V-Inの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8949件
Amplifiers 372 and 373 amplify both color-difference signals U and V with that amplification factor α. Since the I/O characteristics of the color-difference signals U and V become nonlinear where the inclination decreases gradually as the variable β increases, saturation can be enhanced sufficiently in low saturation regions while suppressing saturation in high saturation regions.例文帳に追加
色差信号U,Vの入出力特性が、前記変数βが大きくなるに従いその傾きが徐々に減少する非線形特性となり、高彩度域での飽和を抑えつつ、低彩度域に十分な強調を行うことができる。 - 特許庁
The explosion-proof valve 2 includes: a V-shaped slot 15 recessed and formed like straddling legs in the front and rear directions by positioning its center bending part 15a at the center part in the front and rear direction of the principal surface wall 6a; and a thin wall 16 formed by the V-shaped slot 15.例文帳に追加
防爆弁2は、中央屈曲部15aが前記主面壁6aの前後方向中央部位に位置して前後方向に開脚するよう凹み形成したV字形の溝15と、このV字形溝15によって形成される肉薄壁16とを含む。 - 特許庁
(v) The items shall be listed by name, as specified in Article 58 (1)(v) of the Rules for Calculation of Investment Trust Assets, with respect to investment trust beneficiary certificates (excluding mother fund beneficiary certificates, hereinafter the same shall apply in (2)), mother fund beneficiary certificates and investment corporation investment certificates 例文帳に追加
⑤ 投資信託の受益証券(親投資信託の受益証券を除く。(2)において同じ。)、親投資信託の受益証券及び投資法人の投資証券につき、銘柄ごとに、投資信託財産計算規則第58条第1項第5号に掲げる事項 - 金融庁
To provide a method for manufacturing a self-supporting substrate of a group III-V nitride-based semiconductor suitable for the epitaxial growth of a group III-V nitride-based semiconductor, in consideration of that variation of off-angle in the substrate face exists when a nitride-based crystal substrate is manufactured.例文帳に追加
窒化物系結晶基板の製造の際に基板面内にオフ角のばらつきが存在していることを考慮した上で、III−V族窒化物系半導体エピタキシャル成長用に好適なIII−V族窒化物系半導体自立基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
This manufacturing method comprises adjusting substrate voltage applied between a vacuum chamber and a substrate by lowering and then increasing it in a range of -20 V to -300 V continuously and/or stepwisely in a process of forming the TiAl alloy film.例文帳に追加
TiAl化合物膜形成工程中に該真空容器と該基材間に印加する基材電圧を−20V〜−300Vの範囲で連続的および/または段階的に降下させたのち上昇させるという調整を行いTiAl化合物膜を被覆した。 - 特許庁
Two support stays S, S in fitting means H are extended to the outside through stay penetrating holes 67, 67 opened at the lower surface of the headrest skin C with the upper parts thereof respectively fixed to stay fixing means V, V provided to be spaced in the lateral direction from the headrest core B.例文帳に追加
取付手段Hにおける2本の支持ステーS,Sは、ヘッドレストコアBに横方向に離間して設けたステー固定手段V,Vに上部が夫々固定され、ヘッドレスト表皮Cの下面に開設したステー挿通孔67,67を介して外部に延出する。 - 特許庁
In this impeller structure of the pump, a plurality of grooves 40 are arranged with spaces in its rotational direction E on an inner peripheral surface 22a of the suction port mouth part 22, and the grooves 40 are constituted of any of a vertical groove 40A extending in the orthogonal direction to the rotational direction E or a horizontal V-shaped groove 40B opened forward in a V shape in the rotational direction E.例文帳に追加
吸入口マウス部22の内周面22aに、その回転方向Eに間隔をあけて複数個の溝40を設け、該溝40は、回転方向Eと直交方向に延びた縦溝40A、或いは、回転方向E前方に向かってV字形状に開いた横V字溝40Bのいずれかで構成されているポンプの羽根車構造である。 - 特許庁
In the case wherein shift is changed to a position R (YES in S102) during the travelling in a position D (YES in S100) and vehicle speed V is higher than V(1) (YES in S104), an ECU executes reverse inhibit control for setting an automatic transmission to a neutral condition (S108).例文帳に追加
ECUは、Dポジションでの走行中(S100にてYES)、Rポジションに切り換えられると(S102にてYES)、車速VがV(1)よりも高い場合(S104にてYES)、オートマチックトランスミッションをニュートラル状態とするリバースインヒビット制御を実行し(S108)、車速VがV(1)よりも低下すると(S110にてYES)、リバースインヒビット制御を停止する(S112)。 - 特許庁
In this compound semiconductor device, a III-V compound semiconductor layer is provided with a laminated structure, in which a second compound semiconductor layer which does not containing In but contains N is laminated on a first compound semiconductor layer which does not contain N but contains In, and the laminated structure is constituted by forming an intermediate layer, containing neither In or N between the first compound semiconductor layer and the second compound semiconductor layer.例文帳に追加
化合物半導体装置において、III−V族化合物半導体層が、Inを含みNを含まない第1の化合物半導体層上にInを含まずNを含む第2の化合物半導体層が積層された積層構造を含み、前記積層構造は、前記第1の化合物半導体層と前記第2の化合物半導体層との間に、InおよびNを含まない中間層が形成されてなることを特徴とする。 - 特許庁
In the aperture for incident angle adjustment 1, two sets of members 2 which are formed of graphite plates and in which grooves in V shapes are made are combined and bonded, and an opening 3 of a high aspect ratio is constituted.例文帳に追加
入射角調整用アパーチャ1は、グラファイト板からなる部材2にV字の溝を彫り込んだものを、2枚組み合わせて接合し、アスペクト比の高い開口3を構成している。 - 特許庁
The guard net 11 is formed in a shallow V-groove shape bent in a recessed shape toward the traveling cable 8 side in a plan view, and is fixedly supported to a guide rail 14 through guard net fixtures 12.例文帳に追加
保護網11は平面視にてテールコード8側に向かって凹状に屈曲した浅いV溝形状のもので、保護網固定具12を介してガイドレール14に固定支持させてある。 - 特許庁
A first conveying roller device 33 and a second conveying roller device 34 are disposed in an arrangement sandwiching the pipe as a workpiece and in an approximately V-shape in a state having an opened upper side.例文帳に追加
第1搬送ローラ装置33と第2搬送ローラ装置34とがワークとしてのパイプを挟む配置でかつ上側が開放された状態の概略V字状に配置されている。 - 特許庁
In this way, a pixel control signal vSEL in a V direction is controlled to reset storage electronic charges of only pixels in an arbitrary region by the signal SSOUT.例文帳に追加
これにより、V方向の画素選択信号vSELを制御し、任意の領域の画素だけの蓄積電荷が電子シャッタスキャナ出力信号SSOUTによってリセットされるようにする。 - 特許庁
To limit peripheral velocity of a V-belt within a limitation value when operating an acceleration pedal in the condition wherein a clutch is disconnected, in regards to a continuously variable transmission provided with the clutch in an output shaft system.例文帳に追加
出力軸系にクラッチを設けた無段変速機において、クラッチが断状態でかつアクセルペダルを踏み込んだ時にVベルトの周速度を限界値以内に制限する。 - 特許庁
A torsion beam is formed in a substantially V-shaped section while an intermediate portion 21 in the axial direction is squeezed, and provided with an outer wall 21a and an inner wall 21b in the intermediate portion 21.例文帳に追加
トーションビームは、軸線方向中間部21を押し潰して略V字状の横断面に形成されて、同中間部21にて外側壁21aおよび内側壁21bを備える。 - 特許庁
In a coefficient generation circuit 136, pieces of coefficient data of estimate equations in the respective classes are generated and stored in a memory 134 based on pieces of the coefficient type data of the respective classes and values of parameters h, v.例文帳に追加
係数生成回路136では、各クラスの係数種データと、パラメータh,vの値とに基づいて、各クラスにおける推定式の係数データを生成し、メモリ134に格納する。 - 特許庁
(3) Partners of a Membership Company effecting Entity Conversion shall, in accordance with the provisions on the matters set forth in item (vi) of the preceding Article, become shareholders of the shares set forth in item (v) of that Article on the Effective Day. 例文帳に追加
3 組織変更をする持分会社の社員は、効力発生日に、前条第六号に掲げる事項についての定めに従い、同条第五号の株式の株主となる。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
(viii) With regard to the verification set forth in item (v), a person has been put in place who personally carries out the following duties or has another person previously appointed in accordance with the contents of the duties carry out such duties: 例文帳に追加
八 第五号の検証につき、次に掲げる業務を自ら行い、又は業務の内容に応じてあらかじめ指定した者に行わせる者が置かれていること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
4. In the case set forth in Article 207, paragraph (9), item (v) of the Companies Act as applied mutatis mutandis pursuant to Article 131-6, the accounting books stating the monetary claim set forth in the same item 例文帳に追加
(4) 第百三十一条の六において準用する会社法第二百七条第九項第五号に掲げる場合には、同号の金銭債権について記載された会計帳簿 - 日本法令外国語訳データベースシステム
(3) Article 64(3) shall apply mutatis mutandis where the matters stated in the translation of the abstract as provided in item (v) of the preceding paragraph are to be contained in the patent gazette under the preceding paragraph. 例文帳に追加
3 第六十四条第三項の規定は、前項の規定により同項第五号の要約の翻訳文に記載した事項を特許公報に掲載する場合に準用する。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
(4) Article 64(3) of the Patent Act shall apply mutatis mutandis where the matters stated in the abstract as provided in item (v) of the preceding paragraph are published in the utility model gazette under the preceding paragraph. 例文帳に追加
4 特許法第六十四条第三項の規定は、前項の規定により同項第五号の要約書に記載した事項を実用新案公報に掲載する場合に準用する。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
(v) a certificate of registered matters of a company absorbed in absorption-type merger; provided, however, that this shall not apply to the cases where the company absorbed in absorption-type merger has its head office in the jurisdictional district of the registry office where the application is to be filed; 例文帳に追加
五 吸収合併消滅会社の登記事項証明書。ただし、当該登記所の管轄区域内に吸収合併消滅会社の本店がある場合を除く。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
This binding band is used in binding a plurality of bound wires, and U-shaped or V-shaped notches 4 are formed with a predetermined spacing in a heat-bonding film formed in a tape.例文帳に追加
複数本束ねた線材を束縛するものであって、テープ状に形成される熱融着性フィルムに、所定間隔でU字状又はV字状の切込み4を形成して構成する。 - 特許庁
Even after the death of Kodanji in 1866, his creativity did not wane until well into the Meiji period, and he played an active part as a pillar in Kabuki circles in which the three top-billed actors collectively called "Dan Giku Sa" (consisting of Danjuro ICHIKAWA IX, Kikugoro ONOE V and Sadanji ICHIKAWA I) flourished. 例文帳に追加
慶応2年(1866)の小團次死後から明治になっても創作力は衰えず、「團菊左」という三人の名優を擁した歌舞伎界の重鎮として活躍した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
4. In the cases listed in Article 207, paragraph (9), item (v) of the Companies Act as applied mutatis mutandis pursuant to Article 96-4, the accounting books carrying the monetary claim set forth in that item; and 例文帳に追加
(4) 第九十六条の四において準用する会社法第二百七条第九項第五号に掲げる場合には、同号の金銭債権について記載された会計帳簿 - 日本法令外国語訳データベースシステム
(ii) it has modified any of the matters listed in Article 220, paragraph (1), item (i), (ii), (iii) or (v), or any of the matters provided for in the document listed in Article 220, paragraph (3), item (i); 例文帳に追加
二 第二百二十条第一項第一号、第二号、第三号若しくは第五号に掲げる事項又は同条第三項第一号に掲げる書類に定めた事項を変更したとき。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
By making the dimension (sign V in figure) in an optical axis direction of substrates 203A and 203B on which a coil is formed short, the image blur correction unit is assembled in the thin body of the portable equipment.例文帳に追加
コイルが形成される基板203A,203Bの、光軸方向の寸法(図中の符号V)を短くして、携帯機器の薄型のボディに組み込むことができるようにする。 - 特許庁
In the case where a quantity of current detected when a nylon blade is in contact with the pressure roller is 0.8 μA or less, humidity is likely to be high, so that a bias to be applied to a film is put in an ON-state (-600 V).例文帳に追加
ナイロン製ブレードを加圧ローラに当接して検知される電流量が0.8μA以下では高湿傾向にあり、フィルムに印加されるバイアスはON(−600V)状態になる。 - 特許庁
To melt high melting point metal, such as Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Ta, in a unit of tens of grams and in small heat-loss in a state of substantially preventing contamination and to immediately cast the molten metal.例文帳に追加
Ti,V,Cr,Zr,Nb,Mo,Taなどの高融点金属を、数十gの単位で、少ない熱ロスで、汚染を実質上防止した状態で溶解し、ただちに鋳造する技術を提供する。 - 特許庁
(iv) Work involving installation, inspection, repairing or operation of charged circuits with high voltage (meaning circuits with voltages exceeding 750 V and 7000 V or less for DC or exceeding 600 V and 7,000 V or less for AC; the same shall apply hereinafter) or charged circuits with super-high voltage (meaning circuits with voltages exceeding 7,000 V) or their supports; the work involving installation or repairing of charged circuits with low voltage (meaning circuits with voltages 750 V or less for DC or 600 V or less for AC) (excluding voltages to the ground are 50 V or less or those for telegraphy or telephone with voltages not high enough to cause the danger of an electric shock); and the work involving operation of switches with exposed charging units in the low-voltage circuits installed in sectioned spaces such as switchboard rooms or substations (excluding voltages to ground are 50 V or less or those for telegraphy or telephone with voltages not high enough to cause the danger of electric shock); 例文帳に追加
四 高圧(直流にあつては七百五十ボルトを、交流にあつては六百ボルトを超え、七千ボルト以下である電圧をいう。以下同じ。)若しくは特別高圧(七千ボルトを超える電圧をいう。以下同じ。)の充電電路若しくは当該充電電路の支持物の敷設、点検、修理若しくは操作の業務、低圧(直流にあつては七百五十ボルト以下、交流にあつては六百ボルト以下である電圧をいう。以下同じ。)の充電電路(対地電圧が五十ボルト以下であるもの及び電信用のもの、電話用のもの等で感電による危害を生ずるおそれのないものを除く。)の敷設若しくは修理の業務又は配電盤室、変電室等区画された場所に設置する低圧の電路(対地電圧が五十ボルト以下であるもの及び電信用のもの、電話用のもの等で感電による危害の生ずるおそれのないものを除く。)のうち充電部分が露出している開閉器の操作の業務 - 日本法令外国語訳データベースシステム
The intrusion prevention mechanism M arranges the shielding material 10 at the lowering position P1 as the driving mechanism 12 works so as to prevent the intrusion of the movable object to the downward side of the vehicle V in stopping travelling after travelling of the vehicle V.例文帳に追加
侵入防止装置Mは、車両Vの走行後の走行停止時において、車体Vの下方側への移動物体の侵入を防止可能に、駆動機構12が作動して、遮蔽材10を降下位置P1に配置させる。 - 特許庁
A rotational axis O-O of an illumination means which consists of a reflector 9 and a discharge lamp 10 is sloped to a position B behind a vehicle from a vertical axis V-V, even if an optical axis Z-Z is adjusted in a vertical direction.例文帳に追加
リフレクタ9および放電灯10からなる光照射手段の回転軸O−Oが、光軸Z−Zを上下方向に調整しても、垂直軸V−Vから車両の後方Bに傾斜した状態にあるものである。 - 特許庁
It is desirable that the period calculation means 12 calculates the period T according to the moving speed V based on the moving speed V detected by the moving speed detection means and a period map set in advance according to a walking period.例文帳に追加
周期算出手段12は、移動速度検出手段により検出された移動速度Vと、歩行周期に従って予め設定された周期マップと、に基づいて、移動速度Vに応じた周期Tを算出するのが好ましい。 - 特許庁
In a pedestal 112 of a light source device, there are provided a V-shaped groove 114 for holding a mirror cylinder 131 provided internally with a collimator lens, and through holes 121, 123 piercing between the V-shaped groove 114 and a side surface of the pedestal 112.例文帳に追加
光源装置の基台112には、コリメータレンズを内設する鏡筒131を保持するためのV字溝114と、当該V字溝114と基台112の側面と間を貫く貫通孔121、123が設けられている。 - 特許庁
A sensor 90 has a linear area (a variable area) where output voltage V is changed in proportion to an acceleration opening θ and a stepped area (an non-variable area) where the output voltage V is not changed with respect to an acceleration opening θ.例文帳に追加
センサ90は、出力電圧Vがアクセル開度θに比例して変化するリニア領域(可変領域)と、前記出力電圧Vが前記アクセル開度θに対して変化しない段付領域(不変領域)とを有する。 - 特許庁
The steering control device 60 of a control device for a vehicle detects whether or not the steering delay (operation delay of a steering actuator 22) is generated when vehicle speed v is smaller than the set vehicle speed V (for example, at low speed in U-turn operation or the like).例文帳に追加
車両制御装置のステアリング制御装置60において、車速vが設定車速Vより小さい場合(例えばUターン時等の低速時)に、転舵遅れ(転舵アクチュエータ22の作動遅れ)が発生しているかを検出する。 - 特許庁
Thereby, a friction between an outer periphery of the guide pin 96 and the inner wall of the groove 104 increases, and a V-gear 42 is held by the guide pin 96, so that relative rotation in the winding direction of the V-gear 42 relative to the spool 20 is restrained.例文帳に追加
これにより、ガイドピン96の外周部と溝部104の内壁との間の摩擦が増加し、Vギヤ42がガイドピン96に保持され、スプール20に対するVギヤ42の巻取方向の相対回転が抑制される。 - 特許庁
A V-groove G is formed in a wafer W to leave a slight thickness by means of a dicing blade 21A having a V-shaped forward end and the remaining part is cut completely by means of an extremely thin dicing blade 21B to produce a chip C having a substantially trapezoidal cross-section.例文帳に追加
ウェーハWに先端V形状のダイシングブレード21Aで僅かな肉厚を残したV溝Gを形成し、残された部分を極薄のダイシングブレード21Bで完全切断して、断面が略台形状のチップCを製造する。 - 特許庁
To provide a radio transmitter and a receiver such as an electromagnetic contactor without using existing switches by radio or without using the wiring of a switch in a lighting fitting of 100 V and 200 V and an electrical appliance and power wiring construction.例文帳に追加
無線によって既設のスイッチを使用せず100V200Vの照明器具、及び電気製品、動力配線工事においてスイッチの配線を使用せず電磁接触機などを無線送信機と受信機の提供をする。 - 特許庁
V-shaped tearing notches are applied to the cut edge part of the film by the V-shaped edges 36 and slits extending from the crossing point of two inclined sides in the tearing notches of the slitting edges 40 are applied to the film.例文帳に追加
そして、V字状刃先36でフィルムの切断縁部にV字状の開封用切欠きを付与すると共に、切目用刃先40で開封用切欠きにおける二つの傾斜辺の交点から延びる切目をフィルムに付与する。 - 特許庁
The collimator lens 4 is adhered to and fixed on the V-grooved substrate 5, then collective processing is performed into a proper length by grinding and polishing machines such as a grinder and rapping machine in regard to the processing of the collimator lens 4 and the V-grooved substrate 5.例文帳に追加
このコリメータレンズ4とV溝基板5の加工は、コリメータレンズ4をV溝基板5に接着固定した後、グラインダとラッピングマシンなどの研削、研磨加工機等を用いて適切な長さに一括加工することにより行う。 - 特許庁
The electrodeposition coating property is predicted by measuring the voltage value (V) between the material to be coated and the electrode in the electrodeposition coating using a digital oscilloscope to obtain a data for adjusting the applied voltage (V2) so that the voltage value (V) becomes a desired value (V1).例文帳に追加
電着塗装時の被塗物と電極との間の電圧値(V)をデジタルオシロスコープを用いて測定し、電圧値(V)が所望の電圧値(V1)になるように、印加電圧(V2)を調整する為のデータを得て電着塗装性を予測する。 - 特許庁
By using a half sum between two potentials V[1] and V[2] in the input of the circuit, the negative feedback is advantageously led, and by advantageously applying the negative feedback to a base of an adjusting transistor, a value of the adjusting current can be controlled.例文帳に追加
回路の入力における2つの電位V[1]、V[2]間のハーフサムを用いて負帰還を有利に導き、その負帰還を調整トランジスタのベースに有利に適用して調整電流の値を制御することができる。 - 特許庁
To provide the method of manufacturing a semiconductor device being advantageous even in the case of short gate length, having the characteristic of long time stability, and using a III-V compound semiconductor substrate as a base, and to provide the semiconductor device thereof.例文帳に追加
本発明の課題は、ゲート長が小さくても有利かつ長時間安定性の特性を有する、III‐V族化合物半導体基板をベースとする半導体素子の製造方法および半導体素子を提供することである。 - 特許庁
In the formula, M denotes transition metal, an element of III, IV, or V group of the periodic table, A^a+ denotes a metal ion, proton, or onium ion, a denotes 1 to 3, b denotes 1 to 3, p denotes b/a, m denotes 1 to 4, n denotes 1 to 8, and q denotes 0 or 1.例文帳に追加
(但し,Mは,遷移金属,周期律表のIII族,IV族,又はV族元素,A^a+は,金属イオン,プロトン,又はオニウムイオン,aは1〜3,bは1〜3,pはb/a,mは1〜4,nは1〜8,qは0又は1を表す) - 特許庁
Then, the external power supply 50 is connected between the container 20 and the negative electrode 14, and a voltage is applied in such conditions that an electric potential of the container 20 is approximately 1.23 V or more, and that the electric potential of the negative electrode 14 is approximately 0 V or less.例文帳に追加
そして、容器20と負極14との間に外部電源50を接続し、容器20の電位が凡そ1.23V以上となり、負極14の電位が凡そ0V以下となるような条件で電圧を印加する。 - 特許庁
At this time, the fifth step is performed while such a flux ratio (V/III ratio) of a group V raw material to a group III raw material that a propagation direction in the interface between the reversed region and the non-reversed region is substantially the normal direction of the substrate is held.例文帳に追加
この際、第5のステップは、V族原料とIII族原料のフラックス比(V/III比)を反転領域と非反転領域との間の界面の伝搬方向が実質的に基板の法線方向となるフラックス比を保持して行われる。 - 特許庁
Thereby, a "burr" and "splitting" remaining on the outer peripheral face of the crankshaft pulley 2 are formed to extend in the direction of slightly shaving the V-ribbed belt, so that a contact surface of the V-ribbed belt with respect to the crankshaft pulley 2 is prevented from becoming mirror-finished.例文帳に追加
これにより、クランクシャフトプーリ2の外周面に残る「かえり」や「ささくれ」がVリブドベルトを僅かに削る方向に延びるように形成し、Vリブドベルトにおけるクランクシャフトプーリ2に対する接触面の鏡面化を防止する。 - 特許庁
The aluminum alloy for conduction has a composition comprising at least one kind of element selected from Ag, Mn, Sn, Zn, Cu, Ga, Ge, Li, Mg, Si, Th, Ti, V and Zr in the ratio of 0.3 to 10.0 wt.%, and the balance Al as the main component with inevitable impurities.例文帳に追加
本発明に係る導電用アルミニウム合金は、 Ag,Mn,Sn,Zn,Cu,Ga,Ge,Li,Mg,Si,Th,Ti,V,Zrから選択される少なくとも1種の元素を0.3〜10.0重量%の割合で含有し、 残部が主成分であるAlと不可避不純物、で構成されるものである。 - 特許庁
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