「W and a」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

To quickly and efficiently exchange pallets for placing a work W to be fed to a machining line.例文帳に追加

加工ラインに対して供給するワークＷを載置したパレットの交換を迅速にかつ能率良く行う。 - 特許庁

This warped quantity is detected by a distortion gauge 65, and a tension value at the webbing W is measured.例文帳に追加

この撓み量を歪ゲージ６５で検知してウエピングＷのテンション値を測定することができる。 - 特許庁

A client/server type OPS is separated to a client OPS 1 and a server OPS 2 and the client OPS 1 has a man-machine S/W component 8 divided for each function, a communication function S/W component 7 for performing communication with the server OPS 2 and a man-machine container for controlling the operation of the man-machine S/W component 8 or the like.例文帳に追加

クライアントサーバ型ＯＰＳをクライアントＯＰＳ１とサーバＯＰＳ２に分離し、クライアントＯＰＳ１は機能毎に分割されたマンマシンＳ／Ｗ部品８と、サーバＯＰＳ２との通信を行なう通信機能Ｓ／Ｗ部品７と、マンマシンＳ／Ｗ部品８等の動作を制御するマンマシンコンテナを有する。 - 特許庁

The wafer W is lowered and the slightly adhesive film 21 is closely adhered to a heating surface of a heater plate 7.例文帳に追加

ウエハＷが下降され、微粘着フィルム２１がヒータプレート７の加熱面に対して密着される。 - 特許庁

In this way, generation of a stain and a flaw in the wafer W can be prevented when it is vacuum sucked.例文帳に追加

これによりウエハＷの真空吸着時にウエハにしみや傷が発生するのを防止できる。 - 特許庁

This substrate processor is provided with a transport means 1 for supporting a substrate W on rollers R, r and transporting the same.例文帳に追加

ローラＲ、ｒ上に基板Ｗを支持して搬送する搬送手段１を備えた基板処理装置。 - 特許庁

A peeling device 11 is provided with a suction device 15 having a suction surface 20A for sucking and holding a wafer W, and a peeling means 17 for holding a protection sheet H stuck to the wafer W and peeling off the protection sheet H from the wafer W by moving relatively to the suction device 15.例文帳に追加

ウエハＷを吸着保持する吸着面２０Ａを有する吸着装置１５と、ウエハＷに貼付された保護シートＨを保持するとともに、吸着装置１５と相対移動してウエハＷから保護シートＨを剥離する剥離手段１７とを備えた剥離装置１１が構成されている。 - 特許庁

The work W is laid on lipo-bases 49 positioned at the same height as a pass-line PL or lower and a working table.例文帳に追加

パスラインＰＬ以下の高さに位置するリポベース４９とワークテーブル上にワークＷを載置する。 - 特許庁

The protruded part 21a has a size (w) of 120 μm or smaller and a height (h) of 20 μm or larger.例文帳に追加

そして、凸部２１ａは、大きさ(ｗ)１２０μｍ以下、高さ(ｈ)２０μｍ以上に設定する。 - 特許庁

To isolate a victim of malicious behavior in a wireless network, and in particular, W/LAN networks.例文帳に追加

無線アクセスネットワーク、及び特にＷＬＡＮネットワークにおける悪意のある行いの犠牲者を隔離する。 - 特許庁

An alignment tool illuminates an alignment mark P1 on a substrate W with an alignment beam, and measures a reflection spectrum.例文帳に追加

アライメントツールは、基板Ｗ上のアライメントマークＰ１をアライメントビームで照らし、反射スペクトルを測定する。 - 特許庁

Another sequence of lithography and etching is used to form a ridge structure 32 with a width w on top of the mesa.例文帳に追加

リソグラフィおよびエッチングの別の手順は、メサの上部に幅ｗのリッジ構造３２を形成する。 - 特許庁

A robot control device 20 performs copy control by controlling distance between the welding torch 11 and a work W.例文帳に追加

ロボット制御装置２０は溶接トーチ１１とワークＷ間の距離を制御して倣い制御する。 - 特許庁

A black ink Bk as the slow-drying ink and a white ink W as one of the quick-drying inks are used.例文帳に追加

遅乾性インクとしてブラックインクＢｋを、速乾性インクの一つとしてホワイトインクＷを採用する。 - 特許庁

To provide an information communicator in the fold form like a cross section W character (M character) and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

断面Ｗ字（Ｍ字）状の折り形態の情報通信体とその製造方法を提供する。 - 特許庁

Width W of the passage is determined so as to satisfy a relation: (A/2)≤W≤[(A+B)/2] wherein A denotes width of the scored tablet when the scored tablet is seen along a scoring line direction and B denotes width of the scoring line at an opening.例文帳に追加

ここで、割線錠を割線の方向に沿って見たときの該割線錠の幅をＡ、割線の開口部の幅をＢとして、通路の幅Ｗを、（Ａ／２）≦Ｗ≦〔（Ａ＋Ｂ）／２〕を満たすように決定する。 - 特許庁

A substrate holding device 4 is equipped with a substrate holder, which holds a substrate W with a vacuum chuck that attracts the rear surface of the substrate W, and a suction mechanism 3 is connected to the suction hole of the substrate holder communicating with it.例文帳に追加

基板保持装置４は、基板Ｗの裏面に吸着する真空チャックにて基板を保持する基板保持部４０を有し、その吸引口４１に吸引機構３が連通接続される。 - 特許庁

A burr removing press is provided with a loading board 8 of work W; a clamp 10 having a guide surface 10a with the angle same as the leaves θ of the work W; and a guide 12 moving along the guide surface 10a of the clamp 10.例文帳に追加

バリ取りプレスは、ワークＷの載置台８と、ワークＷの抜き勾配θと同じ角度の案内面10ａを有するクランプ10と、クランプ10の案内面10ａに沿って移動するガイド12とを備えている。 - 特許庁

While a roll 351 moves along a cam curved line part 350a, a pressure cylinder 31 pressurizes a web W to a plate cylinder 30, and transfers the ink I_M in the picture element part 30a to the web W.例文帳に追加

カム曲線部３５０ａに沿ってころ３５１が移動する間は、圧胴３１は、版胴３０との間でウェブＷを加圧しており、画線部３０ａ内のインキＩ_ＭがウェブＷに転移する。 - 特許庁

The first work mechanism 20 has a tire holding means 42 for holding a tire W and a temporarily nut-fastening means 44 for temporarily fastening a nut 28 to a hub bolt 18 at which the tire W is arranged.例文帳に追加

第１作業機構２０は、タイヤＷを把持するタイヤ把持手段４２及び前記タイヤＷが配置されたハブボルト１８にナット２８を仮締めするナット仮締め手段４４を設ける。 - 特許庁

The work W is elevated, a part of the work W is brought into contact with the projecting piece 47 and as a result, a prescribed pressing force acts on the surface A to be coated to keep the surface A to be coated nearly horizontal.例文帳に追加

そして、ワークＷが上昇すると、当該ワークＷの一部分が突片４７に当接し、被塗布面Ａに所定の押付力が作用し、被塗布面Ａが略水平状態に維持される。 - 特許庁

A wafer W is carried in a plasma processing apparatus and the surface of a silicon layer 501 of the wafer W is subjected to plasma oxidation processing to form a silicon oxide film 503 having a film thickness T_1 on the silicon layer 501.例文帳に追加

ウエハＷをプラズマ処理装置に搬入し、ウエハＷのシリコン層５０１の表面をプラズマ酸化処理してシリコン層５０１の上に膜厚Ｔ_１で酸化珪素膜５０３を形成する。 - 特許庁

A server generates collective presence information including presence information about the articles A to C (corresponding to providers), and notifies it to a watcher (corresponding to a destination) W of the presence information about the articles A to C.例文帳に追加

サーバは、商品Ａ，Ｂ，Ｃ(提供元に相当)のプレゼンス情報を含む集約プレゼンス情報を生成し、商品Ａ，Ｂ，Ｃのプレゼンス情報のウォッチャー（通知先に相当）Wに対し、これを通知する。 - 特許庁

A gear tooth forming roller 3 and a back up roller are thrust on a work W supported by mandrels 1, 2, a gear form G is created to a rim part R of the work W by rotating these in synchronization including normal/ reverse rotation.例文帳に追加

マンドレル１，２に支持されたワークＷに歯形成形ローラ３とバックアップローラとを押し付けて正逆転を含むように同期回転させ、ワークＷのリム部Ｒに歯形Ｇを創成する。 - 特許庁

When replacing a specific electronic component 20 mounted on a printed circuit board 11 in a product substrate 10, a heating member 100 is provided around a reworked component W and an electronic component W' for replacement.例文帳に追加

製品基板１０にプリント回路基板１１に実装された特定の電子部品２０を交換する場合、リワーク対象部品Ｗ、交換用電子部品Ｗ’の周囲に、加熱部材１００を設ける。 - 特許庁

The substrate processing system 1 includes a first detection part 40 for detecting a wafer W, in a state before processing and a second detection part 50 for detecting the wafer W, in a state after the processing.例文帳に追加

基板処理システム１は、処理前の状態のウエハＷの検出を行う第１の検出部４０と、処理後の状態のウエハＷの検出を行う第２の検出部５０とを備えている。 - 特許庁

This liquid treatment equipment supplies a treatment liquid L to a substrate W while producing a relative movement between a treatment liquid supply nozzle 86 and the substrate W by a moving mechanism.例文帳に追加

また、このように衝撃が小さいことに加えて基板表面に対する処理液の供給むらを小さくすることができる液処理装置および処理液供給ノズルを提供すること。 - 特許庁

A flat plate-like table 2 is provided and a pressing means 30 for a processing material W is arranged on the surface side of the table 2 and a saw base 6 which runs and moves along a guide rail 5 and a circular saw 17 which projects and works to the surface side of the table 2 and performs cutting processing of the processing material W are provided on the underside.例文帳に追加

平板状のテーブル２を設けて、このテーブル２の表面側に加工材Ｗの押え手段３０を配設し、裏面側にガイドレール５に沿って走行移動する鋸台６とテーブル２の表面側に突出作動して加工材Ｗを切断加工する丸鋸１７を設ける。 - 特許庁

When peeling the plated Sn layer from a workpiece W having the plated Sn layer formed on the surface of a copper substrate, this peeling method includes immersing the workpieces W into an oxidative solution 13, and anodically electrolyzing the workpieces W while peeling off overlapping parts of the workpieces W from each other and also rubbing them against each other by rotating and stirring the workpieces W to effectively remove the plated Sn layer.例文帳に追加

銅基材の表面にＳｎメッキ層が形成されたワークＷからＳｎメッキ層を剥離するに際して、ワークＷを酸化性溶液中１３に浸漬し、回転攪拌することによってワークＷ同士が重なりあった部分の引き剥がすとともに互いに擦り合わせながら、ワークＷを陽極電解することによってＳｎメッキ層を効率良く除去する。 - 特許庁

A rear space 23 between the horizontal plane 22 and the wafer W is a space whose atmosphere includes negative pressure by the rotation of the wafer W, and an opening portion 25 is formed on the horizontal plane 22.例文帳に追加

この水平面２２とウエハＷとの間の裏側空間２３はウエハＷの回転により雰囲気が負圧となる空間であり、前記水平面２２に開口部２５を形成する。 - 特許庁

This installation plate 53 is used to attach the indoor unit 2 of the air conditioner 1 to the wall face W in an air conditioning room and is provided with a main plate part 61 and a mounting part 62.例文帳に追加

据付板５３は、空気調和装置１の室内ユニット２を空調室内の壁面Wに取り付けるための部材であって、主板部６１と取付部６２とを備えている。 - 特許庁

The inspection part 4 is constituted so that a wafer holding part 31 for holding the wafer W and a back inspection part 30 for inspecting the back of the wafer W are mounted on an inspection stage 25 and freely moved uniaxially.例文帳に追加

検査部４は、ウェハＷを保持するウェハ保持部３１と、ウェハＷの裏面検査をする裏面検査部３０とが検査ステージ２５に搭載され、一軸方向に移動自在である。 - 特許庁

The inert-gas cover 13 is mounted on the lower plate 23 of a positioning device 14 positioning the work W by a locating pin 24, and moved forward and retreated with repect to the work W, while being integrated with the locating pin 24.例文帳に追加

この不活性ガスカバー13は、ワークＷを位置決めピン24によって位置決めする位置決め装置14の下部プレート23に取付け、位置決めピン24と一体的にワークＷに対し進退させる。 - 特許庁

The package member 120 is brought into contact with a negative W-side end of the first holding member 51, and the parallel flat plate 12 is stuck and fixed to a positive W-side end of the first holding member 51.例文帳に追加

そして、パッケージ部材１２０は、第１保持部材５１の−Ｗ側端部に当接され、平行平板１２は、第１保持部材５１の＋Ｗ側端部に接着固定されている。 - 特許庁

The steam supply device 1 comprises a boiler 2 for creating wet steam W and a steam dewatering part 3 for dewatering the wet steam W and supplying dry steam D.例文帳に追加

蒸気供給装置１は、湿り蒸気Ｗを生成するボイラー２と、湿り蒸気Ｗを脱水して乾き蒸気Ｄを供給する蒸気脱水部３とを主に有する。 - 特許庁

A support pin 23 for supporting the substrate W is therefore lowered by the height portion of the blowing means 40, and a space between the substrate W and the blowing means 40 can be reduced by that portion.例文帳に追加

そのため、基板Ｗの支持用の支持ピン２３は、送風手段４０の高さ分だけ低くし、その分だけ基板Ｗと送風手段４０との間隔を小さくすることができる。 - 特許庁

In a state wherein the liquid dense state is created between the substrate W and shield plate 4 with the processing liquid, the substrate W and shield plate 4 are relatively rotated around a perpendicular axis.例文帳に追加

そして、基板Ｗと遮断板４との間が処理液によって液密にされた状態で、基板Ｗと遮断板４とを鉛直軸線まわりに相対回転させる。 - 特許庁

A reverse tensile force is given to the wire material W between the correction roll 4 and the bending diameter providing part 40, and a required bending diameter is given to the wire material W after its correction by the latter.例文帳に追加

上記矯正ロール４と曲り径付与部４０の間で線材Ｗに逆張力が与えられ、且つ後者にて矯正後の線材Ｗに所要の曲り径が付与される。 - 特許庁

When the width of the first portion is defined as W and the distance from a medium facing surface ABS to a boundary position between the first portion and the second portion as L, L/W is ≥2 to ≤5.例文帳に追加

第１の部分の幅をＷとし、媒体対向面ＡＢＳから第１の部分と第２の部分の境界位置までの距離をＬとしたときに、Ｌ／Ｗは２以上、５以下である。 - 特許庁

A needle driving-in amount into the work W and a strength therein are regulated properly because an attaching position of the rollers 67, 68 is regulatable, and the needle is driven in response to the work W.例文帳に追加

ローラ６７，６８の取付位置を調節できるため、ワークＷへの針の打込み量や打込み強さを適正に調節でき、ワークＷに応じた針の打込みが可能になる。 - 特許庁

In the cross sectional shape, an outer circumferential face 4 has a convex surface 5, and a radius R of curvature and the width W of the convex surface 5 are set so as to be W/5≤R≤2W.例文帳に追加

横断面形状に於て、外周面部４が凸曲面部５を有し、凸曲面部５の曲率半径Ｒと、幅寸法Ｗを、Ｗ／５≦Ｒ≦２Ｗとなるように設定する。 - 特許庁

While the substrate W to be treated is being rotated and being pressed toward the support section 20, a treatment liquid, such as an etching liquid and a cleaning liquid, is supplied to the substrate W to be treated.例文帳に追加

被処理基板Ｗを回転させ、この被処理基板Ｗを支持部２０に向かって押圧させながら、被処理基板Ｗにエッチング液や洗浄液等の処理液を供給する。 - 特許庁

An input control part 71 takes in serial data DIi (i=0 to 511) from an input buffer 60 and supplies DIAi to a W amplifier 72A and DIBi to a W amplifier 72B.例文帳に追加

入力制御部７１は、入力バッファ６０からのシリアルデータＤＩｉ（ｉ＝０〜５１１）を取り込んで、ＤＩＡｉをＷアンプ７２Ａに、ＤＩＢｉをＷアンプ７２Ｂに供給する。 - 特許庁

A moving speed of the substrate W, and a current supplied to an electron gun 40b and an acceleration voltage applied to the electron gun 40b are also adjusted to values corresponding to each substrate W.例文帳に追加

また、基板Ｗの移動速度、電子銃４０ｂに与える電流および電子銃４０ｂに与える加速電圧についても、基板Ｗに応じた値に調整される。 - 特許庁

Registration is carried out while a pair of the semi-hollow molded articles are left in each mold, and melting is carried out by inserting a heater (31) between the joints of the accessories (W and W).例文帳に追加

一対の半中空成形品がそれぞれの金型に残っている状態で整合させ、附属物（Ｗ、Ｗ）の接合部の間に加熱体（３１）を挿入して溶融する。 - 特許庁