「al and」に関連した英語例文の一覧と使い方(115ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a display device using a Cu alloy film having a lower electrical resistivity than that of Al alloys for connection with a transparent electrode film (pixel electrode), capable of direct connection at a lower electrical resistivity for the transparent electrode without forming a barrier metal and capable of ensuring high display quality when being applied, for example, to liquid crystal panels.例文帳に追加

透明電極膜（画素電極）との接続にＡｌ合金よりも電気抵抗の低いＣｕ合金膜を使用し、且つ、バリアメタルを形成せずとも透明電極との間で低抵抗の直接接続を実現し、液晶パネルなどに適用した場合に高い表示品質を与える表示デバイスを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an outer package material for a battery which eliminates problem of wrinkles and damages that occur on a laminated film by deformation due to excessive haul in adhesion welding of the film when the size or the like of a battery is bigger than a given value, in case an Al lamination film is used as an outer package material of a battery.例文帳に追加

電池の外装材としてＡｌラミネートフィルムを用いた場合に、電池の大きさ等が所定量以上になると、ラミネートフィルムを溶着させる際に過度の引っ張りによる変形のためにラミネートフィルムにしわや破損が生じていた点を解消した電池用外装材作製方法を提供する。 - 特許庁

When NOx absorption amount in NOx absorption catalyst reaches a saturation amount during a lean combustion, a target air-fuel ratio is switched to a stoichiometric air-fuel ratio, while a lean spike is given by increasing and changing an air-fuel ratio feed back correction coefficient AL PHA used for feedback-controlling the air-fuel ratio to the stoichiometric air fuel ratio steply (S2).例文帳に追加

リーン燃焼中にＮＯｘ吸収触媒におけるＮＯｘ吸収量が飽和量に達したときに、目標空燃比を理論空燃比に切り換える一方、空燃比を理論空燃比にフィードバック制御するのに用いる空燃比フィードバック補正係数ALPHA をステップ的に増大変化させて（Ｓ２）、リッチスパイクを与える。 - 特許庁

The hot-dipped Zn-Al- Mg-base alloy can further include 0.002-0.1 wt.% Ti, 0.001-0.045 wt.% B, and include at least one sort of easily oxidized elements, among rare earth elements, Y, Zr, or Si, of 0.005-2.0 wt.%, as needed.例文帳に追加

溶融Ｚｎ−Ａｌ−Ｍｇ系合金めっきには、さらにＴｉ：０．００２〜０．１重量％、Ｂ：０．００１〜０．０４５重量％を含有することができ、さらに必要に応じて希土類元素，Ｙ，ＺｒまたはＳｉから選ばれた易酸化性元素の少なくとも１種を０．００５〜２．０重量％含有することができる。 - 特許庁

This Ti-based high-strength superelastic alloy is a single-phase solid solution having a composition consisting of, by weight, 12 to 30% Nb, 12 to 30% Zr, 1 to 6% Al, 1 to 8% Cr, 1 to 8% Sn and the balance Ti.例文帳に追加

Ｔｉ系高強度超弾性合金は、１２重量％以上３０重量％以下のＮｂ、１２重量％以上３０重量％以下のＺｒ、１重量％以上６重量％以下のＡｌ、１重量％以上８重量％以下のＣｒ、１重量％以上８重量％以下のＳｎ、および残部がＴｉよりなる単相固溶体であることを特徴とする。 - 特許庁

Disclosed is a method for producing an ingot by an electroslag melting process characterized in that dry air is used as a seal gas for shielding the inside of a mold from an air atmosphere during the melting of an electrode composed of a stock for melting and further, Al is continuously added to slag in the mold from the start of the melting of the electrode to the completion of the melting.例文帳に追加

溶解用素材により構成された電極の溶解中に鋳型内を大気雰囲気から遮断するシールガスとしてドライエアを使用するとともに、電極の溶解開始から溶解終了までの間、鋳型内のスラグへＡｌを連続的に添加することを特徴とするエレクトロスラグ溶解法による鋳塊の製造方法である。 - 特許庁

In the semiconductor device manufacturing method, a Cu containing TiN layer which functions as a cap layer 130 (310) is formed by using a Cu containing Ti target, and Cu contained in the Cu containing TiN layer is diffused by heat treatment to an Al-Cu wiring 120 (320) located in an electrical connection part with the interlayer wiring 200.例文帳に追加

キャップ層１３０（３１０）として働くＣｕ含有ＴｉＮ層がＣｕ含有Ｔｉターゲットを用いて形成され、Ｃｕ含有ＴｉＮ層に含有されたＣｕを、熱処理により、層間配線２００との電気的接続部に位置するＡｌ−Ｃｕ配線１２０（３２０）に拡散させることを特徴とする半導体装置製造方法。 - 特許庁

An OEL element 11 is structured of a positive electrode 15 composed of an ITO or the like, an organic layer 16 containing an electro-luminescence layer 21, an electron injection layer 17 composed of Ba or the like, a buffer layer 18 composed of Al or the like, and a transparent negative electrode layer 19 composed of indium zinc oxide laminated in that order.例文帳に追加

ＯＥＬ素子１１は、ＩＴＯ等から構成される陽極層１５と、電界発光する発光層２１を含む有機層１６と、Ｂａ等から構成される電子注入層１７と、Ａｌ等から構成されるバッファー層１８と、インジウム亜鉛酸化物等から構成される透明陰極層１９と、が順に積層されて構成されている。 - 特許庁

The substrate for the hydrophilic member has an undercoat layer of a partial structure represented by M-OH (wherein M is Si, Ti, Zr or Al) on the base material, in which a value of M-OH/M on the surface of the undercoat layer is 1-0.4, and the hydrophilic layer on the undercoat layer.例文帳に追加

本発明の親水性部材用基板は、基材上にＭ−ＯＨ（式中、ＭはＳｉ、Ｔｉ、ＺｒまたはＡｌを表す。）で表される部分構造を含有する下塗層を有し、該下塗層表面のＭ−ＯＨ／Ｍの値が１〜０．４であるものであり、本発明の親水性部材用基板は、その下塗層上にさらに親水性層を有することを特徴とする。 - 特許庁

The aluminum alloy sheet for the case of the secondary battery includes 0.6-1.5 wt.% Mn, 0.1-0.8 wt.% Si, 0.1-0.8 wt.% Cu, 0.1-0.8 wt.% Fe, more than 0.2 to 0.7 wt.% Zn, and the balance Al with unavoidable impurities.例文帳に追加

Ｍｎを０．６〜１．５重量％、Ｓｉを０．１〜０．８重量％、Ｃｕを０．１〜０．８重量％、Ｆｅを０．１〜０．８重量％、Ｚｎを０．２超〜０．７重量％それぞれ含有し、残部が不可避的不純物及びＡｌからなることを特徴とする二次電池ケース用アルミニウム合金板により、上記課題を解決する。 - 特許庁

The ZnSe light emitting element which emits the light from an emitting surface 16 to an exterior includes an n-type ZnSe substrate 1 having a self-activation luminescent center SA, an active layer 4 formed on the substrate 1, and an Al layer 9a disposed on a surface at an opposite side to the emitting surface 16 to reflect the light to the emitting surface side.例文帳に追加

出射面１６から光を外部に出射するＺｎＳｅ系発光素子であって、自己活性発光中心ＳＡを含むｎ型ＺｎＳｅ基板１と、ｎ型ＺｎＳｅ基板１の上に形成された活性層４と、出射面１６と反対側の面に位置し、光を出射面側に反射するＡｌ層９ａとを備える。 - 特許庁

To provide a joining method where, when a member made of a Ti-Al alloy and a member made of steel are joined, so as to produce a joined body in which the strength of the joint is higher than the strength of the base metal, the joined body can be stably produced at a high excellent article yield even without making the control of temperature upon the joining severe.例文帳に追加

Ｔｉ−Ａｌ合金製の部材と鋼製の部材とを接合し、接合部の強度が母材強度を上回る接合体を製造するに当たり、接合時の温度コントロールをシビアにしなくても、高い良品歩留まりをもって、安定に接合体を製造することが可能な接合方法を提供する。 - 特許庁

The counter electrode substrate is made of Al, Cu, Ag, Au or stainless steel, the corrosion resistant conductive layer is made of Ti, Cr, Ni, Nb, Mo, Ru, Rh, Ta, W, In, Pt or hastelloy, and the conductive catalyst layer is made of carbon, Tu, Rh, Pd, Os, Ir, Pt or a conductive polymer.例文帳に追加

対向電極基板はＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、ＳＵＳの何れか、耐腐食性導電層はＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｎ、Ｐｔ、ハステロイの何れか、導電性触媒層は、カーボン、Ｔｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、導電性高分子の何れかによってそれぞれ形成される。 - 特許庁

In the cooling structure of electric or electronic equipment, the entire portion or one portion of a casing 5 of the electric or electronic equipment is formed by a far infrared radiation material 9 where a black anodization membrane is formed on the surface of a flat base made of an Al alloy, and the inside of the casing is cooled by the radiation of far infrared rays from the far infrared radiation material.例文帳に追加

電気又は電子機器のケーシング５の全体又は一部を、Ａｌ合金からなる板状基材の表面に黒色陽極酸化皮膜が形成されてなる遠赤外線放射材９によって形成し、遠赤外線放射材からの遠赤外線の放射によってケーシング内を冷却する電気又は電子機器の冷却構造を提供する。 - 特許庁

This aluminum brazing alloy comprises 5.0% to 13.0% Si (by mass%, hereinafter the same), 0.05% to 1.0% Ti, 0.1% to 2.0% Mn, 0.01% to 0.5% Zr respectively, further 0.05% to 1.0% Cr as needed, and the balance Al with unavoidable impurities.例文帳に追加

Ｓｉ：５．０％以上１３．０％以下（質量％、以下同様）、Ｔｉ：０．０５％以上１．０％以下、Ｍｎ：０．１％以上２．０％以下、Ｚｒ：０．０１％以上０．５％以下をそれぞれ含有し、更に、必要に応じてＣｒ：０．０５％以上１．０％以下を含有し、残部がＡｌと不可避不純物とからなる。 - 特許庁

In the lithium transition metal oxide represented by general formula: Li_1+xM_2-xO_4 (here, M in the formula is a transition metal containing Mn, Al and Mg, x is 0.01 to 0.08), a distance between atoms of Li-O measured by the Rietveld method using a fundamental method is regulated between 1.971 Å to 2.006 Å.例文帳に追加

一般式Ｌｉ_1+ｘＭ_2-ｘＯ_4（但し、式中のＭは、Ｍｎ、Ａｌ及びＭｇを含む遷移金属であり、ｘは０．０１〜０．０８である。）で表わされるリチウム遷移金属酸化物において、ファンダメンタル法を用いたリートベルト法で測定されるＬｉ-Ｏの原子間距離を１．９７１Å〜２．００６Åに規定する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the nanostructure which anodically oxidizes a layer to be anodically oxidized essentially consisting of Al to form pores, a barrier film is formed by anodic oxidation on the surface of the layer to be anodically oxidized, and after the forming positions of the pores are positioned by removing at least part of the barrier film, the porous film by the anodic oxidation is manufactured.例文帳に追加

Ａｌを主成分とする被陽極酸化層を陽極酸化させて細孔を形成するナノ構造体の製造方法において、該被陽極酸化層の表面に陽極酸化によりバリアー皮膜を作製したのち、バリアー皮膜の少なくとも一部を除去して細孔の形成位置を決めてから陽極酸化によるポーラス皮膜を作製するナノ構造体の製造方法。 - 特許庁

The coating steel plate is obtained by forming chemical treatment film on the surface of the Al-Zn alloy plating steel plate, forming a clear primer layer with a predetermined thickness containing a rust proofing pigment as the upper layer and further forming the upper layer clear film thereon with a predetermined thickness containing the appropriate amount of scaly aluminum powder of which the average length of the long side direction is 35 μm or less.例文帳に追加

Ａｌ−Ｚｎ合金めっき鋼板の表面に化成処理皮膜を形成し、その上層に、防錆顔料を含有する所定膜厚のクリアープライマー層を形成し、さらにその上層に、鱗片状で且つ長辺方向の平均長さが３５μｍ以下のアルミニウム粉を適量含有する所定膜厚の上層クリアー塗膜を形成した。 - 特許庁

In the photoelectric conversion device 1 which has a stacked structure of a lower electrode 20, a photoelectric conversion layer 30, and an upper electrode 50 on the anodic oxidation substrate 10 formed with an anodic oxidation film 12 on at least one face of a metal base 11 having Al as a main component, the anodic oxidation substrate 10 is formed by doping at least one kind of alkaline metal onto the anodic oxidation film 12.例文帳に追加

Ａｌを主成分とする金属基材１１の少なくとも一方の面側に陽極酸化膜１２が形成された陽極酸化基板１０上に、下部電極２０、光電変換層３０および上部電極５０の積層構造を有する光電変換素子１において、陽極酸化基板１０が、陽極酸化膜１２に少なくとも１種のアルカリ金属がドープされたものとする。 - 特許庁

In the galvannealed steel sheet using steel comprising 0.2 to 2.0 mass% Si as a plating base material, the thickness of a nitrogen-concentrated layer in the surface layer part of the steel sheet is 3 to 100 μm, the concentration of Al in a plating film is 0.20 to 0.40 mass%, and the concentration of Fe is 7 to 15 mass%.例文帳に追加

０．２〜２．０質量％のＳｉを含有する鋼をめっき母材とする合金化溶融亜鉛めっき鋼板であって、鋼板表層部の窒素濃化層が３〜１００μｍであり、めっき皮膜中のＡｌ濃度が０．２０〜０．４０質量％、Ｆｅ濃度が７〜１５質量％である、合金化溶融亜鉛めっき鋼板。 - 特許庁

A suitable amount of electrolyte 2 is laid on an active C fiber cloth 6 pasted to an Al current collector electrode 1, all of which are put in a bag 9 made of polyethylene, nylon, polyvinylidene chloride, etc., the bag 9 is evacuated for an intake time of 2-10 sec and sealed, using a vacuum packaging machine 10, thereby impregnating the electrolyte 2 in the active C fiber cloth 6.例文帳に追加

電解質２をアルミ製の集電板１に貼り付けた活性炭繊維布６上に適量載置し、その後これらの全体をポリエチレン、ナイロン、ポリ塩化ビニリデン等で形成した袋９に入れ、真空包装機１０を用いて吸気時間２〜１０秒で袋９内を真空に引いてシールすることにより電解質２を活性炭繊維布６に含浸させる。 - 特許庁

In the casting of the die-casting for vehicle steering apparatus forming a JIS H5302 of Al-Si-Cu series aluminum alloy ADC12 having a cylindrical part of 3 mm≤t≤5 mm (thickness t)as the casting of the die-casting; chill layers 2a, 2b having ≥100Hv Vickers hardness on the outer surface and the inner surface, respectively, are provided.例文帳に追加

肉厚ｔが３ｍｍ≦ｔ≦５ｍｍの円筒部を有し、かつＪＩＳ Ｈ５３０２のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ系アルミニウム合金ＡＤＣ１２をダイカスト鋳造して形成される車両操舵装置ハウジング用ダイカスト鋳物であって、外面と内面にそれぞれビッカース硬さＨｖ１００以上のチル層２ａ，２ｂを有している。 - 特許庁

The continuous casting method for the molten steel is carried out while adding an MgO-Al mixture or MgO-Ti mixture in a ladle tundish or casting mold and casting the molten steel while swirling the molten steel within a horizontal plane by an induction electromagnetic stirrer in the continuous casting equipment having the induction electromagnetic stirrer between 10 m under the casting mold from the meniscus within the casting mold.例文帳に追加

鋳型内メニスカスから鋳型下１０ｍの間に誘導電磁攪拌装置を有する連続鋳造装置において、取鍋、タンディッシュ或いは鋳型内でＭｇＯ−Ａｌ混合物、或いはＭｇＯ−Ｔｉ混合物を添加し、該誘導電磁攪拌装置により水平面内で溶鋼を旋回させながら鋳造することを特徴とする溶鋼の連続鋳造方法。 - 特許庁

A pin fixedly disposed at a ring plate turnably supported to the turbocharger, to set the angle of a nozzle vane for controlling the amount of exhaust gas rotating a turbine rotor, is formed with a hard coating with a thickness of about 2 μm on austenite stainless steel used as a base material by physical vapor phase deposition of Al, Cr, Si and N.例文帳に追加

ターボチャージャに回動可能に支持されているリングプレートに固定配置され、タービンロータを回転させる排気ガスの量を制御するノズルベーンの翼角を設定するピンとして、母材であるオーステナイト系ステンレスにＡｌ、Ｃｒ、Ｓｉ、及びＮからなる物理気相蒸着した厚さ約２μｍの硬質皮膜を形成したものを用いる。 - 特許庁

The command control circuit includes: a read-clock generation circuit 161 that generates a read clock ICLK-R in reading; a write-clock generation circuit 162 that generates a write clock ICLK-W in writing; and a burst chop AL counter 123 that counts an additive latency of a burst chop command.例文帳に追加

リード時においてリードクロックＩＣＬＫ−Ｒを生成するリードクロック生成回路１６１と、ライト時においてライトクロックＩＣＬＫ−Ｗを生成するライトクロック生成回路１６２と、バーストチョップコマンドのアディティブレイテンシをカウントするバーストチョップ用ＡＬカウンタ１２３とを備える。 - 特許庁

Recently, out of memory utilization functions of the system, according to additive latency AL standard, after input of the row address, the column address is input instantly at the next clock, after that the row address and the column address can be decoded, this invention can be achieved without changing largely environment of the system.例文帳に追加

近年、システムのメモリ活用機能のうち、付加レイテンシＡＬ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｌａｔｅｎｃｙ）規格によると、ローアドレスの入力後、次のクロックで直ちにカラムアドレスの入力がなされ、その後、ローアドレス及びカラムアドレスのデコードが可能となって、システムの環境を大きく変えなくとも本発明の実現が可能である。 - 特許庁

Carbon nano fibers are produced through the catalytic CVD process by using a carbon-containing gas as a raw material in the presence of a catalyst comprising one kind or plural kinds of materials selected from at least Cr, Mn, Fe, Co, Ni or their oxides and one kind or plural kinds of materials selected from Cu, Al, Si, Ti, V, Nb, Mo, Hf, Ta, W or their oxides.例文帳に追加

少なくともＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ又はこれらの酸化物よりなる群から選ばれた１つ又は複数の材料と、Ｃｕ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ又はこれらの酸化物よりなる群から選ばれた１つ又は複数の材料からなる触媒を使用して、炭素含有ガスを原料とした触媒ＣＶＤ法によりカーボンナノ繊維を製造する。 - 特許庁

This superalloy compsn. contg., by weight, 10 to 14% Co, 10 to 13% Cr, 0.1 to 3% Mo, 4 to 8% W, 4 to 6% Al, 1 to 4% Ti, 4 to 8% Ta, 0.1 to 0.5% Hf, ≤2% Re, and the balance Ni base with inevitable impurities.例文帳に追加

重量％で、Ｃｏ：１０％以上１４％以下、Ｃｒ：１０％以上１３％以下、Ｍｏ：０．１％以上３％以下、Ｗ：４％以上８％以下、Ａｌ：４％以上６％以下、Ｔｉ：１％以上４％以下、Ｔａ：４％以上８％以下、Ｈｆ：０．１％以上０．５％以下およびＲｅ：２％以下を含有し、残部がＮｉ基および不可避的不純物からなることを特徴とする。 - 特許庁

Though it is an act against a common sense to create a transfer optical surface by cutting a material with very high hardness of more than HRA 80 in Rockwell hardness or more than Hv 1000 in Vickers hardness in accordance with conventional experiences and knowledge of those who are engaged in this field of industry, there exists no literature to affirm it, either, as far as this inventor, et al confirm.例文帳に追加

従来における当業者の経験や知識に基づけば、ロックウェル硬度ＨＲＡ８０以上もしくはビッカース硬度でＨｖ１０００以上の非常に高い硬度を有する素材を切削して転写光学面を創成するということは、常識に反する行為といえ、これを肯定する文献は、発明者らが確認した範囲で存在しない。 - 特許庁

The seal material is adhered to a surface of the repairing frame material having a mount at al lower end, and the repairing frame material adhered with the seal material is moved to the part to be repaired on the inner surface of the pipe material while being contracted, the repairing frame material is expanded at that position to add the seal material on the part to be repaired on the inner surface of the pipe material.例文帳に追加

下端に台座を有する補修枠材の表面にシール材を付着し、このシール材が付着した補修枠材を収縮した状態で管材の内面の補修個所まで移動し、その位置で前記補修枠材を膨張させて管材の内面の補修個所へ前記シール材を添設させる管材の補修方法である。 - 特許庁

The control operation of a controller is so set as to hand over the photographic paper from an aligning unit to a parallel transportation mechanism by setting the spacings D1 and D2 corresponding to an offset value at three rows of the photographic paper 1 on the basis of an aligning line AL when differences arise in the delivery timing of the photographic paper in the parallel transportation mechanism.例文帳に追加

並列搬送機構における印画紙の送り出しタイミングに差を発生する場合には、整列ラインＬを基準にして３列の印画紙１にオフセット値に相当する間隔Ｄ１，Ｄ２をセットして整列ユニットから並列搬送機構に対して印画紙を受け渡すよう制御装置の制御動作を設定した。 - 特許庁

The Al-Mg-Si alloy includes 0.2-1.5 mass% Mg, 0.2-2.0 mass% Si, one or more elements of Sn or Bi, of 0.5-2.5 mass% in total amount, and the balance aluminum with unavoidable impurities, wherein a Mg/Si ratio is 1.73 or less by mass ratio.例文帳に追加

Ｍｇ０．２〜１．５ｍａｓｓ％、Ｓｉ０．２〜２．０ｍａｓｓ％を含有し、さらにＳｎもしくはＢｉのいずれか１種以上の元素を総量で０．５〜２．５ｍａｓｓ％含み、残部がアルミニウムと不可避的不純物とからなるＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金であって、Ｍｇ／Ｓｉ比が質量比で１．７３以下であるアルミニウム合金。 - 特許庁

In a producing method of the base material for amorphous iron alloy, the constituting elements in the amorphous alloy and also, oxide of the constituting elements in the amorphous alloy, in which the absolute value of a standard formation free energy is smaller than that of Al2O3, are melted to obtain the base material having ≤50 ppm Al content by removing the formed Al2O3.例文帳に追加

本発明は、鉄基非晶質合金用母材の製造方法であって、前記非晶質合金の構成元素と共に、標準生成自由エネルギーの絶対値がＡｌ_２Ｏ_３より小さい前記非晶質合金の構成元素の酸化物を溶解し、生成するＡｌ_２Ｏ_３を除去してＡｌ含有量が５０ｐｐｍ以下である母材を得る鉄基非晶質合金用母材の製造方法である。 - 特許庁

To prevent electrical disconnection caused by furthering side etching in a Ti layer due to the exposure of a W layer when removal is performed by dry etching in the case of forming, on a contact provided with a W plug, an interconnection layer with a structure of Ti/TiN/Al alloy/TiN and with approximately the same width as the contact.例文帳に追加

Ｗプラグを有するコンタクト上にＴｉ／ＴｉＮ／Ａｌ合金／ＴｉＮ構造でコンタクトとほぼ同じ幅の配線層を形成する場合において、ドライエッチで除去を行うときに、Ｗ層が露出しＴｉ層のサイドエッチが促進されて電気的な接続ができなくなることを、防止できるようにする。 - 特許庁

An Al wiring for connecting the heaters 101 with pads for applying a voltage externally comprises individual wirings 102 independent for individual heaters 101, a first common wiring 103 for common use in one group, and a pad side wiring 108 comprising second common wiring 106 being used commonly for each sub-loop 107 of four heaters 101.例文帳に追加

ヒータ１０１と外部から電圧を印加するためのパッドとを接続するＡｌ配線は、個々のヒータ１０１で独立した個別配線１０２、１つのグループ内で共通に使われる第１の共通配線１０３、および４個ずつのヒータ１０１よりなるサブグループ１０７毎で共通に使われる第２の共通配線１０６からなるパッド側配線１０８で構成されている。 - 特許庁

When a downward operation is performed by an operating device 10, a control device compares a revolving angle θ of the workbench 30 detected by a revolving angle detector 42 with a pre-set retracting angle α, and restricts a movement of the workbench 30 below a retraction restricting height AL if the revolving angle θ is outside of the retracting angle α.例文帳に追加

制御装置は操作装置１０において作業台の下降操作が成されたときに、旋回角度検出器４２において検出される作業台の旋回角度θと予め設定された格納角度αとを比較し、格納角度の範囲外であるときには格納規制高さＡＬ以下への作業台３０の移動を規制する。 - 特許庁

An oxidation resisting film 5 composed of plural coating layers is formed on the surface of a base metal 1 of a nickel base alloy, a cobalt base alloy or the like, the upper coating layer 4 in the coating layers is composed of Al, the lower intermediate coating layer 2 is formed of Pt, and, moreover, the upper intermediate coating layer 3 is formed of Ir.例文帳に追加

ニッケル基合金やコバルト基合金等の母材１の表面に複数のコーティング層からなる耐酸化被膜５が形成され、コーティング層の上部コーティング層４がＡｌからなり、下部中間コーティング層２がＰｔで形成され、また、上部中間コーティング層３がＩｒで形成される。 - 特許庁

To provide a method for production of an Al_xGa_(1-x)As (0≤x≤1) substrate which can keep its transmission property at a high level and enables the production of a device having excellent properties.例文帳に追加

高い透過特性を維持し、かつデバイスを作製したときに高い特性を有するデバイスとなる、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ（０≦ｘ≦１）基板、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ、赤外ＬＥＤ、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ基板の製造方法、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハの製造方法および赤外ＬＥＤの製造方法を提供する。 - 特許庁

(2) In the production of the welded joint in which the composition of the weld metal satisfies the conditions expressed by the inequalities (1) and (2), laser welding is performed by using a single gas of CO2 or a gaseous mixture, in which the volume ratio of CO2 is ≥50%, as a shield gas.例文帳に追加

75.7×[％Al]＋63.1×[％Ti]＋6.5×[％Si]＋1.5×[％Mn] ≧ 2.0 ・・・(1) 100 ≦[ppmＯ] ≦ 800 ・・・(2) (2) 質量％で、溶接金属の組成が上記(1)式および(2)式の条件を満足する溶接継手の製造に際し、シールドガスとしてCO_２単独ガス、またはCO_２が体積比率で50％以上の混合ガスを用いてレーザ溶接することを特徴とする溶接継手の製造方法である。 - 特許庁

To provide a dust core made of soft magnetic powder of Fe-9.5 Si-5.5 Al-based alloy (Sendust alloy) with good DC superimposing characteristics, in which magnetic flux is not saturated under condition of large current in a coil and the permeability is not reduced.例文帳に追加

重量％でＦｅ−９．５Ｓｉ−５．５Ａｌ系合金（センダスト合金）などの軟磁性粉末から製造した圧粉磁心において、直流重畳特性がすぐれた圧粉磁心、すなわち、コイルに大きな直流電流が流れる条件下に使用しても、磁束が飽和するには至らず、透磁率が低下しない圧粉磁心を提供すること。 - 特許庁

This laminated circuit board having Al wiring coated with a transparent conductive film is formed on a transparent substrate and wiring formed on the substrate.例文帳に追加

透明基板と、前記透明基板上に設けられた配線であって、ＡｌあるいはＡｌ合金からなるＡｌ配線と、酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化スズを主成分とする導電性酸化物からなり、前記Ａｌ配線に直接接合する透明導電膜と、を含むことを特徴とするＡｌ配線を備えた透明導電膜積層回路基板を構成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a p-type group III-V compound semiconductor containing Al which can allow to exhibit high p-type conductivity in a method using a catalytic layer on a semiconductor layer, can be manufactured at a low cost and can also realize good ohmic contact with an electrode.例文帳に追加

Ａｌを含むｐ型のIII−Ｖ属化合物半導体であって、該半導体層上に触媒層に用いる方法において、高いｐ型の導電性を発揮させることができ、さらに低コストで作製でき、電極との良好なオーミック接触をも実現することができるｐ型III−Ｖ属化合物半導体の作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the process for joining the ceramic material to Al-containing stainless steel, the surface of the stainless steel to which the ceramic material is to be joined is coated with a metal, and the metal-coated surface is brazed to the ceramic material with a brazing metal or a ceramic powder-containing brazing metal.例文帳に追加

セラミック材料とＡｌを含むステンレス鋼の接合方法であって、セラミック材料を接合するステンレス鋼側の接合面に金属をコーティングした後、該コーティング金属面とセラミック材料との間を金属ろう材、またはセラミックス粉を含む金属ろう材でろう付けすることを特徴とするセラミック材料とＡｌを含むステンレス鋼の接合方法。 - 特許庁

The semiconductor structure comprises a crystal mixed region 7 formed by crystal mixing a part of a semiconductor superlattice structure 3 constituted by alternatively laminating two or more types of III-V semiconductor layers containing different Al compositions, and a selectively oxidized region 8 formed by selectively oxidizing a non-crystal mixing region obtained by not crystal mixing the structure 3.例文帳に追加

Ａｌ組成の異なる２種以上のIII−Ｖ族半導体層を交互に積層することによって構成された半導体超格子構造３の一部が混晶化されて混晶化領域７として形成されており、前記半導体超格子構造３の混晶化されていない非混晶化領域が選択酸化されて選択酸化領域８として形成されている。 - 特許庁

Specifically, electrons present among Mg, Al, and O, which are the components of the MgAl_2O_4 material, are highly densely excited through an ion irradiation of the MgAl_2O_4 material, so that the MgAl_2O_4 material is changed into an amorphous state from a crystalline state.例文帳に追加

詳しくは、本発明は、ＭｇＡｌ_2Ｏ_4材料をイオン照射処理することにより、その材料の構成要素であるＭｇ、Ａｌ及びＯの原子間に存在する電子が高密度に励起されＭｇＡｌ_2Ｏ_4が結晶晶状態から非晶質状態に移行することを特徴とする、ＭｇＡｌ_2Ｏ_4を非晶質化する方法を課題解決手段とする。 - 特許庁