「interface temperature」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Information of the drive current and the temperature is taken into a CPU 46 and transmitted to a host computer 48 on a network through a network interface circuit 47.例文帳に追加

これら駆動電流および温度についての情報はＣＰＵ４６に取り込まれた上、ネットワークインターフェイス回路４７を介してネットワーク上のホストコンピュータ４８に送られる。 - 特許庁

Suppression logic suppresses operations of the processor either if the internal high temperature is indicated or if an external signal is received on the bidirectional interface.例文帳に追加

内部の高温が示された場合、又は前記双方向インタフェースで外部信号が受信された場合のいずれかの場合に、抑圧ロジックがプロセッサの動作を抑圧する。 - 特許庁

To provide a method for improving performances of a crystal growth program based on the temperature gradient at the crystal growth front (crystal-melt interface) in the Czochralski process.例文帳に追加

チョクラルスキー法において、結晶成長フロント(結晶−融液界面)での温度勾配にもとづいた結晶成長プログラムの性能改善方法を提供する。 - 特許庁

The dynamic compensation of the impedance alteration which is caused by peeling of electrodes and moisture and temperature changes at the interface between the body surface and the body surface electrode is performed.例文帳に追加

電極の剥離ならびに湿度および温度変化による体表面およびその体表面電極との界面のインピーダンス変化の動的補償を行う。 - 特許庁

To provide a distributed feedback semiconductor laser of the gain coupling DFB laser structure which does not easily introduce damage to a re-growth interface when temperature rises in the PH_3 atmosphere.例文帳に追加

分布帰還型半導体レーザに関し、ＰＨ_3 雰囲気昇温時に再成長界面にダメージが導入されにくい利得結合ＤＦＢレーザの構造を提供する。 - 特許庁

A solder having a Pb content of 75% or more and a sold-liquid phase line temperature difference of 20°C or higher is heated into a solid-liquid coexisting state to solder the interface in this state.例文帳に追加

Ｐｂが７５％以上で、かつ固液相線温度差が２０℃以上のはんだを固液共存状態とするように加熱し、この状態で界面をはんだ付けする。 - 特許庁

This thermal interface material 30 is installed between a heat source set with a protection temperature and a heat radiator, and is used to transmit heat from the heat source to the heat dissipator.例文帳に追加

熱伝導部材３０は、保護温度が設定される熱源と放熱装置との間に設置され、前記熱源からの熱を前記放熱装置に伝えることに用いられる。 - 特許庁

The interposer board 12 and the motherboard 13 can be enhanced in bonding strength through a high-temperature solder fillet 16 formed around an interface between the interposer board 12 and the columnar core 13 and an eutectic solder fillet 17 formed around an interface between the motherboard 13 and the columnar core 14.例文帳に追加

インターポーザ基板１２と柱状コア１３との界面の周囲に形成される高温半田フィレット１６と、マザー基板１３と柱状コア１４との界面の周囲に形成される共晶半田フィレット１７により、十分な接続強度が得られる。 - 特許庁

To provide an oxide sliding interface-coated silicon carbide-based fiber having an interfacial layer capable of stably existing in a high temperature oxidizing atmosphere, and to provide a ceramic-based composite material reinforced with the fibers and capable of being used in the high temperature oxidizing atmosphere.例文帳に追加

高温の酸化雰囲気で安定して存在できる界面層を有する酸化物摺動界面被覆炭化ケイ素系繊維、及びこの繊維で強化された高温酸化雰囲気で使用可能なセラミックス基複合材料を提供する。 - 特許庁

In the method for producing a high quality single crystal by a Czochralski method, a lower portion of a solid-liquid interface of single crystal growth is divided into a central part and a circumferential part, and the temperature gradient of the central part and the temperature gradient of the circumferential part are separately controlled.例文帳に追加

チョクラルスキー法による高品質シリコン単結晶の製造方法において、単結晶成長の固液界面の下部を中心部と外周部に分け、前記中心部の温度勾配と外周部の温度勾配をそれぞれ個別に制御する。 - 特許庁

To provide a numerical analysis method in the production of silicon single crystal, wherein a calculated value of a solid-liquid interface shape between a silicon single crystal and a silicon molten salt or the temperature distribution adjacent to a solid-liquid interface conforms very well to an actual measurement value even when the drawing-up condition of the silicon single crystal is changed.例文帳に追加

シリコン単結晶の引上げ条件を変更しても、シリコン単結晶及びシリコン融液の固液界面形状やこの固液界面近傍の温度分布の計算値が実測値と極めて良く一致する、シリコン単結晶製造における数値解析方法を提供する。 - 特許庁

To stabilize the surface state of an interface layer to a lower electrode as an underlayer of a capacitance insulating film formed of a metal oxide and also control thickness of the interface layer, and moreover to surely supply oxygen at a lower temperature to the capacitance insulating film formed of the metal oxide.例文帳に追加

金属酸化物からなる容量絶縁膜の下地層となる下部電極との間の界面層の表面状態を安定化し且つ界面層の厚さを制御可能とし、また、金属酸化物からなる容量絶縁膜に低温で酸素補給を確実に行なえるようにする。 - 特許庁

Highly dense defects (threading dislocation) 12 are introduced into the Ge epitaxial film 11 from the interface with the Si substrate 10, and the threading dislocation 12 is converted into Rupe rearrangement defects 12' in the vicinity of the Si substrate interface by applying a heat treatment to the Ge epitaxial film 11 at a temperature of 700-900°C.例文帳に追加

Ｇｅエピタキシャル膜１１中にはＳｉ基板１０との界面から高密度の欠陥（貫通転位）１２が導入されるが、Ｇｅエピタキシャル膜１１に７００乃至９００℃の熱処理を施して貫通転位１２をＳｉ基板界面近傍のループ転位状欠陥１２´に変化させる。 - 特許庁

The single crystal film is produced by combining the liquid phase epitaxy action by a single crystal substrate 5, the action caused by control of crystal growth orientation by temperature gradient of a liquid phase-solid phase interface 10 and the action caused by movement of the liquid phase-solid phase interface 10 and control of wettability of the single crystal substrate 5 and the liquid phase.例文帳に追加

単結晶基板５による液相エピタキシー作用と、液相固相界面１０の温度勾配による結晶成長方位の制御による作用と、液相固相界面１０の移動と、単結晶基板５と液相のぬれ性の制御による作用とを組み合わせて作製する。 - 特許庁

The inside of an interface station S3 located between a processing station S2, at which a development process is carried out and an exposure system S4 is cooled down to a temperature of 10 to 15°C at which a resolution reaction hardly proceeds, and a heating section 31 promoting a resolution reaction in resist is provided inside the interface station S3.例文帳に追加

現像処理等を行う処理ステ−ションＳ２と露光装置Ｓ４との間のインターフェイスステーションＳ３内をレジストの解像反応の進行を抑える程度の温度例えば１０〜１５℃程度に冷却すると共に、ここにレジストの解像反応を促進させる加熱部３１を設ける。 - 特許庁

A main controller 40 controls the calorific value of each heater 30 on the basis of the position of the crystal growth interface, and the position of the temperature gradient region is controlled to a prescribed position.例文帳に追加

メインコントローラ４０では，当該結晶成長界面の位置に基づいて各ヒータ３０の発熱量が制御され，温度勾配領域の位置が所定の位置に調整される。 - 特許庁

The interface units 71 available are for functions of electric power measurement, temperature measurement, humidity measurement, state monitoring, lighting control, contact point output control and production volume monitoring.例文帳に追加

インターフェース部７１としては電力計測、温度計測、湿度計測、状態監視、照明制御、接点出力制御及び生産量監視を行うための機能を備えたものを用意した。 - 特許庁

To provide a circuit connecting material that exhibits excellent connection reliability by improving adhesion to an interface with a silicon nitride film when subjected to high temperature and high humidity processing.例文帳に追加

高温高湿処理を受けたときに、窒化珪素膜との界面との密着性を向上させて優れた接続信頼性を発揮することが可能な回路接続材料を提供する。 - 特許庁

To provide a sealing sheet for a solar cell crosslinking in a short time under a wide-range temperature condition and not generating a bubble blister at an interface with a protection material.例文帳に追加

本発明は、幅広い温度条件下において短時間のうちに架橋可能で且つ保護材との界面において気泡膨れの生じることのない太陽電池用封止シートを提供する。 - 特許庁

Also tensile stress at the interface between the glass sheet 3 and the tile generating at the time of descending temperature after the baking or rise and fall of temperatures after the construction is dispersed so that crazing of the glass sheet 3 is prevented from occurring.例文帳に追加

また、焼成後の降温時や、施工後の温度の昇降によって生じる板ガラス３とタイルとの界面の引張応力が分散され、板ガラス３のヒビ割れが防止される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an organic EL element capable of lowering heating temperature in comparison with a conventional method at the time of pasting and securing an adhesion property of a pasting interface.例文帳に追加

貼り合わせ時の加熱温度を従来よりも低温化でき、かつ、貼り合わせ界面の密着性を確保することが可能な有機ＥＬ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To improve the limit in utilization in an ultimate environment caused by brittleness of the strength of an interface between a diamond surface and a metal piece and of the metal piece itself in a high temperature or in chemicals.例文帳に追加

ダイヤモンド表面と金属片との界面の強度、金属片自身の高温ないし薬品中での脆弱性による極限環境での利用の制限を改善する。 - 特許庁

To provide a processing method useful for controlling the physical properties of a ceramic layer, lowering the processing temperature, shortening the processing time and controlling the distribution of cermet concentration on an interface in the direct modification of a metal surface into the cermet.例文帳に追加

金属表面の直接改質サーメット化加工におけるセラミックス層の物性制御、加工温度の低下、加工時間の短縮と界面でのサーメット濃度分布の制御。 - 特許庁

To increase the nitriding rate of an oxide film while holding the inside of a processing chamber at a temperature of ≤800°C, and to suppress localization of nitrogen atoms nearby an interface between the oxide film and a substrate.例文帳に追加

処理室内の温度を８００℃以下に保持しつつ酸化膜の窒化速度を向上させると共に、酸化膜と基板との界面付近における窒素原子の局在を抑制する。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing a semiconductor device in which hydrogen can be supplied sufficiently to the interface of the gate insulating film and the semiconductor substrate of a transistor, without having to elevate the processing temperature.例文帳に追加

処理温度を高温にしなくてもトランジスタのゲート絶縁膜と半導体基板の界面に水素を十分に供給することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method includes a step for removing byproducts of interface polymerization in order to prevent reversible reaction so that room temperature chemical bonding of silicon, silicon oxides and such a material as SiO is carried out.例文帳に追加

方法は、シリコン、シリコン酸化物およびＳｉＯのような材料の室温化学結合をなすように可逆的反応を防ぐために界面高分子化の副産物を除去することを含む。 - 特許庁

Based on an appropriate reflow scope having no reduction in strength at connection interfaces acquired by performing a connection interface strength evaluation test, an appropriate reflow scope in a temperature profile having one temperature peak is acquired with the compound thickness of the connection interface determined uniquely by a thermal load as a standard.例文帳に追加

基板の電極部上に溶融温度を一定とした温度プロファイルを用いてはんだ接続を行い、それぞれ接続界面強度評価試験を行って求めた接続界面での強度低下のない適正リフロー範囲をもとに、熱負荷によって一意に決定される接続界面の化合物厚さを基準として、温度ピークを一つもつ任意の温度プロファイルでの適正リフロー範囲を求める。 - 特許庁

To provide a variable conductance heat pipe exhibiting excellent controllability of heat radiation in which radiation starting temperature can be sustained at a constant level by preventing ambient temperature variation from having an effect on the movement of interface between the vapor of working liquid and noncondensible gas.例文帳に追加

環境温度の変化が、作動流体の蒸気と不凝縮性ガスの界面の移動に影響を及ぼすことを防止して、放熱開始温度を所定の温度に維持することができる放熱制御性に優れた可変コンダクタンスヒートパイプを提供する。 - 特許庁

To provide a method for the vulcanization-adhesion between rubber and metal which is free from the adhesion interface peeling between the rubber and the metal even under a high temperature, corrosive environment and suitable for the production of a heat resistant dynamic damper, etc., used in a high temperature engin room, etc.例文帳に追加

高温環境下や腐食環境下での使用においても金属とゴムとの接着界面剥離の問題がなく、高温のエンジンルーム等で使用される耐熱性ダイナミックダンパー等の製造に好適なゴムと金属との加硫接着方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ceramic heater superior in durability and reliability by relaxing stress generated between a ceramic substrate and a wiring conductor and preventing generation of cracks at the interface of the wiring conductor and the ceramic substrate at the time of rapid temperature rise and temperature drop such as at calcination and usage.例文帳に追加

焼成時や使用時等の急速昇降温時に、セラミック基体と配線導体間に発生する応力を緩和し、配線導体とセラミック基体界面のクラックの発生を防ぐことにより、耐久性、信頼性に優れたセラミックヒータを提供する。 - 特許庁

The ink is heated sufficiently rapidly that heat transfer from the ink to the substrate is sufficiently small during the leveling that ink at the substrate interface is cooled to a temperature below the viscosity threshold temperature thereby preventing any significant ink permeation into the substrate.例文帳に追加

インクを十分素早く加熱し、したがってインクから下地への熱伝達を平滑化期間中は十分に小さくし、これにより下地界面のインクを粘性閾値温度未満の温度に冷却し、それによって下地への相当量のインクの浸透を阻止する。 - 特許庁

In the interface between a high-temperature superconducting film 12A and an electrode 13, a titanium compound 20 is inserted such as a valium titanate, for example, generated through heating reaction with a titanium constituting a part of the electrode 13 and the component material of the high- temperature superconducting film 12A.例文帳に追加

高温超伝導膜１２Ａと電極１３との界面に該高温超伝導膜１２Ａの構成物質と該電極１３の一部を構成するチタンとの加熱反応で生成された例えばチタン酸バリウムなどのチタン化合物２０を介在させる。 - 特許庁

To obtain a proper ohmic contact by breaking a barrier layer existing in an interface between Ni of a first electrode of a positive temperature coefficient thermistor element and Ag of a second electrode without bringing about the problem of the damage or rectifying operation of the positive temperature coefficient thermistor element.例文帳に追加

正特性サーミスタ素子の第１電極であるＮｉと第２電極であるＡｇとの界面に存在する障壁層を、正特性サーミスタ素子の破壊や整流作用の残存という問題を発生させずに破壊して良好なオーミック接触を得る。 - 特許庁

In the method for manufacturing the electronic part, after a terminal part is soldered with the solder mainly composed of Sn and Zn, heat treatment is performed at a temperature of 80°C or above and not over a melting temperature of the solder, to deposit a Zn layer on an interface between the solder joint part and the terminal part of the electronic part.例文帳に追加

SnとZnを主とするはんだにより端子部をはんだ付けした後、80℃以上、該はんだの溶融温度以下の温度で熱処理を行い、はんだ接合部と電子部品の端子部との界面にZn層を析出させる電子部品の製造方法。 - 特許庁

In a pre-process for processing a substrate before forming a gate oxide film on a silicon carbide semiconductor substrate, while keeping the temperature of the substrate in a range from the room temperature to 1200 degree centigrade and applying ultraviolet rays to the substrate, the substrate is exposed to ozone to form the interface between oxide film/silicon carbide.例文帳に追加

炭化珪素半導体基板上に、ゲート酸化膜を形成する前の基板前処理工程において、基板の温度を室温から１２００℃の範囲に保ち、紫外線を照射しつつオゾン暴露を行って酸化膜／炭化珪素界面の作成する。 - 特許庁

These magnetic flux densities B_0, B_min and B_max are each made in a predetermined range, thereby suitably controlling the ascending flow and the temperature of the silicon melt 12 below the solid-liquid interface 15a.例文帳に追加

そして、これ等の磁束密度Ｂ_０、Ｂ_ｍｉｎ、およびＢ_ｍａｘが所定の範囲になるようにし、固液界面１５ａ下部のシリコン融液１２の適正な上昇流と温度の制御を行う。 - 特許庁

After crystal growth, when the temperature is reduced, a large strain occurs in the interface between the sapphire substrate 10 and the ZrB_2 layer 11 in a nano-column state, and thereby, the crystal growth layer 18 is easily separated from the sapphire substrate 10.例文帳に追加

結晶成長後に降温すると、サファイア基板１０とナノコラム状態のＺｒＢ2層１１の界面に大きな歪みが生じ、サファイア基板１０から結晶成長層１８が容易に分離する。 - 特許庁

To substantially adjust termination resistance by making it possible to form the whole interface circuit in an LSI and compensating fluctuations even if there are the fluctuations in a process condition and temperature in use.例文帳に追加

インタフェース回路の全部をＬＳＩの内部に構成することが可能で、プロセス条件や使用時の温度に変動があってもそれを補償して実質的な終端抵抗の調整を行うこと。 - 特許庁

After that, although it is subjected to annealing treatment, when the annealing treatment is executed at a lower temperature and in a shorter time as compared with conventional cases, a titanium monosilicide part 106 is formed in the interface between the Ti/TiN film 105 and a silicon substrate 101.例文帳に追加

この後アニール処理を施すが、従来よりも低温で短時間行うことで、Ｔｉ／ＴｉＮ膜１０５とシリコン基板１０１との界面にはチタンモノシリサイド１０６が形成される。 - 特許庁

The interface of a sensor unit 5 which detects an acceleration, a temperature, etc. is regulated so that the information outputted from the sensor unit 5 in the encoder receiving circuit 31b can be received by the encoder receiving circuit 31b.例文帳に追加

加速度や温度等を検出するセンサユニット５のインタフェースを調整し、エンコーダ受信回路３１ｂでセンサユニット５から出力される情報がエンコーダ受信回路３１ｂで受信できるようにする。 - 特許庁

A arithmetic section 10 performs calculation so as to reduce the influence of thermal radiation light 7 based on the detection signals from the first and second photodetectors 8 and 9, and measures the temperature on the resin interface.例文帳に追加

演算部１０は、第１と第２の光検出部８、９からの検出信号を基に、熱輻射光７の影響が軽減されるように演算を行って、樹脂界面の温度を測定する。 - 特許庁

Therefore, even if a high temperature heat treatment is applied to have it stably exist at an interface with zirconia, interdiffusion with the electrolyte 2 hardly occurs, and a non-conductive phase such as of pyrochroite is not generated.例文帳に追加

したがって、ジルコニアとの界面に安定に存在させるために高温の熱処理を行っても、電解質２との間で相互拡散が殆ど生じず、パイロクロアなどの不導体相などが生成されない。 - 特許庁

It contains a liquid comprising a molecule forming a hydrogen bond and the distance of the hydrogen bond of the liquid molecule on the interface with the gas bubble is shorter than the distance of the hydrogen bond at ambient temperature and pressure.例文帳に追加

そして、水素結合を形成する分子からなる液体を含有し、気泡との界面に存在する液体分子の水素結合の距離が、常温常圧であるときの水素結合の距離よりも短い。 - 特許庁

To provide a PN junction interface that prevents enhanced diffusion caused by an uneven stress during high temperature annealing for recovering from implantation damage after boron ion implantation into a wafer and achieves a superior flatness.例文帳に追加

ウェーハへのボロンのイオン注入後における、注入損傷回復の高温アニールにおいて、応力の不均一から生ずる増速拡散を防止し、平坦性の良いＰＮ接合界面の提供。 - 特許庁

To permit uniform and higher temperature gradient of a single crystal in the crystal pulling direction in the vicinity of the solid-liquid interface by reducing the thermal stress and controlling the distribution of point defects uniformly in the single crystal rod.例文帳に追加

単結晶棒内の熱的ストレスを低減し、点欠陥濃度分布を均一に制御し、固液界面付近での引上げ方向の結晶温度勾配を径方向に均一で高くできる。 - 特許庁