「interface temperature」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Since fibers having an average fiber diameter of shorter than the wavelength of visible light (380-800 nm) are used, the refraction of visible light by the fibers is hard to occur, and even if a temperature change and a wavelength variation occur, the scattering loss of visible light at the interface of fibers and the matrix material is hard to be generated.例文帳に追加

可視光の波長（３８０〜８００ｎｍ）より短い平均繊維径を有する繊維を用いるため、繊維による可視光の屈折が生じにくく、温度変化や波長変化が起きても、繊維とマトリクス材料との界面での可視光の散乱ロスが発生しにくい。 - 特許庁

At heat treatment, in a reaction in the interface of the core material and the coating layer 2 when Cu is included in the coating layer 2, a diffusion reaction is loosened compared to a reaction between a coating layer 2 consisting of a pure metal and the copper core material 1, so that sufficient adhesion is obtained even when the heat treatment temperature is raised.例文帳に追加

被覆層２にＣｕを含んでいると、熱処理時、芯材と被覆層２の界面における反応は、純金属からなる被覆層２と銅芯材１との間の反応に比べて拡散反応が緩やかとなって熱処理温度を上げても十分な密着性を得る。 - 特許庁

Since such a structure separates flowing-in air from upper ends of the protrusions 230 to re-contact it with the tabular body 210 then thins a film of an existing temperature interface layer to increase a friction coefficient, a cooling efficiency is further improved owing to the promotion of the heat transfer.例文帳に追加

このような構成によれば、流入空気が乱流促進形突出物の上端から分離され平板形胴体に再接触されることにより既存の温度境界層を薄膜化して摩擦係数を増加させるので、熱伝達率の促進により冷却効率がさらに向上される。 - 特許庁

An epitaxial layer 2 is grown on a high-resistance semiconductor substrate 1 containing high-concentration interstitial oxygen and thereafter, the substrate 1 is heat treated at a high temperature in an oxidizing atmosphere, and an SiO2 layer type region 3 is deposited in the interface between the substrate 1 and a layer 2.例文帳に追加

高濃度の格子間酸素を含んだ高抵抗の半導体基板１にエピタキシャル層２を成長させたのち、半導体基板１を酸化性雰囲気中で高温で熱処理し、半導体基板１とエピタキシャル層２との界面にＳｉＯ_2の層状領域３を析出させる。 - 特許庁

Consequently, by burning soot on the interface between the first electrode and an oxygen ion conductor (by a mixed potential reaction) at a controlled temperature of 300-550°C, a soot concentration in measuring gas can be detected by an electromotive force generated between both electrodes 9, 11.例文帳に追加

よって、３００℃〜５５０℃の温度に制御して、第１電極−酸素イオン導電体界面にて（混合電位反応によって）煤を燃焼させることにより、両電極９、１１間に発生する起電力によって、被測定ガス中の煤濃度を検出することができる。 - 特許庁

Thereby, refraction of visible light in inside of the fiber is hardly generated because the fiber having an average fiber diameter shorter than the wavelength of visible light (380-800 μm) is used, and the occurrence of loss of visible light caused by the scattering at the interface between the fiber and the matrix material is prevented even when changes in temperature or wavelength occur.例文帳に追加

可視光の波長（３８０〜８００ｎｍ）より短い平均繊維径を有する繊維を用いるため、繊維による可視光の屈折が生じにくく、温度変化や波長変化が起きても、繊維とマトリクス材料との界面での可視光の散乱ロスが発生しにくい。 - 特許庁

Subsequently, the transistor interface characteristic is improved by omitting oxygen which has been left in the HfAlOx film 10 in the first PDA by conducting the second PDA under the condition that the temperature is 600°C, nitrogen atmosphere includes partial pressure of oxygen of 1%, and the processing time is 15 minutes.例文帳に追加

続いて、温度が６００℃、酸素分圧が１％の窒素雰囲気、処理時間が１５分の条件で２回目のＰＤＡを行うことにより、１回目のＰＤＡにより生じたＨｆＡｌＯｘ膜１０の酸素抜けを回復させて、トランジスタ界面特性を改善する。 - 特許庁

First analysis means analyzes a state of the solid model which is cooled by the fluid model using steady-state analysis, and calculates coordinates of a boundary cell on the side of the fluid model located on an interface between the solid model and the fluid model, heat transfer rate, and ambient temperature as first analysis data.例文帳に追加

第１の解析手段は、流体モデルによって固体モデルが冷却される状態を定常解析によって解析し固体モデルと流体モデルとの境界面に位置する流体モデル側の境界セルの座標、熱伝達率、雰囲気温度を第１の解析データとして算出する。 - 特許庁

Due to the fiber having an average fiber diameter smaller than the wavelength of a visual light (380 to 800 nm), little refraction of the visible light by the fibers may be generated, and further, scattering loss of the visible light at the interface between the fibers and the matrix material cannot easily occur even when the temperature or wavelength is changed.例文帳に追加

可視光の波長（３８０〜８００ｎｍ）より短い平均繊維径を有する繊維を用いるため、繊維による可視光の屈折が生じにくく、温度変化や波長変化が起きても、繊維とマトリクス材料との界面での可視光の散乱ロスが発生しにくい。 - 特許庁

By combining a device for which a temperature/humidity sensor, a remote control signal recorder, a remote control signal transmitter and a USB interface are miniaturized and integrated with a personal computer, a cellular phone, an air conditioner, a humidifier and a dehumidifier already owned by a user, the system whose initial investment and running cost are both low is constructed.例文帳に追加

温度・湿度センサー、リモコン信号記録装置、リモコン信号発信装置、ＵＳＢインターフェースを小型・一体化した装置を、ユーザーがすでに所有しているパソコン、携帯電話、エアコン、加湿器、除湿機と組み合わせることにより、初期投資、ランニングコストとも安価にシステムの構築を行う。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolytic solution electric double-layer capacitor, which can keep a long-term stability and safety required as a capacitor and is superior in self-distingushing property, flame resistance, electrochemical stability, and deterioration resistance, and has a low interface resistance in a nonaqueous electrolytic solution and superior low-temperature characteristic.例文帳に追加

キャパシタとして必要とされる長期安定性、安全性を維持しつつ、自己消火性ないし難燃性に優れ、かつ、電気化学的安定性、及び耐劣化性に優れ、さらに非水電解液の界面抵抗が低く、低温特性に優れた非水電解液電気二重層キャパシタを提供すること。 - 特許庁

When an oxide buffer layer 18 having a high oxygen dispersion property is allowed to grow epitaxially on a silicon substrate 14 and then the layer 18 is treated at a high temperature under a high oxygen atmosphere, an SiO_2 layer 16 is formed on an interface between the silicon substrate 14 and the buffer layer 18, and the ground substrate 12 is obtained.例文帳に追加

シリコン基板１４上に、高酸素拡散性を有する酸化物緩衝層１８をエピタキシャル成長させたのち、高酸素雰囲気下で高温処理することにより、シリコン基板１４と酸化物緩衝層１８の界面にＳｉＯ_２層１６が形成され、下地基板１２が得られる。 - 特許庁

The 2nd upper guide layer 126 is allowed to grow at 650°C to be a growth temperature suitable for a P group layer to reduce the separation of P from the barrier layer and reduce the roughness of an interface between the barrier layer and the guide layer 126 down to 20 Å and less.例文帳に追加

この第二上ガイド層１２６はＰ系層に適した成長温度である６５０℃のままで成長させて、上記バリア層からのＰの脱離を低減して上記バリア層と第二上ガイド層１２６との界面の粗さの大きさを２０Å以下にまで下げる。 - 特許庁

When two columns are inserted up to the ionizing chamber, a relay member 25 is threaded with the temperature holding block of the interface part so as to hold a seal member 26 and a nut 22a is threaded with the relay member 25 so as to hold a ferrule 23a having an insertion hole 23a1 holding two columns 14a and 14b.例文帳に追加

２本のカラムをイオン化室まで挿通させる場合には、インタフェイス部の保温ブロック２１にシール部材２６を挟んで中継部材２５を螺合し、さらに２本のカラム１４ａ、１４ｂを保持する挿通穴２３ａ１を有するフェルール２３ａを挟んでナット２２ａを中継部材２５に螺合する。 - 特許庁

To provide a conducting sheet laminate which exhibits a sufficient anchor effect by mitigating or eliminating an adverse effect of a significant residual stress attributed to the formation of a brittle alloy layer in a joint interface resulting from a high temperature process and a high rolling ratio joint and a part using the conducting sheet laminate.例文帳に追加

高温プロセスに伴う接合界面での脆弱合金層の形成や、高圧延率接合に伴う大きな残留応力などの悪影響を軽減もしくは排除し、充分なアンカー効果を発現可能な導電板積層体および導電板積層体を用いた部品の提供。 - 特許庁

In the power conversion device of three-level configuration, the thermal resistance of a cooling fin for the outer semiconductor switching element is made larger than that of the inner semiconductor switching element to make the "interface temperature" of an inner IGBT and that of an outer IGBT substantially equal to each other.例文帳に追加

３レベル構成の電力変換装置において、内側ＩＧＢＴと外側ＩＧＢＴの「界面温度」の温度をほぼ等しくするために、内側半導体スイッチング素子よりも外側半導体スイッチング素子の冷却フィンの熱抵抗が大きいことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolytic solution electric double-layer capacitor which has various characteristics, such as low internal resistance, etc., required as nonaqueous electrolytic solution electric double-layer capacitor and is superior in self-distingushing property, flame resistance and deterioration resistance, and which has a low interface resistance in a nonaqueous electrolytic solution and is superior in low-temperature characteristic.例文帳に追加

非水電解液電気二重層キャパシタとして必要とされる低い内部抵抗等の諸特性を維持しつつ、自己消火性ないし難燃性に優れ、耐劣化性に優れ、非水電解液の界面抵抗が低く、低温特性に優れる非水電解液電気二重層キャパシタの提供。 - 特許庁

To easily and precisely measure a flow rate, a flow velocity, a temperature, or a liquid level or the like by improving the efficiency of sound pressure transmission, and facilitating incidence of an ultrasonic wave into a liquid heavy metal such as lead-bismuth, by making proper acoustic coupling at an interface touching a liquid.例文帳に追加

接液界面における音響的結合の適正化を図ることにより、音圧透過効率を改善し、鉛−ビスマス等の液体重金属への超音波の入射を容易にして、流量、流速、温度、あるいは液位などの計測を容易に精度よく行えるようにする。 - 特許庁

At this time, the semiconductor device has the substrate surface 25 treated with the chemicals to prevent a film from being formed on an interface between the substrate 8 and polysilicon film 32, and the heat treatment for diffusing impurities into the substrate 8 from the polysilicon film 32 can be completed at lower temperature or in a shorter time.例文帳に追加

このとき、半導体装置は、基板表面２５が薬液で処理されることにより、基板８とポリシリコン膜３２との界面に膜が形成されることが防止され、ポリシリコン膜３２から基板８に不純物を拡散させる熱処理を低温化し、または、短時間化することができる。 - 特許庁

To provide a method of rolling which contributes to the improvement of productivity by simply calculating proper draft always by which the promotion of press-fixing and the prevention of peeling in clad interface even when the temperature of rolled stocks is varied when manufacturing an aluminum clad material by hot rolling.例文帳に追加

アルミ合金クラッド材を熱間圧延により製造する場合に、圧延材の温度が変動しても、クラッド界面の圧着の促進と剥離防止ができる常に適正な圧下率を簡便に算出して生産性の向上に寄与できる圧延方法を提供することである。 - 特許庁

Since the oxide interfacial layer 12 which is thermally stable and has an even thin thickness is interposed on the interface between the oxide single crystal substrate 11 and the InGaN semiconductor layer 13, the InGaN semiconductor layer 13 can be formed at a high temperature on the oxide single crystal substrate 11, and thus the InGaN semiconductor layer of a high quality can be obtained.例文帳に追加

酸化物単結晶基板１１とInGaN半導体層１３界面に熱的に安定で薄くて均一な酸化物界面層１２を形成することにより、酸化物単結晶基板１１上に高温でInGaN半導体層１３を形成することができ、高品質のInGaN半導体層が得られる。 - 特許庁

To provide an adhesive resin composition which can not only decrease internal stress of the interface between a metal and an adhesive layer thereby improving cathodic peeling but also enhance adhesion strength, especially an adhesive resin composition improved in cathodic peeling and adhesion strength in a high temperature range where a polypropylene is used as a covering resin.例文帳に追加

金属と接着層界面の内部応力を減少させ、陰極剥離を改善すると共に接着強度を向上させることができる接着性樹脂組成物、特にポリプロピレンが被覆用樹脂として使用される高温領域での陰極剥離性、接着強度を改良した接着性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

A high-hardness hydrophobic porous complex with carbon fine particles uniformly dispersed is obtained by condensing dispersed liquid of FEP resin and the carbon fine particles by an electrophoretic deposition method or a phase separation method using a colloidal state of non-ion interface activator and heating it up to a temperature higher than a melting point of the FEP resin.例文帳に追加

フッ素樹脂及び炭素微粒子の分散液を、電気泳動電着法又は非イオン界面活性剤のコロイド化を利用した相分離法で濃縮し、これをフッ素樹脂の融点以上の温度に加熱することにより、炭素微粒子が均一に分散されかつ硬度の高い疎水性多孔質複合体を得る。 - 特許庁

To realize a thin film transistor device having a high mobility by providing a technique for grain enlarging (pseudo-single crystal) a low temperature poly-Si thin film as an element material of the thin film transistor device in a state in which the thin film is aligned in an plane-orientation having an optimum lattice structure considering an interface distortion from a substrate and controlling a crystal position.例文帳に追加

薄膜トランジスタ装置の素子材となる低温poly-Si薄膜を、基板との界面歪みを考慮した最適格子構造を持つ面方位に揃えた状態で大粒径化（擬似的な単結晶）し、かつ結晶位置を制御するための技術を提供することで高移動度の薄膜トランジスタ装置を実現することにある。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal, by which a high quality single crystal wherein a desired defect area is formed in the crystal growth direction can be easily manufactured with a high productivity and yield by suppressing the fluctuation of the temperature gradient in the vicinity of the solid-liquid interface to be minimum when the single crystal is grown.例文帳に追加

単結晶を育成する際に、固液界面近傍の温度勾配の変動を最小限に抑制し、結晶成長方向に所望欠陥領域が形成された高品質の単結晶を容易に、かつ高い生産性及び歩留りで製造できる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture a laminated semiconductor board where no oxide film is present by a method, wherein a natural oxide film is formed and is bonded stably on a bonding surface at a room temperature, and an oxide film present at a bonding interface is removed, when two semiconductor boards are laminated and bonded together into a laminated semiconductor board.例文帳に追加

２枚の半導体基板を接着して貼り合わせ半導体基板を形成する場合に、接合面に自然酸化膜を形成して室温で安定に接着させ、接着界面に介在する酸化膜を除去することにより、全く酸化膜が存在しない貼り合わせ半導体基板を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

In the interface unit part IFU, a down flow DF in which temperature control is performed is constituted so as to directly act to at least the substrate carrying outlet 19, a delivering part 4, or a receiving part 5, and heat transmission from the substrate carrying outlet 19, the delivering part 4, or the receiving part 5 is constituted so as to be relieved.例文帳に追加

インタフェースユニット部ＩＦＵ内は少なくとも基板搬入出口１９或いは渡し部４或いは受取部５に対して温度調節されたダウンフローＤＦが直接作用するように構成され、基板搬入出口１９或いは渡し部４或いは受取部５からの熱伝達を緩和するように構成されている。 - 特許庁

To suppress a crack in a cathode layer of a capacitor element and a rise in interface resistance caused by stress generated by the expansion of an exterior resin by a heat history and exposure to a high temperature caused by the solder mounting of the solid electrolytic capacitor to a printed board and contraction on cooling.例文帳に追加

固体電解コンデンサのプリント基板上へのはんだ実装の際、高温下に曝される為、この熱履歴により、外装樹脂が膨張、冷却時の収縮により発生する応力が原因となって、コンデンサ素子の陰極層に亀裂が発生し、界面抵抗が上昇することを抑制すること。 - 特許庁

A raw composite laminate 1a, provided with a dielectric green sheet 2a containing a dielectric ceramic material, a magnetic green sheet 3a containing a magnetic ceramic material that is not sintered at the sintering temperature for the dielectric ceramic material, and wiring conductors 6-13 provided along a specific interface, is prepared, and it is baked.例文帳に追加

誘電体セラミック材料を含む誘電体グリーンシート２ａと、誘電体セラミック材料の焼結温度では焼結しない磁性体セラミック材料を含む磁性体グリーンシート３ａと、特定の界面に沿って設けられる配線導体６〜１３とを備える、生の複合積層体１ａを用意し、これを焼成する。 - 特許庁

To provide a biaxially oriented self-tack protective film for in-mold lamination which shows excellent transparency and appearance property without the generation of interface irregularities or interlayer void, and also without the generation of floating or peeling to an adherend during high temperature fabrication, and for these advantages, enables an easy visual product inspection of the adherend, and exhibits an insignificant tack acceleration under high temperatures.例文帳に追加

界面ムラや層間ボイドの発生が無く透明性・外観特性に優れ、高温加工時の被着体との浮きや剥がれも発生しないために、被着体の目視での検品が容易であり、かつ高温下での粘着力昂進が小さいインモールドラミネーション用二軸延伸自己粘着性プロテクトフィルムを提供する。 - 特許庁

Second analysis means analyzes a state of a boundary cell on the side of the solid model located on the interface between the solid model and the fluid model on the basis of the first analysis data using transient analysis, and calculates a heat transfer coefficient of the boundary cell on the side of the solid model, ambient temperature and a heat flux as second analysis data.例文帳に追加

第２の解析手段は、第１の解析データに基づいて固体モデルと流体モデルとの境界面に位置する固体モデル側の境界セルの状態を非定常解析によって解析し固体モデル側の境界セルの熱伝達係数、雰囲気温度、熱流束を第２の解析データとして算出する。 - 特許庁

To provide an image display device which suppresses the occurrence of bubbles in an interface between a transparent adhesive resin sheet and a front plate in a long-term reliability test under high temperature and high humidity, in a manufacturing method of the device in which a transparent filler is closely arranged between a transparent plastic front panel and an image display panel.例文帳に追加

透明プラスチック前面パネルと画像表示パネルの間に透明充填材が密着配置される装置の製造法において、高温高湿下での長期信頼性試験で透明な粘着性樹脂シートと前面板の界面の気泡の発生を抑制する画像表示用装置を提供する。 - 特許庁

A downflow DF whose temperature is controlled acts directly to at least the substrate carry-in/out port 19, or the delivering part 4, or the receiving part 5 inside the interface unit portion IFU, and heat transfer from the substrate carry-in/out port 19, or the delivering part 4, or the receiving portion 5 is relaxed.例文帳に追加

インタフェースユニット部ＩＦＵ内は少なくとも基板搬入出口１９或いは渡し部４或いは受取部５に対して温度調節されたダウンフローＤＦが直接作用するように構成され、基板搬入出口１９或いは渡し部４或いは受取部５からの熱伝達を緩和するように構成されている。 - 特許庁

The substrates under the state stuck together are then heated at a relatively low temperature of 120-250°C (not exceeding the melting point of a supporting substrate), and an external impact is applied thereto thus exfoliating a silicon crystal film along the hydrogen ion implantation interface 12 of the single crystal Si substrate 10 in the substrates stuck together after heat treatment.例文帳に追加

貼り合わせた状態の基板を１２０℃以上２５０℃以下（但し、支持基板の融点を超えない温度）の比較的低い温度で加熱し、さらに、外部衝撃を付与することで、熱処理後の貼り合せ基板の単結晶Ｓｉ基板１０の水素イオン注入界面１２に沿ってＳｉ結晶膜を剥離する。 - 特許庁

To prevent the solidification at the outer peripheral part from being earlier than that at the inside of a crystal, and to inhibit the generation of polycrystals caused by accumulation of dislocations at the inside during growth of the crystal by uniformizing the temperature distribution in the radial direction of the growth interface, in a semiconductor crystal growth process based on a VB method or a VGF method.例文帳に追加

ＶＢ法又はＶＧＦ法による半導体結晶成長方法において、成長界面の径方向の温度分布を均一にすることで、結晶内部に対し外周部が早く固化することを防ぎ、成長途中で転位が内部に集積し多結晶化するのを防止可能にする。 - 特許庁

To provide a metal separator, and a fuel cell equipped with the separator, capable of alleviating stress generated at an interface part of a gas flow channel and an anticorrosive film formed around the gas flow channel by temperature cycle due to power generation, stoppage or the like of a fuel cell, and restraining generation of peeling off, crack or the like of a resin film.例文帳に追加

燃料電池の発電、停止等による冷熱サイクルにより、ガス流路とガス流路の周囲に形成される耐食性膜との境界部に生じる応力を緩和し、樹脂膜の剥離、亀裂等の発生を抑制することができる金属セパレータ及び当該金属セパレータを備える燃料電池を提供する。 - 特許庁

The multi-layered transparent gel composition comprises an outer layer composition and an inner layer composition each exhibiting a solid state at the ordinary temperature, wherein at least one portion of the inner layer composition is placed, while forming an interface in the outer layer composition, and the inner layer composition can visually be checked.例文帳に追加

常温において固化状態を呈する外層用組成物と内層用組成物とからなり、外層用組成物の内部に内層用組成物の少なくとも一部を境界面を形成させつつ位置させ、外層用組成物を透して内層用組成物を外部から視認可能としたことを特徴とする。 - 特許庁

The rice incorporated polyolefin resin composition is obtained by kneading a polyolefin resin (A), alpha rice (B), and a compatibilizer (C) which improves the affinity in the interface of said polyolefin resin (A) and said alpha rice (B) at the temperature at which said polyolefin resin is thermally fluidized to finely divide and uniformly disperse the rice component into the matrix of the polyolefin resin (A).例文帳に追加

ポリオレフィン樹脂（Ａ）と、α化米（Ｂ）と、前記ポリオレフィン樹脂（Ａ）及び前記α化米（Ｂ）の界面における親和性を向上させる相溶化剤（Ｃ）と、を前記ポリオレフィン樹脂が熱流動する温度で混練し、ポリオレフィン樹脂（Ａ）のマトリックス中に米成分を微細化させて均一に分散させることによる。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal, whereby a temperature gradient in the direction of crystal growth is increased to enable shaping of a solid-liquid interface into a convex form, by improving the structure of a crucible itself to eliminate need for floating a floating ring or covering with a heat-insulating particle.例文帳に追加

浮遊体リングを浮かべたり断熱性粒子で覆う必要なしに、つまりルツボそれ自体の構造を改善することにより、結晶成長方向の温度勾配を大きくして固液界面を凸化させることを可能とした化合物半導体単結晶の製造装置及び製造方法を提供すること。 - 特許庁

To secure improved reliability by securing low resistance in a p-type semiconductor layer that becomes a channel, suppressing a collapse phenomenon, and stabilizing operation at high temperature, by controlling the amount of dopant impurities in the p-type semiconductor layer for composing a field effect transistor, and the interface level density between a p-type layer and a gate insulating film.例文帳に追加

電界効果トランジスタを構成するｐ型半導体層内のドーパント不純物量やｐ型層とゲート絶縁膜間の界面準位密度を制御することにより、チャネルとなるｐ型半導体層の低抵抗を確保しつつ、コラプス現象を抑制し、更に高温での動作を安定化し、良好な信頼性を確保する。 - 特許庁

To provide an adhesive resin composition that can reduce the internal stress at the interface of a metal and an adhesive layer and improve cathodic disbonding, and also enhance adhesive strength, especially an adhesive resin composition that has improved cathodic disbonding and enhanced adhesive strength in a high temperature range, for which a polypropylene can be used as a resin for coating.例文帳に追加

金属と接着層界面の内部応力を減少させ、陰極剥離を改善すると共に接着強度を向上させることができる接着性樹脂組成物、特にポリプロピレンが被覆用樹脂として使用される高温領域での陰極剥離性、接着強度を改良した接着性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device reducing dark current due to an interface state without forming a hole storing layer made of an impurity diffused layer which needs a heating process at high temperature and allowing sensor placement in a shallow part of a semiconductor substrate so as to improve charge transfer efficiency.例文帳に追加

高温での熱処理プロセスを必要とする不純物拡散層からなるホール蓄積層を設けることなく界面準位に起因した暗電流を低減することが可能で、これにより半導体基板の浅い位置にセンサを設けて電荷転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal growth device capable of stably producing a single crystal having excellent quality by, in the process of single crystal growth, allowing the central-symmetric natural convection of a melt and thereby inhibiting variation in temperature of the melt at the growth interface, and also to provide a single crystal growth method using the device.例文帳に追加

単結晶育成中に、融液の自然対流が中心対称性を得られるようにして、結晶の成長界面における融液の温度変動を抑制することにより、優れた品質の単結晶を安定して育成することができる単結晶育成装置と、それを用いた育成方法を提供する。 - 特許庁

To obtain both an acrylic adhesive for an optical film, not peeling at an interface between an adhesive layer and a liquid crystal cell even in an atmosphere of high temperature and humidity, having excellent heat resistance and humidity resistance and an optical film with the adhesive layer using the adhesive and to provide a liquid crystal display apparatus using the adhesive.例文帳に追加

高温多湿の雰囲気下でも粘着剤層と液晶セルとの界面で剥離を生じたりする事の無い、耐熱性および耐湿性に優れた光学フィルム用のアクリル系粘着剤と、この粘着剤を用いてなる粘着剤層付き光学フィルムおよび液晶表示装置を提供する事を目的とする。 - 特許庁

This method comprises irradiating a polytetrafluoroethylene resin with ionizing radiation at a temperature lower than its crystalline melting point and subjecting the resultant radicals to graft reaction with tetrafluoroethylene monomers, thus forming the crosslinked structure round the amorphous region and interface of the resin.例文帳に追加

ポリテトラフルオロエチレン樹脂にその結晶融点以下の温度において電離性放射線を照射し、それによって生成したラジカルにテトラフルオロエチレンモノマーをグラフト反応させることにより、前記樹脂の非晶領域と界面を中心に架橋構造を形成させることを特徴とする、架橋ポリテトラフルオロエチレン樹脂の製造方法である。 - 特許庁