。 - 特許庁

To provide an electrolyte-catalyst composite electrode manufactured from an inexpensive material by a simple manufacturing method, having a high utilization factor of a catalyst even when using an electrolyte of high viscosity, and having excellent electrode characteristics of quickly reducing an oxidant of a redox pair included in the electrolyte, and to provide its manufacturing method and a dye-sensitized solar battery having excellent photoelectric conversion efficiency.例文帳に追加

安価な材料および簡便な製造方法により作製でき、かつ、高粘度の電解質を用いた場合でも、触媒の利用率が高く、電解質中に含まれる酸化還元対の酸化体を速やかに還元することのできる、優れた電極特性の電解質−触媒複合電極、及びその製造方法を提供し、優れた光電変換効率を有する色素増感太陽電池を提供する - 特許庁

In the solid state image sensor having a semiconductor substrate having a plurality of photo detecting parts arranged like an array for performing the photoelectric conversion and microlenses formed on the photo detecting parts, the film thickness of the microlens at 0.3 μm centered from its end side of the microlens is not less than 35% of the maximum film thickness of the microlens.例文帳に追加

アレー状に複数配設された光電変換を行う受光部を形成した半導体基板と、前記各受光部上に形成されたマイクロレンズとを少なくとも有する固体撮像装置において、前記マイクロレンズの端辺からマイクロレンズの中央方向に向け０．３μｍ入った部位におけるレンズの膜厚を、マイクロレンズの最大膜厚の３５％以上としたことを特徴とする固体撮像装置。 - 特許庁

The nonlinear transmission line NTNL is configured, so that the electric pulse signal which is a modulated signal is propagated from one terminal to the other terminal and the photoelectric conversion elements X1-XN are means that superimpose the electric pulse signal, being a reply of the received optical pulse signal onto the electric pulse signal which is the modulated signal.例文帳に追加

非線形伝送線路ＮＴＮＬは、その一方の端子から他方の端子にかけて、被変調信号である電気パルス信号が伝播するように構成されており、光電気変換素子Ｘ１〜ＸＮは、入力された光パルス信号の応答である電気パルス信号を、被変調信号である電気パルス信号に重畳する手段である。 - 特許庁

The image capturing apparatus includes an image sensor (image sensor with phase difference detection function) 101 having an AF line Lf in which a plurality of pairs of photoelectric converting parts receiving light beams of a subject passing through a right and left side portions in an exit pupil of a shooting optical system are arranged along in a horizontal direction.例文帳に追加

撮像装置には、撮影光学系の射出瞳において例えば右側部分および左側部分を通過した被写体光束を受光する一対の光電変換部が水平方向に沿って複数配列されたＡＦラインＬｆを有する撮像素子(位相差検出機能付き撮像素子)１０１が設けられている。 - 特許庁

Pixels having photoelectric transduction parts located two-dimensionally are driven by a driving means in a reading mode independent for all the pixels and a mode for reading the pixels while reducing the number of samples of at least one kind, and a driving control means makes the driving means read pixels in a specific area in all the pixels in at least one reading mode.例文帳に追加

駆動手段で２次元状に配置した光電変換部を有する画素に対し、全画素独立の読み出しモードと、少なくとも１種類のサンプル数を少なくして読み出すモードでの駆動を行い、駆動制御手段で、前記駆動手段に対し、少なくとも１つの読み出しモードでは、全画素のうち特定の領域の画素の読み出しを行わせる。 - 特許庁

To provide a slave unit for PLC unit (programmable controller), whereby the problem of mutual interference in a sensing system, having a plurality of translucent photoelectric sensors, can be solved by the control of light projection/reception timing, while moreover eliminating the need for incorporating a program for prevention of mutual interference in the user programs of the PLC.例文帳に追加

透過型光電センサを複数有するセンシングシステムにおける相互干渉の問題を投受光タイミング制御により解決することができ、しかもＰＬＣのユーザプログラム中においては、相互干渉防止のためのプログラムを一切組むことが不要となるようにしたＰＬＣのスレーブを提供すること。 - 特許庁

The electrode for photoelectric conversion is characterized in that the inorganic semiconductor layer 5b made dense by microwave irradiation is formed by forming a microwave absorbing exothermic layer 4 on the conductive layer 3 of the light transmitting flexible substrate 1 having the conductive layer, and forming the inorganic semiconductor layer 5 on the microwave absorbing exothermic layer 4.例文帳に追加

導電層を備えた光透過性を有する可撓性基板１の導電層３の上に、マイクロ波吸収発熱層４とこのマイクロ波吸収発熱層４上に無機半導体層５を形成してマイクロ波の照射により緻密化した前記無機半導体層５bを形成したことを特徴とする光電変換用電極。 - 特許庁

An input terminal of output limiting voltage VMAX is disposed in the differential amplification circuit 103 for amplifying the output Va_out from a photoelectric conversion element array 101 with reference to a predetermined voltage from a reference voltage output section 102, and the output limiting voltage VMAX is supplied from an output limiting voltage source 104 to the input terminal.例文帳に追加

光電変換素子アレイ１０１からの出力Ｖａ＿ｏｕｔを、基準電圧出力部１０２からの所定電圧を基準として増幅する差動増幅回路１０３に出力制限電圧ＶＭＡＸの入力端子を設けておき、この入力端子に出力制限電圧源１０４から出力制限電圧ＶＭＡＸを供給する。 - 特許庁

In the photoelectric transfer element having a semiconductor electrode made of a semiconductor particulate and a metal membrane becoming a counter electrode, polyethylenedioxothiophene (PEDOT)/polystyrene sulfonic acid (PSS) membrane 13 is formed on the transparent electrode 12 made of metal oxide such as ITO by spin coat, and then on top of it, a platinum membrane 14 becoming a counter electrode is formed.例文帳に追加

半導体微粒子からなる半導体電極と対極となる金属膜とを有する光電変換素子において、ＩＴＯなどの金属酸化物からなる透明電極１２上にポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）膜１３をスピンコートなどにより製膜した後、その上に対極となる白金膜１４を製膜する。 - 特許庁

This photoelectric conversion device 1 comprises a layered product composed by integrally stacking, on a substrate 2, a transparent conductive layer 3, a porous oxide semiconductor layer 5 supporting a dye 4 and including a gelatinous electrolyte 6, a porous spacer layer 7 containing an electrolyte identical with the electrolyte 6, and a transparent conductive layer 8 in that order.例文帳に追加

光電変換装置１は、基板２上に、透明導電層３、色素４を担持するとともにゲル状の電解質６を含有した多孔質酸化物半導体層５、電解質６と同じ電解質を含有した多孔質スペーサ層７、及び透明導電層８がこの順で一体的に積層された積層体から成る。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor for a photoelectric conversion material includes: fabricating one or more than two hydrophobic solutions or aprotic and hydrophobic solutions in which a dye functioning as a photosensitizer is dissolved; and immersing a semiconductor having surface active points without being subjected to a pretreatment, to make the dye absorbed on the semiconductor.例文帳に追加

光増感剤として機能する色素を、１種又は２種以上の疎水性溶液または非プロトン性かつ疎水性溶液に溶解して疎水性溶液を作成し、表面活性点を有する半導体を前処理せずに浸漬して、半導体上に色素を吸着させる光電変換材料用半導体の製造方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and a manufacturing apparatus of a thin film photoelectric conversion element, and a deposition apparatus which can obtain a thin film having improved flatness on all over the surface and stabilized uniform film thickness distribution, even for a flexible substrate of large area, by inhibiting generation of wrinkles in a width direction and a length direction of a flexible substrate.例文帳に追加

可撓性基板の幅方向及び長手方向の皺の発生を防止して、大面積の可撓性基板でも、全面に亘って平坦性が向上し、均一な膜厚分布の安定化した薄膜が得られる薄膜光電変換素子の製造方法及び製造装置、並びに成膜装置を提供することにある。 - 特許庁

The contact has a plug for applying the reference voltage and a semiconductor region of the second conductivity type, and also has a semiconductor region of the second conductivity type having lower impurity density than the semiconductor region of the second conductivity type of the contact between the semiconductor region of the second conductivity type of the contact and the semiconductor region of the first conductivity type constituting the photoelectric conversion section.例文帳に追加

このコンタクトは、基準電圧を供給するためのプラグと第２導電型の半導体領域とを有し、コンタクトの第２導電型の半導体領域と光電変換部を構成する第１導電型の半導体領域との間に、コンタクトの第２導電型の半導体領域に比べて不純物濃度が低い第２導電型の半導体領域を有する。 - 特許庁

For each pixel row, middle voltages Vmid0, Vmid1 and ON voltage Von are successively supplied in that order to a gate electrode of a transfer transistor as a transfer pulse TRG, and signal charges accumulated in the photoelectric conversion element 21 during an accumulation period of one unit are divided into three portions e.g. and transferred to the stray diffusion capacitance 26.例文帳に追加

画素行ごとに、中間電圧Ｖｍｉｄ０，Ｖｍｉｄ１およびオン電圧Ｖｏｎをその順番で順次転送トランジスタのゲート電極に転送パルスＴＲＧとして供給し、一単位の蓄積期間中に光電変換素子２１に蓄積された信号電荷を例えば３分割転送にて浮遊拡散容量２６へ転送する。 - 特許庁

A wire connected to the gate of a MOS transistor for composing a signal read-out circuit is set to be the wiring 41 on the lower layer in the wires connected to the signal read-out circuit attached to and formed at each photoelectric conversion circuit, and the wiring connected to the source or drain of the MOS transistor is set to be the wiring 42 on the upper layer.例文帳に追加

各光電変換素子に付設形成された信号読出回路に接続される前記配線のうち信号読出回路を構成するＭＯＳトランジスタのゲートに接続される配線を下層の配線４１とし、ＭＯＳトランジスタのソースまたはドレインに接続される配線を上層の配線４２とする。 - 特許庁

This compound photoelectric conversion element is provided with a substrate, a first electrode formed on the substrate; an n-type semiconductor layer formed on the first electrode, and oriented vertically to the substrate, in which nano carbon materials are included; a p-type organic semiconductor layer formed on the n-type semiconductor layer; and a second electrode formed on the p-type organic semiconductor layer.例文帳に追加

基体と、この基体上に形成された第１の電極と、この第１の電極上に形成され、前記基体に対し垂直に配向した、ナノカーボン材料を含むｎ型半導体層と、このｎ型半導体層上に形成されたｐ型有機半導体層と、このｐ型有機半導体層上に形成された第２の電極とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

In the back electrode type photoelectric conversion element equipped with semiconductor layers 60, 62 and electrodes 80, 82 for collecting carriers only onto the back side of a semiconductor substrate 40 constituted of a principal constituent of a group IV material, a quantum well unit 50 is provided between a p-layer and an n-layer which constitute a pn junction unit on the back side of the substrate.例文帳に追加

ＩＶ属材料を主成分とする半導体基板４０の裏面側にのみキャリアを収集するための半導体層６０，６２及び電極８０，８２を備えた裏面電極型の光電変換素子において、基板裏面側のｐｎ接合部を構成するｐ層とｎ層との間に量子井戸部５０を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

A photosensor 1 according to the present invention is provided with a photo diode 12 as a photoelectric conversion element for outputting current according to incidence light to a light reception surface 12a and an optical filter 11 for absorbing a light constituent at a near infrared region out of the constituents of incidence light and at the same time transmitting the light constituent of a visible region.例文帳に追加

本発明の受光センサ１は、受光面１２ａへの入射光に応じた電流を出力する光電変換素子としてのフォトダイオード１２、受光面１２ａ上に配置され、入射光の成分のうち近赤外領域の光成分を吸収すると共に可視領域の光成分を透過させる光学フィルタ１１とを具備する。 - 特許庁

With the photoelectric conversion element laminated with a conductive support body, a photosensitive layer consisting of charge transport material with the space filled with semiconductor fine particles absorbing dyestuff, a charge transport layer and a counter electrode, in that order, the voids of the photosensitive layer is made to be smaller toward the direction of the conductive support body.例文帳に追加

導電性支持体、色素を吸着した半導体微粒子及び当該半導体微粒子の間の空隙に充填された電荷輸送材料からなる感光層、電荷移動層及び対極の順に積層された光電変換素子において、導電性支持体方向へ向かって感光層の空隙率が小さくなるよう構成する。 - 特許庁

A charge transfer region a is provided on a silicon substrate 10, a charge transfer electrode 12 and a photoelectric conversion region b are formed to surround the charge transfer region a, and etchback is performed over the entire surface after a shading film 14 and an antireflection film 15 are deposited to leave the sidewall film 15' of the antireflection film 15 on the side of the charge transfer electrode 12.例文帳に追加

シリコン基板１０に電荷転送領域ａを設け、電荷転送領域ａを覆うように電荷転送電極１２と光電変換領域ｂを形成し、遮光膜１４および反射防止膜１５を堆積してから全面エッチバックを行い、電荷転送電極１２の側面に反射防止膜１５のサイドウォール膜１５’を残す。 - 特許庁

This material for the photoelectric conversion element is constituted of calixarene provided with a hydrophobic upper end and a lower end provided with ionic hydrophilic functional group, fullerene, and a conductive substrate provided with a surface having an electric charge opposite to the hydrophilic functional group of calixarene, and a complex formed by connecting calixarene and fullerene by the ratio of 2:1 is laminated on a substrate surface in a monomolecular film shape.例文帳に追加

疎水性の上部端とイオン性の親水性官能基を有する下部端とを有するカリックスアレーン；フラーレン；およびカリックスアレーンの親水性官能基と反対の電荷を持つ表面を有する導電性基板から構成され、カリックスアレーンとフラーレンが２：１の比率で結合して形成された錯体が、基板表面に単分子膜状に積層している光電変換素子用材料。 - 特許庁

The electron multiplying type CCD sensor is used as the photodetector, electrons generated by the photoelectric transfer is multiplied to be read out thereafter, a signal by input light gets relatively large thereby, with respect to the electric noise to detect very weak light compared with a conventional CCD, and the micro foreign matters or defects can be detected, as compared to prior art.例文帳に追加

光検出器として電子増倍型ＣＣＤセンサを用い、光電変換によって生じた電子を増倍した後に読み出すことにより、電気的なノイズに対して入力光による信号が相対的に大きくなるようにして、従来のＣＣＤと比較してより微弱な光を検出することを可能にし、従来と比べて、より微小な異物や欠陥を検出できるようにした。 - 特許庁

The solar battery comprises a solar battery element having a photoelectric transfer layer 2, a group 4 of cylindrical condensing curved surfaces, and a condensing element 3 which has a group 7 of linear light passage holes which pass light through so that the sun light 8 condensed by the group 4 of cylindrical curved surfaces can be incident into the solar battery element.例文帳に追加

光電変換層２を有する太陽電池素子と、シリンドリカル状集光曲面群４と、該シリンドリカル状集光曲面群４により集光された太陽光８が上記太陽電池素子に入射可能なように光通過可能な直線状光通過孔群７とを有する集光素子３とを備える。 - 特許庁