STRESSを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 22485件
The substrate for the liquid crystal display device includes a transparent substrate which includes a display region for displaying videos and a plurality of spacers which are formed in the display region and of which the rate of deformation with compressive stress is smaller nearer the outer side direction of the display region from the center of the display region.例文帳に追加
液晶表示装置用基板は映像を表示するためのディスプレー領域を含む透明基板及びディスプレー領域に形成され、ディスプレー領域の中央からディスプレー領域の外側方向に行くほど圧縮応力に対する変形率が小さい複数のスペーサを含む。 - 特許庁
A monopodium tension test in four or more directions is performed about target materials, and the values of 8 pieces of material characteristic parameters α_1 to α_8 in the Yld2,000-2d yield functions are calculated by using a stress-distortion relation and a Lankford value obtained by this test.例文帳に追加
対象とする材料について4方向以上の単軸引張試験を行い、それによって得られた応力−歪関係およびランクフォード値を用いて、Yld2000−2d降伏関数における8個の材料特性パラメータα_1〜α_8の値を算定する。 - 特許庁
A stress of the dielectric antireflection film 5 generated by annealing operates upon an upper part of the Al wiring 6 to help the granular growth of Al along with the coating 14 on the Al wiring 6, but is canceled by a reaction of the coating 14 formed on the side wall of the Al wiring 6.例文帳に追加
アニールにより発生した誘電体反射防止膜5の応力はAl配線6の上部に作用し、Al配線6上の被覆膜14に沿ってAlの粒成長を助長しようとするが、Al配線6の側壁に形成された被覆膜14の反作用により打ち消される。 - 特許庁
To provide a small-sized and lightweight semiconductor sensor apparatus and a manufacturing method therefor, capable of attaining high resistance to cap cracking and resin cracking and resistance to hole clogging of a holed cap by reducing stress generated by molding resin which a MEMS assembly receives and stabilizing characteristics of the semiconductor sensor apparatus.例文帳に追加
MEMS組立体が受けるモールド樹脂で発生する応力を少なくし半導体センサー装置の特性を安定化させ、キャップクラックや樹脂クラックが入り難く、また、孔付キャップチップの孔詰まりが起こり難い、小型軽量な半導体センサー装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an electronic component which can realize adherence and improvement in the reliability of conduction, by making the arrangement of position of electrode terminals for element connection and electrode terminals for substrate connection into a configuration in which strain by thermal stress does not concentrate in a specific portion.例文帳に追加
本発明の目的は、素子接続用電極端子と基板接続用電極端子の配置位置を熱応力による歪みが特定の部分に集中しない形態とすることで、固着及び導通の信頼性の向上を実現できる電子部品を提供することを課題とする。 - 特許庁
Further, a shield member 11 disposed between the multilayer piezoelectric component and heat source 10 and having a desired opening portion and a cooling member 12 fitted to the multilayer piezoelectric component are used to suppress abrupt generation of thermal stress affecting the manufacturing yield and reliability of the multilayer piezoelectric component.例文帳に追加
また、積層圧電部品と熱源10の間に配置した所望の開口部を有する遮蔽部材11、および積層圧電部品に取り付ける冷却部材12を用いることで、積層圧電部品の製造歩留まりと信頼性に影響する、急激な熱応力の発生を抑制する。 - 特許庁
To provide a high-reliability optical modulator which reduces warpage of a member due to a difference in thermal expansion between different kinds of materials, prevents large thermal stress from being generated in a joining part between members, and can be manufactured at a low cost, and its manufacturing method.例文帳に追加
異種材料間の熱膨張差に起因して発生する部材の反りを低減するとともに、各部材間の接合部に大きな熱応力が発生することを防ぎ、かつ、低コストで製造することが可能な高信頼性光変調器及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
In the i-type semiconductor layer 16, when cracking occurs due to stress caused by the shape thereof, or the like, cracking occurs easily starting from the corner 16e because the i-type semiconductor layer 16 has a corner 16e mentioned above.例文帳に追加
i型半導体層16において、例えばその形状等に起因する応力(ストレス)の影響を受けてクラックが発生した場合、i型半導体層16が上記のような角部16eを有していることにより、クラックは、その角部16eを起点(または終点)として発生し易くなる。 - 特許庁
In the synthetic resin made blow container manufactured by performing an axial stretching blow molding at one time before and after heating and shrinking process for removing residual stress, and the container has a density change rate of -0.03% or more in relation to a blow intermediate body 2 after a heating process.例文帳に追加
残留応力を除去する加熱、収縮処理の前後でそれぞれ一回の軸延伸ブロー成形を行うことによって製造された合成樹脂製ブロー容器において、前記ブロー容器は、加熱処理を終えたのちにおけるブロー中間体2に対する密度の増減率を-0.03%以上とする。 - 特許庁
To provide an optical pickup device capable of maintaining an optimal position at a high positional accuracy without lowering a bonding strength even when a stress due to an external load by bending moment or circumstantial changes is caused to an optical part module, particularly in the case where the optical pickup device is thin.例文帳に追加
特に薄形の光ピックアップ装置に対して、曲げモーメントによる外的負荷や環境変化によるストレスが光学部品モジュールに生じた場合でも、接着強度が低下することなく高い位置精度で最適な位置を保持できる光ピックアップ装置を提供することにある。 - 特許庁
To provide the excellent bearing unit for a wheel in the durability that can prevent the creep of the different flange without increasing the exposed thread of the above different flange installed than the hub race by mitigating the stress power concentration around the flange part in the hub flange side of a hub race.例文帳に追加
ハブ輪のハブフランジ側における鍔部付近の応力集中が緩和され、かつハブ輪とは別に設けた別体鍔の締代を増加させることなく、上記別体鍔のクリープを防止することのできる耐久性に優れた車輪用軸受装置を提供する。 - 特許庁
To improve durability against bending by making stress small in a flexible wiring board of a flexible circuit board of electronic equipment constituted such that two cases are coupled rotatably by a hinge and circuits in those two cases are electrically connected to each other by the flexible circuit board.例文帳に追加
ヒンジ部により2つの筐体同士が回転可能に連結され、これら2つの筐体内の回路同士がフレキシブル回路基板により電気的に接続された電子機器のそのフレキシブル回路基板に発生する応力を小さくし、屈曲に対する耐久性を高くする。 - 特許庁
To provide a power supply controller and a power supply control method, that can detect as quickly as possible the off-state of a thermal FET due to the overheat shut-off function, reduce the thermal stress of the thermal FET generated by the overheating condition and prevent reduction of the thermal operation life.例文帳に追加
過熱遮断機能によるサーマルFETのオフ状態をできる限り早く検出して、過熱状態によって受けるサーマルFETの熱的ストレスを低減し、熱的寿命の短縮を防止し得る電源供給制御装置および電源供給制御方法を提供すること。 - 特許庁
The split internal electrodes 3 and 5 on the main surfaces of the dielectric boards 2 are set large in the number of their split parts at a part of the laminate 20 where a voltage stress is mainly imposed or, for instance, at the center of the dielectric boards 2 of the laminate 20 in the direction of lamination.例文帳に追加
誘電体基板2の主面にて分割されてなる複数の内部電極3,5は、積層体20の電圧応力が大きくかかる部分、例えば、積層体20の誘電体基板2の積層方向の中央部においてその分割数が多くされている。 - 特許庁
To provide a low-cost laminated piezoelectric actuator producing a uniform stress to a displacement direction upon a metal case having an encapsulated laminated piezoelectric ceramic element, and hardly inclined to the displacement direction, and further, capable of accurately positioning with a small adjustment man-hour at manufacturing.例文帳に追加
積層型圧電セラミックス素子を封入した金属ケースにかかる変位方向の応力が均等で、変位方向に傾きが生じにくく、さらに作製時の調整工数が少ない高精度な位置決めができ、低コストで作製可能な積層型圧電アクチュエータを提供する。 - 特許庁
When an orifice plate 6 is bent along the edge parts 31, 32 and bonded, an arc can be formed at the bend of the orifice plate 6 depending on the bending stress because the cuts 33, 34 are made and the face 6b of the orifice plate 6 is prevented from floating or projecting significantly.例文帳に追加
オリフィスプレート6を縁部31,32に沿って折り曲げて接合する際に、切欠き33,34の形成によってオリフィスプレート6の屈曲部でその曲げ応力なりの円弧を形成させることができ、オリフィスプレート6のフェイス面6bが大きく浮くことや、出っ張ることがなくなる。 - 特許庁
Moreover, when the n-type impurity is ion-implanted at a high temperature, a region being ion-implanted is heated to 180°C or higher by substrate heating or laser irradiation, a silicon pair between boron and lattice is sufficiently disassociated and the n-type impurity is ion-implanted under existence of an even stress.例文帳に追加
また、N型不純物の添加を高温イオン注入で行う場合は、基板加熱やレーザー照射などでイオン注入する領域を180℃以上に加熱し、ボロン・格子間シリコンペアを十分解離させ、一様な応力が存在する状態の下で、N型不純物のイオン注入を行う。 - 特許庁
Accordingly, though the semiconductor chips 1a and 1b grow in size, thermal expansion amount in the first region does not grow unless the size of a range of the first region does not change, so that stress generated at frist electrodes 11a and 11b and the bumps 40 scarcely changes.例文帳に追加
したがって、半導体チップ1a、1bが大型化しても、第1領域の範囲が変わらなければ、第1領域内において熱膨張量が大きくなるわけではないから、第1電極11a、11bおよびバンプ40に生じるストレスがほとんど変化しないものとなる。 - 特許庁
To prevent the generation of a drawback by relieving a stress on a semiconductor bare chip due to a filler in a composite material, in a semiconductor device in which another chip or substrate is oppositely stacked on a circuit formation surface side of the semiconductor bare chip and the composite material joins them.例文帳に追加
半導体ベアチップの回路形成面側に他のチップまたは基板を対向させて積層し、コンポジット材料でそれらの間を接合して成る半導体装置において、前記コンポジット材料中のフィラーによる半導体ベアチップへのストレスを緩和して不具合の発生を防止する。 - 特許庁
The fuel tank is press-filled with the silencing material consisting of bundles (s) of long fibers whose diameter ranges between 0.2-1.0 mmϕ and the 50% compressive stress of an assembly of fiber bundles is 0.10 N/cm^2 or below.例文帳に追加
長繊維からなる繊維束であって、繊維束を構成する繊維の径が0.2〜1.0mmφの範囲にあり、かつ該繊維束を充填した集合体の50%圧縮応力が0.10N/cm^2以下である長繊維繊維束からなる消音材を燃料タンク内に圧入し充填せしめた。 - 特許庁
To provide a structure of a punch for a forging die in which the concentration of stress is hardly occurred on the recessed bottom and having a long life even when a deep recessed part is formed on the top end surface of the punch in order to form a projecting part on the parts and capable of being restored through partially exchanging the parts even when a damage is caused.例文帳に追加
部品に凸部を形成するための深い凹部がパンチ先端面に形成されていても、その凹部底に応力集中が起こりにくく長寿命であり、破損を生じた場合でも部分的な交換で復旧可能な鍛造金型のパンチ構造を提供する。 - 特許庁
In the apparatus 1 for cleaving a glass film, an initial crack 10, which is formed at a leading edge of a preset cleaving line 7 of a glass film G, is propagated along the preset cleaving line 7 by a thermal stress generated in the glass film G through localized heating applied along the preset cleaving line 7, and cooling of a heated region resulting from the localized heating.例文帳に追加
ガラスフィルムの割断装置1は、ガラスフィルムGの割断予定線7に沿う局部加熱及びその加熱領域の冷却により生じる熱応力で、割断予定線7の先端部に形成した初期亀裂10を割断予定線7に沿って進展させる。 - 特許庁
A local heat treating device for piping and vessels is composed by using a personal computer 1, or the like, setting up and setting are performed in accordance with indication on the picture of the personal computer 1, and automatic operation is performed in accordance with a heat treating program pattern, so that the reliability of heat treatment for removing welding residual stress can be improved.例文帳に追加
パーソナルコンピュータ1などを用いて配管・容器局部熱処理装置を構成し、パーソナルコンピュータ1画面上の指示に従い段取りし、設定し、熱処理プログラムパターンに従い自動運転することにより溶接残留応力除去熱処理の信頼性向上を図る。 - 特許庁
Hence, the use of the color filter c enables the manufacturing of the reliable, high-definition and large-area organic EL display element because lamination to the organic EL element e does not cause a stress concentration to the top surfaces a_1, a_2, a_3 to a_n of the spacers 6 and damage to an organic EL layer 82.例文帳に追加
このため、このカラーフィルタcを用いれば、有機EL素子eとの貼り合わせにおいてもスペーサ6の頂面a1,a2,a3,・・・,anに応力が集中しないため有機EL層82を損傷せず、信頼性に優れた高精彩・大面積の有機EL表示素子を製造することができる。 - 特許庁
Since any storage region of the storage case 2 does not change and any stress is not applied to a filling material with which the storage region is filled up, it is possible to prevent a crack from occurring in the filling material, and it is possible to satisfactorily ensure a protective capability by the filling material of a circuit substrate contained in the storage case 2.例文帳に追加
そして、収納ケース2の収納領域が変化せず、収納領域に充填された充填材に応力が係らないので、充填材に亀裂が生じるのを防止でき、収納ケース2内に収納される回路基板の充填材による保護能力を良好に確保できる。 - 特許庁
In the slag-cutting apparatus in converter of a system for inserting into a tapping hole of molten steel at the end stage of the molten steel tapping by holding the darts for slag-cutting with the tip part of the arm extended from the tip part of the carriage and inserting into the converter in the case of tapping off the molten steel; a stress-concentrating part is arranged in the arm.例文帳に追加
スラグカット用ダーツを台車の先端から延びるアームの先端に保持させて出鋼中の転炉内に挿入し、出鋼末期に出湯口に投入する形式の転炉のスラグカット装置において、前記アームに応力集中部を設けておくこととする。 - 特許庁
The blades 12 of the circulating fan 6 are coupled by coupling plates 14 to a boss 13 in the fan center, and the blades 12 under centrifugal force are supported by the rigid boss 13 in the center, so that centrifugal force from the blades is distributed to the boss and a side plate 11 to reduce stress on the side plate 11.例文帳に追加
循環ファン6の羽根12を連結板14によりファン中心部のボス13に連結することにより、遠心力の作用する羽根12を中心部の剛性の高いボス13で支え、羽根の遠心力をボスと側板11とに分散させて側板11の応力を低減する。 - 特許庁
The ion implantation for forming the first impurity area 22 softens a stress caused from a mismatch between a lattice constant of the compound layer 24 and that of the semiconductor substrate 3, and is carried out in a condition that an atom does not form a cluster between lattices developed in the semiconductor substrate 3.例文帳に追加
第1の不純物領域22を形成するイオン注入は、化合物層24の格子定数と半導体基板3の格子定数との不整合による応力を緩和するとともに、半導体基板内3に発生する格子間原子がクラスタを形成することのない条件で行われる。 - 特許庁
A tension material 11 for introducing pre-stress in the circumferential direction of the concrete wall 3 is formed by coating a steel wire or steel strand wire with a sheath made of synthetic resin, and filling the interior of the sheath with material having fluidity at least before tension force is introduced.例文帳に追加
コンクリート壁体3の円周方向にプレストレスを導入するための緊張材11は、鋼線又は鋼より線を合成樹脂からなるシースで被覆し、このシース内には少なくとも緊張力導入時までは流動性を有する材料が充填されたものとする。 - 特許庁
CaZrO_3 or SrZrO_3 is mixed into a ceramic dielectric layer mainly composed of BaTiO_3 to change the sintering property of the ceramic dielectric layer, causing it sintered more elaborately to improve the laminated ceramic electronic component in strength and durability against thermal/mechanical stress.例文帳に追加
BaTiO_3を主成分とするセラミック誘電体層中に、CaZrO_3又はSrZrO_3が混合することによって、その焼結性が変化し、より緻密に焼結するので、セラミック誘電体層の強度が高くなり、熱的及び機械的ストレスに対する耐久性が向上する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a photosensitive resin composition excellent in processability, low stress, low water absorption, electric insulation or the like and capable of responding to higher integration or a multilayer structure of a semiconductor device, and in particular, to provide a semiconductor device having a wafer level package structure.例文帳に追加
本発明は、上記のような半導体素子の高集積化や多層化に対応可能な、加工性、低応力性、低吸水性、電気絶縁性等に優れた感光性樹脂組成物を有する半導体装置、特にウェハー・レベル・パッケージ(Wafer Level Package)構造の半導体装置を提供するものである。 - 特許庁
To provide an interferon production promoter usable not only for prevention and treatment of type B hepatitis, type C chronic hepatitis, renal carcinoma, dermal melanoma, chronic myelogenous leukemia or the like, but also for activation of immunity reduced by stress or the like and daily maintenance of immune strength.例文帳に追加
本発明は、B型肝炎,C型慢性肝炎,腎癌,皮膚黒腫,慢性骨髄性白血病等の予防・治療のみならず、ストレス等により低下した免疫系の賦活や日常的な免疫力維持のために使用することが可能なインターフェロン産生促進剤を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor light emitting device which can be prevented from decreasing in light emission intensity and increasing in leak current not by giving damage to a light emission region of a semiconductor light emission layer caused by mechanical stress or a shock during wire bonding.例文帳に追加
ワイヤボンディング時の機械的ストレスや衝撃により半導体発光層の発光領域にダメージを与えないようにして、発光強度の低下やリーク電流の増大を防止することができる半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To realize a highly reliable vehicle lighting fixture whose components other than lens are obtained by molding a resin material recycled from lens comprising a polycarbonate-based resin of vehicle lighting fixtures and which have excellent organic chemical crack resistance even under stress.例文帳に追加
車両用灯具のポリカーボネート系樹脂からなるレンズの再生樹脂材料を使用して成形されたレンズ以外の車両用灯具の構成部品を、応力下においても優れた有機薬品耐クラック性を有するものとすることによって信頼性の高い車両用灯具を実現する。 - 特許庁
The plasma display panel is a PDP in which a plural pairs of electrodes and a dielectric layer on a substrate are provided, and a residual stress on a surface on a side of the substrate where the dielectric layer is not provided is within a range of 0.8-2.4 MPa.例文帳に追加
上記の目的を達成するために、本発明のプラズマディスプレイパネルは、基板上に複数対の電極と誘電体層を設けたPDPであって、基板の誘電体層を設けていない側の面の残留応力が0.8MPa〜2.4MPaの範囲であることを特徴とする。 - 特許庁
A stress voltage is applied to the structure by making a first voltage applying terminal 110 of one potential touch the rear surface of the wafer and making a second voltage applying terminal 112 of the other potential, different from one potential touch and moreover becomes the other potential the surface of the conductive film.例文帳に追加
この構造体に対して、一方の電位になる第1電圧印加用端子110をウエハ裏面に接触させ、かつ一方の電位とは異なる他方の電位になる第2電圧印加用端子112を導電膜表面に接触させることにより、ストレス電圧を印加する。 - 特許庁
Further, the surface states of the tin oxide thin membranes which can be changed by the membrane forming conditions of the sputtering unit is the membrane stress variable thin membranes formed to the state on the way of the crystal growth or the state that the crystals after the growth draw each other.例文帳に追加
また、スパッタ装置の成膜条件により変化させることができる酸化スズ薄膜の表面状態を、結晶成長途中の状態もしくは結晶成長後の結晶同士が相互に引き合う状態とするように形成した膜応力可変薄膜であること。 - 特許庁
To provide a developer stirring device not causing malfunction such as toner scattering and texture stain by having small stress given to a developer and efficiently and sufficiently dispersing and mixing a supply toner to the developer in a short time in a comparatively simple composition, and to provide an image forming apparatus.例文帳に追加
現像剤に与えるストレスが小さく、比較的簡易な構成で、短時間に効率的に補給トナーが充分に現像剤に分散・混合されてトナー飛散や地肌汚れ等の不具合が生じることのない、現像剤撹拌装置及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁
The load-bearing surface and thrust generating surfaces are arranged to present a conjugate pair of truncated conical surfaces to provide favorable resolution of forces generated by torque applied to jack bolts distributed about an outwardly surrounding cylindrical stress generator body section.例文帳に追加
負荷支承面およびスラスト生成面は、1対の共役円錐台形面をもたらすように配置されて、外側を取り囲む円筒形圧力生成器本体部分の回りに分散したジャックボルトに加えられるトルクによって発生する力の好ましい分解を提供する。 - 特許庁
When the vacuum supply device causes the failure, as long as there is no interaction between the two pistons in the simulator, particularly, when starting a stroke of the control piston, a driver does not generate the stress in the reaction piston, and does not unnecessarily waste a part of one's own energy.例文帳に追加
真空供給源が故障した場合は、シミュレータ内の2つのピストンの間に相互作用がない限り、特に、制御ピストンの行程の開始時には、運転者は、反力ピストンに応力を発生させることはなく、自分のエネルギーの一部を不必要に浪費することはない。 - 特許庁
The high temperature metal is given plastic deformation and cooled, until the temperature of the welding material becomes lower than the prescribed temperature range relating to hot cracks, or until a residual stress in the welding becomes low enough to eliminate cracks in the finished weld zone.例文帳に追加
溶接材料の温度が高温割れに関連する所定の温度範囲より低くなるまで、又は該溶接における残留応力が、完成した溶接部における割れをなくすのに十分なだけ低くなるまで、高温の金属は塑性歪みを与えられかつ冷却される。 - 特許庁
To produce less-frequent deterioration and breakage of a vacuum belt due to the idle run of a vacuum belt unit during using holed printing paper (mechanical stress due to drive and ozone deterioration due to absorption of ozone generated in a copy, a charger or others) and provide long service for the vacuum belt.例文帳に追加
穴あり印刷用紙使用時における、バキュームベルトユニットの空転によるバキュームベルトの劣化・破損(駆動による機械的ストレスおよび、転写器・帯電器等で発生したオゾンをブロアで吸引することによるオゾン劣化)の頻度を低下させ、バキュームベルトの長寿命化を図る。 - 特許庁
To provide a conductive adhesive agent useful for electrically connecting an electrode of an electronic component and an electrode of a package while maintaining reduction in connection resistance and reduction in thermal stress, without using a substrate dedicated to the electronic component, in manufacturing a semiconductor package.例文帳に追加
半導体パッケージの製造において、電子部品専用の基板を使用することなく、接続抵抗の低減及び熱応力の低減を維持しつつ、電子部品の電極とパッケージの電極を電気的に接続するのに有用な導電性接着剤を提供すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor device manufacturing method and a semiconductor device which can form a semiconductor chip applied with an adhesive sheet by dicing together with the adhesive sheet and inhibit deterioration in packaging reliability of the semiconductor chip with keeping a thermal stress relaxation function of the adhesive sheet.例文帳に追加
接着シートごとダイシングして接着シートが貼着された半導体チップを形成することができ、接着シートの熱応力緩和機能を確保しつつ半導体チップの実装信頼性の低下を抑制できる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide an electrophotographic toner excellent in low-temperature fixability, blocking resistance during storage and blocking resistance to stress in an image forming apparatus, and capable of stably forming a high-quality image, an electrophotographic developer containing the toner and an image forming method using the same.例文帳に追加
低温定着性に優れ、保管時の耐ブロッキング性や画像形成装置内のストレスに対する耐ブロッキング性に優れ、高画質の画像を安定して形成しうる電子写真用トナー、該トナーを含有する電子写真用現像剤及びそれを用いた画像形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide an electronic component which includes a semiconductor device mounted on a circuit board and which effectively reduces a stress applied from the circuit board to the semiconductor device while keeping a contact connection between the circuit board and the semiconductor device, and to provide a method of manufacturing the electronic component.例文帳に追加
回路基板上に半導体素子を搭載した電子部品及びその製造方法に関し、回路基板と半導体素子との間の接点接続を維持しつつ回路基板から半導体素子へ加わる応力を効果的に緩和する電子部品及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an assembling method of a plug with electronic components built therein for easily positioning each bus bar terminal, mitigating the stress in each bus bar terminal and the electronic components mounted on each bus bar terminal, improving the productivity, and ensuring the high reliability.例文帳に追加
各バスバー端子の位置決めを容易に行うことができるとともに、各バスバー端子及び各バスバー端子に搭載される電子部品にかかる応力を緩和することができ、生産性の向上とともに高い信頼性を確保することができる電子部品内蔵プラグの組み付け方法を提供する。 - 特許庁
The invention relates to a method for producing a useful substance comprising a step to add an oxide semiconductor particle to a cell culture system to promote the production of the useful substance by active oxygen stress and irradiating the culture system with ultrasonic wave to generate active oxygen species.例文帳に追加
本発明は、活性酸素ストレスにより有用物質の生産を増進する細胞の培養系に酸化物半導体粒子を添加し、この培養系に超音波を照射して活性酸素種を生成させる工程を含む有用物質の生産方法を提供する。 - 特許庁
To improve current characteristics or to prevent the current characteristics from degrading without making its manufacturing process more complex in a semiconductor device comprising a stress applying insulating film on the top surface of a gate electrode of a MOS type transistor element.例文帳に追加
MOS型トランジスタ素子のゲート電極上面に応力印加用絶縁膜を備える半導体装置において、製造工程を複雑化させることなく電流特性の向上若しくは電流特性の悪化防止を図ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a nitride laser element improved in life by relaxing stress caused by an electron blocking layer while reducing threshold current density by a structure arranged the electron blocking layer including an Al layer between a p-type guide layer and a p type clad layer.例文帳に追加
p型ガイド層とp型クラッド層との間にAlを含む電子ブロック層を配置した構造によって閾値電流密度の低減を図りながら、電子ブロック層に起因する応力を緩和して寿命特性の向上を図ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁
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