「PHOTOELECTRIC」に関連した英語例文の一覧と使い方(223ページ目) - Weblio英語例文検索

This method for controlling an image pickup system or image pickup device provided with an image pickup element having a photoelectric conversion function includes detecting steps (S100 and S101) for detecting the rotating state of the image pickup element and switching steps (S103 to S106) for switching a photometric operation algorithm in accordance with the rotating state of the element detected in the detecting steps.例文帳に追加

光電変換機能を有する撮像素子を備えた撮像システムまたは撮像装置の制御方法であって、前記撮像素子の回転状態を検知する検知工程（Ｓ１００，Ｓ１０１）と、前記検知工程により得られた回転状態に応じて、測光演算アルゴリズムを切り換える切り換え工程（Ｓ１０３〜Ｓ１０６）とを有する。 - 特許庁

The imaging apparatus is provided with a plurality of optical units 220 for acquiring image and pixel elements for conducting photoelectric conversion; an imaging device 240 for converting the image acquired by the optical unit 220 into electric data; and the number of times recording section 244 provided to a non-use area of the imaging device 240 to record the number of recycle times of the imaging apparatus.例文帳に追加

画像を取得する光学ユニット２２０と、光／電気変換する画素素子を複数備え、光学ユニット２２０により取得された画像を電気データに変換する撮像素子２４０と、撮像素子２４０の非利用領域に設けられ、撮像装置のリサイクル回数を記録する回数記録部２４４とを備える。 - 特許庁

The control part 71a measures a value ΔA corresponding to the dark current of the photoelectric transducer 20a having the light receiving surface covered with the light shielding material 37, and reduces the intensity of cooling of the temperature adjustment part 77 when the measured value ΔA corresponding to the measured dark current is smaller than the value HD corresponding to the dark current at the measurement lower limit temperature.例文帳に追加

制御部７１ａは、遮光材３７により受光面を覆われた光電変換素子２０ａの暗電流に対応する値ΔＡを計測し、計測した暗電流に対応する値ΔＡが測定下限温度における暗電流に対応する値ＨＤよりも小さい場合に温度調整部７７の冷却強度を低下させる。 - 特許庁

The solid-state photographing device is characterized in that it is equipped with: a photographing region where pixels 60 composed of photoelectric conversion unit PDs and transistors Tr1 and Tr2 are arranged; and a multilayered interconnection 62 [621, 622, and 623] formed above the pixels 60 through an interlayer insulating film 61, and that the interlayer insulating film 61 has shading properties.例文帳に追加

光電変換部ＰＤとトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２で構成された複数の画素６０が配列された撮像領域と、複数の画素６０の上方に層間絶縁膜６１を介して形成された複数層の配線６２〔６２１、６２２、６２３〕を有し、層間絶縁膜６１が遮光性を有して成ることを特徴とする。 - 特許庁

Stroke h2 from the detection of the roll 10 to the stop is computed, and a height position Hs where the photoelectric sensor 6 is arranged and distance (stroke h3) from the lower face of the roll 10 to a floor surface FL is computed from the stroke h2 to determine stroke of lifting-down to the floor surface FL of the roll 10.例文帳に追加

ロール１０が検知されてから停止するまでのストロークｈ２を演算し、さらに、光電センサ６が配置されている高さ位置Ｈｓと、上記ストロークｈ２からロール１０の下面と床面ＦＬまでの距離（ストロークｈ３）を演算し、ロール１０の床面ＦＬまでのリフトダウンのストロークを決定する。 - 特許庁

In this stool washing device provided with a human body detection means for detecting a toilet user and a non-contact operation means using a photoelectric sensor, the operation means corresponding to a condition of the toilet user can be realized because detection conditions of a subject of the operation means are set in accordance with the results of detection of the human body detection means to improve the operation property and save water.例文帳に追加

トイレ使用者を検出する人体検出手段と、光電センサ等を用いた非接触の操作手段を備えた便器洗浄装置において、操作手段の対象物の検出条件を人体検出手段の検出結果に応じて設定するため、トイレ使用者の状態にあった操作手段にすることができ、操作性の向上や節水を行なうことができる。 - 特許庁

The optical receiver applies photoelectric conversion and amplification to an optical signal passing through the transmission path and a variable dispersion compensation unit, thereafter detects a difference between average space levels for a time average value and an identification phase of the entire signal and controls the variable dispersion compensation unit so as to increase the difference between the average space levels at the time average value and the identification phase for the entirely detected signal.例文帳に追加

伝送路、可変分散補償器を通過した光信号を、光受信器において、光電気変換、増幅後、信号全体の時間平均値と識別位相での平均スペースレベルの差を検出し、検出した信号全体の時間平均値と識別位相での平均スペースレベルの差が大きくなるように可変分散補償記を制御する。 - 特許庁

To provide a method of forming a photovoltaic element having higher photoelectric conversion characteristics, which can control the amount of boron which is taken in a silicon layer, specially facilitates formation of a desired p+ layer even at a lower reprecipitation temperature and moreover, enables formation of a high-quality silicon layer, and to provide a formed photovoltaic element, a method of forming a semiconductor substrate and a semiconductor substrate.例文帳に追加

シリコン層中に取り込まれるボロン量の制御が可能で、特により低い再析出温度においても所望のｐ＋層の形成が容易になり、さらに高品質なシリコン層の形成が可能になり、より光電変換特性の高い光起電力素子を形成する方法と、形成される光起電力素子並びに半導体基板の形成方法および半導体基板を提供すること。 - 特許庁

On the roof and the outer wall member laminating a transparent conductive film, a photoelectric conversion element and a rear face electrode in the order on the side on which a beam is incident and one main surface of the transparent board of the contrary side, the roof and the outer wall member forming a transparent intermediate film comprising at least two layers between the transparent board and the transparent conductive film are manufactured.例文帳に追加

光線が入射する側と反対側の透明基板の一方の主表面上に、透明導電膜、光電変換素子および裏面電極が順に積層された屋根および外壁部材において、前記透明基板と透明導電膜との間に少なくとも２層よりなる透明中間膜が形成されている屋根および外壁部材を作る。 - 特許庁

In the photoelectric conversion element which has the electrode, which a semiconductor layer is attached on one side surface of it, an opposite electrode which stands face to face against the above semiconductor layer of this electrode, and an electrolyte layer arranged between the above semiconductor layer of this electrode and the opposite electrode, particles which have a hydro-extracting action and insulation nature are compounded into the electrolysis liquid which constitutes the above electrolyte layer.例文帳に追加

少なくとも、一方の面上に半導体層が被着された電極と、この電極の前記半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記半導体層と対電極との間に配置された電解質層を有する光電変換素子において、前記電解質層を構成する電解液中に脱水作用及び絶縁性を有する粒子を配合する。 - 特許庁

This photoelectric encoder for detecting relative displacement between a scale 10 and a detection head 20 is provided with inspection lattices 42a, 42b having plus and minus angle offset θof to reference lattices 26, 12, and angle deviation between the lattices is detected based on a light receiving signal acquired by interaction between an inspection lattice and a reference lattice or a reference lattice for inspection disposed at the same angle as the reference lattice.例文帳に追加

スケール１０と検出ヘッド２０の相対変位を検出するための光電式エンコーダにおいて、基準となる格子（２６、１２）に対して、プラス及びマイナスの角度オフセットθofを持った検査用格子（４２ａ、４２ｂ）を設け、該検査用格子と基準格子又は該基準格子と同じ角度で配設された検査用基準格子の相互作用により得られた受光信号に基づいて、格子間の角度ずれを検出する。 - 特許庁

In the solid-state imaging apparatus having a light receiving sensor section 1 of silicon semiconductor, a metal silicide layer 20 having a band gap smaller than that of silicon such as β-FeSi_2 and exhibiting high absorptivity in infrared region is provided on the light receiving surface side of a first conductivity type well region 13 constituting a depletion region which constitutes a photoelectric conversion element in the light receiving sensor section 1.例文帳に追加

シリコン半導体による受光センサ部１を有する固体撮像装置であって、受光センサ部１の光電変換素子を構成する空乏化領域を構成する第１導電型のウエル領域１３の受光面側にβ−ＦｅＳｉ_２等のシリコンに比しバンドギャップが小さく赤外領域に高い吸収性を有する金属シリサイド層２０を設ける。 - 特許庁

The solid-state imaging device has an n-type silicon substrate 20; a p-type epitaxial layer 21 formed on the n-type silicon substrate 20; an n-type sensor section 22 formed on the p-type epitaxial layer 21; and an active element formed on the p-type epitaxial layer 21 and reading electric charges obtained by photoelectric conversion by the n-type sensor section 22.例文帳に追加

本実施形態に係る固体撮像装置は、ｎ型シリコン基板２０と、ｎ型シリコン基板２０上に形成されたｐ型エピタキシャル層２１と、ｐ型エピタキシャル層２１に形成されたｎ型センサ部２２と、ｐ型エピタキシャル層２１に形成され、ｎ型センサ部２２により光電変換して得られる電荷を読み出す能動素子とを有する。 - 特許庁

The solar power generation system comprises a solar power generation device and a system-linked inverter for controlling the power which has been photoelectric-converted by the solar power generation device, and is equipped with a controller which estimates a weather condition from the power generating condition of the solar power generation device, and a voice notification means which announces the estimation results of the controlling section by voice.例文帳に追加

太陽光発電装置とこの太陽光発電装置により光電変換された電力を制御する系統連系インバータとを備えた太陽光発電システムであって、太陽光発電装置の発電状況から気象状況を推測する制御部と、この制御部の推測結果を音声によって通知する音声通知手段とを設けたことを特徴とする太陽光発電システム。 - 特許庁

This photoelectric conversion function element is provided with electrodes on the front and rear surfaces of a II-VI group compound semiconductor crystal having at least pn junction, and it is also provided with a contact layer between an n-type semiconductor layer and an n-type electrode, and furthermore at least a part of the contact layer is made of n-type semiconductor containing an In element as an n-type impurity.例文帳に追加

ｐｎ接合を少なくとも有するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の表面と裏面にそれぞれ電極を設けてなる光電変換機能素子において、ｎ型半導体層とｎ型電極との間にコンタクト層を有するとともに、前記コンタクト層の少なくとも一部は、Ｉｎ元素をｎ型不純物として含むｎ型半導体で構成されるようにした。 - 特許庁

This solar battery module is provided with a transparent insulating substrate 1, having first and second main faces, and a transparent electrode layer 2, semiconductor photoelectric conversion layer 3, and backside electrode layer 4 sequentially laminated on the first main face of the transparent insulating substrate 1, and glare-proof film 10 formed, so that a prescribed pattern can be obtained on the second main face of the transparent insulating substrate 1.例文帳に追加

第１および第２の主面を有する透明絶縁基板（１）と、透明絶縁基板（１）の前記第１主面上に順次積層された透明電極層（２）、半導体光電変換層（３）および裏面電極層（４）と、透明絶縁基板（１）の第２主面に所定の模様をなすように形成された防眩膜（１０）とを備えた太陽電池モジュール。 - 特許庁

The photoelectric conversion element comprises a pn-junction constituted of a p-type semiconductor layer 13 and an n-type semiconductor layer 14 which are sequentially placed in the direction along the principal plane, and includes a p-electrode 11 provided in contact with the p-type semiconductor layer 13 and an n-electrode 12 in contact with the n-type semiconductor layer 14 in the direction extending along the principal plane.例文帳に追加

光電変換素子は、その主面に沿った方向に順次配置されたｐ型半導体層１３およびｎ型半導体層１４により構成されるｐｎ接合からなり、その主面に沿った方向にｐ型半導体層１３と接して配置されたｐ電極１１およびｎ型半導体層１４と接して配置されたｎ電極１２を有する。 - 特許庁

When irradiating a visible laser L outputted according to operation of a trigger key 21a of a reader/writer 20 onto a solar battery cell 11 provided in the electronic tag 10 desired by the user, an ID (an identifier) of the tag 10 is transmitted as a response signal according to photoelectric conversion operation by the solar battery cell 11, and is received by the reader/writer 20.例文帳に追加

リーダライタ２０のトリガキー２１ａの操作に応じて出力される可視光レーザＬを、ユーザ所望の電子タグ１０に設けられた太陽電池セル１１に対して照射すると、当該太陽電池セル１１による光電変換動作に応じて、当該タグ１０のＩＤ（識別子）が応答信号として送信され前記リーダライタ２０に受信される。 - 特許庁

The biting of silicon is suppressed, the generated stress is easily liberated, the residual amount of internal strain in silicon is reduced, and the photoelectric conversion efficiency of the polycrystalline silicon is improved by making the inner surface of the vessel into such a flat surface that the undulation is ≤3 mm and the surface roughness Ra is ≤10 μm, preferably ≤6 μm.例文帳に追加

また、容器内面のうねりを３ｍｍ以下、表面粗さＲａを１０μｍ以下、更に好ましくは６μｍ以下の平滑な表面とすることによってシリコンの食い込みを低減して発生応力を逃げ易くし、シリコン内部歪の残留を軽減し、多結晶シリコンの光電変換効率を向上させる。 - 特許庁

When an original 2 is supplied to the double-side reading type image reader 1, each of image read units for the front and rear sides activates a light source and emits light to the original 2 and a light receiving sensor receives reflected light in the original 2 and applies photoelectric conversion to the reflected light to read an image or each side of the original.例文帳に追加

原稿２が両面読取り型画像読取り装置１に供給されると、表面用及び裏面用の画像読取りユニットの各々において、光源が点灯して原稿２に光を照射し、受光センサが原稿２からの反射光を受光して光電変換することによって、原稿の各面の画像を読取る。 - 特許庁

As the conductive paste for forming an electrode on the semiconductor substrate for the photoelectric conversion device, there is adopted the conductive paste that includes: metal powder which mainly contains Al; and glass, frit-crystallized in a heat treatment by which the conductive paste, is glazed on the semiconductor substrate, to form the electrode.例文帳に追加

光電変換素子用の半導体基板に電極を形成するための導電性ペーストとして、Ａｌを主に含有する金属粉末と、電極を形成するために半導体基板上に導電性ペーストを焼き付ける熱処理において結晶化するガラスフリットとを含ませた導電性ペーストを採用する。 - 特許庁

IEA, in its World Energy Outlook 2008, estimates the scale of worldwide power generation for 2030, by category of energy resource. According to the estimate, solar photoelectric generation will be 88 times as much in 2030 as it was in 2006, wind power generation will be 11.5 times as much, and power generation using non-fossil energy will increase remarkably (Figure 2-2-4-2). Such results arouse expectations for the development of related markets.例文帳に追加

IEAは「World Energy Outlook 2008」で、世界全体の発電量についてエネルギー供給源別に2030年の発電規模を推計しているが、それによると、2030年の太陽光発電は2006年の88.0倍、風力発電は同11.5倍となる等、化石エネルギー以外による発電量が大幅に拡大する見通しとなっており（第2-2-4-2図）、関連市場の拡大が見込まれている。 - 経済産業省

The study group discussed the visions of future photoelectric generation sectors from the standpoint of industrial strategy, in addition to the standpoint of energy policy, so as to sustain and enhance the competitiveness of such sectors. The report prepared by the study group sets a goal of increasing Japan’s world share of production quantity of solar battery cells to about one-third in 2020.例文帳に追加

本研究会は、太陽光発電関連産業の競争力の維持・強化を図るため、エネルギー政策のみならず、産業戦略の観点から今後の太陽光発電関連産業のあり方について議論され、同研究会報告書においては、2020年の目標として、我が国の太陽電池セル生産量の世界シェアを3分の1超程度まで引き上げていくことを目指すとしている。 - 経済産業省

By attaining a structure for which a third electrode formed in an area, where the photoelectric conversion layer is not formed on the supporting substrate or in the area where the photoelectric conversion layer is not formed on the insulation layer is connected to the second electrode, the electrical resistance of the surface opposite to the incident light is reduced, and the crystal system solar battery of high efficiency and the large area is obtained.例文帳に追加

セラミックや金属等の支持基板上に絶縁層が形成され、その絶縁層上に光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換層が設けられ、入射光により発生したキャリアを取り出すために、光電変換層の入射光面倒に第1の電極が、その反対の絶縁層側の面に第2の電極が形成された太陽電池において、支持基板上の光電変換層が形成されていない領域または絶縁層上の光電変換層が形成されていない領域に形成された第3の電極が前記第2の電極に接続されている構造とすることにより、入射光と反対の面の電気抵抗を低減し、高効率で大面積の結晶系太陽電池を得る。 - 特許庁

A porphyrin-fullerene coupled body is formed at first by coupling a fullerene with a compound having a porphyrin skeleton, a poor solvent is injected into an organic solvent dissolved with the porphyrin-fullerene coupled body and a soluble single layer carbon nanotube, to form the photoelectric transducer material coupled cluster-likely with the large number of the porphyrin-fullerene coupled bodies and the single layer carbon nanotubes.例文帳に追加

まず、ポルフィリン骨格を有する化合物にフラーレン類を結合させることによりポルフィリン-フラーレン連結体を形成し、このポルフィリン-フラーレン連結体と可溶性の単層カーボンナノチューブとが溶解した有機溶媒に貧溶媒を注入することにより、多数の前記ポルフィリン-フラーレン連結体及び単層カーボンナノチューブがクラスター状に連結して成る光電変換素子材料を形成する。 - 特許庁

The solar cell module includes: a plurality of solar cells including at least one photoelectric conversion layer as optical conversion members; a transparent member (430) provided on upper surfaces of the plurality of solar cells; and a filling layer to seal the plurality of solar cells, wherein at least one layer selected from the transparent member and the filling layer contains the semiconductor nanocrystals (115).例文帳に追加

本発明に従う太陽電池モジュールは、光転換部材として少なくとも１つ以上の光電変換層を含む複数個の太陽電池セル、上記太陽電池セルの上部面に備えられる透明部材（４３０）、及び上記太陽電池セルを封入するための充填層を含み、上記透明部材または充填層のうちから選択された少なくともいずれか１つ以上の層は半導体ナノ結晶（１１５）を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the dye-sensitized solar cell or the photoelectric conversion element having a semiconductor electrode layer consisting of dye-sensitized semiconductor particles, an electrolytic solution layer and a counter electrode on a conductive support in this order, the electrolytic solution layer consists of an electrolytic solution containing an ionic liquid using halogen ions as anions, and using a glycol ether expressed by following general formula (1) as a solvent.例文帳に追加

導電性支持体上に、色素増感された半導体粒子からなる半導体電極層、電解液層および対向電極をこの順で有する色素増感型太陽電池または光電変換素子において、前記電解液層がハロゲンイオンをアニオンとするイオン液体を含み、下記一般式（１）に示すグリコールエーテルを溶媒とする電解液からなることを特徴とする色素増感型太陽電池または光電変換素子。 - 特許庁

The photoelectric transfer element includes a semiconductor electrode 9 having a semiconductor layer 6 having a pigment adsorbed, a counter electrode 3 provided opposedly to the semiconductor electrode 9, and an electrolyte layer 4 containing an ionic solution, nitroxyl radical and an oxoammonium salt, and provided to contact respectively with the semiconductor layer 6 of the semiconductor electrode 9 and the counter electrode 3, in a position sandwiched by the semiconductor electrode 9 and the counter electrode 3.例文帳に追加

色素を吸着させた半導体層６を有する半導体電極９と、半導体電極９に対向して設けられる対電極３と、イオン液体、ニトロキシルラジカル、および、オキソアンモニウム塩を含み、半導体電極９および対電極３に挟まれる位置に、半導体電極９の半導体層６および対電極３それぞれに接して設けられる電解質層４と、を有する光電変換素子を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing a photoelectric converter includes the steps of directly dissolving chalcogen elemental substance and metal in a mixed solvent including an organic compound containing a chalcogen element and a Lewis base organic solvent to prepare a material solution, applying the material solution onto a light absorbing layer 3 consisting of a first semiconductor to form a film, and heating up the film to form a buffer layer 4 consisting of a second semiconductor including a chalcogen compound semiconductor.例文帳に追加

含カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤とを含む混合溶媒に、カルコゲン元素の単体および金属を直接溶解させることにより、原料溶液を作製する工程と、第１の半導体から成る光吸収層３上に前記原料溶液を塗布して被膜を形成する工程と、前記被膜を加熱してカルコゲン化合物半導体を含む第２の半導体から成るバッファ層４を形成する工程と、を具備する。 - 特許庁

In the photoelectric conversion element provided with a first electrode with an electron transport compound covered, a second electrode facing the electron transport compound of the first electrode, and a hole transport layer composed of a hole transport material between the electron transport compound of the first electrode and the second electrode, the hole transport layer is laminated with a compound having different molecular weight, and a hole transport material near a second electrode side is a polymer.例文帳に追加

電子輸送性化合物が被覆された第一電極と、前記第一電極の電子輸送性化合物と対峙する第二の電極と、前記第一電極の電子輸送性化合物と前記第二の電極との間にホール輸送性材料からなるホール輸送層を具備した光電変換素子において、ホール輸送層が分子量の異なる化合物で積層されており、第二電極側に近いホール輸送材料が高分子であることを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

The bioimplant is formed of engineering plastic and has a hydrophilic surface to which at least one kind of hydrophilic functional group is imparted, wherein the ratio of at least one kind of hydrophilic functional group on the hydrophilic surface is ≥30% as the area ratio of a peak corresponding to the hydrophilic functional group when the peak obtained by X-ray photoelectric spectroscopy measurement is separated in waveform concerning a central atom in the hydrophilic functional group.例文帳に追加

エンジニアリングプラスチックで形成された生体インプラントであって、 少なくとも一種の親水性官能基が付与されて成る親水性表面を有し、 前記親水性表面における前記親水性官能基の少なくとも一種の割合が、前記親水性官能基における中心原子についてＸ線光電子分光法測定で得られるピークを波形分離したときに、前記親水性官能基に相当するピークの面積比率として３０％以上であることを特徴とする生体インプラント。 - 特許庁

To provide a method of efficiently and simply manufacturing a film for optical waveguide that constitutes an optical waveguide, capable of having both an excellent anti-bending characteristic and the decrease in connection loss at a high level, a film for optical waveguide manufactured by the method of manufacturing the film for optical waveguide, to provide an optical waveguide having the film for optical waveguide, to provide an photoelectric consolidated substrate, and to provide an electronic apparatus.例文帳に追加

優れた耐屈曲性と結合損失の低減とを高度に両立し得る光導波路を構成するための光導波路用フィルムを、効率よく簡単に製造可能な光導波路用フィルムの製造方法、かかる光導波路用フィルムの製造方法により製造された光導波路用フィルム、およびかかる光導波路用フィルムを備えた光導波路、光電気混載基板および電子機器を提供すること。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element 10 is equipped with: a pair of electrodes comprising a first electrode 32 and a second electrode 34; an active layer 50 sandwiched between the pair of electrodes; and a metal layer 44 between the active layer and one of the pair of electrodes, having the absolute value of the work function, being ≥3.7 eV and ≤5.5 eV, and formed of a metal having semiconductor characteristics when oxidized.例文帳に追加

有機子電変換素子１０は、第１電極３２及び第２電極３４からなる一対の電極と、前記一対の電極間に挟持される活性層５０と、前記一対の電極のうちのいずれか一方の電極と前記活性層との間に金属層を有し、該金属層が、仕事関数の絶対値が３．７ｅＶ以上かつ５．５ｅＶ以下であり、酸化されたときに半導体特性を有する金属で形成された金属層４４とを備える。 - 特許庁

The photoelectric conversion device 1 converting an optical signal into an electric signal in an optical transmission system includes: a photodiode 1 in a bias-free state; a capacitor 2 that extracts only the AC component from a signal output from the photodiode 1; an output terminal 3 that outputs the signal from which the AC component is extracted through the capacitor 2; and a resistance 4 that performs impedance matching with equipment connected to the output terminal 3.例文帳に追加

本発明に係る光電変換装置は、光伝送システムにおいて光信号を電気信号に変換する光電変換装置であって、無バイアス状態としたフォトダイオード１と、フォトダイオード１から出力される信号の交流成分のみを取り出すコンデンサ２と、コンデンサ２を介して取り出された交流成分の信号を出力する出力端子３と、出力端子３に接続される機器との間のインピーダンス整合を行う抵抗４と、を備えている。 - 特許庁

A CMOS image sensor is composed of pixels which are each equipped with a photodiode and an amplifying MOSFET that amplifies charge generated by the photodiode through photoelectric conversion and arranged in lines or an array, where the well of the amplifying MOSFET is electrically isolated from that of the other device contained in the pixel, and the source and well of the amplifying MOSFET are kept at the same potential.例文帳に追加

フォトダイオードとこのフォトダイオードにおいて光電変換により生成された電荷を増幅するアンプ用ＭＯＳＦＥＴとを有する画素を複数個ライン状またはアレイ状に配列したＣＭＯＳイメージセンサにおいて、前記アンプ用ＭＯＳＦＥＴのウェルを前記画素に含まれる他の素子のウェルと電気的に分離し、かつ、前記アンプ用ＭＯＳＦＥＴのソースと前記アンプ用のＭＯＳＦＥＴの前記ウェルとを同電位とした。 - 特許庁

The photoelectric conversion apparatus comprises multiple granular crystalline semiconductors 2 arranged on a substrate 1 having one electrode layer 1, and an insulator 3 filling the gaps of the granular crystalline semiconductors 2 wherein the granular crystalline semiconductors 2 and the substrate 1 are bonded through a complex 20 produced by diffusing particles 22 composed of the material of the granular crystalline semiconductor 2 into an alloy 21 of the granular crystalline semiconductor 2 and the substrate 1.例文帳に追加

一方の電極層１‘を有する基板１上に少なくとも多数の粒状結晶半導体２を配設し、この粒状結晶半導体２間に絶縁体３を充填した光電変換装置であって、上記粒状結晶半導体２と基板１とを、上記粒状結晶半導体２と基板１との合金２１中に前記粒状結晶半導体２の材料からなる粒子２２が分散された複合体２０で接合した。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a plurality of unit pixels arrayed which consist of: a storage well 2 for accumulating electric charges generated by a photoelectric conversion element with incident light; a transfer control element region TT for transferring electric charges to a floating diffusion region; and an output transistor Tm for outputting pixel signals amplified using the electric charges transferred to the floating diffusion region.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、入射した光によって光電変換素子が発生した電荷を蓄積する蓄積ウェル２と、電荷をフローティングディフュージョン領域へ転送するための転送制御素子領域ＴＴと、フローティングディフュージョン領域に転送された電荷に基づいて増幅された画素信号を出力するための出力用トランジスタＴｍと、を備えた単位画素を、複数配列して構成される。 - 特許庁

A photoelectric cell includes a substrate consisting of an electrode layer 1 and a semiconductor layer 2 laid thereon adsorbing an optical sencitizer, another electrode 3 arranged opposite to the electrode 1, an electrolyte layer with spacers sealed between the semiconductor layer 2 and the electrode layer 3.例文帳に追加

表面に電極層(1)を有し、かつ該電極層(1)表面に光増感材を吸着した半導体膜(2)が形成されてなる基板と、表面に電極層(3)を有する基板とが、前記電極層(1)および電極層(3)が対向するように配置してなり、半導体膜(2)と電極層(3)との間に電解質が封入してなる光電気セルであって、半導体膜(2)と電極層(3)との間にスペーサが介在し、少なくとも一方の基板および電極層が透明性を有している。 - 特許庁

Besides, a second exposure condition calculating operation sets a relevant exposure condition by correcting at least the ISO sensitivity value in the exposure condition set by the first exposure condition calculating operation on the basis of a level of a photoelectric transduction output from the imaging device resulting from performing exposure in the imaging device with the effective exposure time and the ISO sensitivity value of the first exposure condition with the subordinate light emission from the stroboscope part.例文帳に追加

また、第２の露光条件算出動作により、ストロボ部による予備的発光を伴なって第１の露光条件による実効的な露光時間及びＩＳＯ感度値を以って撮像素子における露光を行なって得た該撮像素子の光電変換出力のレベルに基づいて第１の露光条件算出動作によって設定された露光条件のうち少なくともＩＳＯ感度値を補正して当該露光条件を設定する。 - 特許庁

The photoelectric conversion element has a photodiode waveguide 12, a pair of electrode layers 13, 14 connected with the waveguide 12, first transmission lines 15a, 15b connected respectively with the electrode layers 14, 13, and second transmission lines 16a, 16b connected respectively with the first transmission lines 15a, 15b.例文帳に追加

フォトダイオード導波路１２と、導波路１２に接続する対をなす電極層１３，１４と、電極層１３，１４に接続する第一伝送線路１５ａ，１５ｂと、第一伝送線路１５ａ，１５ｂに接続する第二伝送線路１６ａ，１６ｂとを備え、第一伝送線路１５ａ，１５ｂが第二伝送線路１６ａ，１６ｂよりも大きな特性インピーダンスであり、上記導波路１２と第一伝送線路１５ａ，１５ｂとが、β_d ・Ｌ_d ＜β_l ・Ｌ_l ＜２π／１６の条件を満たすようにした。 - 特許庁

In the photoelectric transfer element having a semiconductor electrode made of semiconductor particulates and a metal membrane to be a counter electrode, polyethylenedioxothiophene (PEDOT)/ polystyrene sulfonic acid (PSS) membrane 13 are formed by a spin coat on a transparent electrode 12 made of a metal oxide such as ITO, and then a semiconductor particulate layer 14 made of titanium oxide particulate or the like is formed by spin coating the semiconductor particulate dispersion solution.例文帳に追加

半導体微粒子からなる半導体電極と対極となる金属膜とを有する光電変換素子において、ＩＴＯなどの金属酸化物からなる透明電極１２上にポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）膜１３をスピンコートなどにより製膜した後、その上に酸化チタン微粒子などからなる半導体微粒子層１４を半導体微粒子分散液をスピンコートすることにより形成する。 - 特許庁

An image pickup element where photoelectric conversion elements are arranged two-dimensionally and signal outputs for a plurality of rows are provided and/or an image pickup device that stores the signals and can control the delay between the signals are provided with a means controlling a combination between amplification factors of analog signals from the image pickup element and a barrel shifter 17.例文帳に追加

光電変換素子を２次元に配置し、（複数）行の信号出力を有する撮像素子、および／または、それらの信号を蓄積し、各信号間の遅延を制御可能な撮像装置において、前記撮像素子からのアナログ信号を任意の倍率で増幅する増幅手段、および、該信号がアナログ・デジタル変換された後、バレル・シフタ手段によって倍率を変化されることにより２のべき乗より細かく倍率制御を可能としたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a solid-state photoelectric device having a desired geometric form including complex and minute forms and holding the characteristics of an organic semiconductor compound effectively, along with superior electrical contact between the organic semiconductor and an electrode, and to provide a manufacturing method for fabricating the device easily, without complex processes and connecting the electrode without damaging the organic semiconductor, when the organic semiconductor compound and the electrode are connected.例文帳に追加

複雑且つ微細な形状を含む任意の幾何学的形状を備え、用いる有機半導体化合物の特性を有効に保持でき、また用いる有機半導体化合物と電極との電気的接触が良好な固体光電子デバイスと、このようなデバイスを煩雑な工程を必要とせずに容易に製造でき、また用いる有機半導体化合物と電極とを接続する際に該有機半導体を損傷させること無く電極を接続し得る該デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a holding member, there is formed a positioning part which positions the photoelectric conversion element package in an axial direction perpendicular to a light receiving surface by abutting against the package at the outside of the electrode of the package, and is formed a second opening for flowing an adhesive to a region of the printed circuit board corresponding to the inside of the electrode of the package.例文帳に追加

プリント基板の光電変換素子パッケージの電極の内側に対応する領域に第１の開口部を形成し、保持部材には、光電変換素子パッケージの電極の外側で光電変換素子パッケージと当接することで受光面に直交する軸方向に光電変換素子パッケージを位置決めする位置決め部を形成するとともに、光電変換素子パッケージの電極の内側に対応する領域に接着剤を流し込むための第２の開口部を形成する。 - 特許庁

The flexible dye-sensitized solar cell is composed of a photoelectric transfer electrode having a semiconductor layer decorated by a sensitizer on a metal mesh, fixed on a transparent substrate, an electrolyte layer containing at least a material exhibiting a reversible electrochemical oxidation-reduction property, and a counter electrode constructed of a metal foil which is covered by a substance having a catalyst action to the substance showing the reversible electrochemical oxidation-reduction property.例文帳に追加

増感剤により修飾された半導体層を金属メッシュ上に有してなる光電変換電極を透明基板に固定したもの、少なくとも可逆な電気化学的酸化還元特性を示す物質を含有した電解質層、および前記可逆な電気化学的酸化還元特性を示す物質に対して触媒作用を有する物質により被覆された金属箔から構成される対向電極、からなることを特徴とするフレキシブル色素増感太陽電池。 - 特許庁