「conversion electron」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The photoelectric conversion element structure having the photoelectric complex protein molecules as structural element is formed by arranging an electron transmission passage by compounding the photoelectric complex protein molecules and fine nano-particles of gold.例文帳に追加

光化学系蛋白複合体を構成要素とする光電変換素子構造であって、光化学系蛋白複合体と金ナノ微粒子を堆積させた電極とが複合されて電子伝達経路が配設されているものである。 - 特許庁

According to this method, electron beam data conversion can be performed in one process, which reduces the required time and system resources to about a half, and the method is particularly effective in verifying cell array region or the like of a semiconductor memory element.例文帳に追加

この方法によれば、電子ビームデータの変換過程が一回で済み、所要時間及び必要とされるシステムの資源を半分程度に低減でき、特に半導体メモリ素子のセルアレイ領域などを検証するのに有効である。 - 特許庁

In this electron source 10, its region on a substrate 12 is divided into: a rectangular region A1 corresponding to a scanning region of a photoelectric conversion part; a frame-like region A2 corresponding to a non-scanning region thereof; and the outermost peripheral region A3.例文帳に追加

電子源１０は、基板１２上の領域が、光電変換部の走査領域に対応する矩形状領域Ａ１と、非走査領域に対応する枠体状領域Ａ２と、最外周の周辺領域Ａ３とに分けられる。 - 特許庁

Each of the control circuits is designed to control the pixel unit and the AD converting circuit, and to transfer a plurality of analog signals having different exposure time in storage period of electron charge in a frame to the line memories after performing AD conversion at the AD converting circuit.例文帳に追加

制御回路は、画素部及びＡＤ変換回路を制御し、１フレームの電荷の蓄積期間において露光時間が異なる複数のアナログ信号をＡＤ変換回路でＡＤ変換させてラインメモリに転送する。 - 特許庁

A correcting time for a shot time of the electron beam is obtained on a line width correction volume (loading correction volume) obtained through a conversion formula of the ratio of a pattern area rate to the line width correction volume previously obtained on the basis of the calculated area of the pattern.例文帳に追加

計算されたパターン面積に基づき、あらかじめ求めてあるパターン面積率対線幅補正量の換算式によって求めた線幅補正量(ローディング補正量)から、電子ビームのショット時間の補正時間を求める。 - 特許庁

In a method of manufacturing an organic thin-film solar cell containing an anode and a cathode which are formed to be spaced from each other, a photoelectric conversion layer of an organic thin film provided between the anode and the cathode, and an electron transport layer formed of TiO_x provided between the photoelectric conversion layer and the cathode, the electron transport layer formed of TiO_x is formed by a combustion chemical vapor deposition method.例文帳に追加

互いに離間して形成された陽極および陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられた有機薄膜の光電変換層と、前記光電変換層と前記陰極との間に設けられたＴｉＯ_xからなる電子輸送層とを有する有機薄膜太陽電池を製造するにあたり、前記ＴｉＯ_xからなる電子輸送層を燃焼化学気相成長法により形成することを特徴とする有機薄膜太陽電池の製造方法。 - 特許庁

A hole blocking layer 3, a photoelectric conversion layer 4 formed by applying and drying coating liquid including polymer materials with a specific structure unit having a hole transport function and an organic pigment with a specific structure having an electron transport function, and an electrode 5 are sequentially formed on a transparent electrode 2 provided in a transparent insulating support 1 to configure a photoelectric conversion element.例文帳に追加

透明絶縁支持体１に設けられた透明電極２上に、ホールブロッキング層３と、ホール輸送機能を持つ特定の構成単位を有する高分子材料及び電子輸送機能を持つ特定構造の有機色素を含有する塗工液を塗布、乾燥して形成した光電変換層４と、電極５を順次設けて光電変換素子とする。 - 特許庁

In the photoelectric conversion element provided with a first electrode with an electron transport compound covered, a second electrode facing the electron transport compound of the first electrode, and a hole transport layer composed of a hole transport material between the electron transport compound of the first electrode and the second electrode, the hole transport layer is laminated with a compound having different molecular weight, and a hole transport material near a second electrode side is a polymer.例文帳に追加

電子輸送性化合物が被覆された第一電極と、前記第一電極の電子輸送性化合物と対峙する第二の電極と、前記第一電極の電子輸送性化合物と前記第二の電極との間にホール輸送性材料からなるホール輸送層を具備した光電変換素子において、ホール輸送層が分子量の異なる化合物で積層されており、第二電極側に近いホール輸送材料が高分子であることを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

In this abnormality detection method, when an abnormality occurs at a specific position of a device and the abnormal state is a level A, the address of a service center for the device and the address of an operator of an scanning electron microscope are selected by a format conversion unit 5 and a destination selection unit 7.例文帳に追加

装置の特定箇所で異常が発生し、その異常状態がレベルＡであった場合、フォーマット変換ユニット５と転送先選択ユニット７により、装置のサービスサイトのアドレスと、走査電子顕微鏡のオペレータのアドレスが選択される。 - 特許庁

The spin conversion element is successively provided with a high-coercitivity magnetic layer 2 having magnetization fixed in one direction, an insulating layer 3, and a non-magnetic conductive layer 4 having each conduction electron that is ferromagnetically coupled with the high-coercitivity magnetic layer 2 via the insulating layer 3.例文帳に追加

一方向に固定された磁化を有する高保磁力磁性層２と、絶縁層３と、絶縁層３を介して高保磁力磁性層２と強磁性的結合した伝導電子を有する非磁性の導電層４とを順に備える。 - 特許庁

To provide a transparent photocathode which has a high sensitivity to light of short wavelengths such as ultraviolet light and which enables photoelectrons generated by photoelectric conversion to be emitted with a high efficiency, and to provide an electron tube using the same.例文帳に追加

紫外光などの波長の短い光に対して充分な感度を有するとともに、光電変換によって生成された光電子を高い効率で放出させることができる透過型光電陰極、及びそれを用いた電子管を提供する。 - 特許庁

The photoelectric conversion element 1 can inhibit reverse electron transfer from the electrode 3 to the charge transport layer 5 while improving the charge transport ability of a charge transport layer 5, and can inhibit the sensitizing dye from peeling off from the semiconductor layer 4.例文帳に追加

この光電変換素子１では、電荷輸送層５の電荷輸送能力を向上すると共に電極３から電荷輸送層５への逆電子移動を抑制し、且つ半導体層４からの増感色素の脱落を抑制することができる。 - 特許庁

The electron emitter is composed of a first substrate and a second substrate facing each other, a cathode electrode formed on the first substrate, an electron emitting part formed on the cathode electrode, a gate electrode formed on the cathode electrode interposing a first insulation layer, and a conversion electrode formed on the first insulation layer and the gate electrode interposing a second insulation layer.例文帳に追加

本発明による電子放出素子は、互いに対向配置される第１基板及び第２基板、第１基板上に形成されるカソード電極、カソード電極に形成される電子放出部、第１絶縁層を間に置いて、カソード電極上に形成されるゲート電極、第２絶縁層を間に置いて、第１絶縁層及びゲート電極上に形成される集束電極を含む。 - 特許庁

Thereby, since the organic compound of the electron transport layer 3 and the electrolyte solution form the gel layer 6, and the sensitizing dye exist in the gel layer 6, the reaction interface of the organic compound becomes large and conversion efficiency is improved, while delivery efficiency of electrons from the sensitized dye to the organic compound of the electron transport layer 3 is improved to further improve transporting efficiency of electrons.例文帳に追加

このため、電子輸送層３の有機化合物と電解質溶液がゲル層６を形成すると共に増感色素がゲル層６内に存在することで、有機化合物の反応界面が大きくなり、変換効率が向上すると共に、増感色素から電子輸送層３の有機化合物への電子の受け渡し効率が向上して電子の輸送効率が向上する。 - 特許庁

For the manufacturing method of the photoelectric conversion element interposing an electron transfer layer composed of photosensitive pigment, an electric charge separation layer, and a conductive layer between a pair of electrode layer of which, at least one side is transparent, the electric charge separation layer is formed by spraying a liquid containing photosensitive pigment on the surface of the electron transfer layer by ink-jet method.例文帳に追加

少なくとも一方が透明な一対の電極層の間に、光増感色素からなる電子輸送層、電荷分離層、および導電層を有する光電変換素子の製造方法において、該電荷分離層を、電子輸送層の表面に光増感色素を含む溶液をインクジェット法を用いて噴射することにより形成することを特徴とする、光電変換素子の製造方法。 - 特許庁

The electron gun has a laser beam source 11, a polarization conversion element 15 to give a phase difference corresponding to an incident position to laser beam from the laser beam source 11, a condensing lens 18 of the laser beam incident via the polarization conversion element 15 from the laser beam source 11, and a photo cathode 21 into which the laser beam condensed by the lens 18 is made incident.例文帳に追加

本発明の一態様にかかる電子銃は、レーザ光源１１と、レーザ光源１１からのレーザ光に入射位置に応じた位相差を与える偏光変換素子１５と、レーザ光源１１から偏光変換素子１５を介して入射したレーザ光を集光するレンズ１８と、レンズ１８によって集光されたレーザ光が入射するフォトカソード２１とを有するものである。 - 特許庁

A measure is equipped in which the peak value of signal is detected at the stage of analog signal that is input into AD converter, or detected from the data after AD conversion, and in which the gain control of secondary electron detector and amplifier is carried out so that this nearly coincides with the full scale of AD converter.例文帳に追加

信号のピーク値を、ＡＤ変換器に入力するアナログ信号の段階で、または、ＡＤ変換後のデータから検出し、これがＡＤ変換器のフルスケールに略一致するように、二次電子検出器，増幅器のゲイン設定を行う手段を設ける。 - 特許庁

A uniform magnetic field forming device 10 is combined with the imaging plate 9, which forms a magnetic field wherein lines of magnetic force are vertical to the cathode substrate 3 and the anode substrate 5 over the whole domain where the micro electron emission sources 2 and the photoelectric conversion film 4 exist.例文帳に追加

撮像板９には、磁力線がカソード基板３及びアノード基板５に垂直な磁場を、微少電子放出源２及び光電変換膜４の存在する領域全体にわたって形成する一様磁場形成装置１０が組み合わせられる。 - 特許庁

To provide a photochemical battery with high efficiency of photoelectric conversion, including semiconductor fine particles sensitized by binuclear ruthenium complex dye, which has a high extinction coefficient and superior electron-transfer properties, and electrolyte solution including an arylamine compound.例文帳に追加

本発明の課題は、高い吸光係数を有する、電子移動に優れた二核ルテニウム錯体色素により増感された半導体微粒子と、アリールアミン化合物を含有する電解質溶液とを備えた、光電変換効率が高い光化学電池を提供することにある。 - 特許庁

To provide a coating composition capable of forming a protective film having excellent resistance to an electrolyte and excellent inverse-electron preventing properties on the surface of a metal electrode substrate on which an electrode substrate and a porous photoelectric conversion layer are to be formed.例文帳に追加

電解質に対する耐性に優れているばかりか、逆電子防止性にも優れた保護膜を電極基板、多孔質光電変換層が形成される金属電極基板の表面に形成することが可能な保護膜形成用のコーティング組成物を提供する。 - 特許庁

To improve electron conduction characteristics of porous semiconductor electrode film consisting of minute particles used in the dye-sensitized solar cell in order to improve conversion efficiency of a dye-sensitized solar cell, and means suitable for industrialization.例文帳に追加

色素増感型太陽電池の変換効率を向上させるために、色素増感型太陽電池に使用される微粒子からなる多孔質性の半導体電極膜の電子伝導特性を向上させ、且つ工業化に適した手段を提供することを課題とする。 - 特許庁

The secondary electron detector 20 is equipped with a scintillator 22 for absorbing the secondary electrons discharged from a sample surface, onto which primary charged particles are irradiated and to convert it into light, and a photoelectric conversion device 26 for converting and amplifying the light, guided through a light guide 24 into electrons.例文帳に追加

一次荷電粒子が照射された試料表面から放出される二次電子を吸収して光に変換するシンチレータ２２と、ライトガイド２４を通して導かれた光を電子に変換して増幅する光電変換装置２６を備える二次電子検出器２０である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an working electrode, capable of fully protecting a metal grid wiring and a circuit from electrolyte solution and preventing reverse electron transfer to the electrolyte and manufacturing an working electrode for preventing reduction of photoelectric conversion efficiency in a simple method by securing a fully conductive rate.例文帳に追加

電解液から金属グリッド配線や回路を十分に保護するとともに、電解液への逆電子移動を防止し、また十分な導電率を確保して光電変換効率の低下を防止した作用極を、簡便な方法で製造することが可能な作用極の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device prepared by using a light-resistant and oxidation and reduction-resistant solution of a metal complex pigment having a high light absorption coefficient and excellent electron mobility and a photochemical cell using the device.例文帳に追加

高い吸光係数を有する、電子移動に優れた耐熱性に優れた金属錯体色素を溶解した耐光性、耐酸化還元性に優れた金属錯体色素溶液によって作製された、酸化物半導体を用いた光電変換素子、ならびにそれを用いた光化学電池。 - 特許庁

The photoelectric conversion device 1 is provided with a conductive substrate 11 with an oxide semiconductor electrode (an electron transport body) 12, dyes 13 adhered to the oxidation insulation semiconductor electrode 12, electrolyte 14, and a counter electrode (a transparent conductive layer) with platinum group metal (a catalyst layer) 20 containing oxygen adhered.例文帳に追加

酸化物半導体電極（電子輸送体）12を形成した導電性基板11と、酸化絶縁半導体電極12に付着した色素13と、電解質14と、酸素を含んだ白金族金属（触媒層）20が被着された対極（透明導電層）17とを具備する光電変換装置１である。 - 特許庁

The photoelectric conversion device has a transparent electrode 2 made of tin oxide including zinc, indium oxide, or complex oxide composed of the above oxides; an electron transport layer 3 containing dye-stuff 4, formed on the transparent electrode 2; and a hole transport layer 6, arranged one on the other in this sequence.例文帳に追加

亜鉛を含有する錫酸化物もしくはインジウム酸化物またはこれらの複合酸化物からなる透明電極２と、この透明電極２上に形成され色素４を有する電子輸送層３と、正孔輸送層６とをこの順で下から上に配置した光電変換装置とする。 - 特許庁

To provide a p-type semiconductor film readily controlling a forbidden band width or an electron affinity distribution in the p-type semiconductor film constituted of a p-type semiconductor and used as a light absorbing layer of a solar cell, so as to provide a high conversion efficiency solar cell.例文帳に追加

ｐ型半導体で構成され、太陽電池の光吸収層として使用されるｐ型半導体膜内の禁制帯幅或いは電子親和力の分布を容易に制御することができ、変換効率の高い太陽電池を得ることができるｐ型半導体膜を提供する。 - 特許庁

After laminating a conductive material protection film on the organic material film by non-reactive sputtering method, an electrode is formed from the surface of this film by conversion to an oxide film by making use of a plasma oxidation method using oxygen radical ions by a low electron temperature high-density plasma apparatus.例文帳に追加

有機物材料膜の上に非反応性スパッタリング法で導電性材料保護膜を積層し、その後、この膜の表面から低電子温度高密度プラズマ装置による酸素ラジカルイオンを使ったプラズマ酸化法を利用して酸化物膜へと変換させて、電極を形成する。 - 特許庁

An organic solar cell 1 includes: a first electrode 3 formed on a substrate; a photoelectric conversion layer 5 formed on the first electrode 3 and provided with a p-type semiconductor layer 5a whose material is a molybdenum oxide and an n-type semiconductor layer 5b whose material is an electron-accepting organic semiconductor; and a second electrode 7 formed on the photoelectric conversion layer 5 and paired with the first electrode 3.例文帳に追加

有機太陽電池１は、基板上に形成された第１電極３と、その第１電極３上に形成されており、モリブデン酸化物を材質とするｐ型半導体層５ａ及び、電子受容性有機半導体を材質とするｎ型半導体層５ｂを有する光電変換層５と、その光電変換層５上に形成されており第１電極３と対をなす第２電極７と、を有する。 - 特許庁

An electron endoscope 42 includes a CCD type solid-state imaging element 42, which periodically performs resetting operation for destroying signal charge after charge-voltage conversion, built therein and a processor 11 receives the output signal Vout from the solid-state imaging element 42 through the signal line 48d to form an image.例文帳に追加

電子内視鏡４２は、電荷電圧変換後の信号電荷を破棄するリセット動作を周期的に行うＣＣＤ型の固体撮像素子４２を内蔵しており、プロセッサ装置１１は、信号線４８ｄを介して固体撮像素子４２からの出力信号Ｖｏｕｔを受信して画像を生成する。 - 特許庁

Since the fine particles 3 in the surface plasmon induction layer 2 has an effect of enhancing a generation efficiency for electron-hole pair in the i layer 5 which is composed of a microcrystal silicon layer or a mixed layer of a microcrystal silicon and an amorphous silicon through the surface plasmon resonance, it can improve the photoelectric conversion efficiency.例文帳に追加

上記表面プラズモン誘起層２の微粒子３が、表面プラズモン共鳴を通して微結晶シリコン層または微結晶シリコンとアモルファスシリコンの混合層で構成されるｉ層５における電子−正孔対の生成効率を向上させる作用を有するため、光電変換効率を改善させることが可能となる。 - 特許庁

The organic thin-film solar cell comprises a first transparent electrode 18, an electron block layer 20, a bulk-heterojunction photoelectric conversion layer 22, a first transparent inorganic oxide layer 24, a second transparent electrode containing a doped second transparent inorganic oxide layer 26, in this order on a plastic film substrate 12.例文帳に追加

プラスチックフィルム基板１２上に、第１の透明電極１８と、電子ブロック層２０と、バルクヘテロ接合型の光電変換層２２と、第１の透明無機酸化物層２４と、ドープされた第２の透明無機酸化物層２６を含む第２の透明電極とをこの順に有する有機薄膜太陽電池。 - 特許庁

An organic thin-film solar cell 10 has, on a support 12, a first electrode 17 configured to include a conductive mesh 14 and a conductive polymer layer 16, an electron block layer 18 made of an inorganic material, a bulk-heterojunction photoelectric conversion layer 22, and a counter electrode (second electrode) 24 in this order.例文帳に追加

支持体１２上に、導電メッシュ１４と導電性ポリマー層１６を含んで構成される第１の電極１７と、無機材料からなる電子ブロック層１８と、バルクヘテロ型の光電変換層２２と、対向電極（第２の電極）２４と、をこの順に有する有機薄膜太陽電池１０である。 - 特許庁

Thus, the distance between the electrodes is small and uniform to reduce the energy loss of the charges (electron) moving the electrolyte layer, so that the entire cell shows uniform optical and electrical properties, enhancing the photoelectric conversion rate as well as reducing the amount of the electrolyte used.例文帳に追加

このような光電気セルは電極間距離が小さくかつ一定となるので電解質層を移動する電荷（電子）のエネルギー損失を小さくでき、しかもセル全体が均一な光学特性および電気特性を示すために光電変換効率を向上でき、しかも電解質の使用量を少なくできる。 - 特許庁

The device 1007 includes a filament 111 separated from atmospheric gas in a vacuum, an UV transparent type vacuum partition 700 for transmitting vacuum UV light 330, and a vacuum UV light source 600 arranged in the atmospheric gas and having a light/electron conversion electrode 610 which discharges photoelectrons 340 by receiving the vacuum UV light 330.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る装置1007は、雰囲気ガスから真空的に隔離されたフィラメント111と、真空紫外光330を透過させるＵＶ透明型真空隔壁700と、雰囲気ガス内に設置され真空紫外光330を受けて光電子340を放出する光/電子変換電極610とを有した真空紫外光源600を備える。 - 特許庁

(1) The photoelectric conversion element comprises a light absorption layer; a first selective contact formed on an electron extraction side of the light absorption layer; a negative electrode formed on outside of the first selective contact; and a positive electrode formed on a hole extraction side of the light absorption layer.例文帳に追加

（１）前記光電変換素子は、光吸収層と、前記光吸収層の電子取り出し端側に形成された第１エネルギー選択性コンタクトと、前記第１エネルギー選択性コンタクトの外側に形成された負極と、前記光吸収層の正孔取り出し端側に形成された正極とを備えている。 - 特許庁

The photoelectric conversion device is formed by successively laminating an electric charge transporting layer containing electron transporting body 3 having optical pumping body in electrolyte 7, and an opposing electrode 5 on a transparent electrode 2, and by covering at least outer peripheral surface of the electrolyte 7 by a sealing member 8 covered by a protection layer 9 blocking external air.例文帳に追加

透明電極２の上に、電解質７中に光励起体を持つ電子輸送体３を入れた電荷輸送体および対向電極５を順次積層してなるとともに、外気を遮断する保護層９を被覆した封止材８で電解質７の少なくとも外周面を覆ってなる光電変換装置とする。 - 特許庁

In a retrace line erasure period just before the video signal output period to select one or a plurality of horizontal scanning lines 257, electrons are made to be emitted toward the photoelectric conversion film from the electron emission source contained in a not-selected one or a plurality of horizontal scanning lines 257 during the video signal output period.例文帳に追加

１又は複数の水平走査ライン２５７が選択される映像信号出力期間の直前の帰線消去期間に、前記映像信号出力期間に選択されていない１又は複数の水平走査ライン２５７に含まれる電子放出源から前記光電変換膜に向けて電子を放出させる。 - 特許庁

A CMOS image sensor (imaging device) 100 includes a PD unit 11 for generating charges by photoelectric conversion, and a charge transfer region 10a (a transfer channel 10 under a transfer gate electrode 14, a multiplication gate electrode 15, a transfer gate electrode 16, and an accumulation gate electrode 17) that includes an electron multiplication unit 10c for multiplying charges.例文帳に追加

このＣＭＯＳイメージセンサ１００（撮像装置）は、光電変換により電荷を生成するＰＤ部１１と、電荷を増倍するための電子増倍部１０ｃを含む電荷転送領域１０ａ（転送ゲート電極１４、増倍ゲート電極１５、転送ゲート電極１６および蓄積ゲート電極１７下の転送チャネル１０）とを備える。 - 特許庁

In a MOS type solid-state imaging device, a photodiode element 102 is formed in a particular shape such as H-shape, X-shape, and ring-shape optimized for obtaining a diffusion of electron-hole pairs in a substrate, rather than directly obtaining an electric charge by improving an aperture rate, and by reducing a capacitance, a high photoelectric conversion efficiency is realized.例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像素子において、フォトダイオード素子１０２が、開口率を向上させて電荷を直接得るよりもむしろ、基板中の電子正孔対の拡散を得るために最適化された、Ｈ字状、Ｘ字状，リング状など特殊な形状に形成されており容量を低減させることにより光電変換効率を向上させる。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which improves performance in microfabrication of a semiconductor element using an electron beam, X-ray or EUV light and simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, good line edge roughness, high contrast, prevention of conversion to a negative resist composition, and surface roughness, and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

電子線、Ｘ線、あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、高コントラスト、ネガ化防止、表面ラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The ion detection unit 101 includes: an aperture 113a as an opening for allowing an ion flux 107 to enter the ion detection unit 101 therethrough; a conversion electrode 103 for converting the ion flux entering through the aperture 113a into electrons; and a secondary electron multiplier 102 for amplifying the converted electrons 109.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係るイオン検出ユニット１０１は、該イオン検出ユニット１０１内にイオン束１０７を入射させるための開口としてのアパーチャ１１３ａと、該アパーチャ１１３ａから入射されたイオン束を電子に変換するコンバージョン電極１０３と、該変換された電子１０９を増幅する２次電子増倍管１０２とを備えている。 - 特許庁

At the selected one or the plurality of horizontal scanning lines 257, electrons are made to be emitted from the electron emission source to the photoelectric conversion film 230 during a retrace line erasure period right after the video signal output period, and a given retrace line erasure period except a retrace line erasure period just before the next video signal output period of the previous video signal output period.例文帳に追加

選択された１又は複数の水平走査ライン２５７では、前記映像信号出力期間の直後の帰線消去期間及び前記映像信号出力期間の次の映像信号出力期間の直前の帰線消去期間を除く任意の帰線消去期間に、電子放出源から光電変換膜２３０に電子を放出させる。 - 特許庁

The imaging device (CMOS image sensor) includes a photodiode portion 4 having a photoelectric conversion function, a floating diffusion region 5 for converting a charge signal into a voltage, an electron multiplying portion 3b for multiplying (increasing) carriers generated by the photodiode portion 4, and a light shield film 26 formed so as to cover a surface of the multiplying portion 3b.例文帳に追加

この撮像装置（ＣＭＯＳイメージセンサ）は、光電変換機能を有するフォトダイオード部４と、電荷信号を電圧に変換するためのフローティングディフュージョン領域５と、フォトダイオード部４により生成されたキャリアを増倍（増加）するための電子増倍部３ｂと、電子増倍部３ｂの表面上を覆うように形成されている遮光膜２６とを備える。 - 特許庁

Moreover, the section 30 conducts conversion processes for the divided image signals and generates display image signals so that the image directions of the divided screens based on the divided image signals and the image directions of the plural screens formed by the scanning of the electron beams are made equal by controlling the writing direction of the divided image signals to an image memory section 33 and the reading direction from the section 33.例文帳に追加

また、画像メモリ部３３への分割画像信号の書き込み方向や読み出し方向を制御することで、分割画像信号に基づく分割画面の画像向きと電子ビームの走査によって形成される複数画面の画像向きが等しくなるように、分割画像信号に対して変換処理を行い表示画像信号を生成する。 - 特許庁