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diffusion-layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5831



例文

The total sum value of impurities of yttrium(Y), hafnium(Hf), zirconium(Zr) and thorium(Th) is suppressed to 30 ppb or less, that is contained in diffusion prevention layer material 2 composed of Ta or Ta based alloy layer which prevents for low melting metals contained in compound series superconductive wire to diffuse into a stabilizer material 3.例文帳に追加

化合物系超電導線に含まれる低融点金属が熱処理などにより安定化材3に拡散することを防止するTaまたはTa基合金からなる拡散防止層用材2中に含まれる不純物、イットリウム(Y)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)およびトリウム(Th)の合計値を30ppb以下に抑える。 - 特許庁

In the gaps formed when an ion conductive compound with a catalyst layer for becoming the hydrogen ion reaction part, a current collecting plate separator, a gas diffusion layer, and a gasket material are assembled, an expansion material of which the volume is increased by heating or a resin composition containing a foaming agent are arranged in advance before assembling.例文帳に追加

水素イオン反応部分となる触媒層付きのイオン伝導性化合物、集電板セパレーター、ガス拡散層及びガスケット材を組立てたときに出来る隙間に、組立て前にあらかじめ、加熱により体積が増加する膨張材もしくは発泡剤を含有した樹脂組成物を配置しておく。 - 特許庁

In the semiconductor device having an MOS type transistor structure and using the capacity between a gate electrode 13 and source-drain (diffusion layer 14) as a varicap, an impurity layer is formed in a channel region 15 beneath the gate electrode 13 to have a concentration gradient.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、MOS型トランジスタ構造で、ゲート電極13とソース・ドレイン(拡散層14)間の容量をバリキャップとして用いるものにおいて、前記ゲート電極13下のチャネル領域15に形成された不純物層が濃度勾配を有するように形成されていることを特徴とするものである。 - 特許庁

After introducing nitrogen ions 4 into the surface of a p-type SiC substrate 1, the nitrogen atoms present in an impurity-doped layer 6 are made to diffuse toward the rear surface of the SiC substrate 1, by increasing the number of the interstitial silicon atoms of the SiC substrate 1 by its thermal oxidation, so as to form an n-type impurity diffusion layer 7.例文帳に追加

p型SiC基板1の表面に窒素イオン4を導入した後、熱酸化によってSiC基板1の格子間シリコン原子の数を増加させることにより、不純物ドーピング層6の窒素をSiC基板1の裏面に向かって拡散させて、n型不純物拡散層7を形成する。 - 特許庁

例文

A memory element 1 comprises a field effect transistor element which is composed of two impurity diffusion areas 11, a gate electrode 13, and a gate insulating layer 12 on a p-type silicon board 10; and a variable resistance element which is composed of a lower electrode 19, an upper electrode 21, and a variable resistance layer 20 interposed between the lower and upper electrodes 19, 21.例文帳に追加

メモリ素子1は、p型シリコン基板10に、2箇所の不純物拡散領域11とゲート電極13およびゲート絶縁層12から構成される電界効果型トランジスタ素子部と、下部電極19と上部電極21とで可変抵抗層20を挟み構成された可変抵抗素子部とからなる。 - 特許庁


例文

A cathode conductive layer is provided with a plurality of cathode electrode parts equipped with holes in contact with and in electric conduction with a cathode gas diffusion layer for letting fuel pass through to an membrane electrode assembly and arranged in virtually the same plane, and a cathode insulating seal frame for positioning and retaining the plurality of cathode electrode parts.例文帳に追加

カソード導電層は、カソードガス拡散層に接触して電気的に導通し、膜電極接合体に燃料を通過させるための孔を有し、実質的に同一の平面に配列される複数のカソード電極部と、複数のカソード電極部を位置決め保持するカソード絶縁シール枠と、を有する。 - 特許庁

The anode conductive layer is provided with a plurality of anode electrode parts equipped with holes in contact with and in electric conduction with an anode gas diffusion layer for letting fuel pass through to an membrane electrode assembly and arranged in virtually the same plane, and an anode insulating seal frame for positioning and retaining the plurality of anode electrode parts.例文帳に追加

アノード導電層は、アノードガス拡散層に接触して電気的に導通し、膜電極接合体に燃料を通過させるための孔を有し、実質的に同一の平面に配列される複数のアノード電極部と、複数のアノード電極部を位置決め保持するアノード絶縁シール枠と、を有する。 - 特許庁

Thus, a barrier layer 15 which is chemically stable even in a high-temperature usage environment at a temperature exceeding 200°C and effectively works as a barrier layer can be interposed between Cu interconnections 18 and the interlayer insulation film 12, and thereby diffusion of Cu, which is a material of the interconnections, into the interlayer insulation film 12 can be prevented.例文帳に追加

これにより、200℃を超える高温使用環境においても化学的に安定であり、バリア層として効果的に作用するバリア層15をCu配線18と層間絶縁膜12との間に介在させることができるので、配線材料たるCuの層間絶縁膜12への拡散を防止することができる。 - 特許庁

The junction body of the electrolyte film for the fuel cell and the electrode is composed of a hydrogen ion conductive polymer electrolyte film, a pair of catalyst layers pinching the electrolyte film, and a gas diffusion layer, with the catalyst layer open to at least one face with a vacant hole part of a hole diameter larger than that of a gas channel.例文帳に追加

燃料電池用電解質膜・電極接合体は、水素イオン伝導性高分子電解質膜、ならびに前記電解質膜を挟む一対の触媒層およびガス拡散層からなる電極より構成され、前記触媒層が少なくとも一方の面にのみ開口し、孔径がガスチャネルよりも大きな空孔部を有する。 - 特許庁

例文

This transmission type projection screen is provided with black stripe 14 layer parts in the portions where the projected light from projection is not transmitted and light diffusion layer parts 16a by foaming only in the portions where the light is transmitted on the flat surface side of a lenticular sheet 10 which is provided with cylindrical lenses in juxtaposition on one surface and the other surface is a flat surface.例文帳に追加

片面にシリンドリカルレンズが並設され、他面が平坦面であるレンチキュラーシート10の平坦面側にプロジェクションからの投影光が透過しない部分にブラックストライプ14層部、透過する部分のみに発泡による光拡散層部16aが設けられている透過型プロジェクションスクリーン。 - 特許庁

例文

The following embodiments are preferable, namely, that the image receiving layer is formed on the supporting body having ≥2% regular reflectance of its surface at least both at 440 nm and at 560 nm wavelength, and that the regular reflectance at 440 nm on the surface of the image receiving layer is ≥3/100 with respect to the diffusion reflectance.例文帳に追加

少なくとも、440nmにおける表面の正反射率、及び、560nmにおける表面の正反射率が、共に2%以上である支持体上に、受像層が形成された態様、受像層表面の440nmにおける正反射率が、拡散反射率に対し3/100以上である態様等が好ましい。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an electrode for a lithium secondary battery, having high discharge capacity and high charge/-discharge characteristics, by properly controlling a diffusion state of components of a current collector into an active material layer, when forming an active material layer comprising a plurality of layers on both surfaces of the current collector.例文帳に追加

集電体の両面に複数の層からなる活物質層を形成する場合に、集電体の成分の活物質層への拡散状態を適切に制御することによって、放電容量が高く、かつ、良好な充放電特性を得ることが可能なリチウム二次電池用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a gas diffusion layer for the fuel cell contains (a) a process filling an evanescent material into the conductive porous substrate; (b) a process forming the covering layer containing conductive particles on the conductive porous substrate; and (c) a process removing the evanescent material, in order of the processes (a) to (c).例文帳に追加

(a)導電性多孔質基材に消失性物質を充填する工程と、(b)前記導電性多孔質基材に導電性粒子を含む被覆層を形成する工程と、(c)前記消失性物質を除去する工程とを、工程(a)〜(c)の順に含むことを特徴とする燃料電池用ガス拡散層の製造方法。 - 特許庁

Thus, the laser beam condensing property is enhanced on the layer immediately above the electrode 6, and thereby the degree of diffusion of laser beams penetrating the layer is enhanced, the energy density of the laser beams applied to the electrode 6 can be reduced, and any damage to the electrode 6 held by a TFT substrate 1 and the opposing substrate 2 can be prevented.例文帳に追加

そのため、電極6の直上の層においてレーザ光の集光性が向上されることで、当該層を透過したレーザ光の拡散度合いが向上し、電極6に照射されるレーザ光のエネルギー密度を低下でき、TFT基板1および対向基板2に挟まれた電極6の損傷を防止できる。 - 特許庁

An alloy element consisting of at least one kind of Si, Al, Be, Co, P and Sn having the effect of stabilizing the ferritic Fe phase and the effect of repulsion with carbon in steel is diffusion-coated from a surface layer, the surface layer is carburized, carbo-nitrided and/or nitrided, and quenched or quench-tempered.例文帳に追加

フェライトFe相を安定化する作用および鋼中の炭素と反発し合う作用を有するSi,Al,Be,Co,P,Snのうちの少なくとも一種以上からなる合金元素を表面層から拡散浸透させるとともに、その表面層を浸炭、浸炭浸窒および/または浸窒処理した後に焼入れもしくは焼入れ焼戻し処理を施す。 - 特許庁

The filter for display device comprises: a filter base 270; an external light-shielding layer 230 which comprises a base substrate 234 made of transparent resin and light-shielding patterns 236 spaced from one another at predetermined intervals on one surface of the base substrate 234; and a diffusion layer 280 which diffuses light supplied from a panel assembly.例文帳に追加

表示装置用フィルタは、フィルタベース270と、透明樹脂材質の基材234と、基材234の一面に一定周期で互いに離隔して形成された遮光パターン236を備える外光遮断層230と、パネルアセンブリから供給された光を拡散させる拡散層280とを含む。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device comprises a plurality of memory cell portions 11 arranged in a matrix structure in a semiconductor substrate 10, a plurality of bit lines 12, each consisting of a diffusion layer extended in the column direction, a buried insulation film 16, a plurality of word lines 13 which are formed on the buried insulation layer 16 and are extended in the row direction.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板11に行列状に配置された複数のメモリセル部11と、列方向に延びる拡散層からなる複数のビット線12と、埋め込み絶縁膜16と、埋め込み絶縁膜16の上に形成され、行方向に延びる複数のワード線13とを備えている。 - 特許庁

In an n-channel type MOSFET 1, the front edge of a depletion layer does not reach up to a low-concentration drain diffusion region 5 when potential is applied among gate electrodes 15, and source electrodes 9 and a drain electrode 5 and a semiconductor substrate 1a and the depletion layer is expanded from the junction surfaces of the semiconductor substrate 1a and a well 3.例文帳に追加

nチャネル型MOSFET1において、ゲート電極15、ソース電極9およびドレイン電極5と、半導体基板1aとの間に電位を印加して、半導体基板1aとウェル3との接合面から空乏層を拡張させたとき、この空乏層の先端縁が、低濃度ドレイン拡散領域4にまで到達しない。 - 特許庁

To provide a power generation cell of a fuel battery in which the thickness of a solid electrolyte layer can be made thin by leaps and bounds than a conventional one without causing cracks, and power generation efficiency can be improved remarkably, and at the same time, reverse diffusion of air of the surrounding to the fuel electrode layer side can be prevented.例文帳に追加

固体電解層を、割れを生じることなくその厚さを従来よりも飛躍的に薄くすることができ、よって発電効率を一段と向上させることが可能になるとともに、同時に周囲の空気の燃料極層側への逆拡散を防止することができる燃料電池の発電セルを提供する。 - 特許庁

A fresh developing solution is applied on the plate surface of a planographic printing plate utilizing a silver complex salt diffusion transfer process obtained by disposing a silver halide emulsion layer of a high silver density emulsion containing70 wt.% binder based on the amount (expressed in terms of silver nitrate) of silver halide and a protective layer on an anodically oxidized aluminum substrate.例文帳に追加

陽極酸化されたアルミニウム支持体上に硝酸銀に換算したハロゲン化銀に対して70重量%以下のバインダーからなる高銀密度乳剤のハロゲン化銀乳剤層および又は保護層を設けた銀錯塩拡散転写法を利用する平版印刷版の版面上に新鮮な現像液を塗布する。 - 特許庁

To keep excessive water out of an electrode catalyst and keep a polymer electrolyte membrane in an appropriate wet state, by evaporating moisture generated in a catalyst layer swiftly in a gas diffusion layer to efficiently drain it out of a cell.例文帳に追加

高分子電解質型燃料電池において、触媒層で生成した水分を速やかにガス拡散層で蒸発させて電池外に効率的に排出することにより、電極触媒中に過剰な水が滞留することなく、しかも高分子電解質膜が適度な湿潤状態に保たれるようにすることである。 - 特許庁

In this case, the organic electron donor layer is made two to five times in thickness the exciton diffusion length of the organic electron donor forming the organic electron donor layer.例文帳に追加

少なくとも、有機電子供与体層と電子受容体層とから形成されるヘテロ接合を有する光電変換層と、この光電変換層を挟持する一対の電極とを備える有機太陽電池において、前記有機電子供与体層の厚さを、これを構成する有機電子供与体の励起子拡散長の2〜5倍とする。 - 特許庁

By forming a first layer metal film 3a to improve close contact with a substrate, a second metal film 3b to prevent diffusion, a third layer metal film of low resistance, and a fourth metal film 3d for protection, it is possible to achieve low-resistance and low-capacitance wiring and electrodes for external connection.例文帳に追加

基板との密着性を向上させる第1層金属膜3a、拡散を防止する第2金属膜3b、低抵抗の第3層金属膜3cおよび保護のための第4金属膜3dを形成することで、低抵抗かつ低静電容量の配線および外部接続用電極が達成できる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting device for flip chip and its manufacturing method improved in a luminance characteristic and a driving voltage characteristic capable of reducing an adhesion defect and improving the luminance characteristic by improving adhesiveness between a p metal layer and a p-type nitride semiconductor layer, reflection efficiency, current diffusion efficiency, and contact resistance.例文帳に追加

pメタル層とp型窒化物半導体層間の密着性と、反射効率及び電流拡散効率と、接触抵抗とを改善することにより、輝度及び駆動電圧特性の向上されたフリップチップ用窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関し、密着力不良を減少し、輝度特性を改善する。 - 特許庁

When an excessive positive surge voltage is generated at a source electrode 16 of a semiconductor device 20, a parasitic diode 27 including parasitic diodes 25 and 26 plus the high-concentration diffusion layer 13 and electrode extraction layer 14 as current paths is turned on, which causes a ESD current to escape from the source electrode 16 toward the drain electrode 17.例文帳に追加

半導体装置20のソース電極16に過大な正のサージ電圧が生じると、寄生ダイオード25,26に加えて、高濃度拡散層13及び電極取り出し層14を経路として含む寄生ダイオード27がオンしてソース電極16側からドレイン電極17側にESD電流を逃がす。 - 特許庁

To provide a technology for shortening such a time as the resistance between main electrodes becomes the on resistance under steady state when transition is made from off state to on state in a semiconductor device having an impurity diffusion region of a conductivity type different from that of a drift layer within a range surrounding the footprint of a trench in the drift layer.例文帳に追加

ドリフト層内においてトレンチの底面を取り囲む範囲に、ドリフト層とは異なる導電型の不純物拡散領域を備えている半導体装置の、オフ状態からオン状態に移行する際の主電極間の抵抗が定常状態のオン抵抗となる時間を短縮化する技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method of circulating coating liquid, which is optimum for long term continuous production by stably keeping a diffusion state of conductive particles and insulation particles in circulation of the coating liquid when forming a surface layer on an outer periphery of the elastic body layer of a conductive rubber roller for electrophotography by a dipping coating method.例文帳に追加

電子写真用導電性ゴムローラの弾性体層の外周面上に浸漬塗工法により表面層を形成する際の塗工液の循環時における導電性粒子や絶縁性粒子の分散状態を安定に保ち、長期間の連続生産に最適な塗工液の循環方法を提供する。 - 特許庁

After a protective film 6 has been formed on the first insulation film 4 in the DRAM circuit region 11 and on the logic circuit region 12, except a prescribed region 51 of the diffusion layer 5 formed on the periphery of a specified gate electrode 3a, a silicide layer 7 is formed above the prescribed region 51 by salicide method.例文帳に追加

DRAM回路領域11に形成された第1の絶縁膜4上と、所定のゲート電極3aの周辺に形成された拡散層5の所定領域51を除いたロジック回路領域12上に、保護膜6を形成した後、所定領域51の上部にシリサイド層7をサリサイド法により形成する。 - 特許庁

A water channel 31 is provided at least at either an electrolyte film 3, a catalyst layer 33, or a water-repellent material on the surface of or inside a diffusion layer, and water is moved from a part with a comparatively wet state to a part with a comparatively dry state via the water channel 31 to aim at uniformalizing a water volume in an inside face direction.例文帳に追加

電解質膜3、触媒層33、拡散層の表面又は拡散層内部の撥水性材料の少なくとも一つに水路31を設け、この水路31を介して比較的湿潤状態の部分から比較的乾燥状態の部分へ水を移動させて、面内方向の水分量の均一化を測る。 - 特許庁

The woven or knitted fabric in the multilayer-structure having the excellent water absorption and diffusion evaporative property, includes an infrared-absorbing fiber having >1 dtex single fiber fineness at least in a back surface layer, and a fiber having ≤1 dtex single fiber fineness in a front surface layer.例文帳に追加

多層構造織編物であって、少なくとも裏面層に単繊維繊度が1dtexより大の赤外線吸収性繊維が含まれており、かつ表面層に単繊維繊度1dtex以下の繊維が含まれることを特徴とする吸水性と拡散蒸発性に優れる多層構造織編物。 - 特許庁

A gate electrode 6, a gate electrode cover nitride film 5, and a nitride film side wall 8 are formed on a substrate 1, an n--type semiconductor region 7 and a n+-type semiconductor region diffusion layer 9 are formed on the surface region of the semiconductor 1, a polysilicon layer is deposited on all the surface and etched back, and polysilicon is filled in a gap between the gate electrodes.例文帳に追加

基板1上にゲート電極6、ゲート電極カバー窒化膜5、窒化膜サイドウォール8を形成し、基板表面領域内にn^-型半導体領域7、n^+型半導体領域拡散層9を形成した後、全面にポリシリコンを堆積しエッチバックしてゲート電極間にポリシリコンを埋め込む。 - 特許庁

The edge part of the semiconductor layer (intrinsic region 3) in a current direction is formed into a P+ diffusion region, so the edge part serves as an anode electrode 6 to prevent a current determining the performance of the optical sensor element from flowing through the edge part.例文帳に追加

電流方向における半導体層(真性領域3)のエッジ部分をP+拡散領域にしたので、このエッジ部分がアノード電極6となり、光センサ素子の性能を決める電流がエッジ部分に流れることを防止できる。 - 特許庁

Since the surface area of a V-CCD 15 comprising the n- type diffusion layer 15a serving as a charge transfer part is small per unit cell 10, surface area of a photodiode 21 can be increased per unit cell 10.例文帳に追加

このため、電荷の転送部分となるn^-型の拡散層15aからなるV−CCD15の単位セル10あたりの表面積は小さく、フォトダイオード21の単位セル10あたりの表面積を大きくすることができる。 - 特許庁

To suppress an off-current in a cell transistor even if the transistor has a designed size that allows a significant short channel effect to occur, and to suppress a leak current from a joint on the capacitor side diffusion layer of the cell transistor.例文帳に追加

短チャネル効果が顕著に現れるような設計寸法であったとしてもセルトランジスタのオフ電流を抑制することができ、さらにセルトランジスタのキャパシタ側拡散層の接合部におけるリーク電流を抑制できるようにする。 - 特許庁

In a procedure, a diffusion layer voltage Vs on a memory transistor side is changed and the gate voltage Vmg of the memory transistor is changed after the Vs exceeds the specified value Vsx of an intermediate stage regarding the rise and fall of a wordline bias.例文帳に追加

ワード線バイアスの立ち上げおよび立ち下げに関して、メモリトランジスタ側の拡散層電圧Vsを変化させ、Vsがある中間段階の値Vsxを過ぎた後にメモリトランジスタのゲート電圧Vmgを変化させる手順とする。 - 特許庁

Since the liquid containing hydrofluoric acid has pH of 3 or below, etching of crystal surface is suppressed even if the diffusion layer 17 having high donor or acceptor concentration and the poly-Si film 14 are subjected to over etching and the surface is not roughened.例文帳に追加

フッ酸含有液のpHが3以下であるので、ドナーやアクセプタの濃度が高い拡散層17及び多結晶Si膜14に過剰なエッチング処理を施しても、結晶面のエッチングが抑制されて、表面が荒れない。 - 特許庁

A step part 40 is formed in a gas diffusion layer 26a composing the electrolyte membrane-electrode assembly 12 by cutting out in the thickness direction, corresponding to a boundary portion between a projection part 30a and a recessed part 30b of the first metallic separator 14.例文帳に追加

電解質膜・電極構造体12を構成するガス拡散層26aには、第1金属セパレータ14の凸部30aと凹部30bとの境界部分に対応し厚さ方向に切り欠いて段差部40が設けられる。 - 特許庁

When layout-arranging a compensation capacitance part of a semiconductor device having the internal power supply and the compensation capacitance part supplying power to the internal power supply, a rectangular region of a diffusion layer is arranged in a region configuring the compensation capacitance part.例文帳に追加

内部電源と、該内部電源に電源を供給する補償容量部を有する半導体装置の補償容量部のレイアウト配置の際に、補償容量部を構成する領域に拡散層の矩形領域を配置する。 - 特許庁

In the fuel cell, since a diffusion layer is equipped with an easily elastic site in which elastic deformation is easier than in other site in a corresponding site of a flow passage wall of a separator, the dimensional change in the laminating direction of the cell can be absorbed.例文帳に追加

燃料電池において、拡散層が、セパレータの流路壁の対応部位に他の部位よりも弾性変形が容易な易弾性部位を備えることにより、セルの積層方向の寸法変化を吸収することができる。 - 特許庁

An n^+-diffusion layer 8 is arranged in a p-well 4 near a portion wherein wiring directions of the GND wiring 3 and the substrate bias VDD 2 wiring 5 intersect, and electrically connected to the GND wiring 3 via a contact.例文帳に追加

N+拡散層8が、GND配線3と基板バイアスVDD2配線5の配線方向が交差する部分の近傍におけるPウェル4内に配され、GND配線3とコンタクトを介して電気的に接続される。 - 特許庁

Further, variable capacity is provided with a conductor 12 connecting the well region 3 positioned below the insulating film 4 and exposed from a cut-out 11, and a region below the diffusion layer 6.例文帳に追加

さらに、当該切り欠かれた部分11から露出している、絶縁膜4の下方に位置するウエル領域3と、拡散層6の下方の領域とを接続する導電体12を、本発明に係る可変容量はさらに備えている。 - 特許庁

To surely make the concentration of a channel diffusion layer higher while of an explicit short channel effect is suppressed accompanying miniaturization, and to suppress increase of leakage current caused by low threshold voltage and high concentration channel.例文帳に追加

微細化に伴う短チャネル効果の顕在化を抑制しながらチャネル拡散層の濃度を確実に高くできるようにし、且つ低しきい値電圧及び高濃度チャネルに起因するリーク電流の増大を抑制できるようにする。 - 特許庁

The side wall film 6 located to be under the polycrystal silicon film 7 is formed to extend across the boundary 50 between the active region 2a and the element isolating film 3, and has the upper part that is above the upper surface of the n-type diffusion layer 5.例文帳に追加

多結晶シリコン膜7の下に位置する側壁膜6は、活性領域2aと素子分離膜3との境界50にまたがって設けられ、且つ、側壁膜6の上部は、n型拡散層5の上面より上側に位置している。 - 特許庁

This causes the surface texture of a nitrogen diffusion layer 25 undergo plastic flow in a stirring manner, thereby forming an apparently uniform and stable surface texture having a front side surface superficially consisting of a finely irregular surface, on the front surface side of the base material 18.例文帳に追加

これにより、窒素拡散層25の表面組織を撹拌するように塑性流動させて、表面側が微細な凹凸面からなる見かけ上は均一で安定した表面組織を母材18′の表面側に形成する。 - 特許庁

To provide a soft magnetic powder material provided with a coated layer having high barrier properties to the diffusion of elements to iron powder grains, to provide its production method, to provide a soft magnetic compact using the soft magnetic powder material, and to provide its production method.例文帳に追加

鉄粉粒子への元素拡散に対するバリヤ性が高い被覆層をもつ軟磁性粉末材料およびその製造方法、ならびにその軟磁性粉末材料を用いた軟磁性成形体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When P ions are to be injected, a region other than a region, such as the surface of the N+ diffusion layer where the Co silicide film is hard to be formed is selectively masked by a resist, and P ions are merely injected into the region, where the Co silicide film is hard to be formed.例文帳に追加

Pイオンの注入に際しては、N^+拡散層上のようにCoシリサイド膜を形成しにくい領域以外をレジストにて選択的にマスクし、Coシリサイド膜を形成しにくい領域にのみPイオンを注入する。 - 特許庁

As a mixing process, a PTFE emulsion is added as a water-repellent resin 4 to the container, and mixing is carried out using the rotating and revolving mixer again (step S3) so as to obtain the water-repellent paste 1 for the gas diffusion layer.例文帳に追加

そして、混合工程として、この容器に、撥水性樹脂4としてのPTFEエマルジョンを添加し、再び自転公転ミキサーを用いて混合を実施することによって(ステップS3)、ガス拡散層用撥水ペースト1が得られる。 - 特許庁

That is, the UV light entering the exposure mask film is diffused by the diffusing layer and condensed while the light transmitting the light condensing film so as to suppress diffusion of the UV light at the stage of reaching the surface of the photosensitive material.例文帳に追加

すなわち、露光用マスクフィルムへ入射する紫外光を、拡散層で拡散させ、集光フィルムを透過する際に集光させることによって、感光材の表面に達する段階で紫外光の拡散を抑制する。 - 特許庁

It is also preferable that, in place of the thermal head 8, laser is applied only to the part corresponding to the metal-like image figure 5 and the light diffusion shape 7 of the transparent resin layer 4 is removed or fused by heat of laser application to flatten the surface.例文帳に追加

サーマルヘッド8に代えて、金属調描画図5に相当する部分だけに、レーザーを照射し、その熱により、透明樹脂層4の光拡散形状7を除去、もしくは溶融させて、表面を平滑化させても良い。 - 特許庁

例文

To provide a method for manufacturing a gas diffusion layer for an electrochemical device using a surfactant not coming under Pollutant Release and Transfer Register, easily decomposing and having high dispersibility; and to provide a mixture used for the same.例文帳に追加

化学物質管理促進法(RTR法)該当せずかつ分解し易く分散性が良好な界面活性剤を用いた電気化学デバイス用ガス拡散層の製造方法それに使用される混合体を提供すること。 - 特許庁




  
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