「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(99ページ目) - Weblio英語例文検索

Hydrogen gas diffusing to the fuel diffusion layer 13 from the fuel passage 18 is efficiently humidified in the conduit 21 high in steam concentration, and steam is uniformly dispersed to the flat positions of the openings 20 in the form of a plane.例文帳に追加

燃料流路１８から燃料拡散層１３へ拡散する水素ガスは、水蒸気濃度の高い溝２１にて効率的に加湿されて、開口部２０の平面位置まで水蒸気を面状に均一に分散させる。 - 特許庁

In this way, an implantation process for heavy ion and a heat treatment process for recovery of crystallinity for each of the implantation process are repeated for several times, thereby forming a P type channel diffusion layer 12 on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

このように、重イオンの注入工程及び該注入工程ごとの結晶性回復の熱処理工程を複数回繰り返すことにより、半導体基板１１の上部にＰ型チャネル拡散層１２を形成する。 - 特許庁

A gas diffusion layer 4 is formed on the outside surface of a membrane electrode assembly (MEA) 3 in mirror surface symmetry of a gas passage 6, and capable of housing in the gas passage 6 when a separator 2 is arranged on the outside of the MEA 3.例文帳に追加

ガス拡散層４を、膜電極接合体３の外側表面に、ガス流路６の鏡面対称形状に設け、ＭＥＡ３の外側にセパレータ２を配置した際、ガス流路６内に収納可能とする。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium of high density wherein adhesion of a substrate and a nano particle layer is improved and diffusion of impurities from the substrate is prevented and hard magnetic regular alloy is formed without increasing transformation temperature.例文帳に追加

支持体とナノ粒子層との密着性を改良し、かつ、支持体からの不純物拡散を阻止し変態温度を上昇させることなく硬磁性規則合金を形成した高密度の磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

A clamper 9 holding a master 7 being screen stencil paper is provided on the outer peripheral surface of the porous cylindrical substrate 5 of the plate cylinder 4 and a screen 38 being an ink diffusion layer is provided to the substrate.例文帳に追加

版胴４の多孔性円筒状の基体５の外周面には孔版原紙としてのマスタ７を挟持するクランパ９が設けられているとともに、インキ拡散層としてのスクリーン３８が設けられている。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus manufacturing method which can reduce a junction leakage current on a floating diffusion layer with a silicide formed on its surface, and control the development of a white defect etc. and a solid-state imaging apparatus.例文帳に追加

表面にシリサイドが形成された浮遊拡散層での接合リーク電流を低減し、白キズ等の発生を抑制することができる固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

The high concentration p-type diffusion layer 10 has a base part 10a (a cross-shaped intersecting part) positioned within a source contact part 4s and a plurality of extension parts 10b extending from the base part 10a to the outside of the source contact part 4s.例文帳に追加

上記高濃度ｐ型拡散層１０は、ソースコンタクト部４sの内側に位置する基部１０a(十字形の交差部分)と、上記基部１０aからソースコンタクト部４sの外側に延びた複数の延伸部１０bとを有する。 - 特許庁

A support member 6 which supports a diffusion plate 2 from inside and which is erected on a backside member 5 is penetrated a backside reflecting layer 8, the support member 6 and the backside member 5 are contacted each other, and both of them are made of heat dissipation material.例文帳に追加

拡散板２を内側から支持し背面部材５に立設された支持部材６は背面反射層８を貫通し、この支持部材６と背面部材５が互いに接触し、かつ共に放熱材より成る。 - 特許庁

When a noticing logic gate is a composite gate after extraction of output pin capacity of the noticing logic gate, the capacities (wiring capacity, diffusion layer capacity, gate capacity) inside the composite gate other than input pin capacity are extracted as well 102.例文帳に追加

着目論理ゲートの出力ピン容量を抽出後、着目論理ゲートが複合ゲートの場合，入力ピン容量以外の複合ゲート内部の容量（配線容量，拡散層容量，ゲート容量）も抽出する。 - 特許庁

As a result, electric field concentration at an end of the silicon oxide film 19 is reduced to suppress an increase in electric field intensity, so that a breakdown when the impurity concentration of the N type diffusion layer 12 can be prevented.例文帳に追加

その結果、シリコン酸化膜１９の端部における電界集中が緩和されて電界強度の上昇が抑制され、Ｎ型拡散層１２の不純物濃度を下げた場合のブレイクダウンが防止される。 - 特許庁

To prevent an optical diffusion level on the surface of a filler from being decreased and to prevent an ink receiving layer from becoming transparent even when a back print sheet on which an ink image is formed is displayed as a electric decoration film outdoors for a long time.例文帳に追加

インク画像が形成されたバックプリントシートを電飾フィルムとして屋外に長期にわたって掲示した場合でも、フィラー表面での光拡散レベルの低下を防止し、インク受容層を透明化しないようにする。 - 特許庁

To dispense with a correction of a wiring layer mask excluding necessary masks for essential correction, and to prevent extension of a diffusion period of time and the increasing of the expense for the mask, upon changing the mask accompanied by the addition of functions or the correction of bug.例文帳に追加

機能追加やバグ修正に伴うマスク変更を行う際、本来の修正に必要なマスク以外の配線層マスクの修正が必要とならず、拡散期間延長、マスク費の増大を防止する。 - 特許庁

An input/output pad 3 is formed on a substrate in an active region 1 with a transistor, a wiring and the like, which are formed of hierarchies, such as a diffusion layer 11, wiring layers 8, 8' and 8", contacts 9 and an interlayer insulating film 10.例文帳に追加

基板上に拡散層１１、配線層８，８’，８”、コンタクト９、層間絶縁膜１０等の階層によりトランジスタや配線等が形成された能動領域１上に入出力パッド３を形成する。 - 特許庁

Furthermore, the high conductivity region 18 is surrounded by a P-type diffusion layer 40, and there is no spherical bonding.例文帳に追加

更に、高導電領域１８は、Ｐ型の拡散領域４０によって囲まれており、球状接合が無く、高導電領域１８内に広がる空乏層は、高導電領域１８の内側に向けて伸びるようになっている。 - 特許庁

A structure of a bonding pad for a copper metallized integrated circuit comprises a first barrier metal layer deposited on a surface of a non- oxidative copper having a copper diffusion coefficient at 250°C of lower than 1×10E-23 cm2/s and a thickness of about 0.5 to 1.5 μm.例文帳に追加

この構造は、銅拡散係数が２５０℃において１×１０Ｅ−２３ｃｍ^2／ｓ未満、厚さが約０．５から１．５μｍである、非酸化銅表面上に堆積させた第１のバリア金属層を含む。 - 特許庁

A surface to become an outer surface of the positive electrode can has Ni not less than 12 g/m2, and it is desirable that the Fe-Ni diffusion layer is formed at a part of this Ni in order to give a good corrosion resistance to the outer surface.例文帳に追加

正極缶外面になる面は、１２ｇ／ｍ^2 以上のＮｉを有し、このＮｉの一部がＦｅ−Ｎｉ拡散層を形成していることが、外面に良好な耐食性を付与するために望ましい。 - 特許庁

It is not necessary to form the embedded low-concentration impurity region by impurity diffusion in addition to the low-concentration semiconductor layer, the heat treatment temperature can be lowered relative to a conventional one in this case, and a high withstand voltage can be provided.例文帳に追加

また低濃度半導体層に追加して不純物拡散による埋め込み低濃度不純物領域を設けてもよく、この場合は従来より熱処理温度を短縮し、高い耐圧を得ることができる。 - 特許庁

An uneven surface having arithmetical mean deviation of 0.5 μm or less and mean spacing of 80 μm or narrower is formed on a surface opposite to a surface on which a light diffusion layer 3 of the light diffusive sheet 1.例文帳に追加

光拡散性シート１の、光拡散層３が形成された面とは反対の面に、算術平均粗さが０．５μｍ以下であって凹凸の平均間隔が８０μｍ以下である凹凸面を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing the characteristics change of a semiconductor substrate due to impurity diffusion and reducing the electrical resistance of a wiring layer, and to provide a solid-state imaging element and a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

不純物拡散による半導体基板の特性変化を防止し、且つ配線層の電気抵抗を低減することができる半導体装置、固体撮像素子、および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, a P-type upper separation area 29 is formed in the epitaxial layer 21 by thermal diffusion, and the upper separation area 29 and a lower separation area 22 are coupled to form a separation area 30.例文帳に追加

その後、熱拡散を行うことにより、エピタキシャル層２１の中にＰ型の上分離領域２９が形成され、この上分離領域２９と下分離領域２２とは連結されて分離領域３０が形成される。 - 特許庁

To obtain a gas feed layer-metallic porous body joined body by tightly joining a metallic porous body to a porous sheet of fibrillated PTFE and to obtain a gas diffusion electrode using the joined body and having a long service life and high performance.例文帳に追加

金属多孔体とフィブリル化ＰＴＦＥ多孔体シートを強固に接合したガス供給層と金属多孔体との接合体、及びこれを用いた長寿命で高性能のガス拡散電極を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a heavily doped n type diffusion region 10 is formed on the surface of a region of the lightly doped n type epitaxial layer 3 where the p type well 4 is not formed and connected electrically with a power supply voltage.例文帳に追加

更に、前記低濃度ｎ型エピタキシャル層３の前記ｐ型ウェル４が形成されていない領域表面に、高濃度ｎ型拡散領域１０を形成し、これを電源電圧と電気的に接続した。 - 特許庁

Thus, when the transfer transistor TXH is driven by an intermediate voltage VM, signal charges to be leaked from a photoelectric conversion element PD to a floating diffusion layer FD are reduced, to thereby raise the sensitivity of a logarithm characteristic part.例文帳に追加

よって、転送トランジスタＴＸＨを中間電圧ＶＭで駆動させた場合、光電変換素子ＰＤから浮遊拡散層ＦＤに漏れ出る信号電荷は少なくなるため、対数特性部の感度が上がる。 - 特許庁

A p^+-diffusion layer 7 is arranged in the n-well 2 near a portion wherein directions of the VDD wiring 1 and the substrate bias VDD2 wiring 5 intersect, and electrically connected to the VDD wiring 1 via a contact.例文帳に追加

Ｐ＋拡散層７が、ＶＤＤ配線１と基板バイアスＶＤＤ２配線５方向が交差する部分の近傍におけるＮウェル２内に配され、ＶＤＤ配線１とコンタクトを介して電気的に接続される。 - 特許庁

A potential difference between the negative electrode of the solid electrolyte secondary cell and the diffusion layer (g) is fixed so as to be equal to or larger than a potential difference between the negative and positive electrodes of the solid electrolyte secondary cell.例文帳に追加

固体電解質二次電池の負極に対する拡散層ｇの電位差は、固体電解質二次電池の負極に対する正極の電位差と同じか、またはそれ以上の電位差で固定されている。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for an AlGaInP semiconductor light-emitting device in which the planarity of surface of the epitaxial wafer is improved, by suppressing the generation of crystal defects in a current diffusion layer of the epitaxial wafer for the semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

半導体発光素子用エピタキシャルウェハの電流拡散層における結晶欠陥の発生を抑制し、該エピタキシャルウェハの表面平坦性を向上させたAlGaInP系半導体発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

The resistive element comprises two or more kinds of electric conduction layers containing an electric conductive film 4 and a diffusion layer 5, and a position specifier 4a for specifying a region to the semiconductor substrate 1 consisting of the same material as the electric conductive film.例文帳に追加

抵抗素子は、導電膜４と拡散層５を含む２種類以上の導電層と、導電膜と同一材料により構成され、半導体基板１に領域を規定する位置規定部４ａとを備える。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device and a manufacturing method thereof, where the memory device is high in W/E(writing/erasing) reliability, and the source diffusion layer of a memory cell is protected against damage when a source wiring is formed in a self-aligned manner.例文帳に追加

自己整合によるソース配線の形成の際にメモリセルのソース拡散層にダメージがなく、Ｗ／Ｅ信頼性の良好な、不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To visualize a structure of each layer of a cardiac muscle in a three-dimensional manner based on diffusion information of MRI to obtain clinically and biologically meaningful information on a heart, such as a torsional state of the cardiac muscle, a relative position of layers, or the like.例文帳に追加

ＭＲＩの拡散情報に基づいて心筋の各層の構造を３次元的に可視化し、心筋のねじれ具合や各層の相対位置など、臨床的、生物学的に意味のある心臓の情報を取り出す。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method therefor which prevent the delamination of interlayer insulating films and the diffusion of copper to the surroundings of the inter-layer insulating films while giving the interlayer insulating films a lower dielectric constant.例文帳に追加

層間絶縁膜の膜剥がれ及び周辺への銅の拡散を防止しつつ、層間絶縁膜のより一層の低誘電率化を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

On the gas diffusion layer 18 of a fuel cell made of fibrous structure, cutting treatment or rupturing treatment is applied to one part or whole part of the nap of the fiber generated at least on one face 18a.例文帳に追加

繊維状の構造体からなる燃料電池用のガス拡散層１８において、少なくとも一方の面１８ａにおける繊維の毛羽立ちの一部または全部を切断処理あるいは破断処理する。 - 特許庁

To provide a polyester film roll for a diffusion plate in which there are few troubles at the surface of the film by the generation of static electricity when coating a light diffusing layer, and there is little generating of a running trouble when coating by a coater.例文帳に追加

光拡散層の塗工の際に、フィルム表面に静電気の発生によるトラブルが少なく、しかもコーターで塗工する際の走行トラブルが発生することの少ない拡散板用ポリエステルフィルムロールを提供する。 - 特許庁

The gas diffusion layer is arranged in an air electrode of the fuel cell and has a stacked substrate, and wettability on the surface of the substrate in the stacking direction is varied.例文帳に追加

燃料電池の空気極に設けられ、集積された基材を有するガス拡散層であって、集積方向における前記基材の表面の濡れ性が変化していること、を特徴とするガス拡散層が提供される。 - 特許庁

Consequently, when an opened end 24 of the atmospheric passage 21 is opened for the atmosphere, fuel vapor flowing out from the second storage chamber 42 of a canister 30 by diffusion is absorbed by the adsorbent layer 51.例文帳に追加

これにより、大気通路２１の開放端２４が大気に開放されているとき、キャニスタ３０の第二収容室４２から拡散により流出した燃料蒸気は吸着剤層５１により吸着される。 - 特許庁

A surface modified layer is formed by injecting injection powders containing a reinforcing element diffusion-permeated into the piston to enhance the strength, onto the Al-Si alloy-based piston obtained by casting and forging, under a prescribed condition.例文帳に追加

鋳鍛造により得たAl-Si合金系ピストンに，該ピストンに拡散浸透して強度を向上させる強化元素を含有する噴射粉体を，所定条件で噴射して衝突させて表面改質層を形成する。 - 特許庁

The present invention relates to an anisotropic light diffusion film for an LED illumination having (A) a layer formed from a resin composition containing polymethylpentene resin in 60 to 90 wt.% and cyclic olefin resin in 10 to 40 wt.%.例文帳に追加

（Ａ）ポリメチルペンテン樹脂６０〜９０重量％及び環状オレフィン系樹脂１０〜４０重量％を含む樹脂組成物から形成される層を有するＬＥＤ照明用異方性光拡散フィルムである。 - 特許庁

In the semiconductor device, a silicon oxide film 41 for dielectric films in the capacitor 3 is formed on an n-type diffusion layer 40 for the lower electrode of the capacitor at the formation region of the capacitor 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、キャパシタ３の形成領域において、キャパシタの下部電極用のＮ型の拡散層４０上には、キャパシタ３の誘電膜用のシリコン酸化膜４１が形成されている。 - 特許庁

The anisotropic light diffusion film for LED lighting has a layer formed of a resin composition containing (A) a cyclic olefin system resin 70-90 wt.% and a polyethylene resin 10-30 wt.%.例文帳に追加

（Ａ）環状オレフィン系樹脂７０〜９０重量％及びポリエチレン樹脂１０〜３０重量％を含む樹脂組成物から形成される層を有するＬＥＤ照明用異方性光拡散フィルムである。 - 特許庁

Then, an n-type threshold control diffusion layer 17a having a relatively shallow junction while both sides are held by p-type source/drain regions 16a is formed on the semiconductor substrate 11 directly below the gate electrode 15a.例文帳に追加

そして、ゲート電極１５ａ直下の半導体基板１１に両側をＰ型ソース・ドレイン領域１６ａに挟まれ、相対的に接合深さの浅いＮ型しきい値制御拡散層１７ａが形成されている。 - 特許庁

In a case of manufacturing the SRAM cell, when implantation of impurity ions is performed at first time, ion implantation is performed under the condition where the ion concentration is comparatively high and acceleration voltage is low, and a source/drain diffusion layer 13 is formed.例文帳に追加

ＳＲＡＭセルの製造時において、１回目に不純物イオンを注入するときにはイオン濃度を比較的高く低加速電圧の条件でイオン注入し、ソース／ドレイン拡散層１３を形成する。 - 特許庁

After forming a separated insulating area 24 in the trench, As and P are diffused into the semiconductor substrate 11 by heat treatment and the storage node electrode is connected to the diffusion layer of the transfer gate transistor.例文帳に追加

次に、トレンチに分離絶縁領域２４を形成した後、熱処理によりＡｓとＰを半導体基板１１内に拡散させて、前記ストレージノード電極と前記トランスファーゲートトランジスタの拡散層とを接続する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device including a MOS field effect transistors or the like which can be manufactured by eliminating an inversion layer formed with ion implantation, thereby preventing diffusion at an increased rate.例文帳に追加

イオン注入により生成させる反転層を消滅させ、これにより増速拡散を防止して製造することができるＭＯＳ型電界効果トランジスタなどを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the fuel cell has a process of forming a diffusion layer by polymerization of a compound having phosphoric acid group in a liquid containing at least a porous body and a nonionic copolymer.例文帳に追加

燃料電池の製造方法は、少なくとも、多孔質体及び非イオン性共重合体を含有する液体中でリン酸基を有する化合物を重合することにより拡散層を形成する工程を有する。 - 特許庁

And a potential varied linearly or natural logarithmically by the embedded type photo diode PD is transmitted to a N type suspended diffusion layer FD and outputted as an image signal through MOS transistors T3, T4.例文帳に追加

そして、埋込型フォトダイオードＰＤで線形的又は自然対数的に変化したポテンシャルをＮ型浮遊拡散層ＦＤに転送し、ＭＯＳトランジスタＴ３，Ｔ４を通じて映像信号として出力する。 - 特許庁

To reduce a transistor in parasitic resistance in a state of realizing shallow junction of an emitter base, in a method of manufacturing a bipolar transistor whose emitter diffusion layer is formed by diffusing impurities from an emitter polysilicon electrode.例文帳に追加

エミッタポリシリコン電極からの不純物拡散によってエミッタ拡散層を形成するバイポーラトランジスタの製造方法において、エミッタベースの浅接合を実現した状態でトランジスタの寄生抵抗を低減させる。 - 特許庁