「PHOTOELECTRIC」に関連した英語例文の一覧と使い方(214ページ目) - Weblio英語例文検索

In the component 11 for the photoelectric conversion module, having a lead 14 for an electrode on a mounting surface 15 comprising the end face of a ferrule 12, provided with an optical fiber insertion hole 13 to which a glass fiber is to be inserted, the lead 14 for the electrode is provided with an extension part 14a extended along the mounting surface 15 of the ferrule 12 and projected to one side part of the ferrule 12.例文帳に追加

ガラスファイバが挿入される光ファイバ挿通孔１３を有するフェルール１２の端面からなる装着面１５に電極用リード１４を備えた光電変換モジュール用部品１１において、電極用リード１４は、フェルール１２の装着面１５に沿って延在してフェルール１２の一側方へ突き出た延出部１４ａを有する。 - 特許庁

In a signal processing part 14, a detected signal detected by a first or a second photoelectric sensor 9 or 10 is arithmetically processed by a logic circuit 17, an inverted detection signal with a reversed code is generated, and in a comparison part 15, the inverted detected signal is processed by adding a reference value signal output from a reference value generation part 16 so as to output an error signal by integrating errors obtained from the arithmetic result.例文帳に追加

第１，第２光電センサ９，１０で検出された検出信号を信号処理部１４において論理回路１７により演算処理することにより、符号を反転させた反転検出信号を生成し、比較部１５において当該反転検出信号と基準値生成部１６から出力された基準値信号とを加算処理し、演算結果により得られた誤差を積分してエラー信号として出力する。 - 特許庁

The dye-sensitized quantum dot solar cell includes a cathode electrode 10 and an anode electrode 30 which are disposed via an electrolyte solution 20 which contains redox species, where the cathode electrode 10 comes with a complex crystal film 13 having formed therein quantum dots comprised of metal nano-clusters capable of Plasmon resonance, thereby providing a high photoelectric conversion efficiency thanks to the quantum dots.例文帳に追加

酸化還元種を含む電解質液２０を介して配置されているカソード電極１０とアノード電極３０とを備え、カソード電極１０が、プラズモン共鳴が可能な金属ナノクラスタからなる量子ドットを形成した錯体結晶膜１３を有し、量子ドットにより高い光電変換効率を有する色素増感型量子ドット太陽電池を提供する。 - 特許庁

To accurately apply circuit processing to a received optical pulse signal without malfunction even when a phase of a clock pulse of a light receiving side is advanced or delayed with respect to an input pulse signal by generating a synchronizing signal in a pseudo way even in the case of an asynchronous type photoelectric sensor wherein an oscillation circuit is respectively provided on a light projection side and a light receiving side.例文帳に追加

投光部側と受光部側にそれぞれ発振回路を有している非同期型の光電センサの場合でも、擬似的に同期信号を作成して、入力パルス信号に対して受光部側のクロックパルスの位相が進んだり、遅れたりした場合でも、誤動作せずに、受光したパルス信号を正確に回路処理できるようにすること。 - 特許庁

Further, the light emitting element 3 covered with the resin molding 7 and the light receiving element 4 covered with the resin mold 8 are fixed to the respective electrodes 27, 28 formed at predetermined positions on the flexible printed board 2, and optical wiring 10 for connecting between the light emitting element 3 and the light receiving element 4 is mounted to make up the photoelectric composite flexible printed board 1.例文帳に追加

また、樹脂モールド７で覆われた発光素子３及び樹脂モールド８で覆われた受光素子４を、フレキシブルプリント基板２の所定位置にそれぞれ形成した各電極２７，２８に固定し、発光素子３と受光素子４を接続するための光配線１０を実装することにより、光電気複合フレキシブルプリント基板１とする。 - 特許庁

Feedback control is applied to supply a drive current to an LED 12 so hat a photoelectric current output value of a PSD(Position Sensitive Detector) 14 is always constant and by grasping in advance a relation between the magnitude of the drive current of the LED 12 and ambient temperatures, the ambient temperature is estimated from the level the drive current of the LED 12.例文帳に追加

ＰＳＤ１４の光電流出力値が常に一定となるようにＬＥＤ１２に駆動電流を流すフィードバック制御を行い、そのＬＥＤ１２の駆動電流値の大きさと周囲温度との関係を予め把握しておくことにより、ＬＥＤ１２の駆動電流値の大きさから周囲温度を推定する。 - 特許庁

The solar battery module 1A is equipped with a thin-film solar battery assembly 10 including a light transmissive insulating substrate 11, a light transmissive conductive layer 12, a photoelectric conversion layer 13, and a back surface electrode layer 14, and a light emitting element assembly 20 including a light emitting device 22 and a circuit board 21 mounted with the light emitting device 22.例文帳に追加

太陽電池モジュール１Ａは、透光性絶縁基板１１、透光性導電層１２、光電変換層１３および裏面電極層１４を含む薄膜太陽電池アセンブリ１０と、発光素子２２およびこの発光素子２２が実装される回路基板２１を含む発光素子アセンブリ２０とを備える。 - 特許庁

This image reader has a detecting means which detects an abnormal position on an image read path when a document is absent, a photoelectric converting means which reads an exposed document and generates image data, and a correcting means which changes a correcting method for image data corresponding to the detected abnormal position according to the image read mode to correct the position.例文帳に追加

本発明の画像読み取り装置は、原稿が存在しないときに画像読み取り経路上の異常位置を検出する検出手段と、露光された原稿を読み取って画像データを生成する光電変換手段と、検出された異常位置に相当する前記画像データの補正方法を画像読み取りモードに応じて変更して補正する補正手段とを有する。 - 特許庁

When the image recording medium is a storage phosphor sheet P, stimulating light L3 is radiated from a second light source 42 to the storage phosphor sheet P, and obtained stimulable luminescent light L4 is converted to an image signal S4 by the photoelectric conversion part 46 and is corrected in accordance with the storage phosphor sheet P to obtain radiographic information.例文帳に追加

また、画像記録媒体が蓄積性蛍光体シートＰである場合には、第２の光源４２から蓄積性蛍光体シートＰに対して励起光Ｌ３を照射し、得られた輝尽発光光Ｌ４を光電変換部４６によって画像信号Ｓ４に変換した後、蓄積性蛍光体シートＰに応じた補正を行って放射線画像情報を得る。 - 特許庁

At the selected one or the plurality of horizontal scanning lines 257, electrons are made to be emitted from the electron emission source to the photoelectric conversion film 230 during a retrace line erasure period right after the video signal output period, and a given retrace line erasure period except a retrace line erasure period just before the next video signal output period of the previous video signal output period.例文帳に追加

選択された１又は複数の水平走査ライン２５７では、前記映像信号出力期間の直後の帰線消去期間及び前記映像信号出力期間の次の映像信号出力期間の直前の帰線消去期間を除く任意の帰線消去期間に、電子放出源から光電変換膜２３０に電子を放出させる。 - 特許庁

The photoelectric conversion system 5 is provided with a solar battery 10, a heater 30 for generating heat by electricity outputted from the solar battery 10 and supplied to the heater 30, and a heat-electricity conversion element 40 arranged so that heat can be transmitted from the heater 30 and capable of converting heat energy generated from the heater 30 into electric energy.例文帳に追加

本出願の光電変換システム５は、太陽電池１０と、太陽電池１０から出力される電気が供給されて発熱する発熱体３０と、発熱体３０と熱伝達可能に配置され、発熱体３０から発生する熱エネルギーを電気エネルギーに変換するための熱電変換素子４０と、を具備する。 - 特許庁

In this photoelectric smoke sensor storing a light-emitting diode 49 and a tube-like shield case 48 covering the light-emitting diode 49 in a light receiving element storage part inside a black box, the rear face of the shield case 48 is provided with a pressing spring part 52a which is energized inward to press a light receiving element to the front side.例文帳に追加

暗箱内の受光素子収納部に、発光ダイオード４９と、発光ダイオード４９を覆う筒状のシールドケース４８とを収納する光電式煙感知器において、シールドケース４８の背面に、内側に付勢されて受光素子を正面側に押圧する押えバネ部５２ａを設けたものである。 - 特許庁

A bias voltage is applied to a source of a MOS transistor of a CMOS circuit section being a component of the solid-state imaging device and destruction of the device is prevented by escaping signal electric charges supplied from the photoelectric conversion film and stored in the drain of the transistor to a substrate of the CMOS circuit section when the voltage applied to the drain of the transistor reaches a prescribed voltage.例文帳に追加

固体撮像素子を構成するCMOS回路部のMOSトランジスタのソースにバイアス電圧を印加し、前記ドレインに印加される電圧が所定の電圧に達したときに、前記光電変換膜から供給され、及び前記ドレインに蓄積された信号電荷を、前記CMOS回路部の基板へ逃がすことにより素子の破壊を防止する。 - 特許庁

A light, reflected from a finger as the subject irradiated with the light source 21 and pressed against a reading part, is transmitted through the transparent rotating roller 29, focused by the Selfoc lens 22 and subjected to photoelectric conversion by the one-dimensional image pickup element 24, and is further converted into image data representing a fingerprint pattern by an A/D conversion circuit.例文帳に追加

光源２１から照射され読み取り部に圧接される被検体である指先において反射した光は、透明回転ローラ２９を透過してセルフォックレンズ２２により集光されて１次元撮像素子２４により光電変換され、さらにＡ／Ｄ変換回路により指紋パターンを表す画像データとして変換される。 - 特許庁

The imaging device (CMOS image sensor) includes a photodiode portion 4 having a photoelectric conversion function, a floating diffusion region 5 for converting a charge signal into a voltage, an electron multiplying portion 3b for multiplying (increasing) carriers generated by the photodiode portion 4, and a light shield film 26 formed so as to cover a surface of the multiplying portion 3b.例文帳に追加

この撮像装置（ＣＭＯＳイメージセンサ）は、光電変換機能を有するフォトダイオード部４と、電荷信号を電圧に変換するためのフローティングディフュージョン領域５と、フォトダイオード部４により生成されたキャリアを増倍（増加）するための電子増倍部３ｂと、電子増倍部３ｂの表面上を覆うように形成されている遮光膜２６とを備える。 - 特許庁

In the radiation image pickup apparatus having a pixel having a photoelectric transducer 109 for converting radiation to an electric signal, a capacitor 108 for accumulating the electric signal and a transfer TFT 104 for transferring the accumulated electric signals as one unit, a monitor TFT (thin film transitor) 106 for detecting the output corresponding to the voltage value generated in the capacitor 108 is provided in the pixel.例文帳に追加

放射線を電気信号に変換する光電変換素子１０９と、電気信号を蓄積するためのコンデンサ１０８と、蓄積した電気信号を転送する転送用ＴＦＴ１０４を１単位とする画素を有する放射線撮像装置において、前記コンデンサ１０８に発生した電圧値に応じた出力を検知するモニター用ＴＦＴ１０６を画素内に有する。 - 特許庁

On color filters, a planarized layer is formed that has a thickness serving as a height by which surface unevenness, that is generated by gaps between the photoelectric converter for generating signal charges according to the incident light intensity, a plurality of color filters and mutual overlaps of the adjacent color filters or the adjacent color filters, exerts no influence on the taken images.例文帳に追加

入射光量に応じた信号電荷を発生する光電変換部と、複数のカラーフィルタと、隣接するカラーフィルタどうしの重なり、または隣接するカラーフィルタ間の隙間によって生じる表面の凹凸が撮像画像に影響を与えない高さとなる厚さで、カラーフィルタ上に平坦化層を形成する。 - 特許庁

An imaging apparatus comprises an imaging element 210 performing photoelectric conversion of an object image, a photographing means 220 for photographing an image by using the imaging element and displaying a photographed image on a display means 213, and a parameter alteration control means 223 for altering parameters related to photographing means sequentially so as to include a reference value and controlling the photographic means for photographing a plurality of images having different parameters.例文帳に追加

被写体像を光電変換する撮像素子２１０と、撮像素子を用いて画像の撮影を行い、該撮影画像を表示手段２１３に表示させる撮影処理手段２２０と、撮影に関するパラメータを、基準値を含むように順次変更するとともに、該パラメータが異なる複数の画像の撮影を撮影処理手段に行わせるパラメータ変更制御手段２２３とを有する。 - 特許庁

In this photoelectric conversion device 1 such as a dye-sensitized solar cell having a laminate 9 composed of a first electrode 2, a second electrode 4, a semiconductor layer 7 held between these electrodes, and an electrolyte layer 8, the surfaces of the laminate 9 at least other than a light intercepting surface 12 is covered with a cladding material 14 comprising a metal or a metal oxide.例文帳に追加

第１極２と、第２極４と、これら電極間に挟持された半導体層７及び電解質層８とからなる積層体９を有する色素増感型太陽電池などの光電変換装置１において、積層体９のうち少なくとも受光面１２以外の面が金属又は金属酸化物からなる被覆材１４によって覆われていることを特徴とする、光電変換装置。 - 特許庁

When the average value μ is calculated at the second time and after, the photodetection circuit 10 calculates a degradation rate D of an a-Si TFT (photoelectric transducer element) from the ratio of the average value μ and the initial average value μ_0 stored in the memory 6 and updates the value of the degradation rate D stored in the memory 6.例文帳に追加

光検出回路１０は、２回目以降に平均値μを算出した場合に、今回算出した平均値μとメモリ６に保存されている初期平均値μ_０との比から、光センサ回路５に組み込まれているa-Si TFT（光電変換素子）の劣化率Ｄを算出し、メモリ６に保存している劣化率Ｄの値を更新する。 - 特許庁

This radiation detector having a plurality of pixel electrodes 117 and common electrodes in the both side of a photoelectric conversion layer is disposed with intra-element guard ring electrodes 111 between the pixel electrodes 117 of radiation detecting elements, and changes over the intra-element guard ring electrodes 111 between an electrically released state and a state connected to grounding potential to change an area where the radiation detecting elements detect the radiation.例文帳に追加

光電変換層を挟んで複数の画素電極117と共通電極とを設けた放射線検出器において、放射線検出素子の画素電極117間に素子間ガードリング電極111を隣接して配置し、素子間ガードリング電極111を電気的に解放した状態と接地電位と接続した状態との間で切り替えることで、放射線検出素子が放射線を検出する面積を変更する。 - 特許庁

The optical sensor converts an optical signal of an object into an electrical signal and outputs the electrical signal and is provided with an integration type normal pixel including an amplifier 11, a photoelectric converter (photodetector) 12, an integral capacity 13 and a reset switch 14, a dark current calculating means 29 and a dark current eliminating means 30.例文帳に追加

この光センサは、被写体の光信号を電気信号に変換して出力するものであって、増幅器１１、光電変換素子（受光素子）１２、積分容量１３、及びリセットスイッチ１４を含む積分型の通常画素１０と、暗電流算出手段２０と、暗電流除去手段３０とを備えている。 - 特許庁

A photoelectric converter includes: a plurality of lower electrode layers comprising a first lower electrode layer and a second lower electrode layer which are planarly arranged while being isolated in one direction; and a first laminated portion provided on the first lower electrode layer and comprising a first semiconductor layer having a first conductivity type and a second semiconductor layer having a second conductivity type which are laminated in the order.例文帳に追加

光電変換装置は、第１下部電極層と第２下部電極層とが一方向に離隔されて平面的に配置されている複数の下部電極層と、第１下部電極層の上に設けられた、第１導電型の第１半導体層と第２導電型の第２半導体層とが順に積層されている第１積層部とを備えている。 - 特許庁

To prevent a supporting material from being carelessly peeled off in a manufacturing processes, to easily peel off the supporting material from a metal layer and to improve the formability of electric wirings when manufacturing a photoelectric wiring consolidated board by using a laminated material in which the supporting material, the metal layer for electric wiring formation and a resin layer for optical wiring formation are laminated.例文帳に追加

支持材、電気配線形成用の金属層及び光配線形成用の樹脂層を積層した積層材を用いて光電気配線混載基板を製造するにあたり、製造プロセスにおける支持材の不用意な剥離を防止、金属層からの支持材の剥離時における容易な剥離、電気配線の成形性向上を達成する。 - 特許庁

The thin film solar battery module is obtained by successively arranging, on a transparent substrate 11, a plurality of serially-connected photovoltaic elements, where a transparent conductive film 12, photoelectric conversion layers 13, 14, and a rear surface electrode 15 are successively laminated, and an adhesive layer 16 for the adhesion of a rear surface film 17.例文帳に追加

薄膜系太陽電池モジュールは、透明基板１１上に、透明導電膜１２と光電変換層１３、１４と裏面電極１５とが順次積層されてなる光起電力素子が複数個直列接続されてなる光起電力層と、裏面フィルム１７を接着する接着層１６とが順に配置される。 - 特許庁

A photoelectric conversion element has a semiconductor film, containing a composite semiconductor obtained by coating a shell having a thickness of less than 1 nm and made on a surface of a core formed of a crystalline n-type semiconductor with any of an insulator and the n-type semiconductor, having a conduction band level higher than that of the n-type semiconductor for forming the core on a conductive support.例文帳に追加

結晶性ｎ型半導体をコアとし、該コアの表面を絶縁体またはコアを形成するｎ型半導体より高い伝導帯準位を有するｎ型半導体のいずれかからなる厚さ１ｎｍ未満のシェルで被覆してなる複合半導体を含有する半導体の膜が導電性支持体上に積層されてなる光電変換素子を用いる。 - 特許庁

Each photoelectric conversion section 3 has a substantially rectangular photosensitive region 15 having a planar shape defined by two long sides and two short sides and generating charges according to the entering of light, and a region 17 for forming a potential gradient which is raised for the photosensitive region 15 in a predetermined direction parallel with the long sides defining the planar shape of the photosensitive region 15.例文帳に追加

各光電変換部３は、光入射に応じて電荷を発生し且つ平面形状が二つの長辺と二つの短辺とによって形作られる略矩形状を成す光感応領域１５と、光感応領域１５に対して光感応領域１５の平面形状を成す長辺に平行な所定の方向に沿って高くされた電位勾配を形成する電位勾配形成領域１７と、を有している。 - 特許庁

In a multiple charged particle detector arranged in orbit of electron beam that is transmitted through the sample, and that is separated by energy, the multiple charged particle detector is provided comprising not less than 2 scintillators, a shielding member that separates above scintillators, photoconductors equipped to above respective scintillators, and photoelectric multipliers equipped to the respective photoconductors above.例文帳に追加

本発明によれば、上記課題を解決するために、試料を透過し、エネルギー分離された電子線の軌道上に配置される荷電粒子検出器において、２以上のシンチレータと、当該２以上のシンチレータを分離する遮蔽部材と、前記２以上のシンチレータの各々に設けられる光導体と、当該光導体の夫々に設けられる光電増倍管とからなる多重荷電粒子検出器を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide optical semiconductor porous thin-film electrode using paste causing very little shear droop in applying it and allowing thick-film printing and automatic printing and having a uniform thickness; and to provide a photoelectric conversion element, a dye-sensitized solar cell, and a dye-sensitized solar cell module including the oxide optical semiconductor porous thin-film electrode.例文帳に追加

塗布した際のだれが非常に小さく、厚膜印刷、自動印刷が可能とならしめるとともに、前記ペーストを用いた均一な厚さの酸化物光半導体多孔質薄膜電極、並びにこの酸化物光半導体多孔質薄膜電極を有する光電変換素子及び色素増感太陽電池、色素増感型太陽電池モジュールを提供する。 - 特許庁

A photoelectric conversion element 10 includes a semiconductor layer 11, a dye layer 12 formed on one surface of the semiconductor layer 11, a transparent electrode layer 13 formed on the other surface of the semiconductor layer 11, a counter electrode 14 countering the dye layer 12, and an electrolyte layer 15 interposed between the dye layer 12 and the counter electrode 14.例文帳に追加

光電変換素子１０は、半導体層１１、半導体層１１の一方の面に設けられた色素層１２、半導体層１１の他方の面に設けられた透明電極層１３、色素層１２に対向して配された対極１４、及び色素層１２と対極１４との間に配された電解質層１５を具備する。 - 特許庁

To provide an image scanner capable of securely imaging light including image data of a medium for an original on a photoelectric converting element even when the medium for the original has its image formation surface at a position separate from a platen glass as the image scanner having the small depth of field of a read optical system for obtaining image data.例文帳に追加

画像データを取得するための読取光学系の被写界深度が小さいイメージスキャナ等の画像読取装置で、画像形成面がプラテンガラスから離隔した位置となる原稿媒体であっても、その画像データを含む光が光電変換素子に確実に結像させることができるようにした画像読取装置を提供する。 - 特許庁

Of the photoelectric conversion element having a conductive layer, a semiconductor nano-particle layer sensitized by dyes, a charge transport layer and counter electrodes, a surface of the conductive layer has nano-size pores, with semiconductor nano-particles on the surface of the semiconductor nano-particle layer in insertion-coupling contact with the above pores.例文帳に追加

導電層、色素により増感された半導体ナノ粒子層、電荷輸送層及び対極を有する光電変換素子において、前記導電層面がナノサイズの細孔を有し、前記半導体ナノ粒子層面の半導体ナノ粒子が前記細孔に嵌りつつ接触していることを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

Light reflected by an optical disk is converted into a photocurrent Isc by a photodiode PD1 having four channels of Ach to Dch, and the photocurrent Isc is converted into a voltage signal (photoelectric output voltage Vpd) by an amplifier A1 and a current-to-voltage conversion section 121 having two feedback resistors R1H, R1L for gain switching.例文帳に追加

光ディスクからの反射光をＡｃｈ〜Ｄｃｈの４つのチャンネルのフォトダイオードＰＤ１で光電流Ｉｓｃに変換し、この光電流ＩｓｃをアンプＡ１と、ゲイン切り替えのための２つの帰還抵抗Ｒ１Ｈ，Ｒ１Ｌとを有する電流−電圧変換部１２１により電圧信号（光電出力電圧Ｖｐｄ）に変換する。 - 特許庁

To reduce manufacturing cost of a silicon solar cell while improving characteristics such as photoelectric conversion efficiency of the silicon solar cell by creating a glass composition for electrode formation and an electrode forming material hard to cause blister and aggregation of Al and suitable for forming an Al-Si alloy layer and a p+ electrode layer.例文帳に追加

ブリスターやＡｌの凝集が生じ難く、且つＡｌ−Ｓｉ合金層およびｐ＋電解層の形成に好適な電極形成用ガラス組成物および電極形成材料を創案することにより、シリコン太陽電池の光電変換効率等の特性を高めつつ、シリコン太陽電池の製造コストを低廉化すること。 - 特許庁

A thin film of mutated bacteriorhodopsin, in particular, a protein as mutation into neutral amino acids from the 194th or 204th gultamic acid reckoned from the amino termination of bacteriorhodopsin and also the 82th arginine, is fixed to the interface between a conductive electrode substrate and an ion conductive electrolyte, and thus an intended photoelectric transfer element is fabricated.例文帳に追加

導電性の電極基板とイオン導電性の電解質との界面に変異させたバクテリオロドプシンの薄膜、特にバクテリオロドプシンのアミノ末端から数えて１９４番目もしくは２０４番目のグルタミン酸を，また８２番目のアルギニンを中性のアミノ酸に変異させたタンパク質を固定して光電変換素子を作製する。 - 特許庁

At least an edge of the photoelectric conversion part of the gate oxide film 15 constitutes the gate oxide film of a single-layer structure that will not contain a silicon nitride film 16.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成された光電変換部１２と、前記光電変換部に近接した、電荷転送素子（ＣＣＤ）の転送路のゲート酸化膜が、酸化シリコン膜（ＳｉＯ）１５と、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）１６との積層構造膜で構成され、少なくとも前記ゲート酸化膜１５の光電変換部側端部が窒化シリコン膜１６を含有しない単層構造のゲート酸化膜をなすことを特徴とする。 - 特許庁

When several electron emitters which emit electron beams toward photoelectric conversion means which generate pick-up image signals corresponding to incident light intensity by receiving electron beams together with the incident light are driven in a point sequential manner over a predetermined driving period, the electron emitters are driven over a period longer than the driving period.例文帳に追加

入射光と共に電子ビームを受けることにより入射光の光量に対応した撮像画像信号を生成する光電変換手段に向けて電子ビームを放出する複数の電子放出素子各々を所定の駆動周期毎に点順次にて駆動するにあたり、電子放出素子の各々を上記駆動周期よりも所定期間だけ長い期間に亘り駆動する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a photovoltaic element having a higher efficiency and high reliability, by depositing an amorphous silicon or a microcrystal silicon of a photoelectric conversion layer without deteriorating light transmission characteristics of a transparent conductive film, when a silicon is deposited on the conductive film made of an oxide to form the conversion layer.例文帳に追加

本発明は、酸化物からなる透明導電膜上にシリコンを堆積して光電変換層を形成する際に、透明導電膜の光透過特性を劣化させることなく光電変換層であるアモルファスシリコンもしくは微結晶シリコンを堆積し、より高効率で信頼性の高い光電変換素子の作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The imaging element unit 51 comprises an imaging element 61 performing photoelectric conversion of the object image, an A/D conversion circuit 202 performing digital conversion of the output signal, a memory circuit 205 storing an adjustment value for matching the lens barrel unit 2 and the imaging circuit unit 1, and a trimming circuit 204 for correcting the output from the A/D conversion circuit 202 depending on the adjustment value.例文帳に追加

撮像素子ユニット５１は、被写体像を光電変換する撮像素子６１と、この出力信号をデジタル変換するＡ／Ｄ変換回路２０２と、レンズ鏡筒ユニット２と撮像回路ユニット１の整合をとるための調整値を記憶する記憶回路２０５と、調整値に応じてＡ／Ｄ変換回路２０２の出力を補正するトリミング回路２０４を具備している。 - 特許庁

Photoelectric conversion of an image signal of each pixel imaged in the same frame is confirmed, and various parameters such as a color correction coefficient of a color correction circuit 10, a gradation conversion characteristic by a gradation conversion circuit 11, and an LPF coefficient and a coring count of a coring circuit 12 are switched on the basis of the dynamic range of the solid-state imaging device 2.例文帳に追加

同一フレームで撮像された各画素の画像信号の光電変換を確認し、色補正回路１０の色補正係数や、階調変換回路１１の階調変換特性や、コアリング回路１２のＬＰＦ係数やコアリング計数などの各種パラメータを、固体撮像素子２のダイナミックレンジに基づいて切り換える。 - 特許庁

In the photoelectric sensor, the reflection member 7 has a plurality of divided reflection parts 7a disposed at intervals reduced as they are away from the optical axis of second parallel light according to the light intensity distribution of first parallel light so that the light quantity of the second parallel light emitted from an exit aperture 9 is equalized per unit area of a plane perpendicular to its optical axis.例文帳に追加

この光電センサにおいて、反射部材７は、出射口９から出射される第２の平行光の光量がその光軸に垂直な面の単位面積当たりにおいて均一になるように、第１の平行光の光強度分布に応じて、複数の分割反射部７ａの配置間隔が第２の平行光の光軸から離れるに従って小さくなるように構成される。 - 特許庁

In performing X-ray image pickup using a scintillator 4, a plurality of TDI-driven CCD chips 2 are arranged, and narrow vertical shift register rows 2c for horizontal charge compression are provided between a photoelectric conversion region 2vv and a horizontal shift register 2h, thereby making a space near an end in charge transfer direction of the register 2h.例文帳に追加

シンチレータ４を用いてＸ線撮像を行う場合に、ＴＤＩ駆動のＣＣＤチップ２を複数並べ、光電変換領域２ｖｖと水平シフトレジスタ２ｈとの間に、幅狭の水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ列２ｃを介在させると、水平シフトレジスタ２ｈの電荷転送方向終端部近傍にスペースができる。 - 特許庁

Disclosed is the image reader equipped with a CCD image sensor which converts electric charges accumulated in a photoelectric converting element into an electric signal and outputs it as data to an A/D converter in sequence, the output of the data from the CCD image sensor to the A/D converter being stopped in timing to turn-on/off switching of the light source.例文帳に追加

光電変換素子に蓄積された電荷を電気信号に変換してデータとしてＡ／Ｄ変換器へ順次出力するＣＣＤイメージセンサを備えた画像読取装置であって、光源の点灯消灯の切替タイミングにおいて、ＣＣＤイメージセンサからＡ／Ｄ変換器へのデータの出力を停止させる。 - 特許庁

The photoelectric conversion element comprises a semiconductor substrate having protrusions and recesses formed on the surface, and a metal electrode formed on the protrusions and recesses which are formed on the surface of the semiconductor substrate, a glass layer existing at least partially on the interface of the surface of the semiconductor substrate and the metal electrode, and metal particles existing in the glass layer in contact with the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

表面に凹凸が形成された半導体基板と、前記半導体基板表面の凹凸上に形成された金属電極と、前記半導体基板表面と前記金属電極との界面の少なくとも一部に存在するガラス層と、ガラス層中であって前記半導体基板表面に接触して存在する金属粒子と、を有する光電変換素子。 - 特許庁

A receiver receiving optical frequency division multiplexing signals multiplexed with carrier light by phase modulation, has: an optical spectrum shaper extracting the carrier light and a light component included in either a short wavelength side wave band or a long wavelength side wave band in the carrier light from the received optical frequency division multiplexing signals; and a photoelectric converter converting optical signals shaped by the optical spectrum shaper into electric signals.例文帳に追加

位相変調により搬送光に多重された光周波数多重信号を受信する受信機において、受信した前記光周波数多重信号から、搬送光と、前記搬送光の短波長側波帯または長波長側波帯のいずれか一方に含まれる光成分とを抽出する光スペクトル整形器と、前記光スペクトル整形された光信号を電気信号に変換する光電変換器と、を有する。 - 特許庁