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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Probe currentの意味・解説 > Probe currentに関連した英語例文

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Probe currentの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 560



例文

The apparatus has a permanent magnet 3 set to a noncontact position to a flaw detection face of a material 1 to be detected for magnetizing a flaw detection point with a d.c., and an eddy current flaw detection probe 2 set between magnetic poles of the permanent magnet 3 for exciting an eddy current without contact to the material 1 to be detected and detecting a turbulence generated to the eddy current.例文帳に追加

被検材1の探傷面に非接触な位置に設けられ、探傷箇所を直流磁化する永久磁石3と、永久磁石3の磁極間に設けられ、前記被検材1に非接触で、渦電流を励起させ、この渦電流に生じる乱れを検出する渦流探傷プローブ2とを備えたもの。 - 特許庁

The apparatus detects even a high frequency absorption current signal several tens of kHz or more by mounting an absorption current detector 23 in a vacuum sample chamber 26 and by reducing electrostatic capacitance of signal wiring up to about several pF extending from a probe 19 to an absorption current detector 23.例文帳に追加

吸収電流検出器23を真空試料室26の内部に搭載し、探針19から吸収電流検出器23までの信号配線のもつ静電容量を数pF程度まで低減することにより、数十kHz以上の高周波数吸収電流信号であっても検出が可能となる。 - 特許庁

Provided that "uniformly grafted" means a fact that a relative current value does not exceed 30 on all of the regions of surface of the particles when a contact current on each of individual particles is measured by using a scanning type probe microscope, and a mean contact current of not grafted particles is set as 100.例文帳に追加

ただし、均一にグラフト化されているとは、走査型プローブ顕微鏡を用いて個々の粒子表面のコンタクト電流(Contact Current)を測定し、グラフト化されていない粒子の平均コンタクト電流値を100としたときの相対電流値が粒子表面全域で30を超えないことをいう。 - 特許庁

The grounding pad 21 and the ROM code recognition pad 22 or 23 are probed by the probe terminal 27b and the probe terminal 27a of a measuring apparatus 13, and the ROM code is identified by conduction or non-conduction of a current flowing into an ammeter 24 through the FETs.例文帳に追加

接地用のパッド21とROMコード認識用のパッド22または23とを、計測装置13のプローブ端子27bとプローブ端子27aとでプロービングさせることにより、FETを通じて電流計24に流れる電流の導通または非導通でROMコードを識別する。 - 特許庁

例文

A data of a probe diameter to an acceleration voltage and a data of an X-ray generating region to the acceleration voltage of the apparatus or a parameter data for quickly calculating the minimum probe diameter and the X-ray generating region determined by the acceleration voltage and an irradiation current, are previously prepared in a database 15.例文帳に追加

加速電圧に対するプローブ径のデータおよび装置の加速電圧に対するX線発生領域のデータ、または加速電圧と照射電流によって決まる最小プローブ径とX線発生領域とを直ちに計算できるパラメータのデータが予めデータベース15に準備される。 - 特許庁


例文

A resistance measuring device 100 which is a resistance measuring device with four-terminal method includes a probe 2, having flexibility, of a voltage measuring system and a probe 3, also having flexibility, of a current measuring system, and both probes are wound up to a lead 12a of a coil which is an inspection body from the opposite directions respectively.例文帳に追加

抵抗測定装置100は,4端子法による抵抗測定装置であって,可撓性を有する電圧測定系のプローブ2と,同じく可撓性を有する電流測定系のプローブ3とを備え,両プローブを互いに逆方向から被検体であるコイルのリード12aに巻き掛けている。 - 特許庁

To provide a scanning type probe microscope for stabilizing the measurement of a force gradient and a displacement current, for example, in an atomic force microscope for improving accuracy, and at the same time to provide a high-density information-reproducing apparatus using the configuration of the scanning-type probe microscope.例文帳に追加

原子間力顕微鏡などにおける力勾配の測定と変位電流の測定を安定させ、精度を高めることを可能にする走査型プローブ顕微鏡を提供するとともに、この走査型プローブ顕微鏡の構成を用いた高密度の情報再生装置を提供する。 - 特許庁

A probe section in contact with a contact terminal of an inspection object is formed in the upper part, and a spring section for providing elastic force is integrally extended in the lower part of the probe section, thereby making current flow from the inspection object to the lower part of the spring section.例文帳に追加

上部には、検査対象物の接触端子に接触する探針部が形成され、前記探針部の下部には弾性力を提供するスプリング部が一体に延設されることにより、検査対象物から前記スプリング部の下部に電流が通ずるように構成される。 - 特許庁

This semiconductor measuring instrument used for performing electrical characteristic tests on a semiconductor wafer by using a probe card 2 is provided with the cleaning mechanism 1 which removes foreign matters from the needle point of the needle of the probe card 2 by making an electric current flow to the needle.例文帳に追加

本発明に係る半導体測定装置は、プローブカード2を用いて半導体ウエハに電気的特性試験を行うための半導体測定装置であって、プローブカード2の針に電流を流すことにより、針先の異物を除去するクリーニング機構1を有するものである。 - 特許庁

例文

To provide a flaw detecting probe for eddy current flaw detection to detect a tube-axial or circumferential flaw on a tube simply and accurately without being affected by its own backlash or inclination.例文帳に追加

自身のがたまたは傾斜の影響を受けずに、管材の管軸方向及び円周方向のきずを簡便かつ高精度に検知できる渦流探傷用の探傷プローブを提供する。 - 特許庁

例文

The invention relates to the apparatus and the method for automatically detecting the failure position on even long wiring line using an image of an absorbed current absorbed by a sample by irradiating the sample with an electron beam in a state wherein a probe is applied to the sample.例文帳に追加

試料にプローブと電子線を当て試料に吸収された吸収電流の像を利用して、長い配線でも不良位置を自動で検出する装置とその方法。 - 特許庁

To provide a multi-coil type probe of an eddy current flaw detector capable of heightening inspection accuracy by reducing to the utmost dispersion of an interval between each flaw detection coil and an inspection object surface.例文帳に追加

各探傷コイルと検査対象面の間隔のばらつきを可及的に少なくして、検査精度の向上を図ることのできる渦流探傷装置のマルチコイル式プローブを提供する。 - 特許庁

One or more second signals are measured in the sensing coil(s) of the eddy current probe when the sensing coil(s) are positioned proximate to a reference material having a fixed composition and/or distance from the sensing coil.例文帳に追加

該検出コイルが、既知の組成を有しおよび/または該コイルから離れて設けられた基準部材に近接する位置にあるときには、該検出コイルで第2の信号を測定する。 - 特許庁

Here, the power terminal 110 for measurement, impedance stabilizing circuit 120, power line 130 for measurement, and current probe 140 are stored in a single metal housing.例文帳に追加

ただし、測定用電源端子110と、インピーダンス安定回路120と、測定用電源線130と、電流プローブ140とは、単一の金属筐体内に収められる構成としている。 - 特許庁

To provide an apparatus capable of discharging on an insulation workpiece, synchronizing and measuring a discharge current and a discharge gap by highly accurately controlling a distance between the insulation workpiece and a discharge probe.例文帳に追加

絶縁ワークと放電プローブ間距離を高精度に制御することで、絶縁ワーク上で放電を起こし、その放電電流と放電ギャップを同期して測定できる装置の提供。 - 特許庁

A histogram is created by executing electron beam scanning (S12), and the histogram is secondarily differentiated (S13) to calculate gradation where contrast of a sample image changes and the amount of a probe current (S16).例文帳に追加

電子線走査を行い、ヒストグラムを作成し(S12)、ヒストグラムを2次微分することによって(S13)、試料像のコントラストが変化する階調とプローブ電流量を算出する(S16)。 - 特許庁

To provide a scanning electron microscope capable of varying the magnitude of probe current in one using a condenser lens formed by a permanent magnet.例文帳に追加

本発明は、永久磁石により構成されるコンデンサレンズを使用した走査電子顕微鏡において、プローブ電流の大きさを可変できる走査電子顕微鏡を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an ultrasonic treating device which can easily ensure a conduit for a high frequency current in a constitution wherein an ultrasonic probe and a vibration transmitting member can freely be turned to the operating part.例文帳に追加

操作部に対して超音波プローブ及び振動伝達部材を回動自在な構成において、簡易に高周波電流の導通路を確保可能な超音波処置装置を実現する。 - 特許庁

Probes 45, 46, 47 are made to contact with the first pads 16, 17, 18 through the first through holes 31, 32, 33 and a current between the probe 45 and the electrode film 19 is measured.例文帳に追加

第1パッド16、17、18に第1貫通孔31、32、33を通してプローブ45、46、47を当接し、プローブ45と電極膜19の間の電流を測定する。 - 特許庁

Thus, the probe is brought into contact with the space between the conducting pads and a current is caused to flow to perform testing continuity between the conductive layer and the conducting pad of ground potential.例文帳に追加

これにより、導通パッド間にプローブを接触させて電流を流すことにより、導電層とグランド電位とされた導通パッドとの間の導通検査を行うことができる。 - 特許庁

To provide a scanning electron microscope suitable for measuring an accurate probe current at the time of sample observation, even in a sample chamber held in lower vacuum than the inside of a microscope body part.例文帳に追加

鏡体部内よりも低い真空に保たれた試料室においても、試料観察時に正確なプローブ電流を測定するのに適した走査電子顕微鏡を提供すること。 - 特許庁

On the basis of the photodiode output current of the photodiode 17 when the probe card 21 detects the change of the output level of the photo IC, the personal computer 14 calculates the threshold voltage of the photo IC.例文帳に追加

プローブカード21がフォトICの出力レベルの変化を検出した時のフォトダイオード17のフォトダイオード出力電流に基づいて、パソコン14はフォトICの閾値電圧を算出する。 - 特許庁

Raman gain evaluation apparatus (28-1) to (28-k) measure Raman gains and percent contribution of the respective excitation wavelengths from direct current components and respective modulation frequency components in relation to the respective probe wavelengths.例文帳に追加

ラマン利得評価装置28−1〜28−kは、各プローブ波長について、直流成分と各変調周波数成分とからラマン利得と各励起波長の寄与率を測定する。 - 特許庁

The excessive current control circuit 1 has arranged on the probe card and inserted in an inductor 4, such as a coil between the power source unit 2 of the inspection device 2 and the power source terminal 10 of the element to be inspected 9.例文帳に追加

過電流制御回路1は、プローブカード上に配設され、検査装置の電源ユニット2−被検査素子9の電源端子10間にコイル等のインダクタ4を挿入している。 - 特許庁

The eddy current flaw detection probe 20 comprises a circular exciting coil 21 and a circular planar-type detection coil 22, and the detecting coil 22 is arranged along the circumferential surface of the exciting coil 21.例文帳に追加

渦電流探傷プローブ20は、円形の励磁コイル21、円形のプレーナ型検出コイル22からなり、検出コイル22は、励磁コイル21の外周面に沿って配置してある。 - 特許庁

For example, when the left side of the gap of the magnetic core 201 becomes an N pole by the current flowing through the coil 202, and the right side becomes an S pole, the tip of the probe 101 is moved to the right side.例文帳に追加

例えば、コイル202に流れる電流により磁気コア201のギャップの左側がN極、右側がS極になると、プローブ101の先端は右側に移動する。 - 特許庁

A control part 15 performs control to independently perform first control processing for controlling drive of the probe 11 when measuring the tunnel current between the sample 10 and the probe 11 while applying a first voltage to the sample 10 from a variable voltage source 13, and second control processing for controlling drive of the probe 11 in movement between measurement points of the sample 10.例文帳に追加

制御部15は、試料10に可変電圧源13から第1の電圧を印加させながら試料10と探針11との間におけるトンネル電流の測定を行なう際の探針11の駆動を制御する第1の制御処理と、試料10の測定点間の移動における探針11の駆動を制御する第2の制御処理とを独立して行なうように制御する。 - 特許庁

A measuring means is the one that measures the change of interatomic force generated between the probe 21 and the surface of the semiconductor substrate W, or measures the change of a tunnel current made to flow between the probe 21 and the surface of the semiconductor substrate W, or measures the change of the scattering state of light which passes through between the probe 21 and the surface of the semiconductor substrate W.例文帳に追加

測定手段は、プローブ21と半導体基板W表面間に生じる原子間力の変化を測定する手段、或いはプローブ21と半導体基板W表面間に流したトンネル電流の変化を測定する手段、或いはプローブ21と半導体基板W表面間を通過させた光の錯乱状態の変化を測定する手段である。 - 特許庁

The current of the driving pulse of a high frequency applied in parallel to the plurality of vibrators inside the probe 7 is not detected but the current consumption of the DC output voltage of a variable voltage source 4 for driving the plurality of vibrators is measured, the power consumption is calculated, the temperature is predicted, and control is performed so that the probe surface temperature is settled within the safety standard.例文帳に追加

プローブ7内の複数の振動子にパラレルに印加される高周波の駆動パルスの電流を検出するのではなく、複数の振動子を駆動するための可変電圧源4の直流出力電圧の消費電流を測定して消費電力を算出し、温度予測を行ってプローブ表面温度が安全規格内に収まるように制御する。 - 特許庁

A measurement probe 3 having a probe side main circuit 21 for measurement that is removably connected to a measuring device body 2 and at the same time is operated by a power supply VCC that is supplied from the measuring device body 2 has an inrush current limitation means 30 for limiting an input current IIN when inputting the power supply VCC from the measuring device body 2.例文帳に追加

測定装置本体2に取り外し可能に接続されると共に測定装置本体2から供給される電源VCCで作動する測定用のプローブ側メイン回路21を備えた測定用プローブ3において、測定装置本体2から電源VCCを入力する際に入力電流IINを電流制限する突入電流制限手段30を備えている。 - 特許庁

The electric discharge detecting apparatus for detecting the electric discharge generated in the chamber 14 to which plasma is sealed includes a current probe 50 (detection means) for detecting a current signal appearing in a power feeding cable 40 for power required to generate the plasma, and an amplifier 70 (amplification means) for amplifying the detected current signal.例文帳に追加

プラズマを封入するチャンバ14の内部で発生する放電を検出する放電検出装置であって、プラズマを発生させるため電力の給電ケーブル40上に現れる電流信号を検出するための電流プローブ50(検出手段)と、検出された電流信号を増幅する増幅器70(増幅手段)とを備える。 - 特許庁

Since a result obtained by the addition/subtraction is a constant multiple of an effective value igr of a resistance ground current of one cycle portion, a means for determining a phase of the zero-phase current waveform input from the zero-phase current sensor is not required, and also a means for generating the ideal sine wave based on a voltage phase input from the voltage probe is not required.例文帳に追加

この加減算していった結果が、1周期分の抵抗性地絡電流の実効値igrの定数倍となることから、零相電流センサから入力した零相電流波形の位相を求める手段が不要になり、電圧プローブから入力した電圧位相を元にした理想正弦波を発生させる手段も不要となる。 - 特許庁

To provide an eddy current test probe capable of shortening advantageously a dead zone near the end of a conductive specimen by suppressing effectively a change of a magnetic field distribution generated near the end of the conductive specimen.例文帳に追加

導電性被検体の端近傍で生じる磁場分布の変化を効果的に抑制して、導電性被検体の端近傍の不感帯を有利に短くし得る渦流探傷プローブを提供すること。 - 特許庁

An eddy-current probe 13 is held by a drive system 17 associated with a positioning baseplate 25 that holds a calibration part 35 including a hole similar to the hole for inspection and in alignment with an orifice thereof.例文帳に追加

渦電流プローブ(13)は、検査のための孔と類似の孔を含み、そのオリフィスと整列する較正部品(35)を保持する位置決めベースプレート(25)に関連付けられる駆動システム(17)によって保持される。 - 特許庁

A very slight potential difference and a current value are measured thereafter in the estimated troubled portion of the analogue circuit, by a probe needle or the like, to narrow the troubled portion up to a level of transistor (step ST6).例文帳に追加

その後、プローブ針等によりアナログ回路内の推定した故障部分における微小な電位差、電流値を測定することにより、故障部分をトランジスタレベルまで絞り込む(ステップST6)。 - 特許庁

To provide an eddy current array probe that has improved and more uniform sensitivity to a crack in a radial, axial, or circumferential surface and reduces the variation between channels crossing an array.例文帳に追加

径方向、軸方向または円周方向の表面のクラックに対して、向上したより均一の感度を有し、配列を横切るチャネル間の変化を減少させる渦電流アレイ探触子を提供すること。 - 特許庁

An inspection signal application circuit 40 is electrically connected to a manual probe 50 extending from the side part of a casing 21 and a transparent electrode 33, and applies a signal voltage of an alternating-current component.例文帳に追加

検査信号印加回路40は、筐体21の側面部から延びる手動プローブ50および透明電極33と電気的に接続されており、交流成分の信号電圧を印加する。 - 特許庁

The lens 23 sets a more stable aberration correction and an optimum spread angle α_f when an operation display part 9 changes either accelerating voltage Va, working distance WD, or probe current Vp.例文帳に追加

このレンズ23は、操作表示部9で加速電圧Va、または作動距離WD、またはプローブ電流Vaを変更した場合、より安定な収差補正および最適開き角α_fを設定する。 - 特許庁

An electrochemical discharge machining operation 20 uses nonconductive material machining techniques and forms a current path in the portion of contact between a printed wiring board in an electrolytic solution and the probe machined and polished.例文帳に追加

電化学放電加工作業20は非電導材料加工技術であり、電解液におけるプリント配線基板と加工および研磨されたプローブとが接触した箇所に電流パスを形成する。 - 特許庁

To provide a probe card for a semiconductor testing device, improving inconveniences in device test with the interference of a power current between a plurality of DUTs in the prove card applicable to a wafer prober device.例文帳に追加

ウエハプローバ装置に適用するプローブカードにおいて複数DUT間の電源電流の干渉に伴うデバイス試験の不具合を改善可能とした半導体試験装置のプローブカードを提供する。 - 特許庁

To generate a flaw signal of the largest amplitude when detecting coils are located immediately above a flaw in a probe for eddy current flaw detection, to reduce a lift-off noise, and to generate flaw signals to omnidirectional flaws.例文帳に追加

渦電流探傷用プローブにおいて、検出コイルがキズの真上に位置するとき最大振幅のキズ信号を発生し、かつリフトオフ雑音が小さく、全方向のキズに対してキズ信号を発生すること。 - 特許庁

To provide an eddy current flaw detection multi-coil probe and its manufacturing method for reducing an increase in a sensitivity fluctuation by reducing a lift-off fluctuation of flaw detection coils, and improving the inspection accuracy.例文帳に追加

探傷コイルのリフトオフばらつきを小さくして感度バラツキの増大を抑え、検査精度を向上することができる渦流探傷マルチコイル式プローブ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

On the outer-periphery surface of a discharge chip 13 for composing a discharge current path in a discharge probe, a toroidal core 13b that is made of a magnetic material mixing resin layer for surrounding the discharge chip 13 is formed.例文帳に追加

放電プローブにおける放電電流経路を構成する放電チップ13の外周面に、前記放電チップ13を囲む磁性材混合樹脂層からなるトロイダルコア13bを形成する。 - 特許庁

To provide an eddy current flaw detection probe, a flaw detector, and a flaw detection method, allowing precise inspection without removing a heat insulating material, when measuring reduction of a wall thickness of a piping or the like covered with the heat insulating material.例文帳に追加

保温材で覆われた配管などの減肉測定に対して、保温材を取り外さずに高精度に検査する渦電流探傷プローブ,探傷装置及び探傷方法を提供することにある。 - 特許庁

When the judged result indicates that they are 0100, it is judged as the frame of the probe request, and a high frequency current 11 is generated for the prescribed time in the suppression radio wave generation part S51 of a suppression radio wave transmission flow part S5.例文帳に追加

この判定結果が0100であることを示せば、プローブ要求のフレームであると判断して、抑制電波発信フロー部S5の抑制電波生成部S51にて高周波電流11を所定の時間、生成する。 - 特許庁

High vacuum inside the microscope body part 2 is influenced on the inside of a Faraday cup 35 by opening a valve 37 of an exhaust passage 36, and an accurate probe current is measured inside the sample chamber 1 held in low vacuum.例文帳に追加

排気路36のバルブ37を開いて、鏡体部2内の高真空をファラデーカップ35内に作用させ、低い真空に保たれた試料室1内で正確なプローブ電流を測定する。 - 特許庁

Following to a step (S1) for forming a first interlayer film and making contact holes, a first metallization for inspection mask is formed (S8) and leak current test or function test is conducted by inline test using a probe (S7).例文帳に追加

第1層間膜形成及びコンタクトホール形成工程(S1)後に、検査用マスクの第1金属配線を形成(S8)し、プローブを用いたインライン検査(S7)によりリーク電流検査や機能検査を行う。 - 特許庁

To provide an eddy current flaw detection multi-coil type probe capable of narrowing lift-off dispersion of a flaw detection coil to restrain dispersion of sensitivity from increasing, and capable of enhancing inspection precision, and provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

探傷コイルのリフトオフばらつきを小さくして感度バラツキの増大を抑え、検査精度を向上することができる渦流探傷マルチコイル式プローブ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Regarding the metal probe for promoting the in vivo current, a plating layer consisting of an alloy of nickel and rhodium is formed on the surface of a pure or high-purity copper stub.例文帳に追加

純銅または純度の高い銅塊体の表面に、ニッケルとロジウムとの合金からなるメッキ層を形成したことを特徴とする体内電流を促進させる金属触体を提供する。 - 特許庁

例文

Electrons optically released from negative ion in the plasma 10 by irradiating are collected by the probe 3, and a density of the negative ion is measured by measuring the collected optically released electron current.例文帳に追加

照射によってプラズマ10中の負イオンから光離脱した電子を、プローブ3によって捕集し、捕集した光離脱電子電流を計測することによって、負イオンの密度を計測する。 - 特許庁




  
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