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Sense dataの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 817件
A system includes a sensor unit to sense a change in the slope of a display unit with respect to a reference surface, and an image processor to correct for a luminance value of a pixel included in an input image by referring to a viewing angle determined by the sensed slope and prestored viewing angle characteristic data.例文帳に追加
ディスプレイ部の基準面に対する勾配変化を検出するセンサ部、および前記検出された勾配によって決定された視野角と予め保存された視野角特性データを参照して、入力映像に含まれた少なくとも1つの画素の輝度値を補正する映像処理部を含む。 - 特許庁
To provide a method for measuring door searing gap, which solves the problem that account for cut-down of a car's quality without improvement of using accurate measured data for the reason that a measurement of a clearance between a door panel and a side out panel sealed with weather strip is operated by operator's simple sense is resolved.例文帳に追加
ウェザーストリップによってシーリングされるドアパネルとサイドアウトパネルとの隙間の測定は、単純に作業者の感覚によって推測されるため、正確な測定値による改善が行われないという実情があり、これは車両品質の低下の原因になるという問題点を内包している。 - 特許庁
In a wireless network to which two or more nodes are connected based on a key station as a reference, self-node determines a time slot for performing carrier sense for data transmission based on a value of ID of the self-node according to a time as a reference, at which a parent node on a tree of the self-node starts the communication.例文帳に追加
基地局を基準として複数のノードが接続された無線ネットワークにおいて、自ノードのツリー上の親ノードが通信を開始した時刻を基準に、自ノードのIDの数値に基づいて、自ノードがデータ送信のためのキャリアセンスを行うタイムスロットを決定する。 - 特許庁
A boost voltage Vbs as the power supply voltage higher than the internal power supply voltage VCC is supplied to a sense amplifier of a readout circuit (4) from an internal voltage generation circuit (6), and a bit line precharge current via the internal data line (DB) is supplied from the internal power supply voltage.例文帳に追加
読出回路(4)のセンスアンプに対し、電源電圧として、内部電圧発生回路(6)から内部電源電圧VCCよりも高い昇圧電圧Vbsを供給し、また内部データ線(DB)を介してのビット線プリチャージ電流は、内部電源電圧から供給する。 - 特許庁
The memory part 9 is provided with a main cell array 7 having a plurality of nonvolatile memory cells 29, a nonvolatile first reference cell 3 being reference, and a first sense amplifier 5 reading out data of the memory cell 29 based on an output of the main memory cell 29 and an output of the first reference cell 3.例文帳に追加
記憶部9は、複数の不揮発性メモリセル29を有するメインセルアレイ7と、基準となる不揮発性第1リファレンスセル3と、メモリセル29の出力と第1リファレンスセル3の出力とに基づいてメモリセル29のデータを読み出す第1センスアンプ5とを備える。 - 特許庁
To provide a mobile terminal device and its image display method which can reduce the dissatisfaction of a user by delay from a start of image data reproduction until actual display of the reproduction image, and at the same time, reduce the visual sense of incongruity in a case that display of the reproduction image starts.例文帳に追加
画像データの再生を開始してから実際に再生画像が表示されるまでの遅れによるユーザの不満を低減できるとともに、再生画像の表示が始まるときの視覚的な違和感を低減できる携帯端末装置とその画像表示方法を提供する。 - 特許庁
Cross bar wiring is performed on a memory region, and sharing of a memory can be performed without increasing chip area by arranging a cross bar switch at a sense amplifier region, while many data can be taken out continuously, and a system having high band width can be constituted.例文帳に追加
メモリ領域上にクロスバー配線を行い、且つ、クロスバースイッチをセンスアンプ領域に配置することにより、チップ面積を増加させることなくメモリの共有化が可能となるとともに、連続して多数のデータを取り出すことが可能となり、バンド幅の高いシステムを構成できる。 - 特許庁
A relative angle sensor 24 comprised of first and second photoelectric sensors 16 and 17 and a locational data sensor 25 comprised of third to eighth photoelectric sensors 18-23 are arranged in a detecting member 6 to sense the presence or absence of the corresponding slits 11 and 13 by the photoelectric sensors 16-23.例文帳に追加
検知部材6には第1及び第2光電センサ16,17からなる相対角検出センサ24及び第3〜第8光電センサ18〜23からなる位置データ検出センサ25が配設され、これら光電センサ16〜23によって、それぞれ対応するスリット11,13の有無が検出される。 - 特許庁
A current sense circuit 62 is used for a read amplifier circuit 20 reading data from a memory cell, further, an amplitude limiting section 61 receiving a reference potential Vref is used for the read amplifier circuit 20 to suppress amplitude of a pair of global I/O lines GIOR, /GIOR of which parasitic capacity and parasitic resistance are large.例文帳に追加
電流センス回路62をメモリセルからデータを読出すリードアンプ回路20に用い、さらに、寄生容量および寄生抵抗の大きいグローバルIO線対GIOR,/GIORの振幅を抑えるために参照電位Vrefを受ける振幅制限部61をリードアンプ回路20に用いる。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit with built-in nonvolatile memory allowing data to be electrically erased therefrom and written therein, in which information of propriety is read from a sub-storage area where the information of erasing/writing propriety is stored, through simple circuit constitution without additionally preparing an exclusive sense amplifier.例文帳に追加
データの消去及び書込みを電気的に行うことが可能な不揮発性メモリを内蔵した半導体集積回路において、消去/書込みの可否情報が格納される副記憶領域から、専用のセンスアンプを増設することなく簡単な回路構成によって可否情報を読み出す。 - 特許庁
In the state of reading operation, with timing after the sense amplifier 11 is started and before the data line DL and the bit line BL are connected with each other by the switch 12, the additional capacity C1 and the bit line BL are connected with each other by the switch Qn7.例文帳に追加
読み出し動作状態において差動増幅型センスアンプ11が起動された後であってカラム選択スイッチ12によってデータ線DLとビット線BLとが接続される前に、容量制御スイッチQn7によって付加容量C1とビット線BLとが接続される。 - 特許庁
To provide a color converter that reduces deviation in a hue while preventing production of a sense of granularity on a color image of an output device in the case that gradations of three primary colors are all different in color image data received from an input device and one of the three primary colors takes a maximum gradation value.例文帳に追加
入力デバイスから入力されたカラー画像データをなす3原色の階調が全て異なり且つ3原色の内の1色が最大階調値である場合に、出力デバイスのカラー画像に粒状感の発生を防止しつつ色相のずれを低下させる。 - 特許庁
A sense amplifier SA, whose first end BLS1 is electrically connected to the first bit line, generates one of the first electric potential and the second electric potential at the first end, according to the data contained in the memory cell, and generates the other of the first electric potential and the second electric potential at the second end BLS2.例文帳に追加
センスアンプSAは、第1端BLS1を第1ビット線と電気的に接続され、且つメモリセルが有するデータに応じて第1端に第1電位および第2電位の一方を発生し、且つ第2端BLS2に第1電位および第2電位の他方を発生する。 - 特許庁
To prevent an output sound from a speaker 18 from giving a sense of incongruity to the user of a car radio 10 that can receive both of the programs of a digital audio broadcast DAB and a radio data system RDS (analog audio broadcast) when an RDS program is switched to a DAB program in the car radio 10 receiving the RDS and DAB programs that are simultaneously broadcast.例文帳に追加
DAB・RDS共用カーラジオ10において、DAB(=ディジタルオーディオ放送)とRDS(=アナログオーディオ放送)とでサイマルキャスト中の番組について、RDSからDABへ切替える場合、スピーカ18からの出力音がユーザへ違和感を与えるのを防止する。 - 特許庁
In this DRAM, after amplification of potential difference of non-bit lines (BL_j+1, /BL_j+1) is performed by a sense amplifier (5_j+1), (/BL_j) is driven to a potential in accordance with write-in data for selection memory cells (MC_i,_j).例文帳に追加
本発明によるDRAMでは、非選択ビット線(BL_j+1、/BL_j+1)の電位差の増幅がセンスアンプ(5_j+1)によって行われた後、ライトバッファ(8)によって選択ビット線(BL_j、/BL_j)が選択メモリセル(MC_i,j)への書き込みデータに応じた電位に駆動される。 - 特許庁
In a stage where the storage to the virtual film F is ended, the server 3 outputs photographic data stored in the virtual film F to an external storage medium OM, and opens the storage in the server 3 for reuse, whereby the virtual film F can be used with a disposable sense.例文帳に追加
そして、その仮想フィルムFを撮り終えた段階等で、サーバ3が仮想フィルムFに蓄積した写真データを外部記憶媒体OMに出力し、サーバ3におけるストレージを再利用に供するために解放して、仮想フィルムFを使い捨て感覚で利用することを可能にした。 - 特許庁
When any transistor for a memory cell is selected for reading data, the application state of the voltage of metal wiring adjacent to the metal wiring being connected to a sense amplifier circuit is set equally, thus requiring that a direction flowing to a selected transistor for the memory cell should be controlled.例文帳に追加
メモリセル用トランジスタのいずれを選択して、データの読み出しを行う場合においても、センスアンプ回路に接続される金属配線に隣接する金属配線の電圧の印加状態を同様とするため、選択されたメモリセル用トランジスタに流れる向きを制御する必要がある。 - 特許庁
As minute potential difference can be detected by using a sense amplifier 101 of a differential type for read-out and inputting potentials of a Data line and a DataX line to its input IN+ and IN-, data of a pair of non-volatile memory elements having small difference of threshold values of a depression state in which write-in is shallow and an enhancement state can be read out.例文帳に追加
読み出しには差動型のセンスアンプ101を使用しその入力IN+とIN−にそれぞれData線とDataX線の電位を入力することで、わずかな電位差も検出することができるので、書き込みの浅いすなわちデプレッション状態とエンハンスメント状態のしきい値の差が小さな不揮発性メモリ素子対のデータも読み出し可能となる。 - 特許庁
To provide a communication device, a communication method, and a program that can easily reproduce data matching the stream of a musical piece even when the musical piece varies in tempo like a live performance, make it possible to communicate with another user, and provides the communication with a small sense of incompatibility even when data are reproduced while matching the stream of the musical piece.例文帳に追加
ライブ演奏のように楽曲のテンポの変動があっても、楽曲の流れにあわせたデータの再生を簡単に行うことができるとともに、他の利用者とコミュニケーションをとることも可能にし、楽曲の流れにあわせたデータの再生時においても、違和感の少ないコミュニケーションを行うこともできる通信装置、通信方法およびプログラムを提供すること。 - 特許庁
The recording device is provided with a sensor to sense the duplex printing unit in a printer device body, and constituted to detect whether the duplex printing unit is attached to the printer device, when printing data is received, if the duplex printing unit is not yet attached, the printing process is retained and the retained printing data is printed when the attachment is detected.例文帳に追加
プリンター装置本体に両面印刷ユニットを検知するセンサーを設け、両面印刷ユニットが取り付けられているかどうか検知可能な構成とし、両面印刷を指定した印字データを受信した時点でプリンター装置に両面印刷ユニットが取り付けられていなかった場合は印刷処理を保留し、両面印刷ユニットが取り付けられたことが検知された場合に保留していた印刷データの印刷処理を実行する。 - 特許庁
The semiconductor memory device is provided with a sensing unit including first cross-coupled MOS transistors to sense and amplify difference between voltage applied to a first node and that to a second node, and a unit cell latching data by using second cross-coupled MOS transistor and providing a first signal and a second signal corresponding to the latched data to the first node and the second node.例文帳に追加
本発明の半導体メモリ装置は、第1のクロスカップルされたMOSトランジスタを備え、第1のノード及び第2のノードに印加される電圧の差を検出して増幅するセンシング部と、第2のクロスカップルされたMOSトランジスタを用いてデータをラッチし、ラッチされたデータに対応する第1の信号及び第2の信号を前記第1のノード及び第2のノードに提供する単位セルとを備える。 - 特許庁
This verification system for the printed matters is provided with at least one printer including at least one paper supply source for supplying paper with an electronic data storage device having identification information stored in its inside attached onto the every paper, and a quality control reader adapted to sense the identification information stored in the electronic data storage device of a finished printing job.例文帳に追加
印刷物のための検証システムであって、各々が内部に格納された識別情報を有する電子データ格納デバイスが紙の1枚1枚に取り付けられた紙を供給する少なくとも1つの紙供給源を含む少なくとも1つの印刷装置と、完了した印刷ジョブの前記電子データ格納デバイス内に格納された前記識別情報を感知するように適合された品質管理読取装置と、を備える。 - 特許庁
A flash memory having hierarchical bit line configuration is provided with column reset/bit line test transistor regions 4a commonly to a plurality of cell blocks 3a sharing upper layer bit lines MBL0, MBL1, etc., so that data lines DL connected with sense amplifiers can be selectively disconnected from the upper layer bit lines.例文帳に追加
階層ビット線構成を有するフラッシュメモリにおいて、上層ビット線MBL0,MBL1,…を共有している複数のセルブロック3aに対して共通にカラムリセット兼ビット線テストトランジスタ領域4aを設け、センスアンプが接続されるデータ線DLを上層ビット線から選択的に切り離し得るようにした。 - 特許庁
To gather a plurality of remote sites dispersed on the Internet and respectively providing web service such as an electronic store onto one agent site in a virtual sense, and simply and efficiently avoid waste of duplicating input of user data carried out per each remote site between the remote sites just by an agent site side process.例文帳に追加
インターネット上に分散してそれぞれに電子店舗などのウェブサービスを提供する複数のリモートサイトを一つの代理サイト上に仮想的に集合させるとともに、その代理サイト側の処理だけでもって、リモートサイトごとに行われるユーザデータの入力がリモートサイト間で重複する無駄を簡単かつ効率的に回避させる。 - 特許庁
In this crime prevention system 1 having slave units 2, 3 arranged at a monitoring object position and a master unit 4 for performing monitoring through the slave units 2, 3, when man sensing sensors of the slave units 2, 3 sense presence of a man, the slave units 2, 3 transmits images and sounds to the master unit 4 by radio after converting them into digital data by an encoder.例文帳に追加
監視対象位置に配置される子機2、3と、子機2、3を介して監視を行うための親機4とを有する防犯システム1において、子機2、3の人感センサが人の存在を感知すると、子機2、3は画像と音声はエンコーダによってデジタルデータに変換した後、無線で親機4に送信する。 - 特許庁
After the charge, a selected memory cell is connected to the bit line, the reference bit line is connected to a reference voltage generating circuit, and a voltage differential type sense amplifier amplifies difference voltage between voltage of the bit line decreased by discharge of the selected memory cell and voltage of the reference bit line generated by the reference voltage generating circuit, to thereby read out memory cell data.例文帳に追加
その後、選択されたメモリセルがビット線に導通され、リファレンスビット線が参照電圧生成回路に導通され、電圧差動型センスアンプが、メモリセルの放電により低下するビット線の電圧と参照電圧生成回路によって発生するリファレンスビット線の電圧との差電圧を増幅して、メモリセルデータを読み出す。 - 特許庁
To provide the power consumption reduction system of a digital video recorder (DVR) which operates under a power saving mode to sense an external environmental change when the DVR receives power supply from an incorporated battery, and operates for a long time by differentially utilizing the battery power source through an executing operation when performing an operation for recording the external environmental change in video data.例文帳に追加
DVRが内蔵バッテリーから電源の供給を受ける場合、節電モードで動作して外部環境変化を感知し、映像データに記録する動作を行う時、実行動作によって差等的にバッテリー電源を利用して長期間動作するようにしたDVRの消費電力節減システムを提供する。 - 特許庁
The spare memory part 19 is provided with a spare cell array 17 provided as a spare of the memory cell array 7 having a plurality of nonvolatile spare cells 39, a nonvolatile second reference cell 13 being reference, and a second sense amplifier 15 reading out data of the spare cell 39 based on an output of the spare cell 39 and an output of the second reference cell 13.例文帳に追加
予備記憶部19は、メインセルアレイ7の予備として設けられ複数の不揮発性スペアセル39を有するスペアセルアレイ17と、基準となる不揮発性第2リファレンスセル13と、スペアセル39の出力と第2リファレンスセル13の出力とに基づいてスペアセル39のデータを読み出す第2センスアンプ15とを備える。 - 特許庁
A fixed luminaire 20 has a lighting part 1 with a white light emitting diode which intermittently emits illumination light 19 and a luminaire controller 3 which turns on and off the illumination light 19 at intervals that a human does not sense and sends information data with the on/off illumination light 19.例文帳に追加
固定式照明灯具20は、照明光19をオンオフ可能に出射する白色発光ダイオードを備えた照明部1と、人体に感知されない間隔で照明光19をオンオフさせると共に、情報データをオンオフにより照明光19に含ませる灯具制御装置3とを有している。 - 特許庁
A user sensory quality estimating part 9 estimates the user sensory quality of audio data, based on an audio TS packet loss ratio on the basis of the amount of audio TS packets whose audio levels are determined to exceed a prescribed threshold by a sense loss determining part 6 among the audio TS packets included in loss IP packets.例文帳に追加
ユーザ体感品質推定部9は、知覚損失判定部6により、損失IPパケットに含まれるオーディオTSパケットのうち、オーディオレベルが所定のしきい値を超えていると判定されたオーディオTSパケットの数量に基づくオーディオTSパケット損失率により、オーディオデータのユーザ体感品質を推定する。 - 特許庁
A smell cartridge injected with a predetermined smell is also provided and when virtual reality is realized by the sense of smell, the smell cartridge is set in the printer in place of the print cartridge and print operation is executed depending on the essence of a smell ejected from the smell cartridge based on print data.例文帳に追加
さらに、予め定められた匂いの素が注入された匂いカートリッジが備えられ、嗅覚によるバーチャルリアリティーを実現する際、印刷用カートリッジの代わりに匂いカートリッジを印刷装置に装着し、印刷データに基づいて匂いカートリッジから噴出される匂いの素に応じて印刷を実行する。 - 特許庁
Then, by having sounds emitted on the basis of audio data to which such acoustic processing has been applied, a speaker 500-L and a speaker 500-R are provided close to each other; and even if spread angle from a viewer is small, the viewer can sense, as though the sound image position is expanded.例文帳に追加
そして、このような音響処理がされたオーディオデータに基づいて放音することにより、スピーカ装置1のスピーカ500−Lとスピーカ500−Rとが近い場所に設けられ、聴取者からの見開き角度が狭いものとなっていても、聴取者は、音像位置が拡大したように知覚することができる。 - 特許庁
In this semiconductor storage device, only the sense amplifiers SA1-SAn are activated in the process 2 for the disturbance cell without activating a column system (the switch part YSW4 and input/output control circuit IOC), so that a test time can be shortened as much as no read of the data from the disturbance cell.例文帳に追加
本発明の半導体記憶装置によれば、処理2において、ディスターブセルに対して、カラム系(スイッチ部YSW4、入出力制御回路IOC)を活性化させないで、センスアンプSA1〜SAnのみ活性化させることにより、ディスターブセルからデータを読み出さない分だけ、テスト時間を短縮できる。 - 特許庁
To display characters and images without a visual sense of incongruity even if there are joint parts among a plurality of foldable display pictures in an electronic device such as a portable terminal which has the plurality of foldable display pictures and displays data displayed by being divided it into the plurality of display pictures.例文帳に追加
例えば折り畳み式の複数の表示画面を備え、表示すべきデータを当該複数の表示画面に分割して表示するようにした携帯端末などの電子機器で、折り畳み式にした複数の表示画面間に繋ぎ部がある場合でも、文字や画像を視覚的に違和感なく表示する。 - 特許庁
A nonvolatile semiconductor memory 10 includes a memory cell 11 storing complementary data, complementary bit lines BLT, BLB connected to the memory cell 11, a pre-charge circuit 60 pre-charging the complementary bit line to the prescribed potential, a latch type sense amplifier 70, and a current control circuit 50 connected to the complementary bit lines.例文帳に追加
不揮発性半導体メモリ10は、相補データを記憶するメモリセル11と、メモリセル11に接続された相補ビット線BLT,BLBと、その相補ビット線を所定の電位にプリチャージするプリチャージ回路60と、ラッチ型センスアンプ70と、相補ビット線に接続された電流制御回路50と、を備える。 - 特許庁
In the semiconductor memory device composed of a memory cell array including a plurality of regular memory cells and a plurality of sense amplifier circuits, the memory cell array has regular memory cells MC to be used for write and read operation of desired data and a smoothing capacitor (specifically, dummy cells DMC to be used for smoothing capacitor) for reducing power source noise.例文帳に追加
複数の正規メモリセルを含むメモリセルアレイと複数のセンスアンプ回路からなる半導体記憶装置において、メモリセルアレイには、所望のデータの書込み及び読出し動作に利用する正規メモリセルMCと、電源ノイズを低減するための平滑容量(具体的には平滑容量に利用するダミーセルDMC)を有する。 - 特許庁
To provide algorithm and a data structure for materializing an artificial intelligence defined as "one having a sense of values and intention as a human heart, and of which intellectual thinking ability to perform logical reasoning or experiential learning is materialized by a computer," and a method for implementing divided "human heart" and "character" as function blocks.例文帳に追加
人工知能を「人の心のように価値感や意思を持ちながら、論理的な推論や経験学習を行う知的な思考力をコンピュータで実現したもの」と定義し、これを実現するためのアルゴリズムとデータ構造、および「人間の心」「人格」を機能ブロックとして分割して実装する方法を提供する。 - 特許庁
Since the threshold value of the transistor which has trapped the hole and the electron in the crystal defect fluctuates, the difference in a drain current due to the fluctuation of the threshold values of a NMOS transistor 201 and a NMOS transistor 202 provided in the storage part 200 is detected by a sense amplifying circuit provided in a SRAM part 100 to read the stored data.例文帳に追加
結晶欠陥に正孔又は電子をトラップしたトランジスタは閾値が変化するので、記憶部200が備えるNMOSトランジスタ201とNMOSトランジスタ202の閾値の変化によるドレイン電流の差をSRAM部100が備えるセンスアンプ回路で検出することにより記憶されたデータの読み出しを行う。 - 特許庁
During memory cell data read operation, the selected memory cell and the current reference circuit including the ReRAM reference cell are activated simultaneously, and the current reference circuit is configured to provide a current from the selected memory cell and the reference current from the current reference circuit to a sense amplifying circuit of ReRAM.例文帳に追加
メモリセルデータ判読動作時に、選択されたメモリセルと前記ReRAM基準セルを含む前記電流基準回路が同時に活性化され、ReRAMのセンス増幅器回路は、選択されたメモリセルからの電流と前記電流基準回路からの基準電流が提供されるように構成される。 - 特許庁
In the semiconductor device, a sense amplifier circuit 40 comprises: first and second preamplifier sections 110 and 120 which are connected to a memory cell MC0 and a reference cell MCR0 that have been selected when data are read out; and a main amplifier section 100 for amplifying a difference voltage between an output voltage of the first preamplifier section and an output voltage of the second preamplifier section.例文帳に追加
半導体装置において、センスアンプ回路40は、データ読出時に、選択されたメモリセルMC0および参照セルMCR0と接続される第1、第2のプリアンプ部110,120と、第1のプリアンプ部の出力電圧と第2のプリアンプ部の出力電圧との差電圧を増幅するメインアンプ部100とを含む。 - 特許庁
A security system in this context means not only the narrow sense, such as the use of a firewall and the encryption of any transmitted data, but also the manner in which customer information is managed, including a system that may prevent users from setting a password that may be easily predicted by third parties if it is used as a method of identification. Where the user is an actual consumer, he may himself/herself be unable to fully evaluate how reasonable a security system is. 例文帳に追加
なお、ここでいうセキュリティの内容としては、ファイアーウォールの設置、データ送信の暗号化など狭義のシステム上の問題にとどまらず、顧客情報の管理等のあり方、ID・パスワードによる本人確認を行う場合に他人から推測されやすいパスワードの設定を防止する仕組み等も含まれる。 - 経済産業省
The page buffer circuit includes a sense amplification unit, configured to compare a reference voltage with a bit line voltage changed, based on a program state of a selected memory cell connected to the bit line of a selected memory block and to amplify a sensing node based on a difference, and a plurality of latch circuits configured to latch program verification data according to the voltage level of the sensing node.例文帳に追加
基準電圧と、選択されたメモリブロックのビットラインに連結された選択されたメモリセルのプログラム状態によって変更されるビットライン電圧を比較し、その差によってセンシングノ−ドを増幅するセンシング増幅部と、前記センシングノ−ドの電圧レベルによってプログラム検証データをラッチする複数のラッチ回路と、を含む。 - 特許庁
When the data stored in the memory cell 212 is detected, the bit line pair connected to the sense amplifier 203 is precharged to a predetermined potential, and then one of the bit lines of the bit line pair is connected to the memory cell 212, and a potential of the other bit line is set to a reference potential by connection of the bit line to the potential generation part 25 to move charges.例文帳に追加
メモリセル212に記憶されるデータを検出するとき、センスアンプ203に接続されたビット線対は予め定めた電位にプリチャージされた後、ビット線対のいずれか一方のビット線がメモリセル212と接続される共に、他方のビット線の電位は、当該ビット線が電位生成部25に接続されて電荷が移動しリファレンス電位となる。 - 特許庁
To prevent key loss and picking of a temporary storage locker and a strong box or prevent an accident and a trouble caused by forgetting of a code number and theft of a code number, to eliminate participation of a manager in the accidents or troubles, and to eliminate sense of resistance of a user caused by remaining of living body feature pattern data, such as fingerprints and veins, in a device.例文帳に追加
一時預けロッカーおよび貴重品ボックスの鍵の紛失やピッキング事故あるいは暗証番号の失念や暗証番号の盗難による事故や事件を防止し、これらの事故事件への管理者の係わりをなくし、指紋静脈等生体特徴パターンデータが装置内に残ることの利用者が抱く抵抗感を払拭する。 - 特許庁
Data read through a main bit line MBL from a memory block 2 having a memory cell array constituted of a dynamic type storage element are amplified by a sense amplifier circuit and latched by a latch circuit 12, and only one of outputs from a plurality of tristate buffers 13 to receive the output of the latch circuit is set so as to become a state to be outputted.例文帳に追加
ダイナミック型記憶素子からなるメモリセルアレイを有するメモリブロック2からメインビット線MBLを通して読み出されるデータを、センスアンプ回路11で増幅してラッチ回路12でラッチし、ラッチ回路の出力を入力とする複数のトライステートバッファ13からの出力のうち、一つのみを出力可能状態に設定する。 - 特許庁
A sense amplifier, connected to the first bit line and the second bit line via a transistor for a switch, when the transistor is in an ON state, reads data stored in the memory cell by comparing electric charge accumulated in the first bit line and the second bit line by polarization for the first and the second ferroelectric capacitor for the memory cell chosen in the memory cell block.例文帳に追加
センスアンプは、スイッチ用トランジスタを介して第1及び第2のビットラインに接続され、トランジスタがオン状態となったときに、メモリセルブロックにおいて選択されたメモリセルの第1及び第2の強誘電体キャパシタの分極によって第1及び第2のビットラインに蓄積される電荷を比較することにより、メモリセルに格納されているデータを読み出す。 - 特許庁
Sensors 22-1-22-3 sense a motion of each actuator, each robot controller 20 transmits the motion to the multi-point connector 10, where ranking is made, the result is sequentially transmitted to the server 11 without crosstalk, the server 11 monitors the motion, transmits data to correct a defect as required, and each robot controller 20 rebuilds up its own program.例文帳に追加
各アクチュエータの動きは各々のセンサ22−1〜22−3により検出されロボット制御装置10を介して多地点接続装置10へ送られ、順位付けが行われ、混信しないように順次サーバ11へ送られ、サーバ11で監視され、必要に応じて不具合修正のデータを送出し、自己のプログラムを再構築する。 - 特許庁
To obtain a DRAM semiconductor memory in which a high speed operation can be realized which securing operation margin by dissolving the restriction of connection relation between a pair of bit lines and a pair of data buses by a column selection gate in a DRAM of a direct sense system, and optimizing independently the internal timing control at the read-out and the internal timing control at the time of write-in.例文帳に追加
ダイレクトセンス方式のDRAMにおけるコラム選択ゲートによる、ビット線対とデータバス対との接続関係の制約を解消するとともに、読み出し時の内部タイミング制御と書き込み時の内部タイミング制御とを独立して最適化することで、動作マージンを確保しながら高速動作を実現できるDRAM半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
The read circuit 30 has a sense amplifier circuit 40 to detect a data value stored in a memory cell transistor 10 based on a current Icell flowing in the memory cell transistor 10 and a reference current Iref flowing in a dummy cell transistor 20, and a voltage control circuit 60 to supply a 1st voltage V1 to the gate of the dummy cell transistor 20.例文帳に追加
読み出し回路30は、メモリセルトランジスタ10に流れる電流Icellとダミーセルトランジスタ20に流れる基準電流Irefとに基づいて、メモリセルトランジスタ10に格納されたデータ値を検出するセンスアンプ回路40と、ダミーセルトランジスタ20のゲートに第1電圧V1を供給する電圧制御回路60とを備える。 - 特許庁
This semiconductor memory device includes a memory cell, a signal line in which a potential appears according to data read from the memory cell, and a sense amplifier for starting the potential amplification of the signal line in response to a potential detection circuit for outputting a detection signal, and the detection signal upon detection that the potential of the signal line exceeds a predetermined potential.例文帳に追加
半導体記憶装置は、メモリセルと、メモリセルから読み出すデータに応じた電位が現れる信号線と、信号線の電位が所定の電位を超えたことを検出すると検出信号を出力する電位検出回路と、検出信号に応答して信号線の電位の増幅を開始するセンスアンプを含むことを特徴とする。 - 特許庁
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