「That's the main gate.」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Alternatively, the height of the upper surface of the element separation insulating film 24 between the adjacent source line contacts is higher than that of the main surface of the semiconductor substrate 23 in an element region between the second selection gate transistor and source line contact.例文帳に追加

或いは隣接するソース線コンタクトの間の素子分離絶縁膜24の上面の高さは、第２の選択ゲートトランジスタとソース線コンタクトとの間の素子領域における半導体基板23の主表面の高さより高い。 - 特許庁

The main MOSFET 1a and the sub-MOSFET 3a are interconnected at their source terminals s and gate terminals g, the external diodes 5 are interconnected at the same polarity as that of the body diode 2a, and the main MOSFET 1a and the sub-MOSFET 3a are simultaneously switch-controlled by a drive circuit 6a.例文帳に追加

主及び従ＭＯＳＦＥＴ１ａ，３ａはソース端子ｓ同士、ゲート端子ｇ同士が接続され、ボディダイオード２ａと同極性に外付けダイオード５が接続されるとともに、駆動回路６ａにより主及び従ＭＯＳＦＥＴ１ａ，３ａが同時にスイッチング制御される。 - 特許庁

Then, in the case that the output signals of the electromagnetic wave detector 101 are at the H level, the main CPU 112 of the main board 100 invalidates the entry (game result) of game balls to a normal pattern operation gate 26, a first kind start port 27, respective winning ports 24, 29, 31 and 41 and a specified area 42 and controls a game.例文帳に追加

そして、主基板１００のメインＣＰＵ１１２は、電磁波検出装置１０１の出力信号がＨレベルの場合には、普通図柄作動ゲート２６、第１種始動口２７、各入賞口２４，２９，３１，４１、特定領域４２への遊技球の入賞（遊技結果）を無効として遊技を制御する。 - 特許庁

The grounds of Chion-in Temple are divided into a lower section that includes the Sammon gate and sub-temples, a middle section where the central monastery such as the main hall (Miei-do) is located, and an upper section in which structures such as the Seishi Hall and Honen's tomb are situated. 例文帳に追加

知恩院の境内は、三門や塔頭寺院のある下段、本堂（御影堂）など中心伽藍のある中段、勢至堂、法然廟などのある上段の3つに分かれている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The tile-roofed Todai-mon Gate was built in 1190 and subsequently went through major repair work around the same time that the raido hall in the main hall was constructed in the early Modern era. 例文帳に追加

入母屋造、瓦葺きで、建久元年（1190年）の建立だが、本堂の礼堂が建立されたのと同時期の近世初期に大幅な修理を受けている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The other transistor 62 is a detection resistance transistor which is connected between the voltage division point M and a source terminal of the main switch 22, and whose gate terminal is connected to a bias voltage so that the detection resistance transistor is always on.例文帳に追加

他のトランジスタ６２は、分圧点Ｍと主スイッチ２２のソース端子との間に接続され、ゲート端子がバイアス電圧に接続されて常時オンする検出抵抗トランジスタである。 - 特許庁

To solve the problems of the size of the gate circuit of an inverter becoming large and that its cost rising in the inverter which has a main circuit arm consisting of a rectifier part and an inverter part structured with self-arc- extinguishing switching elements.例文帳に追加

順変換部と逆変換部の主回路アームを自己消弧形スイッチング素子とするインバータでは、そのゲート回路が大型化およびコストアップになる。 - 特許庁

From the viewpoint of architectural history, it is said that a main gate facing the south and two auxiliary gates facing the east and west, respectively, as provided for temples in ancient times, were called Sanmon. 例文帳に追加

建築史的見解では、初期の寺院の門構えは南面する正門、東西二つの副門から構成されており、これを称して三門と呼んだという。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In a state that the silicon substrate 1 is covered with an insulating film 11, a first metal film 31 having a first metal material as a main component is formed so as to cover the gate electrode 5 exposed from the insulating film 11.例文帳に追加

シリコン基板１上を絶縁膜１１で覆った状態で、絶縁膜１１から露出させたゲート電極５を覆ように第１金属材料を主成分とする第１金属膜３１を成膜する。 - 特許庁

The main current path and the gate driving current path are connected as they are separated from each other, so that the power MOS-FET 1 is less affected by parasitic inductance and can be improved in voltage conversion efficiency.例文帳に追加

主電流経路とゲート駆動用経路とを分離して接続することにより、寄生インダクタンスの影響を低減し、電圧変換効率を向上することができる。 - 特許庁

Entering the main Nio-mon gate with a frame of 'Wutaishan' hanging; straight ahead is the main hall (Shaka Hall) housing the statue of Shaka Nyorai and to the east of the main hall is Amida Hall that once housed the former Seika-ji Temple principal image Amida Sanzon (now within in Reihokan), which, contrary to custom, is situated so that the statue would have been facing westward. 例文帳に追加

「五台山」の額が掛かる仁王門を入ると、正面に三国伝来の釈迦像を安置する本堂（釈迦堂）があり、本堂の東側には、旧棲霞寺本尊の阿弥陀三尊像を安置していた（現在は霊宝館に安置）阿弥陀堂が、通例の阿弥陀堂とは逆に、本尊が西を向く形で配置されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The thermoplastic resin composition containing PPS or PBT as a main component is injection-molded from a gate 10 to the surface so that a thermoplastic resin molding 4 is joined firmly.例文帳に追加

その表面に対してＰＰＳ又はＰＢＴを主成分とする熱可塑性樹脂組成物をゲート１０から射出成形することで、熱可塑性樹脂成型物４が強固に接合される。 - 特許庁

In the liquid crystal display device, the main liquid crystal panel is provided with a first gate line group and a first data line group in a first display region and so constituted that a first video is displayed.例文帳に追加

液晶表示装置において、メイン液晶パネルは第１表示領域に第１ゲートライン群と第１データライン群とを具備して第１映像を表示する。 - 特許庁

The lateral IBGT1 that is a main switching element controllable by gate voltage and a current detection lateral IBGT10 are connected in parallel.例文帳に追加

ゲート電圧により制御可能な主スイッチング素子である横型ＩＧＢＴ１と、電流検出用横型ＩＧＢＴ１０とが並列に接続されている。 - 特許庁

Further, since the use section extends over a plurality of toll road company, a toll for use is adjusted by every toll road company, so that a main toll gate where each toll road company is installed is not needed to dissolve a traffic jam.例文帳に追加

さらに、 利用区間が複数の有料道路会社にまたがっても有料道路会社毎に利用料金が精算されるので、各有料道路会社が設置してある本線料金所は不要になり渋滞が解消される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of resolving a problem that a gate oxide film is not good by removing a nitride film by only a main process without carrying out a sample process in a process to remove the nitride film remained in a cell area.例文帳に追加

セル領域に残留する窒化膜を除去する工程でサンプル工程を行わず、メイン工程のみで窒化膜を除去することにより、かかる問題点を解決することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a gate valve wherein a weak force is made to act on a main valve element when moved toward an upper end position and a strong force is made to act on the main valve element when located at the upper end position so that no damage is given to a human body when a part of the human body is caught between the main valve element and an opening portion.例文帳に追加

ゲートバルブにおいて、主弁体と開口部との間に人体の一部が挟まっても怪我をしないようにするため、主弁体が上端位置に向かって移動するときは主弁体に弱い力が作用し、主弁体が上端位置にあるときは主弁体に強い力が作用するようにすることを課題とする。 - 特許庁

A level of a detection voltage Vin corresponding to magnitude of a drain current of a main MOSFET Mm that is a target of overcurrent detection is shifted by the level shift voltage Vls, and it is applied to a gate terminal of the FET M03 that is one input of the differential amplifier part.例文帳に追加

このレベルシフト電圧Ｖｌｓで、過電流検出の対象であるメインＭＯＳＦＥＴＭｍのドレイン電流の大きさに対応する検出電圧Ｖｉｎのレベルをシフトさせて、当該差動増幅部の一方の入力であるＦＥＴＭ０３のゲート端子に印加する。 - 特許庁

According to Act 5 of "Tales of Ise," the time when ARIWARA no Narihira and a niece of Nobuko, FUJIWARA no Takaiko fell in love in secrecy was when Takaiko lived in this residence and before she was sent to court to marry the emperor, so as Narihira could not enter the house from the main gate, it seems that he crept into the house from a the torn wall or a hole a kid kicked down and made (...as he could not enter the house from the gate, he sneaked in from part of a collapsed wall made by a child). 例文帳に追加

『伊勢物語』第五段によると在原業平と順子の姪である藤原高子が密かに恋に落ちたのは、高子が入内前、この邸にいた時で、門からは入れない業平は、子どもが踏みあけておいた塀の崩れから忍び込んだらしい（「…門よりもえ入らで、童べの踏みあけたる築地のくづれより通ひけり」）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A field-effect transistor has: a gate insulating film 22; an oxide semiconductor layer 14 containing main constituent elements of Sn, Zn, and O, or Sn, Ga, Zn, and O as an active layer; and an oxide intermediate layer 16 arranged between the gate insulating film 22 and the oxide semiconductor layer 14 and having a resistivity higher than that of the oxide semiconductor layer 14.例文帳に追加

ゲート絶縁膜２２と、活性層としてＳｎ,Ｚｎ及びＯ、又はＳｎ,Ｇａ,Ｚｎ及びＯを主たる構成元素とする酸化物半導体層１４と、ゲート絶縁膜２２と酸化物半導体層１４との間に配置され、酸化物半導体層１４よりも抵抗率が高い酸化物中間層１６と、を有する。 - 特許庁

At the Battle of Ichinotani, which took place on February 5, 1184, MINAMOTO no Noriyori led an Ote army (an army that attacks from the front side) and marched toward his enemy (probably the main force of this army was 30,000 soldiers led by Noriyori at the battle of Uji-gawa River), at the same time, MINAMOTO no Yoshitsune led troops to the rear gate with 10,000 soldiers. 例文帳に追加

寿永3年（1184年）2月5日に始まった一ノ谷の戦いでは、源範頼は大手軍を率いて進軍し（宇治川の戦いで率いた3万の兵士を基幹としたと思われる）、また源義経は1万の搦手軍を率いて進軍した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

When the voltage at the node N4 changes sharply, the inductor 8 is turned into a high impedance state and a delay is generated by the capacitor 7 in that state, causing the gate-to-source voltage Vgs of the main switching element 9 to change smoothly.例文帳に追加

ノードＮ４の電圧が急峻に変化すると、インダクタ８が高インピーダンス状態となり、その間にコンデンサ７によって遅延を発生させるので、主スイッチング素子９のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが滑らかに変化する。 - 特許庁

When the flap 11 is turned, the gate main body 10 determines whether or not the flap 11 is turned artificially, and if it is determined that the flap 11 is turned artificially, turns the flap 11 to close a coming in and leaving out passage W when the sensor 12a has not detected any person already.例文帳に追加

そして、フラップ１１が回転されたときに、人為的に回転されたか否かを判定して、人為的に回転されたと判定した場合は、上部通過検出センサ１２ａが人を検出しなくなった時点で、フラップ１１を回転させて入退出通路Ｗを閉鎖する。 - 特許庁

From the diagram, we know that Kozan-ji Temple originally consisted of a large outer gate, a main hall, a three-storied pagoda, an Amitabha hall, an Arhat hall, a bell tower, a scripture hall, and a Shinto shrine dedicated to the tutelary deity of the area, but all of these buildings have since been destroyed with he exception of the 'scripture hall,' which is now known as 'Sekisui-in.' 例文帳に追加

それによると、当時の高山寺には、大門、金堂、三重塔、阿弥陀堂、羅漢堂、鐘楼、経蔵、鎮守社などがあったことが知られるが、このうち、当時「経蔵」と呼ばれた建物が「石水院」として現存するほかは、ことごとく失われている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The height of the upper surface of an element separation insulating film 24 between an adjacent data transfer line contacts is higher than that of the main surface of a semiconductor substrate 23 in an element region between the first selection gate transistor and data transfer line contact.例文帳に追加

隣接するデータ転送線コンタクトの間の素子分離絶縁膜24の上面の高さは、第１の選択ゲートトランジスタとデータ転送線コンタクトとの間の素子領域における半導体基板23の主表面の高さより高い。 - 特許庁

The pump casing 11 is connected to an opening part 9a of a connection pipe 9 provided on the gate door main body 8 facing at a lowering end position along the guide pipes 13 under a condition that an opening part 11a of the pump casing 11 is connected.例文帳に追加

ポンプケーシング１１はガイドパイプ１３に沿った下降端位置で対峙するゲート扉本体８に備えられた連通管９の開口部９ａに対してポンプケーシング１１の開口部１１ａが連通状態に自動的に接続される。 - 特許庁

A rope stretched across the main gate and a policeman by it kept out the curious, but little boys soon discovered that they could enter through my yard, and there were always a few of them clustered open-mouthed about the pool. 例文帳に追加

正面門にはロープが張られ、警官がひとりそのそばにたって野次馬たちを締め出していたけれど、子どもたちはすぐにぼくの家の庭から入りこめることに気づいて、そうした子どもたちが、いつも何人か一塊になってプールのそばでぽかんと口をあけていた。 - F. Scott Fitzgerald『グレイト・ギャツビー』

Each of the memory cells 50 in the nonvolatile semiconductor storage device comprises an n-type source region 16a and a drain region 16c that are formed on the main surface of a semiconductor substrate 1; and stack gate electrodes 37a, 37b mutually independently formed on the main surface of the semiconductor substrate 1 sandwiched between the source and drain regions 16a, 16c.例文帳に追加

本発明の不揮発性半導体記憶装置におけるメモリセル５０の各々は、半導体基板１の主表面に形成されたｎ型のソース領域１６ａおよびドレイン領域１６ｃと、ソース領域１６ａとドレイン領域１６ｃとに挟まれる半導体基板１の主表面上に、互いに独立して形成されたスタックゲート電極３７ａ、３７ｂとを備えている。 - 特許庁

A monument to Rikyu's residence was erected in Seimei-jinja Shrine in Kamigyo-ku, Kyoto, and it is also said that Rikyu had residences called "Mozuno Yashiki" at Mozuno in Sakai city, "Daibutsu Yashiki" in front of Higashiyama Daibutsu, "Daitoku-ji Yashiki" in front of the main gate of the Daitoku-ji Temple and "Yamazaki Yashiki" at Yamazaki, Shimamoto-cho, Osaka. 例文帳に追加

京都市上京区の晴明神社内に利休屋敷跡の碑が建つほか、堺の百舌鳥野に「もずの屋敷」、京都五条堀川辺りに「醒ヶ井屋敷」、同じく東山大仏前に「大仏屋敷」、大徳寺門前に「大徳寺屋敷」、大阪府島本町山崎に「山崎屋敷」を構えていたと伝えられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

When a vehicle is not allowed to pass through a gate by authentication processing with a second road side machine (N in S14), an inter-vehicle communication part receives a command from a main control part, and transmits information to the following vehicle to notify that authentication failure is received from the second road side machine (S18).例文帳に追加

第２の路側機との認証処理により通行不可である旨の通知があると（Ｓ１４のＮ）、車輌間通信部は、主制御部からの指令を受け、後続車輌に対して通行不可である旨の認証を第２の路側機から受けたことを知らせる情報を第２のアンテナから送信する（Ｓ１８）。 - 特許庁

When a line synchronization signal LSYNC and an auxiliary scan gate signal FGATE are inputted, a main scan reference signal LSTART and an auxiliary scan reference signal START showing start of an effective pixel are created, and the reference signals are inputted in an image processing block in the similar way to that for an image signal PIXEL.例文帳に追加

ライン同期信号ＬＳＹＮＣと副走査ゲート信号ＦＧＡＴＥが入力されると、有効画素の始まりを示す主走査基準信号ＬＳＴＡＲＴと副走査基準信号ＦＳＴＡＲＴを生成し、その基準信号を画像信号ＰＩＸＥＬと同様に画像処理ブロックに入力する。 - 特許庁

To solve a problem that in a conventional fraudulent vehicle detection device in a toll road, an ETC (electronic toll collection system) lane is a main target, and a fraudulent vehicle cannot be detected in a manned entrance/exit gate other than the ETC lane.例文帳に追加

従来の有料道路における不正車両検出装置は、主にＥＴＣ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｔｏｌｌ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ）レーンを対象としており、ＥＴＣレーン以外の有人式の出入口ゲートにおいては、不正車を検出することができない。 - 特許庁

The number of lines of wirings from gate decoders to sub-decoders which is a factor of determination of layout area is decreased and layout area of X system peripheral circuits is reduced by constituting so that sub-decoders 30 of one block being a control unit of bit lines are controlled by two main decoders 10.例文帳に追加

ビット線の制御単位である１ブロック分のサブデコーダ３０を２個のメインデコーダ１０で制御する構成とすることにより、レイアウト面積の決定要因となっていたゲートデコーダからサブデコーダへの配線ＳＧの本数を減らし、Ｘ系周辺回路のレイアウト面積を低減する。 - 特許庁

Voltage boosting circuits 13, 14 for boosting clock voltages PH3, Ph4 so that a voltage fed to auxiliary pump capacitors Cs1-Csn connected to each gate of main transfer Nch transistors T11-T1n is made to be higher than clock voltages PH1, PH2 fed to a main pump capacitor arranged according to the Nch transistors T11-T1n is provided.例文帳に追加

主転送用のＮｃｈトランジスタＴ１１〜ＮｃｈトランジスタＴ１ｎのゲートに接続されている補助ポンプ用のキャパシタＣｓ１〜Ｃｓｎに供給する電圧が、ＮｃｈトランジスタＴ１１〜ＮｃｈトランジスタＴ１ｎに対応して設けられた主ポンプ用のキャパシタに供給するクロック電圧ＰＨ１，ＰＨ２より高くなるように、クロック電圧ＰＨ３，ＰＨ４を昇圧する昇圧回路１３，１４を設ける。 - 特許庁

To provide a feedforward amplifier that can solve a problem in a conventional feedforward amplifier which has increased the power consumption to set a high gate bias voltage to a main amplifier and an auxiliary amplifier at the time of input of a low level signal and that has a trade-off between distortion and power consumption at a low input level so as to decrease the gate bias voltage thereby reducing the power consumption.例文帳に追加

従来のフィードフォワード増幅器では、低レベル信号入力時に主増幅器と補助増幅器のゲートバイアス電圧を高くするため消費電力が増大してしまうという問題点があり、低入力レベルの場合の歪と消費電力とをトレードオフすることによりゲートバイアス電圧を低くしてアイドル電流を低下させ、消費電力を低減することができるフィードフォワード増幅器を提供する。 - 特許庁

The control circuit has a sub charge pump circuit that is connected to the input end at one end and connected to a second output end at the other end and converts the voltage level of the input voltage so as to output the voltage to the second output end, and a level shift circuit for switching whether to allow conduction between the second output end and at least one gate of the plurality of main transistors.例文帳に追加

前記制御回路は、一端で前記入力端に接続され、他端で第２出力端に接続され、前記入力電圧の電圧レベルを変換して前記第２出力端に出力する、サブチャージポンプ回路と、前記第２出力端と、前記複数のメイントランジスタのうちの少なくとも一つのゲートとの間を導通させるか否かを切り替える、レベルシフト回路とを備えている。 - 特許庁

The gate driver IC chip and the pre-driver IC chip of the drive unit for the brushless motor are integrated by epoxy mold resin into one high withstand voltage pre-driver IC, whereby it is made into such simple constitution that the main components on a printed wiring board being the embodiment of the drive unit are only the above high withstand voltage pre-driver IC, a MOSFET, and peripheral passive parts.例文帳に追加

ブラシレスモータの駆動装置のゲートドライバＩＣチップとプリドライブＩＣチップをエポキシモールド樹脂で一体成型し、１つの高耐圧プリドライブＩＣとしたことで、駆動装置の具現化であるプリント配線板上の主要部品は、前記高耐圧プリドライブＩＣ並びにＭＯＳＦＥＴと周辺受動部品だけという簡単な構成とした。 - 特許庁

A di/dt feedback part 23 of the semiconductor element driving circuit 13 generates a feedback voltage VFB based on temporal change, or a time differential value dIc/dt, of a collector current Ic of the IGBT 11 that is a main current of the electronic circuit 1, and adds the feedback voltage VFB to the gate-emitter voltage Vge of the IGBT 11 as a part of it.例文帳に追加

半導体素子駆動回路１３のｄｉ／ｄｔ帰還部２３は、電子回路１の主電流であるＩＧＢＴ１１のコレクタ電流Ｉｃの時間的変化、即ち時間微分値ｄＩｃ／ｄｔに基づき帰還電圧ＶＦＢを生成し、ＩＧＢＴ１１のゲート−エミッタ間の電圧Ｖｇｅの一部として加算する。 - 特許庁

The plate-like source electrode 50s and the plate-like gate electrode 50g are provided with a main-surface electrode connection 53 that is comprised of a first connection 54a and a second connection 54b with different thicknesses, thus processing large current for a short time as well as reducing the generation of chip cracks when mounting the semiconductor chip.例文帳に追加

かかる板状ソース電極５０ｓ、板状ゲート電極５０ｇは、その主面電極接続５３の構成を、厚さの異なる第１接続部５４ａ、第２接続部５４ｂから構成し、短時間での大電流の処理と、半導体チップの搭載に際してのチップクラックの発生の低減とを両立した構成とする。 - 特許庁

To provide a flip-up type gate that can eliminate a disadvantage such as an accident caused by a forward projection of a door and widen a usable space inside the door by minimizing the projection, and can offer more reliable opening/closing motion of the door by opening/closing the door without crossing main arms and auxiliary arms.例文帳に追加

扉の前方へのせり出しをできるだけなくし得て、せり出しに起因する事故等の不都合をなくし、扉内の利用空間を広くでき、更に、主アームと補助アームとを交差させることなく扉の開閉動作を行うことができ、而して、扉のより確実な開閉動作を行い得る跳ね上げ式門扉を提供すること。 - 特許庁

The trench gate type semiconductor device is characterized in that adjacent first and second regions are formed between adjacent insulating gates and a third semiconductor layer in the second region is electrically connected to a first main electrode via an insulating body with a high electric capacity.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明のトレンチゲート型半導体装置は、隣り合う絶縁ゲートの間に形成された領域であって、互いに隣接する第１領域及び第２領域の前記第２領域における第３半導体層が、大きな電気的容量を持つ絶縁体を介して第１主電極に電気的に接続されていることを特徴とする。 - 特許庁